JPH05232475A - 液晶配向膜 - Google Patents
液晶配向膜Info
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- JPH05232475A JPH05232475A JP3109292A JP3109292A JPH05232475A JP H05232475 A JPH05232475 A JP H05232475A JP 3109292 A JP3109292 A JP 3109292A JP 3109292 A JP3109292 A JP 3109292A JP H05232475 A JPH05232475 A JP H05232475A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有す
るポリアミク酸に、下記一般式（II）で表されるアルキ
ルアミンとを反応させて得られたポリアミク酸アルキル
アミン塩の薄膜が、基板上にラングミュア−ブロジェッ
ト法により形成されてなる液晶配向膜。 〔式中、Ｒ１は３価または４価の有機基、Ｒ２は４価の
有機基、ａは１または２を意味する。〕 〔式中、Ｒ３はアルキル基、Ｒ４およびＲ５は水素原子
またはアルキル基を意味する。〕 【効果】 均一で安定なホメトロピック（垂直）液晶配
向を容易に実現する液晶配向膜を製造することができ、
ＳＨ型液晶表示素子において低コストで高品質の表示特
性を容易に達成することができる。
るポリアミク酸に、下記一般式（II）で表されるアルキ
ルアミンとを反応させて得られたポリアミク酸アルキル
アミン塩の薄膜が、基板上にラングミュア−ブロジェッ
ト法により形成されてなる液晶配向膜。 〔式中、Ｒ１は３価または４価の有機基、Ｒ２は４価の
有機基、ａは１または２を意味する。〕 〔式中、Ｒ３はアルキル基、Ｒ４およびＲ５は水素原子
またはアルキル基を意味する。〕 【効果】 均一で安定なホメトロピック（垂直）液晶配
向を容易に実現する液晶配向膜を製造することができ、
ＳＨ型液晶表示素子において低コストで高品質の表示特
性を容易に達成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶配向膜に関するも
のであり、特にスーパーホメオトロピック（ＳＨ）表示
素子において、液晶を垂直に配向させる好適な液晶配向
膜に関する。
のであり、特にスーパーホメオトロピック（ＳＨ）表示
素子において、液晶を垂直に配向させる好適な液晶配向
膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子としては、ツインス
テッドネマチック（ＴＮ）型の表示素子が最も一般的に
使用されている。このＴＮ型液晶表示素子はコントラス
トおよび視角依存性に劣るため、最近、コントラストお
よび視角依存性に優れた液晶表示素子であるスーパーホ
メオトロピック（ＳＨ）表示素子が開発されている。Ｓ
Ｈ表示素子は、液晶分子の長軸方向の誘電異方性が負の
液晶を垂直配向させ、電圧印加により液晶分子を倒して
単純マトリックス駆動で動作させるものである。
テッドネマチック（ＴＮ）型の表示素子が最も一般的に
使用されている。このＴＮ型液晶表示素子はコントラス
トおよび視角依存性に劣るため、最近、コントラストお
よび視角依存性に優れた液晶表示素子であるスーパーホ
メオトロピック（ＳＨ）表示素子が開発されている。Ｓ
Ｈ表示素子は、液晶分子の長軸方向の誘電異方性が負の
液晶を垂直配向させ、電圧印加により液晶分子を倒して
単純マトリックス駆動で動作させるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＳＨ表示素子に
おいては、液晶分子を基板面に垂直に配向させるため
に、二酸化ケイ素を斜方蒸着した基板を用いたり、基板
面をフッ素系の界面活性剤や長鎖アルキル基を有するカ
ップリング剤で処理することが必要である。斜方蒸着を
行なう場合、製造工程が煩雑なため大量生産が困難であ
り、また界面活性剤やカップリング剤を用いる場合には
液晶配向の均一性が低いため、信頼性に劣るという問題
点があった。本発明の目的は、均一で安定なホメオトロ
ピック（垂直）液晶配向を容易に実現するための好適な
液晶配向膜を提供することにある。
おいては、液晶分子を基板面に垂直に配向させるため
に、二酸化ケイ素を斜方蒸着した基板を用いたり、基板
面をフッ素系の界面活性剤や長鎖アルキル基を有するカ
ップリング剤で処理することが必要である。斜方蒸着を
行なう場合、製造工程が煩雑なため大量生産が困難であ
り、また界面活性剤やカップリング剤を用いる場合には
液晶配向の均一性が低いため、信頼性に劣るという問題
点があった。本発明の目的は、均一で安定なホメオトロ
ピック（垂直）液晶配向を容易に実現するための好適な
液晶配向膜を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するものとして、下記一般式（Ｉ）で表される構造
単位を有する重合体であるポリアミク酸に、下記一般式
（II）で表されるアルキルアミンとを反応させてなるポ
リアミク酸アルキルアミン塩の薄膜を、ラングミュアー
ブロジェット（以下ＬＢと略記する）法により基板上に
形成して得られることを特徴とする液晶配向膜を提供す
るものである。
解決するものとして、下記一般式（Ｉ）で表される構造
単位を有する重合体であるポリアミク酸に、下記一般式
（II）で表されるアルキルアミンとを反応させてなるポ
リアミク酸アルキルアミン塩の薄膜を、ラングミュアー
ブロジェット（以下ＬＢと略記する）法により基板上に
形成して得られることを特徴とする液晶配向膜を提供す
るものである。
【０００５】
【化３】
【０００６】
【化４】
【０００７】
【作用】本発明におけるポリアミク酸アルキルアミン塩
のＬＢ膜においては、長鎖アルキルアミンがポリアミク
酸のカルボキシル基のみならず、ジアミン部分のカルボ
キシル基にも結合する結果、該長鎖アルキルアミンの密
度が高くなり、長鎖アルキル基が基板面に垂直に配列し
やすくなるため、均一で高品質な垂直配向用の液晶配向
膜を、容易に提供することができる。
のＬＢ膜においては、長鎖アルキルアミンがポリアミク
酸のカルボキシル基のみならず、ジアミン部分のカルボ
キシル基にも結合する結果、該長鎖アルキルアミンの密
度が高くなり、長鎖アルキル基が基板面に垂直に配列し
やすくなるため、均一で高品質な垂直配向用の液晶配向
膜を、容易に提供することができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明を詳しく説明する。本発明で用い
られるポリアミク酸アルキルアミン塩を構成する重合体
は、下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有するもの
である。
られるポリアミク酸アルキルアミン塩を構成する重合体
は、下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有するもの
である。
【０００９】
【化５】
【００１０】上記ポリアミク酸は、テトラカルボン酸及
びそれらの無水物から選ばれる少なくとも１種と、ジア
ミン化合物とを共重合反応させて得ることができる。
びそれらの無水物から選ばれる少なくとも１種と、ジア
ミン化合物とを共重合反応させて得ることができる。
【００１１】上記共重合反応に用いるテトラカルボン酸
及びそれらの無水物としては、具体的には１，２，３，
４−シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４−
シクロペンタンテトラカルボン酸、２，３，５−トリカ
ルボキシシクロペンチル酢酸、ビシクロ［２，２，２］
−オクト−７−エン−テトラカルボン酸、１，２，３，
４−フランテトラカルボン酸、ピロメリット酸、４，
４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノルキシ）ジフ
ェニルプロパン、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，
４’−ビフェニルエーテル、ビス（トリフェニルフタル
酸）−４，４’−ジフェニルメタン、３，３’，４，
４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸、ブタンテ
トラカルボン酸等のテトラカルボン酸及びそれらの無水
物を挙げることができる。
及びそれらの無水物としては、具体的には１，２，３，
４−シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４−
シクロペンタンテトラカルボン酸、２，３，５−トリカ
ルボキシシクロペンチル酢酸、ビシクロ［２，２，２］
−オクト−７−エン−テトラカルボン酸、１，２，３，
４−フランテトラカルボン酸、ピロメリット酸、４，
４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノルキシ）ジフ
ェニルプロパン、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，
４’−ビフェニルエーテル、ビス（トリフェニルフタル
酸）−４，４’−ジフェニルメタン、３，３’，４，
４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸、ブタンテ
トラカルボン酸等のテトラカルボン酸及びそれらの無水
物を挙げることができる。
【００１２】特に好ましくは、１，２，３，４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸、２，３，５−トリカルボキシ
シクロペンチル酢酸及びピロメリット酸を用いることに
より、再現性良く安定したＬＢ膜の成膜が行える。上記
テトラカルボン酸及びそれらの無水物は１種単独でも２
種以上でも用いることができる。
ブタンテトラカルボン酸、２，３，５−トリカルボキシ
シクロペンチル酢酸及びピロメリット酸を用いることに
より、再現性良く安定したＬＢ膜の成膜が行える。上記
テトラカルボン酸及びそれらの無水物は１種単独でも２
種以上でも用いることができる。
【００１３】上記共重合反応に用いるカルボキシル基を
１ないし２個有するジアミン化合物としては、具体的に
はベンジジン−３−カルボン酸、ベンジジン−３，３’
−ジカルボン酸、４，４’−ジアミノジフェニルメタン
−３−カルボン酸、４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン−３，３’−ジカルボン酸、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエタン−３−カルボン酸、４，４’−ジアミノジ
フェニルエタン−３，３’−ジカルボン酸、４，４’−
ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボン酸、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル−３，３’−ジカル
ボン酸、３，４−ジアミノ安息香酸、３，５−ジアミノ
安息香酸等を挙げることができる。
１ないし２個有するジアミン化合物としては、具体的に
はベンジジン−３−カルボン酸、ベンジジン−３，３’
−ジカルボン酸、４，４’−ジアミノジフェニルメタン
−３−カルボン酸、４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン−３，３’−ジカルボン酸、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエタン−３−カルボン酸、４，４’−ジアミノジ
フェニルエタン−３，３’−ジカルボン酸、４，４’−
ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボン酸、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル−３，３’−ジカル
ボン酸、３，４−ジアミノ安息香酸、３，５−ジアミノ
安息香酸等を挙げることができる。
【００１４】特に好ましくは、ベンジジン−３，３’−
ジカルボン酸、４，４’−ジアミノジフェニルメタン−
３−カルボン酸、３，５−ジアミノ安息香酸を用いるこ
とにより、再現性良く安定したＬＢ膜の成膜が行える。
上記ジアミン化合物は１種単独でも２種以上でも用いる
ことができる。
ジカルボン酸、４，４’−ジアミノジフェニルメタン−
３−カルボン酸、３，５−ジアミノ安息香酸を用いるこ
とにより、再現性良く安定したＬＢ膜の成膜が行える。
上記ジアミン化合物は１種単独でも２種以上でも用いる
ことができる。
【００１５】上記テトラカルボン酸及びそれらの無水物
とジアミン化合物との共重合反応は、生成するポリアミ
ク酸を溶解する適当な有機溶媒中で行なう。かかる有機
溶媒としては、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクト
ン、テトラメチル尿素、ビス（メトキシエチル）エーテ
ル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、１，４−ジオ
キサン等を挙げることができる。
とジアミン化合物との共重合反応は、生成するポリアミ
ク酸を溶解する適当な有機溶媒中で行なう。かかる有機
溶媒としては、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクト
ン、テトラメチル尿素、ビス（メトキシエチル）エーテ
ル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、１，４−ジオ
キサン等を挙げることができる。
【００１６】なお、この有機溶媒には、そのほかの一般
的な有機溶媒であるエーテル類、ハロゲン化炭化水素
類、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチ
ル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジクロル
メタン、１，２−ジクロルエタン、１，４−ジクロルブ
タン、トリクロルエタン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロ
ルベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等もポリアミク酸を析出させな
い程度に混合して使用することができる。上記テトラカ
ルボン酸及びそれらの無水物とジアミン化合物との共重
合反応の温度は、通常、０〜１５０℃、好ましくは０〜
８０℃である。
的な有機溶媒であるエーテル類、ハロゲン化炭化水素
類、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチ
ル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジクロル
メタン、１，２−ジクロルエタン、１，４−ジクロルブ
タン、トリクロルエタン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロ
ルベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等もポリアミク酸を析出させな
い程度に混合して使用することができる。上記テトラカ
ルボン酸及びそれらの無水物とジアミン化合物との共重
合反応の温度は、通常、０〜１５０℃、好ましくは０〜
８０℃である。
【００１７】本発明で用いられるポリアミク酸アルキル
アミン塩を構成するアルキルアミンは、下記一般式（I
I）で表される構造を有する。
アミン塩を構成するアルキルアミンは、下記一般式（I
I）で表される構造を有する。
【００１８】
【化６】
【００１９】かかるアルキルアミンとして具体的には、
オクチルアミン、デシルアミン、テトラデシルアミン、
ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、ドコシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルオクチル
アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−デシルアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチル−ｎ−テトラデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ル−ｎ−ヘキサデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−
オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−エイコシ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ドコシルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−シクロヘキシルアミン等を挙げ
ることができる。
オクチルアミン、デシルアミン、テトラデシルアミン、
ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、ドコシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルオクチル
アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−デシルアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチル−ｎ−テトラデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ル−ｎ−ヘキサデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−
オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−エイコシ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ドコシルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−シクロヘキシルアミン等を挙げ
ることができる。
【００２０】特に好ましくは、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−
ヘキサデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデ
シルアミン等の第三級アミンを用いることができる。上
記アルキルアミンは１種単独でも２種以上でも用いるこ
とができる。
ヘキサデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデ
シルアミン等の第三級アミンを用いることができる。上
記アルキルアミンは１種単独でも２種以上でも用いるこ
とができる。
【００２１】上記ポリアミク酸とアルキルアミンとの反
応は、ポリアミク酸を製造した後、得られる反応生成物
を含む反応液に上記アルキルアミン化合物をそのまま、
または前記ポリアミク酸の共重合に用いることができる
有機溶媒に溶解させた長鎖アルキルアミン化合物の溶液
を混合することにより、行なうことができる。この反応
は通常、０〜６０℃、好ましくは室温で行なうことがで
きる。
応は、ポリアミク酸を製造した後、得られる反応生成物
を含む反応液に上記アルキルアミン化合物をそのまま、
または前記ポリアミク酸の共重合に用いることができる
有機溶媒に溶解させた長鎖アルキルアミン化合物の溶液
を混合することにより、行なうことができる。この反応
は通常、０〜６０℃、好ましくは室温で行なうことがで
きる。
【００２２】この反応において、アルキルアミン化合物
の使用量は、通常、ポリアミク酸分子における繰り返し
単位１モルに対して０．５〜５モル、好ましくは０．５
〜３モルである。アルキルアミン化合物の使用量が、ポ
リアミク酸分子における繰り返し単位に対して少なすぎ
たり、多すぎたりすると、ＬＢ膜の成膜性、液晶配向膜
とした場合の液晶配向性及びその安定性が悪くなる。
の使用量は、通常、ポリアミク酸分子における繰り返し
単位１モルに対して０．５〜５モル、好ましくは０．５
〜３モルである。アルキルアミン化合物の使用量が、ポ
リアミク酸分子における繰り返し単位に対して少なすぎ
たり、多すぎたりすると、ＬＢ膜の成膜性、液晶配向膜
とした場合の液晶配向性及びその安定性が悪くなる。
【００２３】このようにして得られたポリアミク酸アル
キルアミン塩を含む溶液は、反応に用いたのと同じ溶媒
を用いて、通常、濃度０．１〜１０ｍＭ、好ましくは
０．２〜６ｍＭ程度の溶液に調製し展開液としてポリア
ミク酸アルキルアミン塩ＬＢ膜の形成に使用することが
できる。
キルアミン塩を含む溶液は、反応に用いたのと同じ溶媒
を用いて、通常、濃度０．１〜１０ｍＭ、好ましくは
０．２〜６ｍＭ程度の溶液に調製し展開液としてポリア
ミク酸アルキルアミン塩ＬＢ膜の形成に使用することが
できる。
【００２４】本発明におけるＬＢ膜の成膜は、以下のよ
うにして行なうことができる。まず、上記ポリアミク酸
アルキルアミン塩を含む展開液を純水上に展開し、これ
をバリア等を用いて所定の表面圧になるまで圧縮してポ
リアミク酸アルキルアミン塩の単分子膜を得る。
うにして行なうことができる。まず、上記ポリアミク酸
アルキルアミン塩を含む展開液を純水上に展開し、これ
をバリア等を用いて所定の表面圧になるまで圧縮してポ
リアミク酸アルキルアミン塩の単分子膜を得る。
【００２５】上記所定の表面圧は通常、５〜７０ｍＮ／
ｍに設定される。次に、上記所定の表面圧が保持される
ようにバリアを制御しながら、基板を純水面に対し垂直
方向に純水面を横切るようにして上下に移動させること
により、上記ポリアミク酸アルキルアミン塩の単分子膜
を基板上に移し取る（垂直浸漬法）。
ｍに設定される。次に、上記所定の表面圧が保持される
ようにバリアを制御しながら、基板を純水面に対し垂直
方向に純水面を横切るようにして上下に移動させること
により、上記ポリアミク酸アルキルアミン塩の単分子膜
を基板上に移し取る（垂直浸漬法）。
【００２６】このような成膜操作を繰り返すことによ
り、任意の層数の累積膜を得ることができる。また、こ
の時基板の下降時のみにおいて上記単分子膜を移し取る
方式（Ｘ型）、基板の下降時と上昇時の両方において上
記単分子膜を移し取る方式（Ｙ型）、基板の上昇時のみ
において上記単分子膜を移し取る方式（Ｚ型）の何れの
方式を用いても累積することができる。
り、任意の層数の累積膜を得ることができる。また、こ
の時基板の下降時のみにおいて上記単分子膜を移し取る
方式（Ｘ型）、基板の下降時と上昇時の両方において上
記単分子膜を移し取る方式（Ｙ型）、基板の上昇時のみ
において上記単分子膜を移し取る方式（Ｚ型）の何れの
方式を用いても累積することができる。
【００２７】上記ＬＢ膜成膜時の基板移動速度は、通
常、１〜１００ｍｍ／分の範囲に設定されるが、好まし
くは、３〜３０ｍｍ／分の範囲に設定される。上記ＬＢ
膜成膜時の温度は、通常、５〜５０℃の範囲に設定され
る。また、上記ＬＢ膜の累積数は、１〜２００層程度と
することができる。
常、１〜１００ｍｍ／分の範囲に設定されるが、好まし
くは、３〜３０ｍｍ／分の範囲に設定される。上記ＬＢ
膜成膜時の温度は、通常、５〜５０℃の範囲に設定され
る。また、上記ＬＢ膜の累積数は、１〜２００層程度と
することができる。
【００２８】上記ＬＢ膜成膜に用いられる基板は、通
常、液晶表示素子の基板として用いられるものを用いる
ことができ、具体的には例えばフロートガラス、ソーダ
ガラス、石英ガラス、ソーダガラスの表面をＳｉＯ2で
コートしたもの（アンダーコート ガラス）、及びこれ
らの基板表面上に電極層を設けたものが挙げられる。上
記電極層の材質としては、ＩＴＯ、ＮＥＳＡなどの透明
導電物質が好ましく用いられる。また、上記基板は表面
研磨を施して用いることもできる。
常、液晶表示素子の基板として用いられるものを用いる
ことができ、具体的には例えばフロートガラス、ソーダ
ガラス、石英ガラス、ソーダガラスの表面をＳｉＯ2で
コートしたもの（アンダーコート ガラス）、及びこれ
らの基板表面上に電極層を設けたものが挙げられる。上
記電極層の材質としては、ＩＴＯ、ＮＥＳＡなどの透明
導電物質が好ましく用いられる。また、上記基板は表面
研磨を施して用いることもできる。
【００２９】以上説明した方法で作製した本発明のポリ
アミク酸アルキルアミン塩重合体のＬＢ膜は、スーパー
ホメオトロピック（ＳＨ）表示素子において、液晶を垂
直に配向させる好適な液晶配向膜として用いることがで
きる。
アミク酸アルキルアミン塩重合体のＬＢ膜は、スーパー
ホメオトロピック（ＳＨ）表示素子において、液晶を垂
直に配向させる好適な液晶配向膜として用いることがで
きる。
【００３０】以下本発明の液晶配向膜を用いて液晶表示
素子を作製した実施例を、図１に基づいて説明する。 （実施例１）ピロメリット酸の無水物とベンジジン−
３，３’−ジカルボン酸とを共縮重合させて得たポリア
ミク酸に、これに含まれるカルボン酸基と等モル量の
Ｎ，Ｎ−ジメチルオクタデシルアミンとをＮ−メチル−
２−ピロリドン：トルエン混合溶媒（８／２、重量比）
中に溶かして繰り返し単位濃度１ｍＭのポリアミク酸ア
ルキルアミン塩溶液を調製した。これを純水上に展開し
て単分子膜を得た後、ＬＢ法によりＩＴＯコート層１が
形成されたアンダーコートガラス基板２（松崎真空製）
上に、ポリアミク酸アルキルアミン塩のＬＢ膜を形成し
た。このとき、成膜方式は垂直浸漬法によるＹ型とし、
累積条件は、表面圧３１ｍＮ／ｍ、基板速度１２ｍｍ／
分、累積層数４、温度２０℃とした。
素子を作製した実施例を、図１に基づいて説明する。 （実施例１）ピロメリット酸の無水物とベンジジン−
３，３’−ジカルボン酸とを共縮重合させて得たポリア
ミク酸に、これに含まれるカルボン酸基と等モル量の
Ｎ，Ｎ−ジメチルオクタデシルアミンとをＮ−メチル−
２−ピロリドン：トルエン混合溶媒（８／２、重量比）
中に溶かして繰り返し単位濃度１ｍＭのポリアミク酸ア
ルキルアミン塩溶液を調製した。これを純水上に展開し
て単分子膜を得た後、ＬＢ法によりＩＴＯコート層１が
形成されたアンダーコートガラス基板２（松崎真空製）
上に、ポリアミク酸アルキルアミン塩のＬＢ膜を形成し
た。このとき、成膜方式は垂直浸漬法によるＹ型とし、
累積条件は、表面圧３１ｍＮ／ｍ、基板速度１２ｍｍ／
分、累積層数４、温度２０℃とした。
【００３１】このようにして得られたＬＢ膜を液晶配向
膜３として、図１に示すようなＳＨ型液晶表示素子４を
作製した。上記ＳＨ型液晶表示素子４では、液晶５とし
てメルク製ＺＬＩ−３２００を用い、液晶層の厚さは５
μｍとした。スペーサー材６は、エポキシ系接着剤に粒
径５μｍの球状スペーサーを混ぜ合せたものを用いてス
クリーン印刷法により形成した。得られた液晶セルを１
１０℃に加熱して液晶を等方相にした後、室温まで徐冷
してネマチック相とした。この液晶素子の両面に偏光フ
ィルムをクロスニコルに貼り付けＳＨ型液晶表示素子４
とした。
膜３として、図１に示すようなＳＨ型液晶表示素子４を
作製した。上記ＳＨ型液晶表示素子４では、液晶５とし
てメルク製ＺＬＩ−３２００を用い、液晶層の厚さは５
μｍとした。スペーサー材６は、エポキシ系接着剤に粒
径５μｍの球状スペーサーを混ぜ合せたものを用いてス
クリーン印刷法により形成した。得られた液晶セルを１
１０℃に加熱して液晶を等方相にした後、室温まで徐冷
してネマチック相とした。この液晶素子の両面に偏光フ
ィルムをクロスニコルに貼り付けＳＨ型液晶表示素子４
とした。
【００３２】このようにして得られた液晶表示素子４に
おいて、均一で安定なホメオトロピック配向が得られる
ことを確認した。さらに、このＳＨ型液晶表示素子４に
３２Ｈｚ、実効電圧７Ｖの正弦波信号を印加したとこ
ろ、正常なＳＨ型液晶表示素子４の動作が確認され、液
晶表示素子として使用できることがわかった。
おいて、均一で安定なホメオトロピック配向が得られる
ことを確認した。さらに、このＳＨ型液晶表示素子４に
３２Ｈｚ、実効電圧７Ｖの正弦波信号を印加したとこ
ろ、正常なＳＨ型液晶表示素子４の動作が確認され、液
晶表示素子として使用できることがわかった。
【００３３】（実施例２）２，３，５−トリカルボキシ
シクロペチル酢酸の無水物と４，４’−ジアミノジフェ
ニルメタン−３−カルボン酸とを共縮重合させて得たポ
リアミク酸に、これに含まれるカルボン酸基と等モル量
のＮ，Ｎ−ジメチルヘキサデシルアミンとをγ−ブチロ
ラクトン：トルエン混合溶媒（８／２、重量比）中に溶
かして展開液を調製した。これを純水上に展開して単分
子膜を得た後、ＬＢ法によりＩＴＯコート層１が形成さ
れたアンダーコートガラス基板２（松崎真空製）上にポ
リアミク酸アルキルアミン塩のＬＢ膜を形成した。この
とき、成膜方式は垂直浸漬法によるＹ型とし、累積条件
は、表面圧３８ｍＮ／ｍ、基板速度１０ｍｍ／分、累積
層数７、温度２２℃とした。
シクロペチル酢酸の無水物と４，４’−ジアミノジフェ
ニルメタン−３−カルボン酸とを共縮重合させて得たポ
リアミク酸に、これに含まれるカルボン酸基と等モル量
のＮ，Ｎ−ジメチルヘキサデシルアミンとをγ−ブチロ
ラクトン：トルエン混合溶媒（８／２、重量比）中に溶
かして展開液を調製した。これを純水上に展開して単分
子膜を得た後、ＬＢ法によりＩＴＯコート層１が形成さ
れたアンダーコートガラス基板２（松崎真空製）上にポ
リアミク酸アルキルアミン塩のＬＢ膜を形成した。この
とき、成膜方式は垂直浸漬法によるＹ型とし、累積条件
は、表面圧３８ｍＮ／ｍ、基板速度１０ｍｍ／分、累積
層数７、温度２２℃とした。
【００３４】このようにして得られたＬＢ膜を液晶配向
膜３として用いて、実施例１と同様にしてＳＨ型液晶表
示素子４を作製し、均一で安定なホメオトロピック配向
が得られることを確認した。さらに、この液晶表示素子
４に３２Ｈｚ、実効電圧７Ｖの正弦波信号を印加したと
ころ、正常なＳＨ型液晶表示素子４の動作が確認され、
液晶表示素子として使用できることがわかった。
膜３として用いて、実施例１と同様にしてＳＨ型液晶表
示素子４を作製し、均一で安定なホメオトロピック配向
が得られることを確認した。さらに、この液晶表示素子
４に３２Ｈｚ、実効電圧７Ｖの正弦波信号を印加したと
ころ、正常なＳＨ型液晶表示素子４の動作が確認され、
液晶表示素子として使用できることがわかった。
【００３５】（実施例３）３，３’，４，４’−ビフェ
ニルエーテルテトラカルボン酸の無水物と３，５−ジア
ミノ安息香酸とを共縮重合させて得たポリアミク酸に、
これに含まれるカルボン酸基と等モル量のＮ，Ｎ−ジメ
チルヘキサデシルアミンとをＮ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド（ＤＭＡＣ）：トルエン混合溶媒（８／２、重量
比）中に溶かして展開液を調製した。これを純水上に展
開して単分子膜を得た後、ＬＢ法によりＩＴＯコート層
１が形成されたアンダーコートガラス基板２（松崎真空
製）上にポリアミク酸アルキルアミン塩のＬＢ膜を形成
した。このとき、成膜方式は垂直浸漬法によるＺ型と
し、累積条件は、表面圧２８ｍＮ／ｍ、基板速度５．５
ｍｍ／分、累積層数５、温度２２℃とした。
ニルエーテルテトラカルボン酸の無水物と３，５−ジア
ミノ安息香酸とを共縮重合させて得たポリアミク酸に、
これに含まれるカルボン酸基と等モル量のＮ，Ｎ−ジメ
チルヘキサデシルアミンとをＮ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド（ＤＭＡＣ）：トルエン混合溶媒（８／２、重量
比）中に溶かして展開液を調製した。これを純水上に展
開して単分子膜を得た後、ＬＢ法によりＩＴＯコート層
１が形成されたアンダーコートガラス基板２（松崎真空
製）上にポリアミク酸アルキルアミン塩のＬＢ膜を形成
した。このとき、成膜方式は垂直浸漬法によるＺ型と
し、累積条件は、表面圧２８ｍＮ／ｍ、基板速度５．５
ｍｍ／分、累積層数５、温度２２℃とした。
【００３６】このようにして得られたＬＢ膜を液晶配向
膜３として用いて、実施例１と同様にしてＳＨ型液晶表
示素子４を作製し、均一で安定なホメオトロピック配向
が得られることを確認した。さらに、この液晶表示素子
４に３２Ｈｚ、実効電圧８．５Ｖの正弦波信号を印加し
たところ、正常なＳＨ型液晶表示素子４の動作が確認さ
れ、液晶表示素子として使用できることがわかった。
膜３として用いて、実施例１と同様にしてＳＨ型液晶表
示素子４を作製し、均一で安定なホメオトロピック配向
が得られることを確認した。さらに、この液晶表示素子
４に３２Ｈｚ、実効電圧８．５Ｖの正弦波信号を印加し
たところ、正常なＳＨ型液晶表示素子４の動作が確認さ
れ、液晶表示素子として使用できることがわかった。
【００３７】（比較例）２，３，５−トリカルボキシシ
クロペチル酢酸の無水物と４，４’−ジアミノジフェニ
ルメタンとを共縮重合させて得たポリアミク酸に、これ
に含まれるカルボン酸基と等モル量のＮ，Ｎ−ジメチル
ヘキサデシルアミンとをＤＭＡＣ：トルエン混合溶媒
（８／２、重量比）中に溶かして展開液を調製した。こ
れを純水上に展開して単分子膜を得た後、実施例２と同
様の成膜条件で、ＩＴＯコート層１が形成されたアンダ
ーコートガラス基板２上にＬＢ膜を形成した。
クロペチル酢酸の無水物と４，４’−ジアミノジフェニ
ルメタンとを共縮重合させて得たポリアミク酸に、これ
に含まれるカルボン酸基と等モル量のＮ，Ｎ−ジメチル
ヘキサデシルアミンとをＤＭＡＣ：トルエン混合溶媒
（８／２、重量比）中に溶かして展開液を調製した。こ
れを純水上に展開して単分子膜を得た後、実施例２と同
様の成膜条件で、ＩＴＯコート層１が形成されたアンダ
ーコートガラス基板２上にＬＢ膜を形成した。
【００３８】このようにして得られたＬＢ膜を液晶配向
膜３として用いて、実施例１と同様にしてＳＨ型液晶表
示素子４を作製したところ、不均一なホモジニアス配向
が観察され、ホメトロピック配向は得られなかった。
膜３として用いて、実施例１と同様にしてＳＨ型液晶表
示素子４を作製したところ、不均一なホモジニアス配向
が観察され、ホメトロピック配向は得られなかった。
【００３９】
【発明の効果】本発明の液晶配向膜は、下記一般式
（Ｉ）で表される構造単位を有するポリアミク酸に、下
記一般式（II）で表されるアルキルアミンとを反応させ
てなるポリアミク酸アルキルアミン塩の薄膜が、基板上
にラングミュア−ブロジェット法により形成されたもの
である。
（Ｉ）で表される構造単位を有するポリアミク酸に、下
記一般式（II）で表されるアルキルアミンとを反応させ
てなるポリアミク酸アルキルアミン塩の薄膜が、基板上
にラングミュア−ブロジェット法により形成されたもの
である。
【化７】
【化８】 したがって均一で安定なホメトロピック（垂直）液晶配
向を容易に実現することができ、ＳＨ型液晶表示素子に
おいて低コストで高品質の表示特性を容易に達成するこ
とができる。
向を容易に実現することができ、ＳＨ型液晶表示素子に
おいて低コストで高品質の表示特性を容易に達成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示素子の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
２ 基板 ３ 液晶配向膜
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を
有するポリアミク酸に、下記一般式（II）で表されるア
ルキルアミンとを反応させて得られたポリアミク酸アル
キルアミン塩の薄膜が、基板上にラングミュア−ブロジ
ェット法により形成されてなる液晶配向膜。 【化１】 【化２】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031092A JP2546946B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 液晶配向膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031092A JP2546946B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 液晶配向膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232475A true JPH05232475A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2546946B2 JP2546946B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=12321761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4031092A Expired - Fee Related JP2546946B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 液晶配向膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546946B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100803507B1 (ko) * | 2001-08-31 | 2008-02-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 수직배향형 액정 배향제 및 이를 이용한 액정 표시 소자 |
| JP2010286666A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Jsr Corp | 液晶配向剤、液晶配向膜および液晶表示素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161314A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Sony Corp | 液晶配向膜 |
| JPH01242631A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポリイミド前駆体膜の製造方法 |
| JPH0254218A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Sony Corp | 液晶配向膜 |
-
1992
- 1992-02-18 JP JP4031092A patent/JP2546946B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161314A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Sony Corp | 液晶配向膜 |
| JPH01242631A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポリイミド前駆体膜の製造方法 |
| JPH0254218A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Sony Corp | 液晶配向膜 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100803507B1 (ko) * | 2001-08-31 | 2008-02-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 수직배향형 액정 배향제 및 이를 이용한 액정 표시 소자 |
| JP2010286666A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Jsr Corp | 液晶配向剤、液晶配向膜および液晶表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546946B2 (ja) | 1996-10-23 |
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