JPH05230664A - アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法 - Google Patents

アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法

Info

Publication number
JPH05230664A
JPH05230664A JP30302792A JP30302792A JPH05230664A JP H05230664 A JPH05230664 A JP H05230664A JP 30302792 A JP30302792 A JP 30302792A JP 30302792 A JP30302792 A JP 30302792A JP H05230664 A JPH05230664 A JP H05230664A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
nickel plating
washing
electroless nickel
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30302792A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Saito
昌弘 斉藤
Ikuo Nakayama
郁雄 中山
Makoto Sato
佐藤  誠
Hideyuki Takami
秀幸 高見
Masaaki Okada
真明 岡田
Fujio Matsui
冨士夫 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Uemera Kogyo Co Ltd
C Uyemura and Co Ltd
Original Assignee
Uemera Kogyo Co Ltd
C Uyemura and Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Uemera Kogyo Co Ltd, C Uyemura and Co Ltd filed Critical Uemera Kogyo Co Ltd
Priority to JP30302792A priority Critical patent/JPH05230664A/ja
Publication of JPH05230664A publication Critical patent/JPH05230664A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】 Al又はAe合金を、(1)脱脂、(2)水
洗、(3)エッチング、(4)水洗、(5)硝酸水溶液
中への浸漬、(6)水洗、(7)亜鉛置換、(8)水
洗、(9)次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解
ニッケルめっき工程に付し、Al又はAl合金に無電解
ニッケルめっき皮膜を形成するに際し、上記(4)の水
洗後の界面活性剤含有溶液に浸漬処理し、次いで水洗し
た後、上記(5)以降の工程を行うことを特徴とするA
l又はAl合金上への無電解ニッケルめっき方法。 【効果】 無電解Ni−P皮膜のノジュールを減少させ
ることができ、ハードディスクを製作する場合に、該N
i−P皮膜の研磨を簡略化でき、平滑化研磨を省略し、
テクスチャー処理のみで表面を一定の粗さにできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム又はアル
ミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法に関し、
特にメモリーハードディスクの製造においてノジュール
の発生を可及的に防止する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ハードディスクの製造において、
アルミニウム又はアルミニウム合金基板(Al又はAl
合金基板)に下地めっきとして次亜リン酸又はその塩を
還元剤とする無電解ニッケルめっき皮膜(以下、無電解
Ni−P皮膜又は単にNi−P皮膜という)を形成する
ことが行われており、かかるNi−P皮膜の形成工程と
しては、Al又はAl合金基板を機械加工した後、下記
工程 (1)脱脂 (2)水洗 (3)エッチング (4)水洗 (5)硝酸水溶液中への浸漬 (6)水洗 (7)亜鉛置換 (8)水洗 (9)次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき を採用しているのが通常である。
【0003】このようにしてNi−P皮膜を形成した後
は、その表面を鏡面研磨し、磁性皮膜を形成し、次いで
適宜な保護膜を形成し、更に必要によっては潤滑層を形
成して、ハードディスク(磁気ディスク)を得るもので
ある。
【0004】ここで、ハードディスク装置の高密度化を
はかるためには、記録/再生ヘッドの浮上高さを減少さ
せることが有効であり、現在浮上高さ0.1μmが実用
化されているが、ヘッド浮上高さの低減を実現するため
に、下地めっき皮膜、即ち上記Ni−P皮膜の表面を平
滑化する研磨(最大粗さRmax0.01〜0.03μ
m,中心線平均粗さRa0.002〜0.005μm)
が必要である。ただこの場合、研磨面がこのようにあま
り平滑であると、ハードディスク装置の停止時にヘッド
が基板に吸着し、再浮上し難くなり、それに伴って記憶
の一部が消失するという問題が生じるため、その対策と
して、上記の平滑研磨を行った後、研磨面の一定方向に
制御された微細な粗さ(Ra0.004〜0.008μ
m)をもたせるテクスチャー処理と呼ばれる加工が行わ
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したハー
ドディスクの製作工程の中で、従来は主としてNi−P
皮膜の平滑研磨に多大の労力を要していた。
【0006】即ち、上記(1)〜(9)の工程によって
Al又はAl合金基板上に無電解Ni−P皮膜を10〜
20μm厚さで形成した場合、コブ状乃至半球凸状の高
さ0.1〜0.7μm,直径5〜30μmのノジュール
が多数発生する。
【0007】かかるノジュールは、ハードディスクの製
作において、当然次工程の磁性皮膜の形成に際して好ま
しいものではなく、このためNi−P皮膜形成後、表面
平滑研磨を行う際、同時にノジュールを除去する必要が
あるので、ノジュールの除去,研磨作業にかなりの労力
を要する。
【0008】従って、Al又はAl合金基板上に無電解
Ni−P皮膜を形成した場合、ノジュールの発生を可及
的に防止することが要望されていた。
【0009】
【課題を解決するための手段及び作用】本出願人は、先
に、上述した(1)〜(9)の工程でアルミニウム又は
アルミニウム合金を処理するに際し、(4),(6),
(8)の水洗の少なくとも一つを超音波水洗することに
より、Ni−P皮膜のノジュールを減少させることを提
案した(特願平2−144025号)が、本発明者らは
更に検討を進めた結果、アルミニウム又はアルミニウム
合金を上述した(1)〜(9)の工程、即ち (1)脱脂 (2)水洗 (3)エッチング (4)水洗 (5)硝酸水溶液中への浸漬 (6)水洗 (7)亜鉛置換 (8)水洗 (9)次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき にて処理し、アルミニウム又はアルミニウム合金に無電
解ニッケルめっき皮膜を形成するに際し、エッチング工
程後に、即ち上記(4)の水洗の後に、界面活性剤含有
溶液に浸漬処理すること、典型的には界面活性剤含有溶
液として脱脂液を用いて再脱脂を行い、水洗した後に、
(5)以降の工程を行うと、(4),(6),(8)の
水洗を超音波で行わなくとも、Ni−P皮膜のノジュー
ルが著しく少なくなることを知見した。
【0010】またこの場合、上記(9)の無電解ニッケ
ルめっきに用いるめっき浴として水溶性のアンチモン化
合物又はビスマス化合物を金属として0.01〜100
ppm含有する無電解ニッケルめっき浴を用いることが
微小ノジュールを少なくする点から有効であることを見
い出した。
【0011】即ち、上記(4)の水洗の後に界面活性剤
含有溶液への浸漬処理を行うという前処理法の採用によ
り直径10μm以上のノジュールは激減し、ほぼなくす
ことができるが、本発明者らの検討によれば、実際のめ
っき設備での処理槽間の移動(空中放置)時間の影響に
よると思われるが、直径5〜10μmの微小なノジュー
ルが発生する場合がある(このようなノジュールは実験
室規模では殆んど生じない)。このため、このような空
中放置時間の影響(特に空中放置時間30秒以上)によ
ると思われる微小ノジュールを減少することについて検
討した結果、アンチモン又はビスマス化合物を微量含む
無電解ニッケルめっき浴を用いることにより、微小ノジ
ュールの発生を防止し得ることを知見したものである。
【0012】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のAl又はAl合金に対する無電解Ni−P皮膜
の形成方法は、Al又はAl合金にまず亜鉛置換めっき
を施した後にNi−P無電解めっきを施す方法に係るも
のであり、常法に従い、 (1)脱脂 (2)水洗 (3)エッチング (4)水洗 (5)硝酸水溶液中への浸漬 (6)水洗 (7)亜鉛置換 (8)水洗 (9)次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッ
ケルめっき の工程にてAl又はAl合金を処理するに際し、上記
(4)と(5)との操作の間に、 a 界面活性剤含有溶液への浸漬 b 水洗 という操作を行うものである。
【0013】ここで、(1),(3),(5),(7)
及び(9)の工程は常法によって行うことができる。
【0014】例えば、(1)の脱脂としては通常のアル
ミニウム用アルカリ性脱脂液を用いた浸漬又は電解脱脂
を採用することができ、(3)のエッチング処理として
は、アルカリ性又は酸性水溶液を用いるもので、1〜1
0重量%程度の水酸化アルカリ或いは1〜20容量%程
度の酸水溶液、例えば硫酸・リン酸混合水溶液を使用
し、60〜75℃で1〜15分浸漬処理する方法を採用
することができ、(5)の硝酸水溶液による浸漬処理
は、濃硝酸200〜700ml/lの硝酸水溶液を使用
し、15〜35℃で30秒〜2分浸漬処理する方法を採
用することができる。なお、硝酸水溶液には、必要に応
じてフッ酸等を混合してもよい。
【0015】また、亜鉛置換処理において、亜鉛置換液
としては従来から用いられている組成のものをそのまま
使用することができ、また亜鉛置換の条件も通常の条件
と同じでよい。なお、亜鉛置換液には金属分として亜鉛
を含む以外に更に鉄、ニッケル、銅等の金属塩を含んで
いても差し支えない。また、亜鉛置換処理は必要により
複数回繰り返して行うことができ、特にハードディスク
の製造においては亜鉛置換処理を2回以上施すことが好
ましく、この場合の(5)以下の工程は下記の通りであ
る。 (5)−1 第1硝酸水溶液中への浸漬 (6)−1 水洗 (7)−1 第1亜鉛置換 (8)−1 水洗 (5)−2 第2硝酸水溶液中への浸漬 (6)−2 水洗 (7)−2 第2亜鉛置換 (8)−2 水洗 (9) 無電解ニッケルめっき
【0016】更に、無電解ニッケルめっきも水溶性ニッ
ケル塩(Niとして通常4〜7g/l)、有機酸塩やア
ンモニウム塩,アミン等のニッケルの錯化剤(通常20
〜80g/l)を含有し、次亜リン酸又は次亜リン酸ナ
トリウム等の次亜リン酸塩(通常20〜40g/l)を
還元剤として用いた公知のめっき浴、めっき条件を採用
して行うことができる。この場合、めっき浴は酸性浴で
もアルカリ性浴でもよく、例えばpH4〜10のものが
使用し得、これらはいずれも後述する実施例の記載から
明らかなように、ノジュールを発生させるものである
が、本発明の上記a,bの操作によりノジュールの発生
が顕著に低減するものである。なお、ハードディスクの
製造においては、pH4〜6の酸性無電解ニッケルめっ
き浴を用いて、リン含量9〜13%(重量%、以下同
様)のNi−P皮膜を5〜30μm程度形成することが
好ましい。
【0017】ここで、無電解ニッケルめっき浴として
は、このように公知の組成のものを使用し得るが、より
好ましくは、水溶性のアンチモン化合物又はビスマス化
合物、例えば酒石酸アンチモニルカリウム、酒石酸アン
チモン、硫酸アンチモン、酒石酸水素ビスマス、酒石酸
ビスマス、硫酸ビスマスの1種又は2種以上を微量添加
したものを使用する。これにより、微小ノジュールの発
生を効果的に防止し得る。これら水溶性アンチモン化合
物又はビスマス化合物の添加量は、金属として0.01
〜100ppm、より好ましくは0.05〜30pp
m、更に好ましくは2〜20ppmであり、4〜15p
pmが最適である。その添加量が少なすぎると添加効果
が発揮されず、多すぎると析出速度の減少、無めっき、
耐熱磁気特性の悪化等が発生する。
【0018】なお、水溶性アンチモン化合物、ビスマス
化合物は、水溶性鉛化合物と併用でき、これにより更に
確実にノジュールを減少させることができる。この場
合、水溶性鉛化合物の添加量は鉛として0.01〜10
ppm、特に0.1〜2ppmである。
【0019】また、上記(2),(4),(6),
(8)の水洗(上記2回亜鉛置換処理を行った場合は
(4),(6)−1,(8)−1,(6)−2,(8)
−2の水洗)は、いずれも通常の水洗方法でよいが、特
願平2−144025号の方法に従い、超音波下で水洗
を行ってもよい。
【0020】而して、本発明においては、上述したよう
に、(3)のエッチング後、(4)の水洗を行ってか
ら、界面活性剤含有溶液への浸漬処理を行うもので、こ
れによりNi−P皮膜のノジュールを顕著に減少させる
ことができるものである。
【0021】ここで、界面活性剤としては、アニオン
系、ノニオン系等のものを用いることができる。アニオ
ン系界面活性剤としては、特に限定されないが、アルキ
ル硫酸エステル塩,アルキルアリルスルホン酸塩,アル
キルスルホン酸塩,ジアルキルスルホコハク酸塩等が例
示され、これらの中ではアルキル硫酸エステル塩が最も
好適である。なお、塩としては、Na,K,NH4塩や
アミン塩等が挙げられる。
【0022】ノニオン系界面活性剤も制限されないが、
特にポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル,ポリ
オキシエチレンアルキルエーテル,ポリオキシエチレン
ポリオキシプロピレンブロックポリマーが好ましく、ま
たポリオキシエチレンソルビタンアルキルエーテル等も
好適に用いられる。
【0023】上記界面活性剤の使用量は、0.1〜10
重量%、特に0.5〜5重量%とすることが好ましい。
0.1重量%より低濃度ではノジュール低減効果が十分
達成されない場合がある。10重量%より高くても差し
支えないが、粘度が高くなって水洗性が悪くなったり、
発泡量が多くなる場合がある。
【0024】この界面活性剤含有溶液は、上記界面活性
剤を水に溶解することによって得ることができるが、こ
の場合この溶液のpHは5〜11、特に7〜9とするこ
とが好ましい。pHが5より低いと、素材が溶解するお
それがあり、またノジュールが増加する場合がある。p
Hが11より高い場合も素材が溶解するおそれがある。
このためホウ酸、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム
等を用いてpHを上記範囲に調整することが好ましい。
【0025】このような界面活性剤含有溶液としては、
通常のアルミニウム用アルカリ性脱脂液を使用すること
ができる。
【0026】界面活性剤含有溶液に対する浸漬処理条件
は適宜選定されるが、20〜80℃、より好ましくは4
0〜50℃の温度において通常1〜10分、より好まし
くは3〜5分である。なお、界面活性剤含有溶液は必要
に応じて撹拌してもよい。
【0027】上記界面活性剤含有溶液への浸漬処理後
は、水洗し、次いで上記(5)以降の工程に移行するも
のである。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、無電解Ni−P皮膜の
ノジュールを減少させることができ、このためハードデ
ィスクを製作するような場合において、該Ni−P皮膜
の研磨を簡略化することができ、場合によっては平滑化
研磨を省略し、テクスチャー処理のみで表面を一定の粗
さにすることができる。
【0029】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【0030】〔実施例1,比較例〕アルミニウム合金板
(神戸製鋼所製アルミサブストレートグラインディング
品)に対し、下記工程で無電解ニッケルめっきを施し
た。
【0031】(1)脱脂:50℃,5分 炭酸ナトリウム 0.2 モル/l リン酸ナトリウム 0.05 〃 ホウ酸ナトリウム 0.2 〃 界面活性剤 5 g/l pH 9.0 (2)水洗:室温,30秒 (3)エッチング:70℃,2分 硫酸 1 モル/l リン酸 0.5 〃 (4)水洗:室温,30秒 a 界面活性剤含有溶液浸漬:50℃,0〜300秒 ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル 22g
/l pH 7.0 b 水洗:室温,30秒 (5)−1 第1硝酸水溶液浸漬:25℃,30秒 濃硝酸 500 ml/l (6)−1 水洗:室温,30秒 (7)−1 第1亜鉛置換:20℃,50秒 水酸化ナトリウム 2.5 モル/l 酸化亜鉛 0.25 〃 塩化第2鉄 0.01 〃 酒石酸ナトリウム 0.1 〃 (8)−1 水洗:室温,30秒 (5)−2 第2硝酸水溶液浸漬:25℃,60秒 (5)−1と同組成 (6)−2 水洗:室温,30秒 (7)−2 第2亜鉛置換:20℃,20秒 (7)−1と同組成 (8)−2 水洗:室温,30秒 (9)無電解ニッケルめっき液A:90℃,90分 硫酸ニッケル 0.1 モル/l 酢酸ナトリウム 0.5 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.2 〃 硝酸鉛 1.0 ppm pH 4.6
【0032】上記工程で得られたNi−P皮膜のノジュ
ール数を、該皮膜の240倍の倍率の表面写真(0.1
7mm2)上の5μmφ以上のノジュール数を目視して
観察することにより測定した。結果を図1に示す。
【0033】図1の結果より、エッチング工程後に界面
活性剤含有溶液に浸漬処理することによってノジュール
を激減し得ることが認められた。
【0034】なお、下記組成の無電解ニッケルめっき液
B,Cを用いた場合も同様の効果が認められた。
【0035】無電解ニッケルめっき液B 硫酸ニッケル 0.1 モル/l 硫酸アンモニウム 0.5 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.15 〃 硝酸鉛 1.0 ppm pH 8.0無電解ニッケルめっき液C 硫酸ニッケル 0.1 モル/l リンゴ酸ナトリウム 0.2 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.2 〃 硝酸鉛 1.0 ppm pH 4.5
【0036】〔実施例2〕実施例1において無電解ニッ
ケルめっき液Aを用い、aの界面活性剤含有溶液を下記
溶液1〜4に代えて(但し、処理条件は下記の通り)同
様のノジュール数を調べた。結果を表1に示す。処理条件 浴温:50℃,浸漬時間:180秒溶液1. ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル 20g/l pH 7.0溶液2. ポリオキシエチレンアルキルエーテル 20g/l 炭酸水素ナトリウム 20g/l pH 8.0溶液3. アルキル硫酸エステルナトリウム塩 25g/l pH 7.5溶液4. アルキル硫酸エステルカリウム塩 25g/l 炭酸水素ナトリウム 20g/l pH 8.0
【0037】
【表1】
【0038】〔実施例3〕下記組成の無電解ニッケルめ
っき液を容量50リットルの規模とする自動めっき装置
を用い、実施例1の工程でアルミニウム合金板に対して
無電解ニッケルめっきを行った。この場合、空中放置時
間は30〜40秒であった。得られためっき皮膜のノジ
ュール数を上記と同様に測定した結果を表2に示す。
【0039】無電解ニッケルめっき液 硫酸ニッケル 0.1 モル/l リンゴ酸ナトリウム 0.2 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.2 〃 表2に示す添加剤 表2に示す量 pH 4.5
【0040】
【表2】
【図面の簡単な説明】
【図1】界面活性剤含有溶液への浸漬時間とノジュール
数との関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高見 秀幸 大阪府枚方市出口1丁目5番1号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 岡田 真明 東京都台東区鳥越1−1−2 上村工業株 式会社東京支社内 (72)発明者 松井 冨士夫 東京都台東区鳥越1−1−2 上村工業株 式会社東京支社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルミニウム又はアルミニウム合金を下
    記工程 (1)脱脂 (2)水洗 (3)エッチング (4)水洗 (5)硝酸水溶液中への浸漬 (6)水洗 (7)亜鉛置換 (8)水洗 (9)次亜リン酸又はその塩を還元剤とする無電解ニッ
    ケルめっき にて処理し、アルミニウム又はアルミニウム合金に無電
    解ニッケルめっき皮膜を形成するに際し、上記(4)の
    水洗後に界面活性剤含有溶液に浸漬処理し、次いで水洗
    した後、上記(5)以降の工程を行うことを特徴とする
    アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケ
    ルめっき方法。
  2. 【請求項2】 上記(9)の無電解ニッケルめっきに用
    いるめっき浴として水溶性のアンチモン化合物又はビス
    マス化合物を金属として0.01〜100ppm含有す
    る無電解ニッケルめっき浴を用いた請求項1記載の方
    法。
JP30302792A 1991-12-25 1992-10-15 アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法 Pending JPH05230664A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30302792A JPH05230664A (ja) 1991-12-25 1992-10-15 アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35723791 1991-12-25
JP3-357237 1991-12-25
JP30302792A JPH05230664A (ja) 1991-12-25 1992-10-15 アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05230664A true JPH05230664A (ja) 1993-09-07

Family

ID=26563356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30302792A Pending JPH05230664A (ja) 1991-12-25 1992-10-15 アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05230664A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2194156A1 (en) 2008-12-03 2010-06-09 C. Uyemura & Co., Ltd. Electroless nickel plating bath and method for electroless nickel planting
JP2011001619A (ja) * 2009-06-20 2011-01-06 Ritsuhin Ri 無電解ニッケルめっき浴および無電解ニッケルめっき方法
JP2019052327A (ja) * 2017-09-12 2019-04-04 奥野製薬工業株式会社 アルミニウム系材料に無電解ニッケルリンめっき皮膜を形成する方法
CN113529079A (zh) * 2021-06-24 2021-10-22 惠州市安泰普表面处理科技有限公司 一种在铝合金表面化学镀镍的方法
CN115216626A (zh) * 2022-06-10 2022-10-21 杭州航天电子技术有限公司 一种用于铝合金表面处理的超声浸镍装置及其方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2194156A1 (en) 2008-12-03 2010-06-09 C. Uyemura & Co., Ltd. Electroless nickel plating bath and method for electroless nickel planting
JP2011001619A (ja) * 2009-06-20 2011-01-06 Ritsuhin Ri 無電解ニッケルめっき浴および無電解ニッケルめっき方法
JP2019052327A (ja) * 2017-09-12 2019-04-04 奥野製薬工業株式会社 アルミニウム系材料に無電解ニッケルリンめっき皮膜を形成する方法
CN113529079A (zh) * 2021-06-24 2021-10-22 惠州市安泰普表面处理科技有限公司 一种在铝合金表面化学镀镍的方法
CN113529079B (zh) * 2021-06-24 2023-10-31 惠州市安泰普表面处理科技有限公司 一种在铝合金表面化学镀镍的方法
CN115216626A (zh) * 2022-06-10 2022-10-21 杭州航天电子技术有限公司 一种用于铝合金表面处理的超声浸镍装置及其方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW593744B (en) Plating method
JP4538490B2 (ja) アルミニウム又はアルミニウム合金上の金属置換処理液及びこれを用いた表面処理方法
CN101684554B (zh) 一种聚酰亚胺薄膜的化学镀铜液及其表面化学镀铜方法
JPH06128757A (ja) アルミニウムおよびアルミニウム合金の処理の為の改良された亜鉛酸塩溶液およびその処理方法
JP3448854B2 (ja) エッチング度合いが低いアルカリ性亜鉛酸塩組成物及びアルミニウムの亜鉛化プロセス
US5141778A (en) Method of preparing aluminum memory disks having a smooth metal plated finish
JP6538671B2 (ja) 更なる金属の存在下で銅を選択的に処理する方法
US20070175359A1 (en) Electroless gold plating solution and method
JPH05230664A (ja) アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法
US5578187A (en) Plating process for electroless nickel on zinc die castings
GB2237032A (en) Plating aluminium
JP3673445B2 (ja) 亜鉛置換処理液
JPH03242352A (ja) 硬脆材料の洗浄方法
JP3182934B2 (ja) メモリーハードディスクの製造方法
KR101873626B1 (ko) 무전해 도금하기 위한 구리 표면을 활성화하는 방법
JPS6320489A (ja) めつきの剥離方法
JPH0436474A (ja) アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法
JP3033455B2 (ja) アルミニウムの無電解ニッケルめっき方法
JP3533880B2 (ja) 無電解ニッケルめっき液及び無電解ニッケルめっき方法
JP3151843B2 (ja) 合金磁石のめっき法
JP3484367B2 (ja) 無電解めっき方法およびその前処理方法
JP2018131639A (ja) 希土類磁石のめっき前処理方法及びめっき処理方法
JP2023184437A (ja) エッチング処理液、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法
JP3114623B2 (ja) ハードディスク用無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方法
JPH05247659A (ja) 磁気ディスク用アルミニウム基板の前処理用エッチング液及びそれを用いる前記基板の前処理方法