JP3114623B2 - ハードディスク用無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方法 - Google Patents
ハードディスク用無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク用
無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方
法に関する。
無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、ハードディスクの製造においては、アルミニウム又
はアルミニウム合金からなる基板の表面に次亜リン酸又
はその塩を還元剤とする無電解ニッケル−リン合金めっ
き皮膜（以下、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜という）を形成する
ことが行われているが、この場合、Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成
する前に上記基板に亜鉛置換処理を施して基板表面に亜
鉛置換皮膜を形成する必要がある。
り、ハードディスクの製造においては、アルミニウム又
はアルミニウム合金からなる基板の表面に次亜リン酸又
はその塩を還元剤とする無電解ニッケル−リン合金めっ
き皮膜（以下、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜という）を形成する
ことが行われているが、この場合、Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成
する前に上記基板に亜鉛置換処理を施して基板表面に亜
鉛置換皮膜を形成する必要がある。
【０００３】この亜鉛置換処理液としては、従来、亜鉛
化合物と水酸化アルカリを主成分としたものを用いてい
るが、従来のこの種の亜鉛置換処理液を用いて亜鉛置換
処理を施すと、亜鉛置換皮膜の厚い部分と薄い部分が生
じ、むら状の模様（以下、亜鉛置換むらという）として
現れる。この亜鉛置換処理後の無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜に
は、亜鉛置換むらと同形状の模様が現れ（以下、めっき
むらという）、その部分はノジュールの集合体となって
いる。その部分はその後の研磨工程を経ても微小な突起
（２０〜５０ｎｍ）として残る場合があり、ハードディ
スクの高密度化につれてかかる微小突起が問題となりつ
つある。
化合物と水酸化アルカリを主成分としたものを用いてい
るが、従来のこの種の亜鉛置換処理液を用いて亜鉛置換
処理を施すと、亜鉛置換皮膜の厚い部分と薄い部分が生
じ、むら状の模様（以下、亜鉛置換むらという）として
現れる。この亜鉛置換処理後の無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜に
は、亜鉛置換むらと同形状の模様が現れ（以下、めっき
むらという）、その部分はノジュールの集合体となって
いる。その部分はその後の研磨工程を経ても微小な突起
（２０〜５０ｎｍ）として残る場合があり、ハードディ
スクの高密度化につれてかかる微小突起が問題となりつ
つある。
【０００４】従って、アルミニウム又はアルミニウム合
金基板上に無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成した場合に発生す
るめっきむらを防止すること、即ち、めっきむらの原因
となる亜鉛置換むらを防止することが要望されていた。
金基板上に無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成した場合に発生す
るめっきむらを防止すること、即ち、めっきむらの原因
となる亜鉛置換むらを防止することが要望されていた。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
上記したような亜鉛置換むら乃至はめっきむらが生じ難
い亜鉛置換処理液を用いたハードディスク用無電解ニッ
ケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
上記したような亜鉛置換むら乃至はめっきむらが生じ難
い亜鉛置換処理液を用いたハードディスク用無電解ニッ
ケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、亜鉛化合物と水酸化アルカリとを主成分とする亜
鉛置換処理液に対し、エチレンジアミン、トリエタノー
ルアミン等のアミン類を配合することにより、亜鉛置換
むらの発生が顕著に抑制され、その上に無電解Ｎｉ−Ｐ
めっきを施した場合、めっきむらのない均一な皮膜が形
成されることを知見し、本発明をなすに至った。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、亜鉛化合物と水酸化アルカリとを主成分とする亜
鉛置換処理液に対し、エチレンジアミン、トリエタノー
ルアミン等のアミン類を配合することにより、亜鉛置換
むらの発生が顕著に抑制され、その上に無電解Ｎｉ−Ｐ
めっきを施した場合、めっきむらのない均一な皮膜が形
成されることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００７】従って、本発明は、亜鉛化合物と水酸化ア
ルカリとを含み、アミン類の１種又は２種以上を０．０
０７〜０．７モル／Ｌ配合してなる亜鉛置換処理液に、
アルミニウム又はアルミニウム合金基板を浸漬し、該基
板表面に亜鉛置換皮膜を形成した後、その上に無電解ニ
ッケル−リン合金めっき皮膜を形成することを特徴とす
るハードディスク用無電解ニッケル−リン合金めっき皮
膜形成基板の製造方法を提供する。
ルカリとを含み、アミン類の１種又は２種以上を０．０
０７〜０．７モル／Ｌ配合してなる亜鉛置換処理液に、
アルミニウム又はアルミニウム合金基板を浸漬し、該基
板表面に亜鉛置換皮膜を形成した後、その上に無電解ニ
ッケル−リン合金めっき皮膜を形成することを特徴とす
るハードディスク用無電解ニッケル−リン合金めっき皮
膜形成基板の製造方法を提供する。
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の亜鉛置換処理液は、亜鉛化合物及び水酸化
アルカリを含有する。
と、本発明の亜鉛置換処理液は、亜鉛化合物及び水酸化
アルカリを含有する。
【０００９】ここで、亜鉛化合物しては、酸化亜鉛、硝
酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛、酢酸亜鉛等が挙げられ、
これらの１種又は２種以上が用いられる。その含有量は
亜鉛として０．０２〜０．６モル／Ｌ、特に０．０５〜
０．４モル／Ｌとすることが好ましい。
酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛、酢酸亜鉛等が挙げられ、
これらの１種又は２種以上が用いられる。その含有量は
亜鉛として０．０２〜０．６モル／Ｌ、特に０．０５〜
０．４モル／Ｌとすることが好ましい。
【００１０】また、水酸化アルカリとしては水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等が挙げられるが、水酸化ナト
リウムが好ましく、その配合量は１〜８モル／Ｌが好ま
しく、更に好ましくは２〜５モル／Ｌである。
リウム、水酸化カリウム等が挙げられるが、水酸化ナト
リウムが好ましく、その配合量は１〜８モル／Ｌが好ま
しく、更に好ましくは２〜５モル／Ｌである。
【００１１】本発明の亜鉛置換処理液には、更にアミン
類の１種又は２種以上を添加するもので、これにより亜
鉛置換むらが抑制され、むらのない均一な無電解Ｎｉ−
Ｐ皮膜を形成させることができる。
類の１種又は２種以上を添加するもので、これにより亜
鉛置換むらが抑制され、むらのない均一な無電解Ｎｉ−
Ｐ皮膜を形成させることができる。
【００１２】この場合、アミン類としては、エチレンジ
アミン、ジアミノプロパン、ジアミノブタン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ，Ｎ−テトラメチルジアミノメタン、ジメチルエチレ
ンジアミン、ジエチレントリアミン、３，３−イミノビ
スプロピルアミン、トリエチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ−
ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン、モノエ
タノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノール
アミン、Ｎ−メチルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルヒドロキシアミン、３−アミノ−１−プロパノール、
Ｎ−メチルエタノールアミン等が挙げられ、これらの１
種を単独で又は２種以上を併用することができるが、こ
れらの中でエチレンジアミン、トリエタノールアミンが
好ましい。
アミン、ジアミノプロパン、ジアミノブタン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ，Ｎ−テトラメチルジアミノメタン、ジメチルエチレ
ンジアミン、ジエチレントリアミン、３，３−イミノビ
スプロピルアミン、トリエチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ−
ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン、モノエ
タノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノール
アミン、Ｎ−メチルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルヒドロキシアミン、３−アミノ−１−プロパノール、
Ｎ−メチルエタノールアミン等が挙げられ、これらの１
種を単独で又は２種以上を併用することができるが、こ
れらの中でエチレンジアミン、トリエタノールアミンが
好ましい。
【００１３】その配合量は０．００７〜０．７モル／
Ｌ、特に０．０２〜０．４モル／Ｌとすることが好まし
く、配合量が０．００７モル／Ｌより少ないと無電解Ｎ
ｉ−Ｐ皮膜にめっきむらが残り、０．７モル／Ｌより多
くなると基板表面全体が白くなる場合が生じる。
Ｌ、特に０．０２〜０．４モル／Ｌとすることが好まし
く、配合量が０．００７モル／Ｌより少ないと無電解Ｎ
ｉ−Ｐ皮膜にめっきむらが残り、０．７モル／Ｌより多
くなると基板表面全体が白くなる場合が生じる。
【００１４】本発明の亜鉛置換処理液には、必要に応
じ、可溶性の鉄、ニッケル、銅塩の１種又は２種以上を
０．００１〜０．３モル／Ｌ、酒石酸ナトリウム、ロッ
セル塩等の錯化剤を０．００３〜０．３モル／Ｌ配合す
ることができる。
じ、可溶性の鉄、ニッケル、銅塩の１種又は２種以上を
０．００１〜０．３モル／Ｌ、酒石酸ナトリウム、ロッ
セル塩等の錯化剤を０．００３〜０．３モル／Ｌ配合す
ることができる。
【００１５】本発明に係る亜鉛置換処理液には、更にピ
ロカテコール、ヒドロキノン等の適宜な成分を加えるこ
とができ、これにより更に均一性、光沢性に優れた無電
解Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成させることができる。
ロカテコール、ヒドロキノン等の適宜な成分を加えるこ
とができ、これにより更に均一性、光沢性に優れた無電
解Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成させることができる。
【００１６】本発明の亜鉛置換処理液を用いて、亜鉛置
換を行う場合の条件は特に制限されないが、１０〜４０
℃の温度で行うことが好ましく、１０℃より低いとその
後の無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜との密着力が低下し、４０℃よ
り高いとアルミニウム又はアルミニウム合金基板の表面
が荒れるおそれがある。
換を行う場合の条件は特に制限されないが、１０〜４０
℃の温度で行うことが好ましく、１０℃より低いとその
後の無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜との密着力が低下し、４０℃よ
り高いとアルミニウム又はアルミニウム合金基板の表面
が荒れるおそれがある。
【００１７】なお、亜鉛置換処理は必要に応じて２回以
上処理することができ、ハードディスクの製造において
は、亜鉛置換処理を２回以上施すことが好ましい。この
場合も従来の方法に従って操作を繰り返すことができ、
亜鉛置換後、水洗、硝酸水溶液中への浸漬を行い、再び
亜鉛置換を行うようにすればよい。
上処理することができ、ハードディスクの製造において
は、亜鉛置換処理を２回以上施すことが好ましい。この
場合も従来の方法に従って操作を繰り返すことができ、
亜鉛置換後、水洗、硝酸水溶液中への浸漬を行い、再び
亜鉛置換を行うようにすればよい。
【００１８】本発明の亜鉛置換処理液によって亜鉛置換
された基板は、その上に無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形
成し、ハードディスクを製造する場合に好適である。な
お、この無電解Ｎｉ−Ｐめっき液としては公知の組成の
ものを使用でき、公知の条件でめっきを行うことができ
る。
された基板は、その上に無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形
成し、ハードディスクを製造する場合に好適である。な
お、この無電解Ｎｉ−Ｐめっき液としては公知の組成の
ものを使用でき、公知の条件でめっきを行うことができ
る。
【００１９】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２０】下記組成の亜鉛置換処理液（実施例１，
２、比較例）を用い、アルミニウム基板を常法に従って
脱脂、エッチングし、３０％硝酸水溶液に２５℃、３０
秒間浸漬後、亜鉛置換処理を行い、更に３０％硝酸水溶
液に２５℃、６０秒間浸漬し、再度亜鉛置換処理を行
い、その後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施して厚さ１５μ
ｍの無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形成した。
２、比較例）を用い、アルミニウム基板を常法に従って
脱脂、エッチングし、３０％硝酸水溶液に２５℃、３０
秒間浸漬後、亜鉛置換処理を行い、更に３０％硝酸水溶
液に２５℃、６０秒間浸漬し、再度亜鉛置換処理を行
い、その後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施して厚さ１５μ
ｍの無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形成した。
【００２１】この場合、１次及び２次の亜鉛置換処理の
条件はいずれも２５℃、３０秒間とした。 〔実施例１〕 水酸化ナトリウム ３．０ モル／Ｌ 酸化亜鉛 ０．２５モル／Ｌ ロッセル塩 ０．２５モル／Ｌ 塩化第二鉄 ０．０１モル／Ｌ 硝酸ナトリウム ０．０１モル／Ｌ エチレンジアミン ０．２０モル／Ｌ ピロカテコール ０．１０モル／Ｌ
条件はいずれも２５℃、３０秒間とした。 〔実施例１〕 水酸化ナトリウム ３．０ モル／Ｌ 酸化亜鉛 ０．２５モル／Ｌ ロッセル塩 ０．２５モル／Ｌ 塩化第二鉄 ０．０１モル／Ｌ 硝酸ナトリウム ０．０１モル／Ｌ エチレンジアミン ０．２０モル／Ｌ ピロカテコール ０．１０モル／Ｌ
【００２２】〔実施例２〕 水酸化ナトリウム ４．０ モル／Ｌ 酸化亜鉛 ０．３０モル／Ｌ ロッセル塩 ０．５０モル／Ｌ 塩化第二鉄 ０．０２モル／Ｌ 硝酸ナトリウム ０．０１モル／Ｌ トリエタノールアミン ０．１０モル／Ｌ ヒドロキノン ０．１０モル／Ｌ
【００２３】〔比較例〕 水酸化ナトリウム ３．０ モル／Ｌ 酸化亜鉛 ０．２５モル／Ｌ ロッセル塩 ０．２５モル／Ｌ 塩化第二鉄 ０．０１モル／Ｌ 硝酸ナトリウム ０．０１モル／Ｌ
【００２４】無電解Ｎｉ−Ｐめっき組成及びめっき条件 硫酸ニッケル ０．１ モル／Ｌ りんご酸ナトリウム ０．２ モル／Ｌ 酢酸ナトリウム ０．２ モル／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ０．２ モル／Ｌ 硝酸鉛 １．０ｐｐｍ ｐＨ ４．７ めっき温度 ９０℃
【００２５】次に、得られた無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜
の外観を評価し、めっきむらの有無を調べた。その結
果、実施例１，２の亜鉛置換処理液を用いた場合にめっ
きむらは認められなかったが、比較例の亜鉛置換処理液
を用いた場合はめっきむらが生じ、従って亜鉛置換処理
液中にエチレンジアミン、トリエタノールアミン等のア
ミン類の添加によって、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜のめっきむ
らをなくし、均一な表面が得られることが認められた。めっきむら 実施例１ なし 実施例２ なし 比較例 あり
の外観を評価し、めっきむらの有無を調べた。その結
果、実施例１，２の亜鉛置換処理液を用いた場合にめっ
きむらは認められなかったが、比較例の亜鉛置換処理液
を用いた場合はめっきむらが生じ、従って亜鉛置換処理
液中にエチレンジアミン、トリエタノールアミン等のア
ミン類の添加によって、無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜のめっきむ
らをなくし、均一な表面が得られることが認められた。めっきむら 実施例１ なし 実施例２ なし 比較例 あり
【００２６】
【発明の効果】本発明の亜鉛置換処理液を用いること
で、その後の無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜のめっきむらをなく
し、研磨処理した後の皮膜表面は従来よりも非常に平滑
であり、ハードディスクの高密度化に寄与することがで
きる。
で、その後の無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜のめっきむらをなく
し、研磨処理した後の皮膜表面は従来よりも非常に平滑
であり、ハードディスクの高密度化に寄与することがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福谷 美加 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社 中央研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/00 - 18/54 G11B 5/62 - 5/86
Claims (1)
- 【請求項１】 亜鉛化合物と水酸化アルカリとを含み、
アミン類の１種又は２種以上を０．００７〜０．７モル
／Ｌ配合してなる亜鉛置換処理液に、アルミニウム又は
アルミニウム合金基板を浸漬し、該基板表面に亜鉛置換
皮膜を形成した後、その上に無電解ニッケル−リン合金
めっき皮膜を形成することを特徴とするハードディスク
用無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08171896A JP3114623B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | ハードディスク用無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方法 |
| US09/184,078 US6162343A (en) | 1996-06-11 | 1998-11-02 | Method of preparing hard disc including treatment with amine-containing zincate solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08171896A JP3114623B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | ハードディスク用無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH101778A JPH101778A (ja) | 1998-01-06 |
| JP3114623B2 true JP3114623B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=15931827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08171896A Expired - Fee Related JP3114623B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | ハードディスク用無電解ニッケル−リン合金めっき皮膜形成基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3114623B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102732922A (zh) * | 2012-06-13 | 2012-10-17 | 广州鸿葳科技股份有限公司 | 无氰浸锌溶液及使用该溶液的滤波器铝合金无氰电镀方法 |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP08171896A patent/JP3114623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102732922A (zh) * | 2012-06-13 | 2012-10-17 | 广州鸿葳科技股份有限公司 | 无氰浸锌溶液及使用该溶液的滤波器铝合金无氰电镀方法 |
| CN102732922B (zh) * | 2012-06-13 | 2015-07-08 | 广州鸿葳科技股份有限公司 | 无氰浸锌溶液及使用该溶液的滤波器铝合金无氰电镀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH101778A (ja) | 1998-01-06 |
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