JPH0522971B2 - - Google Patents
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- JPH0522971B2 JPH0522971B2 JP24374186A JP24374186A JPH0522971B2 JP H0522971 B2 JPH0522971 B2 JP H0522971B2 JP 24374186 A JP24374186 A JP 24374186A JP 24374186 A JP24374186 A JP 24374186A JP H0522971 B2 JPH0522971 B2 JP H0522971B2
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、高密度記録再生用磁気デイスク基板
の表面に無電解めつきでニツケル−りん合金を被
着させるめつき装置に関する。 〔従来技術とその問題点〕 近年、磁気デイスク装置においては高密度の記
録を行うために薄膜磁気デイスクが用いられれ
る。薄膜磁気デイスクは、一般に、アルミニウム
合金，強化ガラス、ポリイミドなどからなる非磁
性デイスク状基板の鏡面仕上げされている表面
に、無電解めつきでニツケル（Ni）−りん（Ｐ）
合金層を形成し、その表面を研磨して平滑にす
る。このように表面処理された基板の表面に、め
つき，蒸着，スパツタなどによりコバルト（Co）
−ニツケル（Ni）合金などからなる薄膜磁性層
を形成し、さらに、その上に保護潤滑膜を形成し
て磁気デイスクとする。 磁気デイスク装置においては、通常、コンタク
ト・スタート・ストツプ（CSS）方式が採られる
が、その場合、デイスクの表面状態が磁気ヘツド
の浮動の安定性に大きな影響を及ぼす。薄膜磁気
デイスクでは、磁性層や保護潤滑膜は数百Åの均
一な薄膜として成膜されるので、基板表面のNi
−Ｐ合金層の表面精度がそのままデイスクの表面
精度に反映される。最近、磁気デイスク装置に対
して高記録密度化，高信頼性の要請が強まるなか
で、磁気ヘツドの浮上量をさらに少なくすること
が求められており、デイスク表面の、従つて、基
板表面の欠陥の低減、平滑性の向上がますます必
要となつてきている。 前述のように、基板表面は鏡面仕上げされた後
に無電解めつきによりNi−Ｐ合金を被着され、
その後、研削，研磨により平滑に仕上げられる
が、その際、Ni−Ｐ合金膜に欠陥が少なく平滑
であることが重要である。 無電解Ni−Ｐ合金めつきは、従来、第２図に
概念的に示すような装置で行われている。第２図
において、めつき液２の満たされためつき槽１内
には多数の基板４がセツトされためつき治具３が
回転可能に配置されていてめつきが行われる。５
はめつき液加熱用ヒータであり、６はめつき液撹
拌用プロペラである。Ｂ部でオーバーフローした
めつき液は、ポンプ７により吸引され、循環パイ
プ８内を矢印方向に流れ、めつき槽１に還流す
る。循還パイプ８の途中に、めつき液をろ過する
ためにデイスクフイルタ９が挿入されていて、液
中のパーテイクルを取り除くようにしている。こ
のように、めつき液を循環ろ過しながら、基板表
面にNi−Ｐ膜を被着させるが、めつき液ろ過用
のフイルタがあらく0.5μm未満のパーテイクルは
除去することができないという問題がある。ま
た、めつき液がめつきの行われるのと同じ槽内で
行われるため温度の制御が難しく、設定温度に対
して±３℃位の大きな差が生じること、ヒータ部
のめつき液の局部加熱が激しくめつき液の分解，
劣化が早いなどの問題もあり、基板表面に成膜さ
れるNi−Ｐ合金層に欠陥が多く、ピツト，ノジ
ユールが発生して、表面欠陥が多くなるという欠
点があつた。 〔発明の目的〕 本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであ
つて、磁気デイスク基板の表面に無電解めつきに
より欠陥の極めて少ないNi−Ｐ合金層を成膜被
着させることができるめつき装置を提供すること
を目的とする。 〔発明の要点〕 本発明は、めつき槽が少なくとも三つの槽に区
切られており、Ni−Ｐ合金めつき液は前段の槽
から後段の槽へとオーバーフローし、最後段の槽
から循環パイプに吸引され、0.2μm以下のメンブ
ランフイルタでろ過された後最前段の槽へ還流す
るように循環しており、そのめつきの循環量は15
回／時間以上であり、最前段の槽にはめつき液加
熱用ヒータが設置されており、循環パイプから最
前段の槽に還流するろ過後のめつき液は加熱用ヒ
ータの下部より流入せしめられ、また、めつき槽
外部より供給される窒素ガスが同じく前記加熱用
ヒータの下部よりバブリングせしめられており、
最後段の前の槽内に配置されためつき治具にセツ
トされた基板表面にめつきを施すような構成のめ
つき装置とすることにより、上記の目的を達成す
る。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。 第１図は、本発明によるめつき装置の一実施例
の概念的構成図である。第１図において、めつき
槽１は三槽に区切られており、Ni−Ｐ合金めつ
き液２は各槽の境界Ａ部，Ｂ部でオーバーフロー
しており、後段の槽からポンプ７により吸引され
て循環パイプ８内を矢印の方向に流れて前段の槽
に還流する。循環パイプ８の途中に、めつき液ろ
過用の２種類のフイルタが直列に挿入されてお
り、前段のデイスクフイルタ９でめつき液中の
1μm以上のパーテイクルを除去し、続いてメンブ
ランフイルタ１０で0.2μm以上のパーテイクルを
除去する。めつき液からできるだけ速くパーテイ
クルを除去するためにめつき液の循環は15回／時
間以上という高速で行う。 前段の槽には、めつき液加熱用のヒータ５が設
けられている。循還して前段の槽に還流してくる
めつき液は、このヒータ５の下方の吐出口より吐
き出し、ヒータに沿つて加熱されながら流れて槽
の上方より中段の槽へオーバーフローするように
なつており、また、外部よりN2ガス導入口１１
を経て流入してくるN2ガスがヒータ５の下方よ
りバブリングされているので、めつき液はヒータ
５の近傍に滞留することがなく、めつき液の局部
加熱が生ぜず分解，劣化を防止できる。 中段の槽内には、多数個の基板４を装着しため
つき治具３が配置されて、前段の槽より所定の温
度に制御されてオーバーフローしてくるめつき液
を撹拌用のプロペラ６で撹拌しながら、無電解め
つきで基板４の表面にNi−Ｐ合金膜を形成する。
また、ろ過後還流してくるめつき液の一部はめつ
き治具の下方より吐き出されるようになつてお
り、無電解めつき時基板表面に発生付着するガス
を除去するようになつている。 １２は流量計、１３はめつき槽壁へのNi−Ｐ
合金析出を防止する析出防止装置、１４はめつき
液分析装置、１５はめつき液補給装置である。 このような装置を用いてAl合金基板表面にNi
−Ｐ合金層を無電解めつきで形成する。まず、
Al合金基板をノンエツチングタイプの脱脂剤を
用いて脱脂を行い、硫酸をベースとしたエツチン
グ液で基板表面の酸化膜を除去し、62％の硝酸を
水と１：１に混合した液でスマツトを除去する。
さらに、Ni−Ｐ合金膜の付着を良くさせるため
に１次，２次のジンケート処理を行つた後、めつ
き液に基板を投入して約20μmのNi−Ｐ合金膜を
形成した。 このようにして得られたNi−Ｐ合金層の形成
された実施例の基板表面はピツト，ノジユールの
非常に少ない、特に2μm以上という大きいピツト
やノジユールのほとんど見られない良好なもので
あつた。 比較のために、実施例に準じた前処理を施した
Al合金基板に、第２図に示した従来のめつき装
置を用いてNi−Ｐ合金の無電解めつきを行つた
ところ、得られたNi−Ｐ合金層はピツト，ノジ
ユールの多い好ましくない状態のものであり、
10μm以上の大きいピツトやノジユールも多数発
生していた。 これら実施例および比較例の基板の表面を研磨
しその上に磁性層などを形成して磁気デイスクを
作製した。そのとき、実施例の基板では2.5〜
3μmの研磨量で必要な平均粗さ0.1以下の平滑な
面が得られたが、比較例の基板においては、５〜
6μmの研磨が必要であつた。 これらの磁気デイスクについてＲ／Ｗ試験を行
つた。その結果を第１表に示す。
の表面に無電解めつきでニツケル−りん合金を被
着させるめつき装置に関する。 〔従来技術とその問題点〕 近年、磁気デイスク装置においては高密度の記
録を行うために薄膜磁気デイスクが用いられれ
る。薄膜磁気デイスクは、一般に、アルミニウム
合金，強化ガラス、ポリイミドなどからなる非磁
性デイスク状基板の鏡面仕上げされている表面
に、無電解めつきでニツケル（Ni）−りん（Ｐ）
合金層を形成し、その表面を研磨して平滑にす
る。このように表面処理された基板の表面に、め
つき，蒸着，スパツタなどによりコバルト（Co）
−ニツケル（Ni）合金などからなる薄膜磁性層
を形成し、さらに、その上に保護潤滑膜を形成し
て磁気デイスクとする。 磁気デイスク装置においては、通常、コンタク
ト・スタート・ストツプ（CSS）方式が採られる
が、その場合、デイスクの表面状態が磁気ヘツド
の浮動の安定性に大きな影響を及ぼす。薄膜磁気
デイスクでは、磁性層や保護潤滑膜は数百Åの均
一な薄膜として成膜されるので、基板表面のNi
−Ｐ合金層の表面精度がそのままデイスクの表面
精度に反映される。最近、磁気デイスク装置に対
して高記録密度化，高信頼性の要請が強まるなか
で、磁気ヘツドの浮上量をさらに少なくすること
が求められており、デイスク表面の、従つて、基
板表面の欠陥の低減、平滑性の向上がますます必
要となつてきている。 前述のように、基板表面は鏡面仕上げされた後
に無電解めつきによりNi−Ｐ合金を被着され、
その後、研削，研磨により平滑に仕上げられる
が、その際、Ni−Ｐ合金膜に欠陥が少なく平滑
であることが重要である。 無電解Ni−Ｐ合金めつきは、従来、第２図に
概念的に示すような装置で行われている。第２図
において、めつき液２の満たされためつき槽１内
には多数の基板４がセツトされためつき治具３が
回転可能に配置されていてめつきが行われる。５
はめつき液加熱用ヒータであり、６はめつき液撹
拌用プロペラである。Ｂ部でオーバーフローした
めつき液は、ポンプ７により吸引され、循環パイ
プ８内を矢印方向に流れ、めつき槽１に還流す
る。循還パイプ８の途中に、めつき液をろ過する
ためにデイスクフイルタ９が挿入されていて、液
中のパーテイクルを取り除くようにしている。こ
のように、めつき液を循環ろ過しながら、基板表
面にNi−Ｐ膜を被着させるが、めつき液ろ過用
のフイルタがあらく0.5μm未満のパーテイクルは
除去することができないという問題がある。ま
た、めつき液がめつきの行われるのと同じ槽内で
行われるため温度の制御が難しく、設定温度に対
して±３℃位の大きな差が生じること、ヒータ部
のめつき液の局部加熱が激しくめつき液の分解，
劣化が早いなどの問題もあり、基板表面に成膜さ
れるNi−Ｐ合金層に欠陥が多く、ピツト，ノジ
ユールが発生して、表面欠陥が多くなるという欠
点があつた。 〔発明の目的〕 本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであ
つて、磁気デイスク基板の表面に無電解めつきに
より欠陥の極めて少ないNi−Ｐ合金層を成膜被
着させることができるめつき装置を提供すること
を目的とする。 〔発明の要点〕 本発明は、めつき槽が少なくとも三つの槽に区
切られており、Ni−Ｐ合金めつき液は前段の槽
から後段の槽へとオーバーフローし、最後段の槽
から循環パイプに吸引され、0.2μm以下のメンブ
ランフイルタでろ過された後最前段の槽へ還流す
るように循環しており、そのめつきの循環量は15
回／時間以上であり、最前段の槽にはめつき液加
熱用ヒータが設置されており、循環パイプから最
前段の槽に還流するろ過後のめつき液は加熱用ヒ
ータの下部より流入せしめられ、また、めつき槽
外部より供給される窒素ガスが同じく前記加熱用
ヒータの下部よりバブリングせしめられており、
最後段の前の槽内に配置されためつき治具にセツ
トされた基板表面にめつきを施すような構成のめ
つき装置とすることにより、上記の目的を達成す
る。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。 第１図は、本発明によるめつき装置の一実施例
の概念的構成図である。第１図において、めつき
槽１は三槽に区切られており、Ni−Ｐ合金めつ
き液２は各槽の境界Ａ部，Ｂ部でオーバーフロー
しており、後段の槽からポンプ７により吸引され
て循環パイプ８内を矢印の方向に流れて前段の槽
に還流する。循環パイプ８の途中に、めつき液ろ
過用の２種類のフイルタが直列に挿入されてお
り、前段のデイスクフイルタ９でめつき液中の
1μm以上のパーテイクルを除去し、続いてメンブ
ランフイルタ１０で0.2μm以上のパーテイクルを
除去する。めつき液からできるだけ速くパーテイ
クルを除去するためにめつき液の循環は15回／時
間以上という高速で行う。 前段の槽には、めつき液加熱用のヒータ５が設
けられている。循還して前段の槽に還流してくる
めつき液は、このヒータ５の下方の吐出口より吐
き出し、ヒータに沿つて加熱されながら流れて槽
の上方より中段の槽へオーバーフローするように
なつており、また、外部よりN2ガス導入口１１
を経て流入してくるN2ガスがヒータ５の下方よ
りバブリングされているので、めつき液はヒータ
５の近傍に滞留することがなく、めつき液の局部
加熱が生ぜず分解，劣化を防止できる。 中段の槽内には、多数個の基板４を装着しため
つき治具３が配置されて、前段の槽より所定の温
度に制御されてオーバーフローしてくるめつき液
を撹拌用のプロペラ６で撹拌しながら、無電解め
つきで基板４の表面にNi−Ｐ合金膜を形成する。
また、ろ過後還流してくるめつき液の一部はめつ
き治具の下方より吐き出されるようになつてお
り、無電解めつき時基板表面に発生付着するガス
を除去するようになつている。 １２は流量計、１３はめつき槽壁へのNi−Ｐ
合金析出を防止する析出防止装置、１４はめつき
液分析装置、１５はめつき液補給装置である。 このような装置を用いてAl合金基板表面にNi
−Ｐ合金層を無電解めつきで形成する。まず、
Al合金基板をノンエツチングタイプの脱脂剤を
用いて脱脂を行い、硫酸をベースとしたエツチン
グ液で基板表面の酸化膜を除去し、62％の硝酸を
水と１：１に混合した液でスマツトを除去する。
さらに、Ni−Ｐ合金膜の付着を良くさせるため
に１次，２次のジンケート処理を行つた後、めつ
き液に基板を投入して約20μmのNi−Ｐ合金膜を
形成した。 このようにして得られたNi−Ｐ合金層の形成
された実施例の基板表面はピツト，ノジユールの
非常に少ない、特に2μm以上という大きいピツト
やノジユールのほとんど見られない良好なもので
あつた。 比較のために、実施例に準じた前処理を施した
Al合金基板に、第２図に示した従来のめつき装
置を用いてNi−Ｐ合金の無電解めつきを行つた
ところ、得られたNi−Ｐ合金層はピツト，ノジ
ユールの多い好ましくない状態のものであり、
10μm以上の大きいピツトやノジユールも多数発
生していた。 これら実施例および比較例の基板の表面を研磨
しその上に磁性層などを形成して磁気デイスクを
作製した。そのとき、実施例の基板では2.5〜
3μmの研磨量で必要な平均粗さ0.1以下の平滑な
面が得られたが、比較例の基板においては、５〜
6μmの研磨が必要であつた。 これらの磁気デイスクについてＲ／Ｗ試験を行
つた。その結果を第１表に示す。
本発明によれば、Ni−Ｐ合金の無電解めつき
装置において、めつき液のろ過を0.2μm以下のメ
ンブランフイルタで、しかも液を15回／時間以上
と多量に迅速に循環させて行い、めつき液内に生
ずる有害なパーテイクルを、微細なものまででき
るだけ早く取り除くようにする。また、めつき槽
を少なくとも三つの槽に区切り、各槽間ではめつ
き液をオーバーフローさせ、めつき液をヒータで
加熱する所と、めつきを行う所と、ろ過系へ吸引
する所とを別にし、めつき液温の制御精度をあ
げ、また、めつき液の好ましくない乱流の発生を
防ぐ。さらに、ろ過後のめつき液をめつき液加熱
用ヒータの下部に還流させ、ヒータに沿つて下部
より上方に流してオーバーフローさせると共に、
外部より導入するN2ガスをヒータ下部よりバブ
リングさせ、めつき液の局部加熱をなくし、液の
分解，劣化を防止し、パーテイクルの発生を低減
させる。ろ過後のめつき液は一部めつき治具の下
部より吐き出すようにし、無電解めつき時基板表
面に発生付着するガスを除去するのに役立てる。 このような装置を用いることにより、Al合金
からなるデイスク基板に形成されるNi−Ｐ合金
層表面のピツトやノジユールの発生を大幅に低減
させることが可能となり、特性の優れた磁気デイ
スクが得られることになり、その実用的価値は多
大なものである。
装置において、めつき液のろ過を0.2μm以下のメ
ンブランフイルタで、しかも液を15回／時間以上
と多量に迅速に循環させて行い、めつき液内に生
ずる有害なパーテイクルを、微細なものまででき
るだけ早く取り除くようにする。また、めつき槽
を少なくとも三つの槽に区切り、各槽間ではめつ
き液をオーバーフローさせ、めつき液をヒータで
加熱する所と、めつきを行う所と、ろ過系へ吸引
する所とを別にし、めつき液温の制御精度をあ
げ、また、めつき液の好ましくない乱流の発生を
防ぐ。さらに、ろ過後のめつき液をめつき液加熱
用ヒータの下部に還流させ、ヒータに沿つて下部
より上方に流してオーバーフローさせると共に、
外部より導入するN2ガスをヒータ下部よりバブ
リングさせ、めつき液の局部加熱をなくし、液の
分解，劣化を防止し、パーテイクルの発生を低減
させる。ろ過後のめつき液は一部めつき治具の下
部より吐き出すようにし、無電解めつき時基板表
面に発生付着するガスを除去するのに役立てる。 このような装置を用いることにより、Al合金
からなるデイスク基板に形成されるNi−Ｐ合金
層表面のピツトやノジユールの発生を大幅に低減
させることが可能となり、特性の優れた磁気デイ
スクが得られることになり、その実用的価値は多
大なものである。
第１図は本発明によるめつき装置の一実施例の
概念的構成図、第２図はめつき装置の従来例の概
念的構成図である。 １…めつき槽、２…めつき液、３…めつき治
具、４…基板、５…ヒータ、７…ポンプ、８…循
環パイプ、１０…メンブランフイルタ、１１…
N2ガス導入口。
概念的構成図、第２図はめつき装置の従来例の概
念的構成図である。 １…めつき槽、２…めつき液、３…めつき治
具、４…基板、５…ヒータ、７…ポンプ、８…循
環パイプ、１０…メンブランフイルタ、１１…
N2ガス導入口。
Claims (1)
- １ 磁気デイスク基板の表面に無電解めつきによ
りニツケル−りん合金膜を被着させるめつき装置
において、めつき槽が少なくとも三つの槽に区切
られており、めつき液は前段の槽から後段の槽へ
とオーバーフローし、最後段の槽から循環パイプ
に吸引され0.2μm以下のメンブランフイルタでろ
過された後最前段の槽へ還流するように循環して
おり、該めつき液の循環量は15回／時間以上であ
り、最前段の槽にはめつき液加熱用ヒータが設置
されており、循環パイプから最前段の槽に還流す
るろ過後のめつき液は、該加熱用ヒータの下部よ
り流入せしめられ、また、めつき槽外部より供給
される窒素ガスが前記加熱用ヒータの下部よりバ
ブリングせしめられており、最後段の前の槽内に
配置されためつき治具にセツトされた基板表面に
めつきを施すことを特徴とする磁気デイスク基板
めつき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24374186A JPS6398838A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 磁気デイスク基板めつき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24374186A JPS6398838A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 磁気デイスク基板めつき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398838A JPS6398838A (ja) | 1988-04-30 |
| JPH0522971B2 true JPH0522971B2 (ja) | 1993-03-31 |
Family
ID=17108295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24374186A Granted JPS6398838A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 磁気デイスク基板めつき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6398838A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2353111A1 (en) | 2001-07-13 | 2003-01-13 | Aprica Kassai Kabushikikaisha | Vehicular child safety seat |
| DE102007017352B4 (de) * | 2007-04-12 | 2010-12-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Kindersitz |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP24374186A patent/JPS6398838A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6398838A (ja) | 1988-04-30 |
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