JPS6398838A - 磁気デイスク基板めつき装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、高密度記録再生用磁気ディスク基板の表面に
無電解めっきでニッケルーりん合金を被着させるめっき
装置に関する。

〔従来技術とその問題点〕

近年、磁気ディスク装置においては高密度の記録を行う
ために薄膜磁気ディスクが用いられる。

薄膜磁気ディスクは、一般に、アルミニウム合金。

強化ガラス、ポリイミドなどからなる非磁性ディスク状
基板の鏡面仕上げされている表面に、無電解めっきでニ
ッケル（Ｎｉ）　　−りん（Ｐ）合金膜を形成し、その
表面を研暦して平滑にする。このように表面処理された
基板の表面に、めっき、蒸着。

スパッタナトによりコバル）（Ｃｏ）−ニッケル（Ｎ１
）合金などからなる薄膜磁性層を形成し、さらに、その
上に保護潤滑膜を形成して磁気ディスクとする。

磁気ディスク装置においては、通常、コンタクト・スタ
ート・ストップ（Ｃ５Ｓ）方式が採られるが、その場合
、ディスクの表面状態が磁気ヘッドの７１勅の安定性に
大きな影響を及ぼす。薄膜磁気ディスクでは、磁性層や
保護潤滑膜は数百人の均一な薄膜として成膜されるので
、基板表面のＮ１−Ｐ合金層の表面積度がそのままディ
スクの表面１′＾度に反映される。最近、磁気ディスク
装置に対して高記録密度化、高信頼性の要請が強まるな
かで、磁気ヘッドの浮上量をさらに少なくすることが求
められており、ディスク表面の、従って、基（反表面の
欠陥の低減、平滑性の向上がますます必要となってきて
いる。

前述のように、基板表面は鏡面仕上げされた後に無電解
めっきによりＮ＋　　Ｐ合金を被着され、その後、研削
、研磨により平滑に仕上げられるが、その際、Ｎ１−Ｐ
合金膜に欠陥が少なく平滑であることが重要である。

無電解Ｎ１−Ｐ合金めっきは、従来、第２図に概念的に
示すような装置で行われている。第２図において、狛つ
き液２の満たされためっき槽１内には多数の基板４がセ
ットされためっき治具３が回転可能に配置されていてめ
っきが行われろ。４５：まめつき液加部用ヒータであり
、６はめっき液攪拌用プロペラである。Ｂ部でオーバー
フローしためっき液は、ポンプ７により吸引され、循環
パイプ８内を矢印方向に流れ、めっき槽１に還流する。

循環パイプ８の途中に、めっき液をろ過するためにディ
クスフィルタ９が挿入されていて、液中のパーティクル
を取り除くようにしている。このように、めっき液を循
環ろ過しながら、基（反表面にＮ１−Ｐ膜を被着させる
が、めっき液ろ適用のフィルタがあら＜０．５μｍ未満
のパーティクルは除去することができないという問題が
ある。また、めっき液の加熱がめっきの行われるのと同
じ槽内で行われるため温度の制御が難しく、設定温度に
対して±３℃位の大きな差が生じること、ヒータ部のめ
っき液の局部加熱が激しくめっき液の分解、劣化が早い
などの問題もあり、基板表面に成膜されるＮ１−Ｐ合金
層に欠陥が多く、ピット、ノジュールが発生して、表面
欠陥が多くなるという欠点があった。

こ発明の目的〕 本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、磁
気ディスク基板の表面に無電解めっきにより欠陥の極め
て少ないＮｉ　−Ｐ合金層を成膜被着させることができ
るめっき装置を提供することを目的とする。

〔発明の要点〕

本発明は、めっき槽が少なくとも三つの槽に区切られて
おり、Ｎ＋Ｐ合金めっき液は前段の槽から後段の槽へと
オーバーフローし、最後段の槽から循環バイブに吸引さ
れ、０．２μｍ以下のメンブランフィルタでろ過された
後最前段の槽へ還流するように循環しており、そのめっ
き液の循環量は１５回／時間以上であり、最前段の槽に
はめっき液加部用ヒータが設置されており、循環パイプ
から最前段の晴に還流するろ過後のめっき液は加熱用ヒ
ータの下部より流入せしめられ、また、めっき槽外部よ
り供給される窒素ガスが同じく前記加熱用ヒータの下部
よりバブリングせしめられており、最後段の前の槽内に
配置されためっき治具にセットされた基板表面にめっき
を施すような構成のめっき装置とすることにより、上記
の目的を達成する。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。

第１図は、本発明によるめっき３置の一実施例の概念的
構成図である。第１図において、めっき槽１は三種に区
切られており、ＮＡＰ合金めっき液２は各種の境界Δ部
、Ｂ部でオーバーフローしており、後段の槽からポンプ
７により吸引されて循環パイプ８内を矢印の方向に流れ
て前段の槽に還流する。循環パイプ８の途中に、めっき
液ろ適用の２種類のフィルタが直列に挿入されており、
前段のディクスフィルタ９でめっき液中の１μｍ以上の
パーティクルを除去し、続いてメンブランフィルタ１０
で０．２μｍ以上のパーティクルを除去する。めっき液
からできるだけ速くパーティクルを除去するためにめっ
き液の循環は１５回／時間以上という高速で行う。

１１１１段の（１には、めっき液加夕（−用のヒータ５
が設けろれている。循環して％ｉ段の槽に還流してくる
狛つき液は、このヒータ５の下方の吐出口より吐き出し
、ヒータに沿って加熱されながら流れて槽の上方より中
段の【ａヘオーバーフローするようになっており、また
、外部よりＮ２　ガス導入口１１を経て流入してくるＮ
２　ガスがヒータ５の下方よりハブリンクされているの
で、めっき液はヒータ５の近傍に滞留することがなく、
めっき液の局部加熱が生ぜず分解、劣化を防止できる。

中段の槽内には、多数個の基板４を装着しためっき治具
３が配置されて、前段の樽より所定の温度に制御されて
オーバーフローしてくるめっき液を攪拌用のプロペラ６
で攪拌しながら、無電解めっきで基板４の表面にＮ＋　
　Ｐ合金膜を形成する。

また、ろ過後還流してくるめっき液の一部はめっき治具
の下方より吐き出されるようになっており、無電解めっ
き時基板表面に発生付着するガスを除去するようになっ
ている。

１２は流量計、１３はめっき槽壁へのＮ＋−Ｐ合金析出
を防止する析出防止装防、１４はめっき液分間装置、１
５はめっき液捕袷装置であろう このような装置を用いてＡβ合金基閾表面にＮ１−ｐ合
金層を無電解めっきで形成する。まず、１合金基板をノ
ンエツチングタイプの脱脂剤を用いて脱脂を行い、硫酸
をベースとしたエツチング液で基板表面の酸化膜を除去
し、６２％の硝酸を水と１：１に混合した液でスマ；−
トを除去する。さろに、Ｎ１−Ｐ合金膜の付着を良くさ
せるために１次。

２次のジンケート処理を行った後、めっき液に１４〜板
を投入して約２０μｍのＮ１−Ｐ合金膜を形成した。

このようにして得られたＮ１−Ｐ合金層の形成された実
施例の基板表向はピット、ノジュールの非常に少ない、
特に２μｍ以上という大きいピットやノジュールのほと
んど見られない良好なものであった。

比較のために、実施例に準じた前処理を施したＡβ合金
基板に、第２図に示した従来のめっき装置を用いてＮ１
−Ｐ合金の無電解めっきを行ったところ、得られたＮ＋
　　Ｐ合金層はピット、ノジュールの多い好ましくない
状態のものであり、１０μｍ以上の大きいピア）や７ジ
ユールも多数発生していた。

これら実施例および比較例の基板の表面を研磨しその上
に磁性層などを形成して磁気ディスクを作製した。その
とき、実施例の基板では２．５〜３μｍの研Ｄｉで必要
な平均１且さ０．１　以下の平滑な面が得られたが、比
較例の基板においては、５〜６μｍの研出が必要であっ
た。

これらの磁気ディスクについてＲ／Ｗ試験を行った。そ
の結果を第１表に示す。

第１表より、本実施例のめっき装置を用いて作製された
磁気ディスクはＲ／Ｗ試験でエラーの少ない浸れたもの
であることは明らかである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、Ｎ１−Ｐ合金の無電解めっき装置にお
いて、めっき液のろ過を０．２μ円以下の、−ンブラン
フィルタで、しかも液を１５回／時間以−１−と多量に
迅速に循環させて行い、めっき、イに内に生ずる有害な
パーティクルを、微細なものまでできるだけ早く取り除
（ようにする。また、めっき（踵を少なくとも三つの禮
に区切り、各種間ではめっき液をオーバーフローさせ、
めっき液をヒータで加熱する所と、めっきを行う所と、
ろ通糸へ吸引する所とを別にし、めっき液温の制御精度
をあげ、また、めっき液の好ましくない乱流の発生を防
ぐ。

さらに、ろ過後のめっき液をめっき液加鳩用ヒータの下
部に還流させ、ヒータに沿って下部より上方に流してオ
ーバーフローさせると共に、外部より導入するＮ２ガス
をヒータ下部よりバブリングさせ、めっき液の局部加熱
をなくし、液の分解。

劣化を防止し、パーティクルの発生を低減させる。

ろ過後のめっき液は一部めっき治具の下部より吐き出す
よう：てし、ｊ！ｌＨ電解めっき時基檗夫面に発生付将
士ろガス・？・除去するのに役立てる。

、−のような装置を用いることにより、ＡＩ２合金から
なるディスク基板に形成されるＮ１−Ｐ合金層表１ｍの
ピ・／トや、！ジュールの発生を大幅に低減させること
が可能となり、特性の優れた磁気ディスクが（汗られる
ことになり、その実用的優性は多大なものである。

・１図面のｌ′１′７Ｉ華な説明 第１図は本発明によるめっき装置の一実施例の（既念的
構成図、第２図はめっき装置の従来例の概念的構成図で
ある。

１　めっきｔ’Ｊｚ２　　めっき液、３　めっき治具、
４　基板、５　ヒータ、７　ポンプ、８　循環バイブ、
１０　　メンブランフィルタ、１１　　Ｎ２　ガス導入
口。

２　めっきンｌえ ｖ１図 第　２　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）磁気ディスク基板の表面に無電解めっきによりニッ
   ケル−りん合金膜を被着させるめっき装置において、め
   っき槽が少なくとも三つの槽に区切られており、めっき
   液は前段の槽から後段の槽へとオーバーフローし、最後
   段の槽から循環パイプに吸引され０．２μｍ以下のメン
   ブランフィルタでろ過された後最前段の槽へ還流するよ
   うに循環しており、該めっき液の循環量は１５回／時間
   以上であり、最前段の槽にはめっき液加熱用ヒータが設
   置されており、循環パイプから最前段の槽に還流するろ
   過後のめっき液は、該加熱用ヒータの下部より流入せし
   められ、また、めっき槽外部より供給される窒素ガスが
   前記加熱用ヒータの下部よりバブリングせしめられてお
   り、最後段の前の槽内に配置されためっき治具にセット
   された基板表面にめっきを施すことを特徴とする磁気デ
   ィスク基板めっき装置。