JPH05229258A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH05229258A JPH05229258A JP3070291A JP7029191A JPH05229258A JP H05229258 A JPH05229258 A JP H05229258A JP 3070291 A JP3070291 A JP 3070291A JP 7029191 A JP7029191 A JP 7029191A JP H05229258 A JPH05229258 A JP H05229258A
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- JP
- Japan
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- recording
- recording medium
- optical data
- film
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- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速消去が可能な光情報記録媒体を提供す
る。 【構成】 Ｇｅ15Ｔｅ23.5Ｓｂ61.5のＳｂの一部をＢｉ
置換した記録膜を有する光情報記録媒体。 【効果】 この系で結晶化速度が律速となっているＳｂ
の一部をＢｉ置換することによりＳｂの結晶が分断され
るため消去時間が短縮される。
る。 【構成】 Ｇｅ15Ｔｅ23.5Ｓｂ61.5のＳｂの一部をＢｉ
置換した記録膜を有する光情報記録媒体。 【効果】 この系で結晶化速度が律速となっているＳｂ
の一部をＢｉ置換することによりＳｂの結晶が分断され
るため消去時間が短縮される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレ―ザ光の光パルスを照
射することにより情報信号を記録する光記録媒体に関す
るものである。
射することにより情報信号を記録する光記録媒体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質を結晶質との相変化が可逆的に行
われる記録材料は、その非晶質相と結晶相とのレ―ザ―
光の反射率が異なることを利用して情報の記録を行う。
即ち、初期状態として結晶状態となっている記録層にレ
―ザ―光を照射すると、該当する照射部は急熱急冷され
ることにより非晶質状態に変化し、非照射部とは反射率
の異なるピットが形成される（記録）。さらに、記録層
に形成されたピットに記録時よりも弱いレ―ザ―光を照
射すると、該当する照射部は穏やかに加熱冷却され非晶
質状態のピットは初期状態である結晶状態に戻る（消
去）。これらの、非晶質相と結晶相との間の相転移が可
逆的に行える、言い換えれば、記録と消去が可逆的に行
える書換え可能な記録材料としては、例えば、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ（例えば、特開昭63−228433等）が報告されて
いる。これらの記録材料をプラスチック製の基板あるい
はガラス製の基板上に、直接または下地層を介して所定
の厚さの薄膜を成膜し、その上に保護層、さらに場合に
よっては反射層を積層して光記憶媒体の基本構成として
いる。ここで用いられている下地層および保護層にはＳ
ｉＯ2 ，ＺｎＳ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ，Ａｌ2 Ｏ3 等の
誘電体膜やそれらの混合物、例えばＺｎＳとＳｉＯ2 の
組合せ等がある。また、反射層としてはＡｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ−Ｃｒ等の金属や合金が用いられている。これらの成
膜方法としては、蒸着法、ＥＢ蒸着法、スパッタリング
法等が用いられている。
われる記録材料は、その非晶質相と結晶相とのレ―ザ―
光の反射率が異なることを利用して情報の記録を行う。
即ち、初期状態として結晶状態となっている記録層にレ
―ザ―光を照射すると、該当する照射部は急熱急冷され
ることにより非晶質状態に変化し、非照射部とは反射率
の異なるピットが形成される（記録）。さらに、記録層
に形成されたピットに記録時よりも弱いレ―ザ―光を照
射すると、該当する照射部は穏やかに加熱冷却され非晶
質状態のピットは初期状態である結晶状態に戻る（消
去）。これらの、非晶質相と結晶相との間の相転移が可
逆的に行える、言い換えれば、記録と消去が可逆的に行
える書換え可能な記録材料としては、例えば、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ（例えば、特開昭63−228433等）が報告されて
いる。これらの記録材料をプラスチック製の基板あるい
はガラス製の基板上に、直接または下地層を介して所定
の厚さの薄膜を成膜し、その上に保護層、さらに場合に
よっては反射層を積層して光記憶媒体の基本構成として
いる。ここで用いられている下地層および保護層にはＳ
ｉＯ2 ，ＺｎＳ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ，Ａｌ2 Ｏ3 等の
誘電体膜やそれらの混合物、例えばＺｎＳとＳｉＯ2 の
組合せ等がある。また、反射層としてはＡｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ−Ｃｒ等の金属や合金が用いられている。これらの成
膜方法としては、蒸着法、ＥＢ蒸着法、スパッタリング
法等が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】情報社会の発達に伴
い、これまで以上に情報伝達の高速化および記録情報保
持の信頼性が要求されるようになってきている。ここ
で、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ
61.5Ｔｅ23.5は 200℃以上の結晶化温度を有し、さら
に、該組成の記録消去の繰返し寿命は106 回以上であ
る。しかし、消去時間は400ns程度で必ずしも高速消去
に十分であるとは言えない。本発明は高速消去が可能な
光情報記録媒体を提供することを目的とする。
い、これまで以上に情報伝達の高速化および記録情報保
持の信頼性が要求されるようになってきている。ここ
で、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ
61.5Ｔｅ23.5は 200℃以上の結晶化温度を有し、さら
に、該組成の記録消去の繰返し寿命は106 回以上であ
る。しかし、消去時間は400ns程度で必ずしも高速消去
に十分であるとは言えない。本発明は高速消去が可能な
光情報記録媒体を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の書換え可能な光情報記録媒体は、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5に
おいて、Ｓｂの一部をＢｉで置換したことを特徴とす
る。記録膜の組成は、成膜条件などの実験誤差のため±
２at％程度ずれることがあるが、その場合にも上記目的
を達成できる。
め、本発明の書換え可能な光情報記録媒体は、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5に
おいて、Ｓｂの一部をＢｉで置換したことを特徴とす
る。記録膜の組成は、成膜条件などの実験誤差のため±
２at％程度ずれることがあるが、その場合にも上記目的
を達成できる。
【０００５】
【作用】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓ
ｂ61.5Ｔｅ23.5において、Ｓｂの一部がＢｉ置換される
と、この系で結晶化速度が律速となっているＳｂの割合
が減ったこと、およびＳｂの結晶を分断する相が増えた
ため結晶化速度が速くなったものと考えられる。Ｂｉ＜
３at％では消去時間を短縮する効果がなく、Ｂｉ＞10.5
at％では結晶化開始温度が 150℃未満となり記録保存の
耐久性に十分とは言えない。
ｂ61.5Ｔｅ23.5において、Ｓｂの一部がＢｉ置換される
と、この系で結晶化速度が律速となっているＳｂの割合
が減ったこと、およびＳｂの結晶を分断する相が増えた
ため結晶化速度が速くなったものと考えられる。Ｂｉ＜
３at％では消去時間を短縮する効果がなく、Ｂｉ＞10.5
at％では結晶化開始温度が 150℃未満となり記録保存の
耐久性に十分とは言えない。
【０００６】
【実施例１】以下に本発明の実施例を示す。記録膜、保
護膜等の成膜はＲＦマグネトロスパッタリングによって
行った。洗浄されたガラス片に、Ｇｅ15Ｔｅ23.5（Ｓｂ
／Ｂｉ）61.5の組成のスパッタリングタ―ゲットを用い
て、Ａｒ＝３ｍTorrを導入してＲＦパワ―50Ｗで膜厚約
80nmの記録膜を成膜した。次いで、膜厚約150 nmのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 混合物による保護膜を積層成膜した。この
試料を窒素雰囲気中、温度 240℃で約30分間加熱し初期
結晶化した。あるいは、連続光または１ＫＨｚのパルス
光で記録消去特性評価領域をレ―ザ―アニ―ルして初期
結晶化した。各試料について、パルス幅30ns、波長830
nmのレ―ザ―光により直径約 0.6μｍの記録ピットを成
形し、その記録ピットを消去することができる消去パル
ス幅（消去時間）および記録消去の繰返し寿命を調べ
た。その結果を第１表に示した。この結果により明らか
なように、Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5のＳｂの一部をＢｉ
置換した記録膜は350 ns以下で消去可能であり、消去時
間は明らかに短縮された。
護膜等の成膜はＲＦマグネトロスパッタリングによって
行った。洗浄されたガラス片に、Ｇｅ15Ｔｅ23.5（Ｓｂ
／Ｂｉ）61.5の組成のスパッタリングタ―ゲットを用い
て、Ａｒ＝３ｍTorrを導入してＲＦパワ―50Ｗで膜厚約
80nmの記録膜を成膜した。次いで、膜厚約150 nmのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 混合物による保護膜を積層成膜した。この
試料を窒素雰囲気中、温度 240℃で約30分間加熱し初期
結晶化した。あるいは、連続光または１ＫＨｚのパルス
光で記録消去特性評価領域をレ―ザ―アニ―ルして初期
結晶化した。各試料について、パルス幅30ns、波長830
nmのレ―ザ―光により直径約 0.6μｍの記録ピットを成
形し、その記録ピットを消去することができる消去パル
ス幅（消去時間）および記録消去の繰返し寿命を調べ
た。その結果を第１表に示した。この結果により明らか
なように、Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5のＳｂの一部をＢｉ
置換した記録膜は350 ns以下で消去可能であり、消去時
間は明らかに短縮された。
【０００７】次に、結晶化開始温度を熱分析（ＤＳＣ）
によって調べた。熱分析の際の昇温速度は毎分10℃であ
る。その結果を第１表に示した。この結果より明らかな
ように本発明のＧｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5のＳｂの一部を
Ｂｉ置換した薄膜の結晶化開始温度は、Ｂｉ＝３〜10.5
at％において 150℃を越えていた。ところで、記録膜の
組成は、成膜条件などの実験誤差のため±２at％程度ず
れる場合があり、その場合（Ｇｅ15±２（Ｓｂ／Ｂｉ）
61.5±２Ｔｅ23.5±２）も同様の結果が得られた。 第１表 記録膜組成(at%) 消去時間(ns) 繰返し寿命（回） 結晶化開始温度（℃） Ｂｉ含有量 ０ ４００ １０6 ２２５ ３．０ ３５０ １０6 ２１３ ５．５ ３００ １０6 １８５ ５．７ ２５０ １０6 １９２ ８．０ ２５０ １０6 １７２ １０．５ ２５０ １０5 １５０ １５．０ ２５０ １０4 １１５
によって調べた。熱分析の際の昇温速度は毎分10℃であ
る。その結果を第１表に示した。この結果より明らかな
ように本発明のＧｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5のＳｂの一部を
Ｂｉ置換した薄膜の結晶化開始温度は、Ｂｉ＝３〜10.5
at％において 150℃を越えていた。ところで、記録膜の
組成は、成膜条件などの実験誤差のため±２at％程度ず
れる場合があり、その場合（Ｇｅ15±２（Ｓｂ／Ｂｉ）
61.5±２Ｔｅ23.5±２）も同様の結果が得られた。 第１表 記録膜組成(at%) 消去時間(ns) 繰返し寿命（回） 結晶化開始温度（℃） Ｂｉ含有量 ０ ４００ １０6 ２２５ ３．０ ３５０ １０6 ２１３ ５．５ ３００ １０6 １８５ ５．７ ２５０ １０6 １９２ ８．０ ２５０ １０6 １７２ １０．５ ２５０ １０5 １５０ １５．０ ２５０ １０4 １１５
【０００８】
【比較例】消去時間および結晶化開始温度の比較例とし
て、Ｂｉ置換なしのＧｅ15Ｓｂ61 .5Ｔｅ23.5及びＢｉ含
有量が15at％のＧｅ15Ｓｂ46.5Ｂｉ15Ｔｅ23.5の記録膜
のデ―タを第１表に示した。評価条件は実施例と同様で
ある。
て、Ｂｉ置換なしのＧｅ15Ｓｂ61 .5Ｔｅ23.5及びＢｉ含
有量が15at％のＧｅ15Ｓｂ46.5Ｂｉ15Ｔｅ23.5の記録膜
のデ―タを第１表に示した。評価条件は実施例と同様で
ある。
【０００９】
【発明の効果】以上のように、本発明によるＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ３元系の非晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61 .5Ｔｅ23.5のＳｂ
の一部をＢｉ置換した記録層を有する光情報記録媒体
は、消去時間が十分に速いものである。
−Ｔｅ３元系の非晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61 .5Ｔｅ23.5のＳｂ
の一部をＢｉ置換した記録層を有する光情報記録媒体
は、消去時間が十分に速いものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 修治 神奈川県小田原市蓮生寺470−169 西山マ ンション101号 (72)発明者 山岸 隆司 兵庫県伊丹市南野飛田1006−25
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇ
ｅ15（±２）Ｓｂ61.5（±２）Ｔｅ23.5（±２）におい
て、Ｓｂの一部をＢｉで置換した記録薄膜を有すること
を特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 Ｂｉが３〜10.5at％含有することを特徴
とする請求項１記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070291A JP2560152B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070291A JP2560152B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05229258A true JPH05229258A (ja) | 1993-09-07 |
| JP2560152B2 JP2560152B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=13427231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3070291A Expired - Lifetime JP2560152B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560152B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054982A1 (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7510753B2 (en) | 2004-10-01 | 2009-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording media |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP3070291A patent/JP2560152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054982A1 (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US6858277B1 (en) | 1999-03-15 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| CN100377239C (zh) * | 1999-03-15 | 2008-03-26 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录媒体及其制造方法 |
| US7510753B2 (en) | 2004-10-01 | 2009-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording media |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560152B2 (ja) | 1996-12-04 |
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Legal Events
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