JPH05228829A - ウェーハ研磨装置 - Google Patents

ウェーハ研磨装置

Info

Publication number
JPH05228829A
JPH05228829A JP4032385A JP3238592A JPH05228829A JP H05228829 A JPH05228829 A JP H05228829A JP 4032385 A JP4032385 A JP 4032385A JP 3238592 A JP3238592 A JP 3238592A JP H05228829 A JPH05228829 A JP H05228829A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
wafer
surface plate
polishing
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4032385A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Tsutsumi
幸雄 堤
Keisuke Takahashi
啓介 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP4032385A priority Critical patent/JPH05228829A/ja
Publication of JPH05228829A publication Critical patent/JPH05228829A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 研磨の際に、供給装置Sから供給管13を経
てキャリアプレートPに保持されたウェーハに供給され
る温度調節用の清浄水の温度を、定盤1とウェーハとの
相対回転運動により生じる摩擦熱によって当該ウェー
ハ、定盤1、および清浄水が温度平衡状態に達したとき
の温度に予め設定する。 【効果】 定盤1とウェーハとの間に相対回転運動が与
えられてから、ウェーハの定常的な研磨が可能になるま
での時間を大幅に短縮し得て作業効率の向上を図ること
ができる。また一定温度の清浄水を供給するだけである
から複雑な構造の温度制御機構を必要とせず、装置構造
の簡略化および装置の低廉化を図ることもできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、定盤と、この定盤上に
単体で、あるいはキャリアプレート等に保持されて載置
されたウェーハとの間に相対回転運動を与えてウェーハ
の表面を研磨するウェーハ研磨装置に係わり、特に上記
定盤上のウェーハに温度調節用の清浄水を供給する温調
機構を備えたウェーハ研磨装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】このような温調機構を備えたウェーハ研
磨装置としては、例えば特開平2−240925号公報
に記載されたようなものが知られている。このウェーハ
研磨装置は、低熱膨脹材を用いたウェーハ保持プレート
と、ウェーハ保持プレートおよび定盤の温度測定部と、
ウェーハ保持プレートおよび定盤を覆うカバープレート
と、このカバープレートとウェーハ保持プレートと定盤
の壁間の空気層に温度調節した清浄水を噴霧する温調機
構とを設けたものであって、この温調機構は上記定盤お
よびウェーハ保持プレートに埋設された温度センサとこ
れに接続された温度制御部、およびこの温調制御部の出
力により動作する温調水供給装置から構成されている。
【0003】このようなウェーハ研磨装置では、上記ウ
ェーハ保持プレートの温度センサと定盤の温度センサの
検出値に対応して温度制御部の出力値を変化させ、温調
水供給装置に出力信号して温度と流量を制御することに
より、ウェーハ保持プレートと定盤の温度分布を均一に
してウェーハ研磨面内の温度分布を均一化し、ウェーハ
の形状精度の向上を図っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ウェーハ研磨装置による研磨時には、ウェーハと定盤と
の相対回転運動によって摩擦熱が発生し、この摩擦熱に
よって当該ウェーハや定盤、および供給される温調用の
清浄水の温度が上昇する。この温度上昇は一定時間経過
後に平衡状態に達し、この後初めて定常的なウェーハ研
磨を行うことができる。しかしながら上記構成のウェー
ハ研磨装置では、研磨時のウェーハの温度分布は均一化
されるものの、定盤やウェーハ保持プレート等の熱容量
が極めて大きいため、ウェーハが温度的に研磨可能な上
記平衡状態に達するまでに多大な時間を必要とし、総合
的に研磨に要する作業時間も長大なものとなって作業効
率の低下を招いてしまうという問題があった。
【0005】さらに上記構成のウェーハ研磨装置では、
温調機構が温度センサや温度制御部等から構成されてい
るため、その構造が複雑となることは避けられずに故障
の危険性が増す一方、研磨装置自体の製造コストを上昇
させるおそれもある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するためになされたもので、定盤上に載置され
て押圧されたウエーハに温度調節用の清浄水を供給しな
がら上記定盤を回転させ、上記ウェーハと定盤との間に
相対回転運動を与えてウェーハの表面を研磨するウェー
ハ研磨装置において、上記清浄水の温度を、上記定盤と
ウェーハとの相対回転運動により生じる摩擦熱によって
当該ウェーハ、定盤、および清浄水が温度平衡状態に達
したときの温度に予め設定したことを特徴とするもので
ある。
【0007】
【作用】このような構成のウェーハ研磨装置によれば、
定盤上のウェーハ等に供給される清浄水が、予め当該ウ
ェーハ等の研磨時の平衡状態における温度に設定されて
いるため、清浄水の供給から定常的な研磨が可能となる
までの時間を大幅に短縮することが可能となる。また、
この平衡状態に達した後は、ウェーハ等は当該平衡温度
を維持したままその研磨が進行するため、上記従来例の
研磨装置のように複雑な温度センサや制御部等を設ける
必要がない。
【0008】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示すウェーハ研磨
装置の定盤1の上方側からの平面図あって、本実施例で
はウェーハは複数枚が円盤状のキャリアプレートPに保
持されて研磨に供されている。定盤1は、水平に、かつ
その回転中心Oに対し回動可能に取り付けられた円盤状
の部材であり、図示しない駆動装置により図1において
反時計回り方向に回転させられる。なお、この定盤1の
上面はきわめて平滑度の高い平坦面に仕上げられてい
る。また、この定盤1の近傍には、該定盤1の上面に研
磨液を供給する研磨液供給装置が設けられている(図示
略)。さらにこの定盤1の外側には、該定盤1の回転に
よる遠心力によって定盤1上から離散する上記研磨液お
よび清浄水を受けるための受け溝部2が、定盤1の外側
を周回するように設けられている。
【0009】定盤1の周縁に臨む位置には、当該定盤1
に向かって延設されたコンベア3から定盤1上にキャリ
アプレートPを移し換える移送装置4が配設されてい
る。この移送装置4は、定盤1の外側に垂設されてその
軸線方向(上下方向)に出没可能、かつ図1に白抜き矢
線で示すように該軸線を中心に一定角度で回動自在とさ
れた回動軸5と、この回動軸5の上端に水平方向に取り
付けられ、把持あるいは吸着等の手段によって上記キャ
リアプレートPを保持する保持部6が先端に設けられた
アーム7と、上記回動軸5を出没・回動させる駆動装置
8とから概ね構成されている。
【0010】一方、定盤1の周囲には4つの回動軸9…
が定盤1の周方向に沿って略等間隔に垂設されており、
これらの回動軸9…の上端にはそれぞれストッパー10
が水平に取り付けられている。これらの回動軸9には図
示しないシリンダー等の駆動手段が付設されており、こ
れによって該回動軸9はその軸心を中心に所定の角度で
回動可能とされている。上記ストッパー10は、その厚
さ方向からの平面視に弓形に湾曲した薄板状の部材であ
って、待機時には図1に破線で示すように該弓形の円弧
状の凹部11を定盤1側に向けた状態で、その基端部が
上記回動軸9に取り付けられている。さらに、このスト
ッパー10の先端部および基端部には位置決めローラ1
2,12が、それぞれその周縁が凹部11の両端から該
凹部11の内側に向かって僅かに突出するように設けら
れている。
【0011】このストッパー10は、回動軸9の回動動
作に伴い、図1に破線で示す位置から実線で示す位置へ
と、回動軸9の軸心を中心に水平面内において所定角度
で回動されて定盤1上に出没される。ここでストッパー
10は、定盤1上に突出した状態で、上記凹部11が定
盤1の回転によるキャリアプレートPの回転移動経路を
遮る方向に延びるように設定されており、従ってこの凹
部11の両端に取り付けられた上記位置決めローラ1
2,12も定盤1回転方向を遮る方向に配設される。本
実施例では、コンベア3によって搬送され、移送装置4
によって定盤1上に載置されたキャリアプレートPは、
定盤1の回転によって移動しつつ、定盤1上に出没する
これらストッパー10により順次所定の位置に位置決め
されるようになっている。
【0012】そして本実施例では、この定盤1の回転中
心O上に当該定盤1に向かって開口するように温度調節
用の清浄水の供給管13が配設されており、この供給管
13は図示しない清浄水供給装置Sに接続されている。
さらに、この清浄水供給装置Sにはヒータ等の加熱装置
が付設されており、これによって定盤1上に供給される
上記清浄水の温度は、当該研磨装置による研磨の際にウ
ェーハやキャリアプレートPおよび定盤1等が達する温
度的平衡状態における平衡温度を、常に維持するように
設定されている。
【0013】このような構成のウェーハ研磨装置では、
キャリアプレートPに保持されたウェーハは、移送装置
4により定盤1上に載置されてストッパー10…によっ
て位置決めされた後、該定盤1に押圧され、次いで温度
調節用の清浄水および研磨液が供給されつつウェーハと
定盤1との間に相対回転運動が与えられて研磨作業に供
される。ここで、これらウェーハ、キャリアプレート
P、および定盤1等は、上述したようにこの相対回転運
動による摩擦熱によって徐々に昇温して一定の温度的平
衡状態に達した後、定常的な研磨が行われる。
【0014】ところが上記構成のウェーハ研磨装置によ
れば、定盤1上に供給される温度調節用の清浄水が予め
研磨時の平衡状態における温度に設定されており、ウェ
ーハ等が均一に昇温し、かつこれらウェーハや定盤1等
の大きな熱容量にも拘わらず比較的早くに上記平衡温度
に達する。このため、上記相対回転運動が与えられてか
ら定常的な研磨が可能となるまでの時間を大幅に短縮す
ることが可能となり、これによって研磨作業に要する時
間も全体的に短縮することが可能となって作業効率の向
上を図ることができる。
【0015】また、この温度的平衡状態に達した後は、
これらウェーハ、キャリアプレートP、および定盤1等
は、上記平衡温度で一定とされた温度調節用の清浄水の
供給および上記摩擦熱によって当該平衡温度を維持し、
このままの温度状態で研磨が進行するため、温度分布が
均一な状態を安定的に維持して高品位なウェーハを提供
することができる。他方、平衡温度で一定の清浄水を供
給するだけであるから、上述した従来例の研磨装置のよ
うに複雑な温度センサや制御部等を設けて温度制御を行
う必要もなく、従って装置構造の簡略化がなされて故障
の危険性を低減できるとともに、装置自体を比較的低廉
に提供することも可能となる。
【0016】さらに本実施例の研磨装置では、ウェーハ
を保持するキャリアプレートPは、定盤1の外側から定
盤1上に出没自在とされたストッパー10によって位置
決めされて研磨される構造であり、定盤1上にはこのキ
ャリアプレートP以外に遮蔽物がない。このため、供給
管13から供給される温度調節用の清浄水や上記研磨液
供給装置から供給される研磨液の流れが安定し、これら
を定盤1上に載置されたウェーハに十分に行き渡らせる
ことができ、温度分布の均一化や研磨の安定性をより一
層向上させることが可能となる。
【0017】なお、本実施例では温度調節用の清浄水の
供給管13を定盤1の回転中心Oの直上に開口するよう
に設定したが、この供給管13の位置はウェーハの数や
大きさ、あるいは定盤1上のウェーハの配置状態等によ
って適宜設定することができる。また供給される清浄水
の温度も、ウェーハ研磨の際の各態様によって適切な上
記平衡温度に設定される。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、研磨の際
にウェーハに供給される温度調節用の清浄水の温度を、
定盤とウェーハとの相対回転運動により生じる摩擦熱に
よって当該ウェーハ、定盤、および清浄水が温度平衡状
態に達したときの温度に予め設定したものであるから、
上記相対回転運動が与えられてから定常的な研磨が可能
になるまでの時間を大幅に短縮し得て作業効率の向上を
図ることができる。また一定温度の清浄水を供給するだ
けであるから複雑な構造の温度制御機構を必要とせず、
装置構造の簡略化および装置の低廉化を図ることもでき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す定盤1上方側からの平
面図である。
【符号の説明】 1 定盤 4 移送装置 10 ストッパー 13 温度調節用清浄水供給管 S 清浄水供給装置 P キャリアプレート O 定盤1の回転中心

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 定盤上に載置されて押圧されたウエーハ
    に温度調節用の清浄水を供給しながら上記定盤を回転さ
    せ、上記ウェーハと定盤との間に相対回転運動を与えて
    ウェーハの表面を研磨するウェーハ研磨装置において、
    上記清浄水の温度が、上記定盤とウェーハとの相対回転
    運動により生じる摩擦熱によって当該ウェーハ、定盤、
    および清浄水が温度平衡状態に達したときの温度に予め
    設定されていることを特徴とするウェーハ研磨装置。
JP4032385A 1992-02-19 1992-02-19 ウェーハ研磨装置 Pending JPH05228829A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4032385A JPH05228829A (ja) 1992-02-19 1992-02-19 ウェーハ研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4032385A JPH05228829A (ja) 1992-02-19 1992-02-19 ウェーハ研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05228829A true JPH05228829A (ja) 1993-09-07

Family

ID=12357493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4032385A Pending JPH05228829A (ja) 1992-02-19 1992-02-19 ウェーハ研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05228829A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0803327A2 (en) * 1996-04-26 1997-10-29 MEMC Electronic Materials, Inc. Apparatus and method for shaping polishing pads
KR100376963B1 (ko) * 2001-03-15 2003-03-26 주성엔지니어링(주) 배치방식 웨이퍼 이송장치
JP2003225859A (ja) * 2001-11-30 2003-08-12 Toshiro Doi 研磨装置および研磨方法
KR101475572B1 (ko) * 2012-12-28 2014-12-22 강원대학교산학협력단 시편제조장치의 회전보조기구

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0803327A2 (en) * 1996-04-26 1997-10-29 MEMC Electronic Materials, Inc. Apparatus and method for shaping polishing pads
EP0803327A3 (en) * 1996-04-26 1998-08-19 MEMC Electronic Materials, Inc. Apparatus and method for shaping polishing pads
CN1076249C (zh) * 1996-04-26 2001-12-19 Memc电子材料有限公司 给抛光板整形的方法及设备
KR100376963B1 (ko) * 2001-03-15 2003-03-26 주성엔지니어링(주) 배치방식 웨이퍼 이송장치
JP2003225859A (ja) * 2001-11-30 2003-08-12 Toshiro Doi 研磨装置および研磨方法
JP4510362B2 (ja) * 2001-11-30 2010-07-21 俊郎 土肥 Cmp装置およびcmp方法
KR101475572B1 (ko) * 2012-12-28 2014-12-22 강원대학교산학협력단 시편제조장치의 회전보조기구

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5873769A (en) Temperature compensated chemical mechanical polishing to achieve uniform removal rates
TWI819009B (zh) 化學機械研磨設備及化學機械研磨方法
US6306009B1 (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US6398625B1 (en) Apparatus and method of polishing with slurry delivery through a polishing pad
JP2674730B2 (ja) 半導体ウエハを平面化する装置及び方法、及び研磨パッド
JP5547472B2 (ja) 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置
JP4567195B2 (ja) 化学的機械研磨用コンディショナ
JP3566417B2 (ja) ポリッシング装置
KR19990036434A (ko) 웨이퍼 세척 장치
JP2013536580A (ja) 研磨中の温度制御のための装置および方法
JP2001291687A (ja) 研磨装置の領域にスラリを制御して送出する装置および方法
US6261160B1 (en) Method and apparatus for specular-polishing of work edges
KR102659622B1 (ko) Cmp 동안 온도 기반 인-시튜 에지 비대칭 보정
US5664986A (en) Apparatus for polishing a dielectric layer formed on a substrate
KR20140068969A (ko) 웨이퍼 홀더 및 온도 조절 장치 및 웨이퍼 제조방법
JPH05228829A (ja) ウェーハ研磨装置
JP2023530555A (ja) Cmp温度制御のための装置および方法
JPH1029153A (ja) 半導体ウェーハ研磨装置
JP2001246550A (ja) 研磨装置
JP2002231672A (ja) ウェーハ研磨方法およびその装置
JP2000015561A (ja) 研磨装置
US6402597B1 (en) Polishing apparatus and method
JP2001353657A (ja) ウェーハ研磨装置及び研磨方法
JPH106207A (ja) 研磨装置用定盤
JP4278836B2 (ja) ウェーハ研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980106