JPH106207A - 研磨装置用定盤 - Google Patents

研磨装置用定盤

Info

Publication number
JPH106207A
JPH106207A JP15706796A JP15706796A JPH106207A JP H106207 A JPH106207 A JP H106207A JP 15706796 A JP15706796 A JP 15706796A JP 15706796 A JP15706796 A JP 15706796A JP H106207 A JPH106207 A JP H106207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
liquid
surface plate
pressure
cloth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15706796A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Sakai
謙児 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP15706796A priority Critical patent/JPH106207A/ja
Publication of JPH106207A publication Critical patent/JPH106207A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力を
かけることができるとともに、研磨圧力を容易に制御す
ることができる研磨装置用定盤を提供する。 【解決手段】定盤10には、液体パラフィン24が充填
された容器部14が設けられている。この容器部14は
弾性体のシート26で密閉され、このシート26上に研
磨布28が貼着されている。さらに、液体パラフィン2
4中にはエアバッグ30が浸漬されている。したがっ
て、このエアバッグ30の内圧を調整するだけで、液体
パラフィン24中の圧力を制御し、シート26及び研磨
布28にかかる圧力、すなわち研磨圧力を制御すること
ができる。また、液体パラフィン24はヒータ32によ
って加熱されている。研磨布28の交換時には、この加
熱を中止し液体パラフィン24を凝固させた後、容器部
14を取り外して研磨布28を貼り替える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置用の定盤
に係わり、特に半導体ウェーハ研磨装置用の定盤に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高密度化、多層
化が進み、その製作過程において半導体ウェーハを高い
精度で平坦化する技術が重要視されている。この平坦化
のためには、半導体ウェーハと研磨布との間に研磨液を
供給し、半導体ウェーハと研磨布とを押し付けながら相
対運動させて研磨する方法が有力である。
【0003】ところで、研磨を受ける半導体ウェーハに
は、反りやうねりがあることが多い。そこで、このよう
な反り等がある半導体ウェーハであっても、半導体ウェ
ーハと研磨布との押し付け力(研磨圧力)を偏在させな
いための対策として、液体を密閉した弾性体で半導体ウ
ェーハを研磨布に押し付ける、あるいは液体を密閉した
弾性体で研磨布を支持するといった方法が従来とられて
いる(特開平5-74749号公報)。
【0004】一方、従来、研磨圧力の制御は、半導体ウ
ェーハを支持する機構を、研磨布を支持する定盤に対し
て微小距離上下させることによって行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、研磨中
に研磨圧力を検出し、それに応じて半導体ウェーハを微
妙に上下させるためには、複雑な装置が必要であり、そ
の制御は難しいという欠点がある。ところで、研磨布は
消耗品であって、一定の使用時間が過ぎると交換される
必要がある。しかしながら、研磨布が弾性体で支持され
ていると、研磨布の剥離、貼着が困難であるという欠点
がある。
【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、半導体ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力
をかけることができるとともに、研磨圧力を容易に制御
することができる研磨装置用定盤を提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決する為の手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、定盤の上面に形成された凹部に液体が充
填され、前記凹部が弾性体のシートで密閉され、このシ
ート上に研磨布が支持された研磨装置用定盤において、
体積可変である袋体を前記液体中に浸漬して配置し、こ
の袋体の内圧を可変制御することによって、液体及びシ
ートを介して、研磨布にかかる圧力を制御するようにし
たことを特徴とする。
【0008】本発明の研磨装置用定盤は、液体が充填さ
れた凹部が上面にあり、それが弾性体のシートで密閉さ
れ、このシート上に研磨布が支持されている。したがっ
て、この研磨装置用定盤を用いれば、研磨を受ける半導
体ウェーハに反り等があっても、半導体ウェーハの面内
全域に均一に研磨圧力をかけることができる。さらに、
この研磨装置用定盤は、前記液体中に、体積可変である
袋体が浸漬されている。したがって、この袋体の内圧を
調整するだけで、液体中の圧力を制御し、研磨布にかか
る圧力、すなわち研磨圧力を制御することができる。
【0009】請求項2記載の発明は、前記研磨装置用定
盤において、前記凹部の内部に、あるいは前記凹部に隣
接して、加熱手段を備える。そして、前記液体として、
前記加熱手段によって液体に保たれ、室温では凝固する
物質を用いる。この研磨装置用定盤では、研磨中には、
前記凹部内に充填された物質を前記加熱手段によって液
体に保つ。そして、研磨布を交換するときには、前記液
体を放冷して凝固させれば、研磨装置用定盤の上面が固
くなるので、研磨布の剥離、貼着を容易に行うことがで
きる。また、前記加熱手段によって研磨布の温度を制御
することで、研磨液の温度を制御し、研磨速度を制御す
ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って、本発明に
係わる研磨装置用定盤の好ましい実施の形態について詳
説する。図1は、本発明の実施の形態の定盤10の要部
断面図である。定盤10は基盤部12と容器部14とで
構成され、両者は着脱可能である。
【0011】前記基盤部12の下部には回転軸16が設
けられていて、この回転軸16はギヤ18、20を介し
てモータ22のスピンドルに連結されている。したがっ
て、モータ22が回転駆動されると、定盤10全体が図
中矢印a方向に回転される。前記容器部14は上部に凹
部が形成され、この凹部には液体、例えば液体パラフィ
ン24が充填されている。
【0012】さらに、この凹部は弾性体、例えばゴムの
シート26によって密閉されており、このシート26上
に研磨布28が貼着される。前記液体パラフィン24中
には、エアバッグ30、ヒータ32及び温度センサ34
が浸漬して配置されている。前記エアバッグ30は体積
可変であって、ジョイント36及びロータリジョイント
38を介して、外部のエアレギュレータ40、さらにエ
アポンプ42に接続されている。したがって、エアポン
プ42によって加圧された空気が送り込まれることで、
エアバッグ30の内部が加圧される。そして、この送り
込まれる空気の圧力がエアレギュレータ40によって調
整されることで、エアバッグ30の内圧は自在に調整さ
れる。それによって、液体パラフィン24中の圧力が制
御されるので、シート26及び研磨布28にかかる圧
力、すなわち研磨圧力が制御される。
【0013】前記ヒータ32及び温度センサ34は、コ
ネクタ44及びスリップリング46を介して、外部の温
度コントローラ48に接続されている。研磨中には、温
度コントローラ48は、温度センサ34によって液体パ
ラフィン24の温度を検知しながら、ヒータ32によっ
て液体パラフィン24の温度を凝固点以上に維持してい
る。
【0014】さらに、温度コントローラ48によって、
液体パラフィン24とシート26とを介して、研磨布2
8の温度を制御することで、図示しない研磨液の温度を
制御し、研磨速度を制御することができる。さて、研磨
布28は、消耗品であって、一定の使用時間が過ぎると
交換される必要がある。その交換の際には、まず、ヒー
タ32による加熱を中止して液体パラフィン24を放冷
する。そして、液体パラフィン24を凝固させてから、
容器部14を基盤部12から取り外し、研磨布28を貼
り替える。このようにすれば、定盤の上面が固い状態で
研磨布28の剥離、貼着を行うことができるので、研磨
布28の交換作業を容易に行うことができる。
【0015】次に、この定盤10を用いた研磨について
説明する。図1に、吸着パッド49の下面に保持された
半導体ウェーハ50が、定盤10に押し付けられている
状態を示す。吸着パッド49は、図示しない移動機構に
よって図中矢印b方向に上下移動自在であって、図示し
ない回転機構によって図中矢印c方向に回転される。図
2は、定盤10に、半導体ウェーハ50が押し付けられ
ている状態を示した模式図である。
【0016】ここで、図中の矢印52は、シート26が
液体パラフィン24から受ける圧力ベクトルを示す。こ
の図に示すように、半導体ウェーハ50の表面にうねり
があっても、シート26及び研磨布28はそのうねりに
追従し、研磨圧力はどの場所でも均一である。また、図
中の矢印54は、エアバッグ30の壁面がエアバッグ3
0内部の図示しない空気から受ける圧力ベクトルを示
す。エアバッグ30の内圧と、液体パラフィン24中の
圧力と、シート26及び研磨布28が受ける圧力、すな
わち研磨圧力とは全て等しい。したがって、このエアバ
ッグ30の内圧を調整するだけで、研磨圧力を制御する
ことができる。
【0017】なお、容器部14に充填される液体は、液
体パラフィンに限定されることなく、ヒータ32による
加熱によって液体に保たれ、室温では凝固する物質であ
ればよい。また、シート26の表面に、溝等の液溜まり
部を設けて、研磨液を保持する機能を付加すれば、研磨
布28を貼着する必要はなくなる。
【0018】また、ヒータ32の設置場所は、液体パラ
フィン24中に限定されることなく、液体パラフィン2
4を加熱することができる場所であればよい。例えば、
ヒータ32は、容器部14の壁に埋設されてもよい。さ
らに、本実施の形態においては、液体パラフィン24中
の圧力の制御手段として、空気を圧力媒体としたエアバ
ッグ30等を用いている。しかし、これに限定されるこ
となく、例えば他の気体や液体を圧力媒体としたバッグ
等を用いてもよい。
【0019】また、研磨圧力の制御には、エアバッグ3
0の内圧の調整だけでなく、吸着パッド49の上下移動
を併用してもよい。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の研磨装置
用定盤では、研磨布に押し付けられる半導体ウェーハに
反り等があっても、半導体ウェーハの面内全域に均一に
研磨圧力をかけることができ、また、袋体の内圧を調整
するだけで、液体中の圧力を制御し、研磨布にかかる圧
力、すなわち研磨圧力を制御することができる。
【0021】また、本発明では、前記液体として、加熱
手段によって液体に保たれ、室温では凝固する物質を用
いているので、研磨布の交換作業を容易に行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の研磨装置用定盤の要部断
面図。
【図2】本発明の実施の形態の研磨装置用定盤に、半導
体ウェーハが押し付けられている状態を示した模式図。
【符号の説明】
10…定盤 24…液体パラフィン 26…シート 28…研磨布 30…エアバッグ 32…ヒータ 40…エアレギュレータ 42…エアポンプ 48…温度コントローラ 50…半導体ウェーハ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】定盤の上面に形成された凹部に液体が充填
    され、前記凹部が弾性体のシートで密閉され、このシー
    ト上に研磨布が支持された研磨装置用定盤において、 体積可変である袋体を前記液体中に浸漬して配置し、 この袋体の内圧を可変制御することによって、液体及び
    シートを介して、研磨布にかかる圧力を制御するように
    したことを特徴とする研磨装置用定盤。
  2. 【請求項2】前記研磨装置用定盤の、前記凹部の内部
    に、あるいは前記凹部に隣接して、加熱手段を備え、 前記液体は、前記加熱手段によって液体に保たれ、室温
    では凝固する物質であることを特徴とする請求項1記載
    の研磨装置用定盤。
JP15706796A 1996-06-18 1996-06-18 研磨装置用定盤 Pending JPH106207A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15706796A JPH106207A (ja) 1996-06-18 1996-06-18 研磨装置用定盤

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15706796A JPH106207A (ja) 1996-06-18 1996-06-18 研磨装置用定盤

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH106207A true JPH106207A (ja) 1998-01-13

Family

ID=15641511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15706796A Pending JPH106207A (ja) 1996-06-18 1996-06-18 研磨装置用定盤

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH106207A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4852304A (en) * 1987-10-29 1989-08-01 Tokyo Seimtsu Co., Ltd. Apparatus and method for slicing a wafer
SG80597A1 (en) * 1997-08-11 2001-05-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing apparatus
JP2003526527A (ja) * 2000-03-17 2003-09-09 モトローラ・インコーポレイテッド ウェーハ研磨ヘッド及び研磨方法
WO2004043648A1 (ja) * 2002-11-11 2004-05-27 Ebara Corporation 研磨装置
CN117340779A (zh) * 2023-10-12 2024-01-05 江苏俊知传感技术有限公司 一种光分路器裸插芯研磨夹具

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4852304A (en) * 1987-10-29 1989-08-01 Tokyo Seimtsu Co., Ltd. Apparatus and method for slicing a wafer
SG80597A1 (en) * 1997-08-11 2001-05-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing apparatus
JP2003526527A (ja) * 2000-03-17 2003-09-09 モトローラ・インコーポレイテッド ウェーハ研磨ヘッド及び研磨方法
JP4829458B2 (ja) * 2000-03-17 2011-12-07 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ウェーハ研磨ヘッド及び研磨方法
WO2004043648A1 (ja) * 2002-11-11 2004-05-27 Ebara Corporation 研磨装置
CN117340779A (zh) * 2023-10-12 2024-01-05 江苏俊知传感技术有限公司 一种光分路器裸插芯研磨夹具
CN117340779B (zh) * 2023-10-12 2024-03-29 江苏俊知传感技术有限公司 一种光分路器裸插芯研磨夹具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101276715B1 (ko) 폴리싱방법, 폴리싱장치, 및 폴리싱장치를 제어하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체
KR100939096B1 (ko) 폴리싱장치, 폴리싱방법 및 기판캐리어 시스템
US6050882A (en) Carrier head to apply pressure to and retain a substrate
US5885135A (en) CMP wafer carrier for preferential polishing of a wafer
JP4086722B2 (ja) 基板保持装置及び研磨装置
EP1048408A2 (en) Carrier head with a compressible film
US7156725B2 (en) Substrate polishing machine
EP1025955B1 (en) Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet
US6739958B2 (en) Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system
JPH106207A (ja) 研磨装置用定盤
EP0835723A1 (en) A carrier head with a layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
JP2005288664A (ja) 研磨装置及び研磨パッド立上完了検知方法
JP2003225859A (ja) 研磨装置および研磨方法
JPH1029153A (ja) 半導体ウェーハ研磨装置
US20020016136A1 (en) Conditioner for polishing pads
JP3068086B1 (ja) ウェ―ハ研磨装置
JPH0659623B2 (ja) ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置
KR100348929B1 (ko) 기판의 평탄화 방법
JPH10303155A (ja) 研磨方法および装置
JP2000354958A (ja) ワーク研磨装置、ワーク研磨方法及び半導体装置製造方法
JPH09267256A (ja) 基板研磨方法及びその装置
JP2002170795A (ja) ウェーハ研磨装置
JP2002231663A (ja) ウェーハ研磨装置
JP2000288910A (ja) 基板研磨方法及び装置
JPH0929591A (ja) 基板研磨装置