JPH05226279A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05226279A JPH05226279A JP2358792A JP2358792A JPH05226279A JP H05226279 A JPH05226279 A JP H05226279A JP 2358792 A JP2358792 A JP 2358792A JP 2358792 A JP2358792 A JP 2358792A JP H05226279 A JPH05226279 A JP H05226279A
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- JP
- Japan
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- polycrystalline silicon
- silicon film
- arsenic
- phosphorus
- phosphors
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リンまたはヒ素を不純物として含んだ多結晶シ
リコン膜を形成するために、所望の厚さになるまで不純
物を含まない多結晶シリコン膜の形成と、その表面に不
純物を吸着・拡散させる工程とを交互に繰り返す方法に
おいて、従来よりも不純物の吸着量を多くできる半導体
装置の製造方法を提供することである。 【構成】減圧ＣＶＤ装置内おいてリンを多結晶シリコン
膜に吸着させる際に、リンの有機化合物またはハロゲン
化物のガスを用いる。また、リンの代わりにヒ素を吸着
させる際には、ヒ素の有機化合物またはハロゲン化物の
ガスを用いる。
リコン膜を形成するために、所望の厚さになるまで不純
物を含まない多結晶シリコン膜の形成と、その表面に不
純物を吸着・拡散させる工程とを交互に繰り返す方法に
おいて、従来よりも不純物の吸着量を多くできる半導体
装置の製造方法を提供することである。 【構成】減圧ＣＶＤ装置内おいてリンを多結晶シリコン
膜に吸着させる際に、リンの有機化合物またはハロゲン
化物のガスを用いる。また、リンの代わりにヒ素を吸着
させる際には、ヒ素の有機化合物またはハロゲン化物の
ガスを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に係り、特に半導体基板上に不純物を含む多結晶シリコ
ン膜を形成する方法に関する。
に係り、特に半導体基板上に不純物を含む多結晶シリコ
ン膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置における電極あるいは電極配
線には多結晶シリコンを主成分として用いることが多
い。通常、導電率を上げるためにこの多結晶シリコンに
は不純物が添加されている。この不純物を半導体基板の
面方向においてほぼ均一に多結晶シリコンによる電極あ
るいは電極配線に添加することができる方法としてシー
ケンシャルデポがある。
線には多結晶シリコンを主成分として用いることが多
い。通常、導電率を上げるためにこの多結晶シリコンに
は不純物が添加されている。この不純物を半導体基板の
面方向においてほぼ均一に多結晶シリコンによる電極あ
るいは電極配線に添加することができる方法としてシー
ケンシャルデポがある。
【０００３】このシーケンシャルデポは不純物を含まな
い多結晶シリコン膜の形成と、その表面に不純物を吸着
させる工程とを交互に必要回数繰り返すことにより所望
の厚さの不純物を含んだ多結晶シリコン膜を形成する。
この多結晶シリコン膜の形成には半導体基板上にモノシ
ラン（ＳｉＨ4 ）のガスを流し、これを熱分解させて半
導体基板上に多結晶シリコン膜を成長させる。また、不
純物の吸着には不純物を含むガスを上記多結晶シリコン
膜上に流し、これを熱分解させて多結晶シリコン膜上に
不純物を吸着させる。そして、不純物としてリンを多結
晶シリコン膜にドーピングさせたい場合はホスフィンガ
ス（ＰＨ3 ）を用い、ヒ素をドーピングさせたい場合に
はアルシンガス（ＡｓＨ3 ）を用いる。
い多結晶シリコン膜の形成と、その表面に不純物を吸着
させる工程とを交互に必要回数繰り返すことにより所望
の厚さの不純物を含んだ多結晶シリコン膜を形成する。
この多結晶シリコン膜の形成には半導体基板上にモノシ
ラン（ＳｉＨ4 ）のガスを流し、これを熱分解させて半
導体基板上に多結晶シリコン膜を成長させる。また、不
純物の吸着には不純物を含むガスを上記多結晶シリコン
膜上に流し、これを熱分解させて多結晶シリコン膜上に
不純物を吸着させる。そして、不純物としてリンを多結
晶シリコン膜にドーピングさせたい場合はホスフィンガ
ス（ＰＨ3 ）を用い、ヒ素をドーピングさせたい場合に
はアルシンガス（ＡｓＨ3 ）を用いる。
【０００４】図１の（ａ）は所望の厚さにリン含んだ多
結晶シリコン膜を形成するときのガスの制御シーケンス
を示す。また、図２の（ａ）はこのシーケンスにより形
成された多結晶シリコン膜の断面を示す。図において、
20，21，22，23はシランガスから形成された多結晶シリ
コン膜であり、30，31，32はホスフィンガスから形成さ
れたリン吸着層である。
結晶シリコン膜を形成するときのガスの制御シーケンス
を示す。また、図２の（ａ）はこのシーケンスにより形
成された多結晶シリコン膜の断面を示す。図において、
20，21，22，23はシランガスから形成された多結晶シリ
コン膜であり、30，31，32はホスフィンガスから形成さ
れたリン吸着層である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにホスフィ
ンを熱分解によりリンを多結晶シリコンへ吸着させる場
合、リンの単位時間あたりの吸着量は時間が経過するに
つれて減少してくる。また、リンはある一定量多結晶シ
リコン膜へ吸着すると、それ以上は吸着しなくなる。こ
のため、高い濃度でリンを含む多結晶シリコン膜を形成
する場合には、薄く形成した不純物を含まない多結晶シ
リコンに対してリンを限界まで吸着させるを必要があ
る。従って、高い濃度でリンを含む厚い多結晶シリコン
を形成するには、多結晶シリコンの形成とリンの吸着工
程の繰り返し回数を多くしなければならないという問題
がある。
ンを熱分解によりリンを多結晶シリコンへ吸着させる場
合、リンの単位時間あたりの吸着量は時間が経過するに
つれて減少してくる。また、リンはある一定量多結晶シ
リコン膜へ吸着すると、それ以上は吸着しなくなる。こ
のため、高い濃度でリンを含む多結晶シリコン膜を形成
する場合には、薄く形成した不純物を含まない多結晶シ
リコンに対してリンを限界まで吸着させるを必要があ
る。従って、高い濃度でリンを含む厚い多結晶シリコン
を形成するには、多結晶シリコンの形成とリンの吸着工
程の繰り返し回数を多くしなければならないという問題
がある。
【０００６】また、ヒ素を多結晶シリコンへドーピング
させるためにアルシンを用いた場合でも、ホスフィンを
用いてリンを多結晶シリコンへドーピングさせるときと
同様の問題が生じる。
させるためにアルシンを用いた場合でも、ホスフィンを
用いてリンを多結晶シリコンへドーピングさせるときと
同様の問題が生じる。
【０００７】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は多結晶シリコン膜へのリ
ンまたはヒ素の吸着量を従来よりも多くできる半導体装
置の製造方法を提供することである。
されたものであり、その目的は多結晶シリコン膜へのリ
ンまたはヒ素の吸着量を従来よりも多くできる半導体装
置の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明による半導体装
置の製造方法は半導体基板上もしくは絶縁膜上に不純物
を含む多結晶シリコン膜を形成する方法において、不純
物を含まない多結晶シリコン膜を形成する第１の工程
と、リンまたはヒ素を組成に含む有機化合物またはハロ
ゲン化物のガスを上記多結晶シリコン膜上に流して上記
多結晶シリコン膜の表面にリンまたはヒ素を吸着させる
第２の工程と、表面に吸着させた上記リンまたはヒ素を
上記多結晶シリコン膜内に拡散させる第３の工程とを具
備したことを特徴とする。
置の製造方法は半導体基板上もしくは絶縁膜上に不純物
を含む多結晶シリコン膜を形成する方法において、不純
物を含まない多結晶シリコン膜を形成する第１の工程
と、リンまたはヒ素を組成に含む有機化合物またはハロ
ゲン化物のガスを上記多結晶シリコン膜上に流して上記
多結晶シリコン膜の表面にリンまたはヒ素を吸着させる
第２の工程と、表面に吸着させた上記リンまたはヒ素を
上記多結晶シリコン膜内に拡散させる第３の工程とを具
備したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】リンまたはヒ素の単位時間当たりの多結晶シリ
コン膜に対する吸着量が時間が経過しても減少せず、吸
着量に限界がない。
コン膜に対する吸着量が時間が経過しても減少せず、吸
着量に限界がない。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しながらこの発明を実施例
により説明する。図１の（ｂ）は前記図１の（ａ）に対
応するこの発明におけるガスの制御シーケンスを示して
おり、図２の（ｂ）は前記図２の（ａ）に対応するこの
発明によるリンを含んだ多結晶シリコン膜を示してい
る。そして、図３はこの発明の実施により製造される半
導体装置の断面を示している。
により説明する。図１の（ｂ）は前記図１の（ａ）に対
応するこの発明におけるガスの制御シーケンスを示して
おり、図２の（ｂ）は前記図２の（ａ）に対応するこの
発明によるリンを含んだ多結晶シリコン膜を示してい
る。そして、図３はこの発明の実施により製造される半
導体装置の断面を示している。
【００１１】図３の半導体装置において、まず、Ｐ- 型
シリコン基板10の表面を熱酸化して厚さ５００オングス
トロームのシリコン酸化膜11を形成する。次に、この酸
化膜11を通してシリコン基板10の一部にヒ素をイオン注
入する。その後、熱処理により注入したヒ素を拡散させ
てＮ+ 型拡散領域12，…を形成する。そして、この拡散
領域12，…上の酸化膜11を写真蝕刻技術により除去す
る。
シリコン基板10の表面を熱酸化して厚さ５００オングス
トロームのシリコン酸化膜11を形成する。次に、この酸
化膜11を通してシリコン基板10の一部にヒ素をイオン注
入する。その後、熱処理により注入したヒ素を拡散させ
てＮ+ 型拡散領域12，…を形成する。そして、この拡散
領域12，…上の酸化膜11を写真蝕刻技術により除去す
る。
【００１２】次に、図１の（ｂ）のガス制御シーケンス
に従って全面にリンを含んだ多結晶シリコン膜13を形成
する。これにはまず、上記シリコン基板10を減圧ＣＶＤ
装置内に入れる。そして、第１工程としてモノシランガ
ス（ＳｉＨ4 ）をＣＶＤ装置内に流し、これを熱分解さ
せて酸化膜11上および拡散領域12，…上に連続した多結
晶シリコン膜40を堆積させる。次に、第２工程としてシ
リコン基板10をＣＶＤ装置にいれたままシランガスを流
すのを止め、ＴＢＰ（Ｃ4 Ｈ11Ｐ）ガスを流す。このＴ
ＢＰガスを熱分解させて上記多結晶シリコン膜40上にリ
ン吸着層50を堆積させる。つづいて、ＴＢＰガスを流す
のを止め、第１工程を繰り返して多結晶シリコン膜41を
堆積させる。さらに、第２工程を繰り返してリン吸着層
51を堆積させる。最後にＴＢＰガスを流すのを止め、第
１工程を繰り返して、多結晶シリコン膜42を堆積させ
る。このあと、８００℃以上の熱処理を施すことにより
リン吸着層50，51のリンを多結晶シリコン膜40，41，42
それぞれに拡散させて、リンを均一に含む多結晶シリコ
ン膜13を形成する。
に従って全面にリンを含んだ多結晶シリコン膜13を形成
する。これにはまず、上記シリコン基板10を減圧ＣＶＤ
装置内に入れる。そして、第１工程としてモノシランガ
ス（ＳｉＨ4 ）をＣＶＤ装置内に流し、これを熱分解さ
せて酸化膜11上および拡散領域12，…上に連続した多結
晶シリコン膜40を堆積させる。次に、第２工程としてシ
リコン基板10をＣＶＤ装置にいれたままシランガスを流
すのを止め、ＴＢＰ（Ｃ4 Ｈ11Ｐ）ガスを流す。このＴ
ＢＰガスを熱分解させて上記多結晶シリコン膜40上にリ
ン吸着層50を堆積させる。つづいて、ＴＢＰガスを流す
のを止め、第１工程を繰り返して多結晶シリコン膜41を
堆積させる。さらに、第２工程を繰り返してリン吸着層
51を堆積させる。最後にＴＢＰガスを流すのを止め、第
１工程を繰り返して、多結晶シリコン膜42を堆積させ
る。このあと、８００℃以上の熱処理を施すことにより
リン吸着層50，51のリンを多結晶シリコン膜40，41，42
それぞれに拡散させて、リンを均一に含む多結晶シリコ
ン膜13を形成する。
【００１３】次に、全面にＰＳＧから成るパシベーショ
ン膜14を形成する。このパシベーション膜14を選択的に
エッチングして上記多結晶シリコン膜13へのコンタクト
ホールを開孔する。そして、全面にアルミニウム膜を形
成し、これを写真蝕刻技術によりパターニングして上記
コンタクトホール上に残して電極15，15，…を形成し、
半導体装置が完成する。
ン膜14を形成する。このパシベーション膜14を選択的に
エッチングして上記多結晶シリコン膜13へのコンタクト
ホールを開孔する。そして、全面にアルミニウム膜を形
成し、これを写真蝕刻技術によりパターニングして上記
コンタクトホール上に残して電極15，15，…を形成し、
半導体装置が完成する。
【００１４】上記半導体装置をシリコン基板10上に複数
形成し、一対の電極15，15によりシリコン基板10上の各
点で多結晶シリコン膜13の抵抗を測定した。この結果、
従来方法により形成した多結晶シリコン膜と同様にシリ
コン基板の面方向においての抵抗のばらつきは少ないこ
とが確認できた。
形成し、一対の電極15，15によりシリコン基板10上の各
点で多結晶シリコン膜13の抵抗を測定した。この結果、
従来方法により形成した多結晶シリコン膜と同様にシリ
コン基板の面方向においての抵抗のばらつきは少ないこ
とが確認できた。
【００１５】また、この実施例のリン吸着層50，51（図
２の（ｂ）に図示）は従来のホスフィンにより形成でき
る最も厚いリン吸着層よりも厚く形成されている。これ
は多結晶シリコン膜へのリンの吸着にＴＢＰを使用した
場合、リンの吸着量に限界がないためである。また、こ
のＴＢＰを使用すると単位時間当たりリンの吸着量が時
間が経過しても減少せず、ホスフィンを使用したよりも
早く吸着させることができる。このため、同じ膜厚で同
じ濃度のリンを含む多結晶シリコン膜を形成する場合、
図１に示すようにホスフィンを用いるよりもＴＢＰを用
いたほうが、１回当たりのリンの吸着量を増やすことに
より、不純物を含まない多結晶シリコン膜の形成工程と
リン吸着層の形成工程との繰り返し回数を減らすことが
できる。さらに、同じ膜厚で同じ濃度のリンを含む多結
晶シリコン膜を形成する場合、ホスフィンを使用するよ
りもＴＢＰを使用したほうが図１中に示したｔｓだけ時
間を短縮できる。
２の（ｂ）に図示）は従来のホスフィンにより形成でき
る最も厚いリン吸着層よりも厚く形成されている。これ
は多結晶シリコン膜へのリンの吸着にＴＢＰを使用した
場合、リンの吸着量に限界がないためである。また、こ
のＴＢＰを使用すると単位時間当たりリンの吸着量が時
間が経過しても減少せず、ホスフィンを使用したよりも
早く吸着させることができる。このため、同じ膜厚で同
じ濃度のリンを含む多結晶シリコン膜を形成する場合、
図１に示すようにホスフィンを用いるよりもＴＢＰを用
いたほうが、１回当たりのリンの吸着量を増やすことに
より、不純物を含まない多結晶シリコン膜の形成工程と
リン吸着層の形成工程との繰り返し回数を減らすことが
できる。さらに、同じ膜厚で同じ濃度のリンを含む多結
晶シリコン膜を形成する場合、ホスフィンを使用するよ
りもＴＢＰを使用したほうが図１中に示したｔｓだけ時
間を短縮できる。
【００１６】ところで、この実施例ではリン吸着層の形
成のためにＴＢＰを使用した場合を説明したが、リンの
有機化合物としてＴＢＰの代わりにＴＭＰ（Trimethy1p
hosphite：（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｐ）、ＴＭＯＰ（Trimethy1p
hosphate：（ＣＨ3 Ｏ）3 ＰＯ）、ＴＥＰ（Triethy1ph
osphite ：（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 Ｐ）、ＴＥＯＰ（Triethy1
phosphate ：（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 ＰＯ）を使用した場合も
この実施例と同様な結果が得られた。また、ＴＢＰの代
わりにリンのハロゲン化物ＰＦ3 、ＰＣｌ3 、ＰＢｒ3
を使用してリン吸着層を形成した場合もこの実施例と同
様な結果が得られた。
成のためにＴＢＰを使用した場合を説明したが、リンの
有機化合物としてＴＢＰの代わりにＴＭＰ（Trimethy1p
hosphite：（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｐ）、ＴＭＯＰ（Trimethy1p
hosphate：（ＣＨ3 Ｏ）3 ＰＯ）、ＴＥＰ（Triethy1ph
osphite ：（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 Ｐ）、ＴＥＯＰ（Triethy1
phosphate ：（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 ＰＯ）を使用した場合も
この実施例と同様な結果が得られた。また、ＴＢＰの代
わりにリンのハロゲン化物ＰＦ3 、ＰＣｌ3 、ＰＢｒ3
を使用してリン吸着層を形成した場合もこの実施例と同
様な結果が得られた。
【００１７】また、ヒ素を含んだ多結晶シリコンを形成
する場合、アルシン（ＡｓＨ3 ）の代わりにヒ素の有機
化合物およびハロゲン化物を使用してみた。ヒ素の有機
化合物としてはＴＢＡ（Tertiarybuty1arsine ：Ｃ4 Ｈ
11Ａｓ）、トリメチルアルシン（Trimethylarsine ：
（ＣＨ3 ）3 Ａｓ）、トリエチルアルシン（Triethylar
sine：（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｓ）、ジエチルアルシン（Diet
hylarsine ：（Ｃ2 Ｈ5）2 ＡｓＨ）、トリエトキシア
ルシン（Triethoxyarsine ：Ａｓ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）を
使用し、ハロゲン化物としてはＡｓＦ3 、ＡｓＣｌ3 、
ＡｓＢｒ3 を使用した。この場合、アルシンよりもこれ
らのヒ素の有機化合物またはハロゲン化物を使用したと
きのほうがヒ素の多結晶シリコンへの吸着層は、リンの
吸着層と同様に早く、かつ厚く形成することができた。
する場合、アルシン（ＡｓＨ3 ）の代わりにヒ素の有機
化合物およびハロゲン化物を使用してみた。ヒ素の有機
化合物としてはＴＢＡ（Tertiarybuty1arsine ：Ｃ4 Ｈ
11Ａｓ）、トリメチルアルシン（Trimethylarsine ：
（ＣＨ3 ）3 Ａｓ）、トリエチルアルシン（Triethylar
sine：（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｓ）、ジエチルアルシン（Diet
hylarsine ：（Ｃ2 Ｈ5）2 ＡｓＨ）、トリエトキシア
ルシン（Triethoxyarsine ：Ａｓ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）を
使用し、ハロゲン化物としてはＡｓＦ3 、ＡｓＣｌ3 、
ＡｓＢｒ3 を使用した。この場合、アルシンよりもこれ
らのヒ素の有機化合物またはハロゲン化物を使用したと
きのほうがヒ素の多結晶シリコンへの吸着層は、リンの
吸着層と同様に早く、かつ厚く形成することができた。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
多結晶シリコン膜へのリンまたはヒ素の吸着量が従来よ
りも多い半導体装置の製造方法を提供することができ
る。
多結晶シリコン膜へのリンまたはヒ素の吸着量が従来よ
りも多い半導体装置の製造方法を提供することができ
る。
【図１】減圧ＣＶＤ装置内に流すガスの制御シーケンス
を示す図。
を示す図。
【図２】熱処理前のリン吸着層を複数挟んでいる多結晶
シリコン膜の断面図。
シリコン膜の断面図。
【図３】半導体装置の断面図。
10…シリコン基板、11…シリコン酸化膜、12…Ｎ+ 型拡
散領域、13…リンを含んだ多結晶シリコン膜、14…パシ
ベーション膜、15…電極、20，21，22，23，40，41，42
…多結晶シリコン膜、30，31，32，50，51…リン吸着
層。
散領域、13…リンを含んだ多結晶シリコン膜、14…パシ
ベーション膜、15…電極、20，21，22，23，40，41，42
…多結晶シリコン膜、30，31，32，50，51…リン吸着
層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205 (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上もしくは絶縁膜上に不純物
を含む多結晶シリコン膜を形成する方法において、 不純物を含まない多結晶シリコン膜を形成する第１の工
程と、 リンまたはヒ素を組成に含む有機化合物またはハロゲン
化物のガスを上記多結晶シリコン膜上に流して上記多結
晶シリコン膜の表面にリンまたはヒ素を吸着させる第２
の工程と、 表面に吸着させた上記リンまたはヒ素を上記多結晶シリ
コン膜内に拡散させる第３の工程とを具備したことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記第１と第２の工程とを交互に必要回
数繰り返した後、上記第３の工程を実施することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 リンを組成の一部とする上記有機化合物
として ＴＢＰ（Tertiarybuty1phosphine：Ｃ4 Ｈ11Ｐ）、ＴＭ
Ｐ（Trimethy1phosphite：（ＣＨ3 Ｏ）3 Ｐ）、ＴＭＯ
Ｐ（Trimethy1phosphate：（ＣＨ3 Ｏ）3 ＰＯ）、ＴＥ
Ｐ（Triethy1phosphite ：（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 Ｐ）、ＴＥ
ＯＰ（Triethy1phosphate ：（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 ＰＯ）の
なかの少なくとも一つを用いることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 リンを組成の一部とする上記ハロゲン化
物としてＰＦ3 、ＰＣｌ3 、ＰＢｒ3 のなかの少なくと
も一つを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項５】 ヒ素を組成の一部とする上記有機化合物
として ＴＢＡ（Tertiarybuty1arsine ：Ｃ4 Ｈ11Ａｓ）、トリ
メチルアルシン（Trimethylarsine ：（ＣＨ3 ）3 Ａ
ｓ）、トリエチルアルシン（Triethylarsine：（Ｃ2 Ｈ
5 ）3 Ａｓ）、ジエチルアルシン（Diethylarsine ：
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＡｓＨ）、トリエトキシアルシン（Trie
thoxyarsine ：Ａｓ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）のなかの少なく
とも一つを用いることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 ヒ素を組成の一部とする上記ハロゲン化
物としてＡｓＦ3 、ＡｓＣｌ3 、ＡｓＢｒ3 のなかの少
なくとも一つを用いることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2358792A JPH05226279A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2358792A JPH05226279A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226279A true JPH05226279A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12114719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2358792A Pending JPH05226279A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226279A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011254063A (ja) * | 2010-05-01 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜の形成方法及び成膜装置 |
| KR20130129149A (ko) * | 2012-05-18 | 2013-11-27 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 플라즈마 활성화 원자층 성막 및 컨포멀 막 성막을 통한 컨포멀 도핑 |
| US10559468B2 (en) | 2010-04-15 | 2020-02-11 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
| US10679848B2 (en) | 2016-07-01 | 2020-06-09 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition with post-dose treatment |
| CN111403271A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-07-10 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法 |
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