JPH05225919A - マイクロ波電力管のためのカソード・ヒータ及びカソード・アセンブリ - Google Patents

マイクロ波電力管のためのカソード・ヒータ及びカソード・アセンブリ

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JPH05225919A
JPH05225919A JP28004292A JP28004292A JPH05225919A JP H05225919 A JPH05225919 A JP H05225919A JP 28004292 A JP28004292 A JP 28004292A JP 28004292 A JP28004292 A JP 28004292A JP H05225919 A JPH05225919 A JP H05225919A
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JP
Japan
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cathode
conductor
patterned
substrate
cathode heater
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JP28004292A
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Todd R Gattuso
トッド・アール・ガッタソ
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Raytheon Co
Original Assignee
Raytheon Co
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/02Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J23/04Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/20Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
    • H01J1/22Heaters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/08Manufacture of heaters for indirectly-heated cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/28Heaters for thermionic cathodes
    • H01J2201/2803Characterised by the shape or size
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来のポッティング法によらずに、カソード
・ヒータ及びカソード・アセンブリを提供する。 【構成】 カソード・ヒータ10は、絶縁性の基板12
内に埋め込まれたパターニングされた導体14を含む。
セラミックの基板12は、その上に1対の導体を有し、
ヒータに電気的接触を提供する。導体を有する基板を組
み立てるために、基板とプリントされた電導性のパター
ンが焼成されて、進行波管などのマイクロ波管で用いら
れるカソード電極を加熱するのに使用され得る多層のセ
ラミック・ヒータを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に電子の熱電子放
出を利用する電子デバイスに関し、更に詳しくは、カソ
ードを加熱して熱電子的に放出される電子を提供するヒ
ータ・アセンブリに関する。
【0002】
【従来の技術】当該技術で周知のように、進行波管や他
のマイクロ波デバイスのような真空デバイスは、一般
に、加熱されると熱電子的に放出される電子を提供する
カソードを含む。一般に、カソードは、フィラメントを
内部に有するヒータ・アセンブリを用いて、間接的に加
熱される。フィラメントには電流が供給されて、フィラ
メントの温度を、少なくとも 900°Cから1200°Cの範囲
の温度まで上昇させる。ヒータ・アセンブリのフィラメ
ントは、カソード電極の温度を上昇させるのに必要な熱
エネルギを提供し、カソードから十分な電子放出が生じ
て管を付勢する。
【0003】ヒータ・アセンブリは、一般に、ある領域
で渦巻き状に巻かれマイクロ波管の動作寿命を通じてカ
ソードに対してある位置に維持されるフィラメントを含
む。このようなヒータ・アセンブリを提供する1つの一
般的な方法は、絶縁体のポッティング(potting) によ
って支持されるコイル状のフィラメント・ワイアを提供
することである。一般に、ポッティングに用いられる絶
縁体は、フィラメントが典型的に提供する比較的高温に
耐えるため、セラミックのような比較的耐熱性の物質で
なければならない。ヒータのフィラメントとカソードと
の間の熱伝導性は電子の熱電子放出全体を決定するため
の重要な特性であるから、ヒータとカソードとの物理的
配置は管の動作寿命に亘って実質的に一定でなければな
らない。ヒータのフィラメントがカソードに対して少し
でも変動することにより、カソードの放出面の温度の変
化が随伴して生じ、したがって、カソード面からの電子
の放出率も変化する。この面からの電子の放出は、温度
変化に非常に左右されやすい。
【0004】更に、カソードのヒータ・アセンブリは急
速な温度変化を被りやすいため、ポッティング材料のク
ラッキングによるアセンブリの不良が生じる可能性があ
る。また、多くの応用において、たとえば航空機搭載の
場合などでは、これらの管は高度な機械的振動および機
械的衝撃を被りやすく、それにより、同様にポッティン
グ材料に悪影響を与えヒータの不良の原因となり得る。
【0005】一般に、これらの管に対する適切なポッテ
ィングを提供するため用いられる技法は、コイル状のフ
ィラメントのカプセル化に依存し、それにより、80%
未満の理論的密度のポッティング材料を有するポッティ
ング、更には、管の後の動作の間に破断の中心(fractu
re center) として作用する可能性があるポッティング
における空隙または空間を有するポッティングがしばし
ば提供される。ポッティング法は、また、比較的高価で
ある。というのは、かなりの量の手作業とポッティング
・アセンブリの再加工とが使用可能なフィラメント・ヒ
ータを提供するのにしばしば必要となるからである。
【0006】
【発明の概要】本発明によれば、カソードのためのヒー
タ・アセンブリは、絶縁性の基板とその絶縁性の基板に
埋め込まれたパターン化(パターニング)されたストリ
ップ導体とを含む。絶縁性の基板を突き抜けて1対のホ
ールが穿たれて、各ホールは電導性の材料で充たされて
おり、パターニングされたストリップ導体の第1及び第
2端部に第1及び第2の背面の接続を提供する。ある実
施例では、第1の電気的接触子が基板の第1の面の上に
配置され、第2の電気的接触子が基板の第2の面の上に
配置され、第1及び第2の電極とパターニングされたス
トリップ導体の選択的な端部との間に接触して配置され
た基板を通って電導性材料が提供される。別の実施例で
は、第1及び第2の電気的コンタクトが基板の第1の面
の上に配置されている。電導性のデポジットを有するホ
ールが、基板を通過して配置され、パターニングされた
ストリップ導体の第1及び第2の端部の間を電気的に接
触させ、対応する第1及び第2の離間した電気的コンタ
クトが基板の第1の面上に配置される。これにより、基
板の共通の面から提供される1対の電気的リード線を有
する基板ヒータが提供される。この構成により、導体プ
リンティングとセラミック・パッケージングとの技法に
より容易に大量生産できる自立するヒータが提供され
る。セラミック基板の標準的処理を用いてこのカソード
・ヒータ・アセンブリを提供し得るので、このアセンブ
リは比較的低コストで大量生産が可能である。更に、カ
ソード・ヒータにヒータ・フィラメントを提供するパタ
ーニングされたストリップ導体が単一の平面上にあるの
で、一体的な加熱部材を提供するパターニングされた導
体は、カソード電極に更に近接して配置できる。このこ
とで、アセンブリは、カソードからのある電子放出のレ
ベルに対して更に低い温度で動作することができ、よっ
て、カソード・ヒータとカソードの寿命を改善する。更
に、導体とカソード電極との間の距離は、固定され、
(パターニングされたストリップ導体がセラミック基板
に埋め込まれているから)実質的にカソード・ヒータの
動作に関して不変となる。また、空隙や欠陥を有するポ
ッティング材料もこの構成により排除される。
【0007】本発明の別の特徴によれば、カソード・ア
センブリは、加熱されると電子を放出する面とカソード
・ヒータとを有するカソード電極を備える。カソード・
ヒータは、絶縁体とこの絶縁体に埋め込まれたパターニ
ングされたストリップ導体とを含んでいる。第1及び第
2の導体が絶縁性の対向する両面の上に提供され、埋め
込まれたパターニングされたストリップ導体の第1及び
第2端それぞれに電気的に結合される。更に、電極の1
つはカソード・アセンブリの第1端を提供するカソード
電極に結合され、第2の電極はカソード・アセンブリに
対し第2端を提供する。この特定の構成によって、1つ
の一体的なカソード・ヒータ・アセンブリが提供され
る。ヒータ電極が単一の平面上に配置されるので、電極
はカソードに更に近接して配置できて、このことで、カ
ソードからのある電子放出のレベルに対して更に低い温
度での動作が潜在的に可能になる。更に、ヒータの導体
のフィラメント平面がカソードに対して実質的に固定さ
れることにより、従来のカソード及びヒータ・アセンブ
リの動作寿命に亘ってしばしば生じた放出における変動
を減少させる。更にまた、この構成で、ヒータを支えて
カソードから離間させる材料の中に空隙などの欠陥のな
い絶縁性のサポートを有する一体的なヒータを有するカ
ソードが提供される。
【0008】本発明の別の特徴によると、カソード・ヒ
ータ・アセンブリを製作する方法は、第1のアパーチャ
が穿たれた絶縁性の基板を提供するステップと、そのア
パーチャを電導性の材料で充填するステップと、絶縁性
の基板の第1の面を覆ったパターニングされた導体に端
部がその上に配置されアパーチャの中の電導性の材料と
接触したパターニングされた導体を提供するステップ
と、絶縁性の基板とパターニングされた導体とを覆う絶
縁性の層にパターニングされた導体の第2の下にある端
部を露出させるアパーチャを有する層を提供するステッ
プと、この層の中のアパーチャを電導性の材料で充填す
るステップと、絶縁性の層と絶縁性の基板との対向する
面を覆う1対の電導性の層を提供するステップと、絶縁
性の層と絶縁性の基板とを統合することでパターニング
されたストリップ導体を埋め込んだ実質的にモノリシッ
クな絶縁体を提供するステップとからなる。この特定の
構成により、単一平面内に配置され、絶縁体内に埋め込
まれたフィラメントを有する自立するヒータが提供され
る。スクリーン・プリンティングとセラミック処理との
技法が用いられることで、比較的低コストで、従来のポ
ッティング法でしばしば見られた手作業とヒータの再加
工がより少なく、容易にこのヒータが大量生産される。
【0009】
【実施例】図1、図2及び図3においては、カソード・
ヒータ10が、第1の「グリーンステート (green sta
te)」の絶縁性の層ないし基板12を含むものとして示
され、この層ないし基板は、たとえばパンチングやドリ
リングなどの任意の従来の技法を用いて配置された貫通
ホール12′を有し、その第1の面12aの上にパター
ニングされたストリップ導体14を配置している。一般
に、パターニングされたストリップ導体14は、従来の
パターニング技法を用いて形成された曲折したストリッ
プ導体パターンであり、典型的には、所定のパターンに
おいて提供され、必要な抵抗特性を有する導体を提供す
る。
【0010】例えば図1に示されるように、導体パター
ン14は、以下で説明されるが、電極との接触を提供す
るために用いられる1対の端部14a、14bの間の曲
折したストリップ導体として提供される。層ないし基板
12は、貫通ホール12′内に配置される電導性のデポ
ジット24を更に含む。電導性のデポジット24は、ス
トリップ導体部分14aを絶縁性の層12の底面に結合
して、パターニングされたストリップ導体14への第1
の電気的接続を提供するするように配置される。別の接
続手段も使用することができよう。たとえば、ときには
半導体基板上に提供された「ラップアラウンド(wrap a
round)」の導体が使用されることも可能である。ここで
は、電導性のデポジット付きのホールが、適切性と便宜
とのために用いられる。
【0011】ヒータ・アセンブリ10は、図示のよう
に、パターニングされたストリップ導体14aの上に配
置されて電導性のデポジットが中に配置された貫通ホー
ル16′を有する第2の絶縁性の層16を更に含む。そ
れぞれ層12及び16の第2の面12b、16bの上に
配置される導体20、22が示されている。図4に示さ
れる組み立てられたカソード・ヒータ・アセンブリ10
は、カソード電極に対し一体的なヒータを提供する。カ
ソード・ヒータ・アセンブリ10は、セラミック・パッ
ケージング産業で一般に使用される従来の技法を用いて
製作される。
【0012】たとえば、セラミック・パッケージを提供
するのに通常用いられるいわゆるテープ・キャスト・セ
ラミック・グリーン・シート17a、17b(図3)に
は、「グリーンステート」のテープ・キャスト・シート
17a、17bから切り取られる基板12、16のそれ
ぞれに対して、ホール12′、16′を予めパンチして
おくことができる。ホール12′、16′のそれぞれ
は、スクリーン印刷するか、または、タングステン/セ
ラミックの複合メタライゼーション・ペーストで充填す
るすることができる。タングステン/セラミックの複合
メタライゼーション・ペーストは、面17a′、17
b′(図2の基板12、16の面12b、16bに対応
する)の上にスクリーン印刷して、図示のように金属メ
タライゼーション20、22を提供することもできる。
ホールを充填するのに用いられるペーストは、水平面上
に用いられるものとは異なってもかまわない。その場合
は、テープ・キャスト・シートの1つの上に、ここでは
同じタングステン/セラミックの複合メタライゼーショ
ン・ペーストを使用した曲折したパターニングされたス
トリップ導体14がスクリーン印刷される。1対のセラ
ミック・グリーン・シート17a、17b(図3)の1
つの上に複数のパターンをプリントした後で、シート1
7a、17bは、各シートのパンチ・ホールがパターニ
ングされた電導性の層14(図2、図3)の接触端部1
4a、14bと並ぶようにそろえられる。そして、熱と
圧力を与えることにより、これらのシートは積層され
る。次に、この積層したセラミック・グリーン・シート
は、カソード・ボタン(図4)の内径に従って切り取ら
れないしパンチアウトされ、個々の要素は還元性雰囲気
(reducing atomosphere)の中で焼成され、それらの要
素は一緒に焼結される。
【0013】基板12及び16の好適な材料は、酸化ア
ルミニウム(アルミナ)、酸化ベリリウム及び窒化アル
ミニウムを含む。一般に、高い熱伝導率を有する任意の
耐熱性のセラミックが使用され得る。更に、パターニン
グされた金属層14、デポジット24、26、導体2
0、22に適した材料は、たとえば、タングステンまた
はモリブデンの組成を含むが、タンタルとレニウムとを
含む任意のいわゆる耐熱タイプの金属も用いられ得る。
一般に、材料は、ヒータが動作するべき温度とヒータに
要求される抵抗特性とにしたがって選択される。テープ
・キャスト・セラミック・グリーン・シート17a、1
7bの対を成形ないし統合して積層体を提供するのに好
適な温度の幅は、前述の基板材料につき、25°Cから
125°Cの温度幅を含む。テープ・キャスト・シート
の対を統合するためのこの積層ステップは、約50%の
理論的密度を有する基体を提供する。更に、液圧プレス
によって、圧力がシートに加えられる。単軸圧力を加え
ることで積層は達成される。均衡圧力を加えることも行
われる。
【0014】個々の切り出した要素を焼結する好適焼結
温度は、前述の材料につき、1300°Cから1900
°Cの範囲の中にある。これにより、ヒータ・アセンブ
リ10に、パターニングされたストリップ導体14を埋
め込む、90%から99.5%の理論的密度を有する絶
縁体が提供される。
【0015】前述の圧密、特に焼結処理の間に、材料の
一定量の収縮が起こり得ることを留意すべきである。こ
の収縮は、12%から20%の間の幅であり得る。した
がって、特定のカソード・アセンブリ内に適合する特定
のヒータ要素を設計する際にはこの収縮を考慮に入れる
必要がある。基板12、16の典型的な厚さは、0.0
05インチ(0.127mm)から0.025インチ
(0.635mm)である。
【0016】カソード・ヒータのより重要な仕様の1つ
は、フィラメントの抵抗特性である。これは、ヒータの
事後の手直し(レトロフィット・アプリケーション)の
際には、特に重要である。一般に、フィラメントは印加
電圧(図示せず)に所定の抵抗特性を与えることが要求
される。したがって、所望の抵抗特性を達成するため
に、金属の焼成の後に電導性のパターン14を提供する
のに用いられる金属層のシート抵抗値が確かめられる。
この焼成されたシート抵抗特性にしたがって、導体パタ
ーンの適切な幅に対する長さの比が選択されて、所望の
抵抗値を提供する。よって、焼成されたシート抵抗が1
5mΩ/スクエアであると仮定すると、83の幅対長さ
の比が、1.25Ωの抵抗値を有するラインを提供す
る。一般に、貫通ホールの中の電導性デポジットの断面
積はパターニングされたストリップ導体14の断面積よ
りも数倍大きいため、これらの要素の抵抗値は、抵抗値
全体の計算では無視できる。
【0017】次に図4において、カソード・ヒータ10
(図1、図2)が「カソード・ボタン」28に接触して
示されている。ここで、このカソード・ボタン28は、
含侵(impregnated) 多孔性タングステンからなる。カ
ソード・ヒータ10は、カソード・サポート28の背面
28bに、タングステン−ニッケル合金などの適切なろ
う付け剤を用いてろう付けされる。カソード・ヒータ1
0は、導体パターン20にろう付けされた導体31を含
むものとして示されている。よって、リード線31とカ
ソードの本体28は1対の端子をカソード・ヒータに提
供し、カソードはカソード・ヒータ10の電極の1つと
同じ電位に配置される。典型的には、その電位はグラン
ドの電位である。カソード28の対向面28aはカソー
ド・エミッタ面であり、ここではこの面28aは円形の
凹型の面の形状を有する。面28aは、その材質の仕事
関数を低下させることにより、熱放出を増加させる材質
でコーティングされている。たとえば、オスミウムなど
の材質の層30aは、面28aの上にコーティングする
こともできる。更に、タングステンのカソード28をオ
スミウムで含侵することでタングステンの金属の仕事関
数を低下させ、よってその熱放射性が改善される。
【0018】前述のヒータ・アセンブリによって、単一
の平面内に支持されたパターニングされたストリップ導
体は、絶縁性の基板に埋め込まれる。特に、前述のよう
に、パターニングされたストリップ導体が、焼成されて
基板のセラミック材料を焼結することにより、共通の平
面内に配置された平坦な導体をカプセル化する実質的に
モノリシックな絶縁体を提供する1対の基板12、16
の間に配置される。すなわち、コイルになったフィラメ
ントがある領域で巻かれて多くの平面内に配置されるこ
とで非プレーナである従来の方法と異なり、パターニン
グされたストリップ導体であるフィラメントは、実質的
に単一の平面内に配置されよってプレーナである。
【0019】次に図5においては、別の実施例であるカ
ソード・ヒータ10′(焼結後)が示され、図1及び図
2に関して説明したパンチングまたはドリリングのよう
な任意の従来的な技法を用いて配置される貫通ホールを
有する第1の絶縁性の基板ないし層12を含んでいる。
更に、パターニングされたストリップ導体14が、図1
及び図2に関して説明したように第1の基板ないし層1
2の上に配置される。しかし、図1及び図2に関して説
明したようにやはりテープ・キャスト・セラミック・シ
ートで構成される第2の基板を提供するのではなく、絶
縁性の層44が基板12の上に同様にスクリーン・プリ
ントされ、この絶縁体がパターニングされてパターニン
グされたストリップ導体14の端部の1つを露出するホ
ール44′を提供する。層44の厚さは、ほぼ0.00
2インチ(0.0508mm)から0.005インチ
(0.127mm)の範囲内である。層44は単一のプ
リント過程で与えられ、または、複数の過程が用いられ
て所望の厚さを有する層44が提供される。導体20、
22及びデポジット24、26′も同様に、図1から図
3に関して一般に説明したようにスクリーン・プリンテ
ィングにより提供される。この構成は、次に図1及び図
2に関して一般に説明した技法を用いて焼結されて、モ
ノリシックなヒータ・アセンブリ10′を同様に提供す
るが、図1及び図2のヒータ10に関して説明したより
厚い絶縁性の層とは異なり、比較的薄い絶縁性の層をパ
ターニングされたストリップ導体上に有している。一般
に、第1の基板12の上に第2の絶縁体がスクリーン・
プリントされる際には、積層は必要ではない。この構成
により、図4に関して示されるようにカソード・アセン
ブリの中に提供される際には、カソード・ボタンへの熱
伝導が更に改善される。
【0020】図6においてはカソードとヒータの更に別
の実施例が示されており、図1に関して説明したように
一般に製作されるカソード・ヒータ10′を含んでいる
が、ここでは、カソード・ヒータ10′は、図示のよう
に、電導性のデポジット24、27で充填された1対の
アパーチャを有している。このデポジットは、ストリッ
プ導体パターン14の端部への電気的接触をそれぞれ提
供する。ヒータ10′は、更に、基板13の同一面上に
配置された1対の絶縁的に離間した電導性の領域20
a、20bを含む。ここで、1対のリード31a、31
bが電導性の領域20a及び20bにそれぞれはんだ付
け又はろう付けされ、ヒータ要素の背面から提供される
1対の電気的接触を有するカソード・ヒータを提供す
る。よって、この実施例により、カソードは、ヒータ要
素とは独立に、電気的に接続されることが可能である。
【0021】以上で本発明の好適実施例を説明したこと
により、当業者にとっては、これらの概念を組み込んだ
別の実施例も用いることが可能であるのは明らかであろ
う。したがって、本発明の実施例は、開示された実施例
に限定されることなく、冒頭の特許請求の範囲によって
のみ画定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるカソード・ヒータ・アセンブリの
平面図である。
【図2】図1の線2−2に沿った断面の分解図である。
【図3】製作の中間段階における複数のカソード・ヒー
タ要素の断面図である。
【図4】本発明による、カソード電極に組み込まれた図
1及び図2のカソード・ヒータ・アセンブリを示す断面
図である。
【図5】カソード・ヒータの別の実施例の断面図であ
る。
【図6】カソード電極に組み込まれたカソード・ヒータ
の別の実施例を示す断面図である。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁体と、 前記絶縁体に埋め込まれたパターニングされたストリッ
    プ導体と、 前記絶縁体の対向する面の上に配置される第1及び第2
    の導体と、 前記第1の導体を前記パターニングされたストリップ導
    体の第1の部分に結合し、前記第2の導体を前記パター
    ニングされたストリップ導体の第2の異なった部分に結
    合する手段と、 から構成されるカソード・ヒータ。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のカソード・ヒータであっ
    て、第1及び第2の導体を結合する前記手段が、前記絶
    縁体の中に提供されるホールの中に配置される1対の電
    導性のデポジットを含むカソード・ヒータ。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のカソード・ヒータであっ
    て、前記パターニングされたストリップ導体が、耐熱性
    の金属で構成されるカソード・ヒータ。
  4. 【請求項4】 請求項2記載のカソード・ヒータであっ
    て、前記ストリップ導体が、タンタル、レニウム、タン
    グステン及びモリブデンから構成される群から選択され
    た金属からなるカソード・ヒータ。
  5. 【請求項5】 凹型の窪みをもつ第1の面と第2の対向
    する面を有する電極部材と、 前記電極の前記第2の面に結合したカソード・ヒータ・
    アセンブリであって、 絶縁体と前記絶縁性の基板内に埋め込まれたパターニン
    グされたストリップ導体と、 前記絶縁体の対向する面の上に配置される第1及び第2
    の導体と、 前記第1の導体を前記パターニングされたストリップ導
    体の第1の部分に結合し、前記第2の導体を前記パター
    ニングされたストリップ導体の第2の異なった部分に結
    合する手段と、 からなるカソード・ヒータ・アセンブリと、 から構成されるカソード・アセンブリ。
  6. 【請求項6】 請求項5記載のカソード・ヒータであっ
    て、前記第1及び第2の導体を結合する前記手段が、前
    記絶縁体の中に設けられたそれぞれのホールの中に配置
    された電導性の1対のデポジットを含むカソード・ヒー
    タ。
  7. 【請求項7】 請求項6記載のカソード・ヒータであっ
    て、前記パターニングされたストリップ導体が耐熱性の
    金属からなるカソード・ヒータ。
  8. 【請求項8】 請求項6記載のカソード・ヒータであっ
    て、前記ストリップ導体が、タンタル、レニウム、タン
    グステン及びモリブデンから構成される群から選択され
    た金属からなるカソード・ヒータ。
  9. 【請求項9】 カソード・ヒータ・アセンブリを製作す
    る方法であって、 第1のアパーチャが穿たれた絶縁性の基板を提供するス
    テップと、 前記アパーチャを電導性の材料で充填するステップと、 前記絶縁性の基板の第1の面の上に、パターニングされ
    た導体を、該パターニングされた導体が前記絶縁性の基
    板の前記第1のアパーチャの中に提供される電導性の材
    料の上に接触して配置される第1の端部を有するように
    提供するステップと、 前記絶縁性の基板とパターニングされた導体との上に、
    絶縁性の層を、該層が前記パターニングされた導体の下
    にある第2の端部を露出させるアパーチャを有するよう
    に提供するステップと、 前記絶縁性の層の中の前記アパーチャを電導性の材料で
    充填するステップと、 前記絶縁性の層と前記絶縁性の基板との対向する面の上
    の1対の電導性の層を提供するステップと、 前記絶縁性の層と前記絶縁性の基板とを圧密することで
    前記パターニングされたストリップ導体を埋め込んだ実
    質的にモノリシックな絶縁体を提供するステップと、 を含む方法。
  10. 【請求項10】 請求項9記載の方法であって、前記圧
    密方法が、 前記絶縁性の基板と絶縁性の層とに熱と圧力とを与え、
    前記両絶縁体を積層させるステップと、 前記積層した絶縁体を焼結して、実質的に99%の理論
    的密度を有する基体を提供するステップと、 からなる方法。
  11. 【請求項11】 請求項9記載の方法であって、前記絶
    縁性の基板が第1の絶縁性の基板であり、前記絶縁性の
    層が前記第1の絶縁性の基板の厚さに実質的に等しい厚
    さを有する第2の絶縁性の基板である方法。
  12. 【請求項12】 請求項9記載の方法であって、前記絶
    縁性の層が、前記パターニングされた導体と絶縁性の基
    板との上に絶縁体をスクリーン・プリンティングするこ
    とで提供される方法。
JP28004292A 1991-12-03 1992-10-19 マイクロ波電力管のためのカソード・ヒータ及びカソード・アセンブリ Pending JPH05225919A (ja)

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