JPH05224448A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH05224448A JPH05224448A JP5654992A JP5654992A JPH05224448A JP H05224448 A JPH05224448 A JP H05224448A JP 5654992 A JP5654992 A JP 5654992A JP 5654992 A JP5654992 A JP 5654992A JP H05224448 A JPH05224448 A JP H05224448A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数枚のコピー操作を行なっても画質に何等
異常を生じない、極めて信頼性の高い電子写真感光体を
提供する。 【構成】 導電性基体上に、下引き層および感光層を設
けてなる電子写真感光体であって、下引き層が、金属ア
ルコキシド、金属キレート化合物、およびシランカップ
リング剤から選択された少なくとも１種を原料とし、化
学的真空蒸着法により形成された無機高分子薄膜からな
ることを特徴とする。
異常を生じない、極めて信頼性の高い電子写真感光体を
提供する。 【構成】 導電性基体上に、下引き層および感光層を設
けてなる電子写真感光体であって、下引き層が、金属ア
ルコキシド、金属キレート化合物、およびシランカップ
リング剤から選択された少なくとも１種を原料とし、化
学的真空蒸着法により形成された無機高分子薄膜からな
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性基体、下引き層
及び感光層から構成される電子写真感光体に関し、特に
改良された下引き層を有する電子写真感光体に関する。
及び感光層から構成される電子写真感光体に関し、特に
改良された下引き層を有する電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体は、電荷発生材料
に無機顔料を用いたものと、有機顔料を用いたものに大
別されるが、近年、電子写真感光体の電荷発生機能と電
荷輸送機能を分離し、それぞれの機能を果たす機能層を
積層することによって電子写真感光体として機能させる
ものが多く使用されている。このような、いわゆる機能
分離型電子写真感光体は、材料選択上、また電子写真特
性上、多くの利点を有しているので、最近の電子写真感
光体の多くは機能分離型のものになっている。機能分離
型の電子写真感光体としては、有機感光体、すなわち、
電荷発生材料として有機顔料を用いたものが代表的なも
のであるが、Ｓｅなどの無機顔料を電荷発生層に含有さ
せ、有機高分子層を電荷輸送層として積層したものも知
られている。これら機能分離型の電子写真感光体におい
ては、導電性基体上に有機電荷発生層や有機電荷輸送層
が設けられるが、その際、導電性基体から、これらの層
への不必要な電荷の注入を阻止したり、或いは導電性基
体とこれらの層との接着性を高めるために、両者の間に
下引き層を設けることがしばしば行われている。下引き
層を形成するためには、種々の方法があるが、スパッタ
リング、イオンプレーディングなどのドライプロセスに
より金属酸化物薄膜を形成する方法も提案されている。
（特開昭５９−２３７６４１号公報）
に無機顔料を用いたものと、有機顔料を用いたものに大
別されるが、近年、電子写真感光体の電荷発生機能と電
荷輸送機能を分離し、それぞれの機能を果たす機能層を
積層することによって電子写真感光体として機能させる
ものが多く使用されている。このような、いわゆる機能
分離型電子写真感光体は、材料選択上、また電子写真特
性上、多くの利点を有しているので、最近の電子写真感
光体の多くは機能分離型のものになっている。機能分離
型の電子写真感光体としては、有機感光体、すなわち、
電荷発生材料として有機顔料を用いたものが代表的なも
のであるが、Ｓｅなどの無機顔料を電荷発生層に含有さ
せ、有機高分子層を電荷輸送層として積層したものも知
られている。これら機能分離型の電子写真感光体におい
ては、導電性基体上に有機電荷発生層や有機電荷輸送層
が設けられるが、その際、導電性基体から、これらの層
への不必要な電荷の注入を阻止したり、或いは導電性基
体とこれらの層との接着性を高めるために、両者の間に
下引き層を設けることがしばしば行われている。下引き
層を形成するためには、種々の方法があるが、スパッタ
リング、イオンプレーディングなどのドライプロセスに
より金属酸化物薄膜を形成する方法も提案されている。
（特開昭５９−２３７６４１号公報）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タリング法、イオンプレーディング法等、従来から提案
されているドライプロセスでは、原料として、Ｔｉ
Ｏ2 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 等のそれぞれ単一の材料系を
使用した場合のみしか成膜させることできず、また、暗
電位、残留電位がサイクル数の増加に伴い、上昇すると
いう電子写真特性の点でも問題があった。本発明は、従
来の技術における上記のような問題点を解決するために
なされたものである。したがって、本発明の目的は、多
数枚のコピー操作を行なっても画質に何等異常を生じな
い、極めて信頼性の高い電子写真感光体を提供すること
にある。
タリング法、イオンプレーディング法等、従来から提案
されているドライプロセスでは、原料として、Ｔｉ
Ｏ2 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 等のそれぞれ単一の材料系を
使用した場合のみしか成膜させることできず、また、暗
電位、残留電位がサイクル数の増加に伴い、上昇すると
いう電子写真特性の点でも問題があった。本発明は、従
来の技術における上記のような問題点を解決するために
なされたものである。したがって、本発明の目的は、多
数枚のコピー操作を行なっても画質に何等異常を生じな
い、極めて信頼性の高い電子写真感光体を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の電子写真感光体
は、導電性基体上に、下引き層および感光層を設けてな
るものであって、下引き層が、金属アルコキシド、金属
キレート化合物およびシランカップリング剤から選択さ
れた少なくとも１種を原料として用い、化学的真空蒸着
法（ＣＶＤ法）により形成された無機高分子薄膜からな
ることを特徴とする。
は、導電性基体上に、下引き層および感光層を設けてな
るものであって、下引き層が、金属アルコキシド、金属
キレート化合物およびシランカップリング剤から選択さ
れた少なくとも１種を原料として用い、化学的真空蒸着
法（ＣＶＤ法）により形成された無機高分子薄膜からな
ることを特徴とする。
【０００５】本発明の電子写真感光体で使用する導電性
基体としては、Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔｉ等の金属
パイプ、エレクトロフォーミングによって形成された継
ぎ目なしのＮｉ−ベルト、上記の金属あるいはその金属
酸化物を蒸着して導電性を持たせたポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリイミドフィルム等、
表面抵抗Ｒｓが、１０4 Ω／ｃｍ2 以下の材料を使用す
ることができる。好ましくは０．１〜０．００５μｍと
なるように、金属アルコキシド、金属キレート化合物お
よびシランカップリング剤の少なくとも１種を原料とし
て、化学的蒸着法により酸素と反応させ、上記導電性基
体の上に膜厚１〜０．００１μｍ、好ましくは０．１〜
０．００５μｍとなるように、均一に形成させる。
基体としては、Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔｉ等の金属
パイプ、エレクトロフォーミングによって形成された継
ぎ目なしのＮｉ−ベルト、上記の金属あるいはその金属
酸化物を蒸着して導電性を持たせたポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリイミドフィルム等、
表面抵抗Ｒｓが、１０4 Ω／ｃｍ2 以下の材料を使用す
ることができる。好ましくは０．１〜０．００５μｍと
なるように、金属アルコキシド、金属キレート化合物お
よびシランカップリング剤の少なくとも１種を原料とし
て、化学的蒸着法により酸素と反応させ、上記導電性基
体の上に膜厚１〜０．００１μｍ、好ましくは０．１〜
０．００５μｍとなるように、均一に形成させる。
【０００６】つぎに、下引き層の形成法について詳しく
説明する。図１は、下引き層を形成するためのＣＶＤ装
置の概略の構成図である。図中１は反応槽であり、内部
にヒーター２で加熱できるように基板３が載置されるよ
うになっている。反応槽は液体窒素トラップ４を経由し
て真空に排気されるように構成されている。５および６
は原料を入れた容器であって、容器内の原料中にライン
７および８から、不活性ガス、例えば窒素ガスが導入で
きるようになっている。９は容器５および６からの原料
を、反応槽に導入するためのラインであり、ラインの途
中でライン１０からの酸素ガスが混合されるようになっ
ている。なおライン１１は窒素ガスを導入するものであ
り、ａ〜ｉはガスの導入量を制御するためのニードルパ
イプである。
説明する。図１は、下引き層を形成するためのＣＶＤ装
置の概略の構成図である。図中１は反応槽であり、内部
にヒーター２で加熱できるように基板３が載置されるよ
うになっている。反応槽は液体窒素トラップ４を経由し
て真空に排気されるように構成されている。５および６
は原料を入れた容器であって、容器内の原料中にライン
７および８から、不活性ガス、例えば窒素ガスが導入で
きるようになっている。９は容器５および６からの原料
を、反応槽に導入するためのラインであり、ラインの途
中でライン１０からの酸素ガスが混合されるようになっ
ている。なおライン１１は窒素ガスを導入するものであ
り、ａ〜ｉはガスの導入量を制御するためのニードルパ
イプである。
【０００７】上記のＣＶＤ装置の反応槽１内に、Ａｌ、
Ｎｉ−Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔｉ等の金属パイプ、あるいはこれ
らの金属を蒸着し導電性を持たせたＰＥＴフィルム、ポ
リイミドフィルム等の導電性基体を基板３として設置
し、蒸着装置内を所定の真空度に排気する。反応槽とは
別のタンク５内に、例えば、金属アルコキシドを入れ、
その中に乾燥したＮ2 ガスを吹き込みバブリングさせて
金属アルコキシドを気化させる。気化した金属アルコキ
シドを別ラインにより導入したＯ2 ガスとライン内で混
合し、反応槽内の基板に吹き付ける。それにより反応が
起こり導電性基板上に無機高分子薄膜が形成される。
Ｎｉ−Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔｉ等の金属パイプ、あるいはこれ
らの金属を蒸着し導電性を持たせたＰＥＴフィルム、ポ
リイミドフィルム等の導電性基体を基板３として設置
し、蒸着装置内を所定の真空度に排気する。反応槽とは
別のタンク５内に、例えば、金属アルコキシドを入れ、
その中に乾燥したＮ2 ガスを吹き込みバブリングさせて
金属アルコキシドを気化させる。気化した金属アルコキ
シドを別ラインにより導入したＯ2 ガスとライン内で混
合し、反応槽内の基板に吹き付ける。それにより反応が
起こり導電性基板上に無機高分子薄膜が形成される。
【０００８】原料の金属アルコキシド化合物、金属キレ
ート化合物、およびシランカップリング剤の代表的なも
のとして次のものがあげられる。金属アルコキシド化合
物として、チタニウムテトラ−ｉ−プロポキシド〔Ｔｉ
（ｏ−ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4 商品名：アルコファインＴＩ−
３１〕、チタニウムテトラ−ｎ−ブトキシド〔Ｔｉ（ｏ
−ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）4 商品名：アルコファインＴＩ−４
０〕、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド〔Ｚｒ（ｏ
−ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）4 商品名：アルコファインＺＲ−４
０〕等があげられ、金属キレート化合物として、チタニ
ウムアセチルアセトネート〔（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）2 Ｔｉ−
（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 商品名：オルガチックスＴＣ１０
０〕、アセチルアセトンジルコニウムブチレート〔（Ｃ
5 Ｈ7 Ｏ2 ）Ｚｒ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 商品名：オルガチッ
クスＺＣ５４０〕等があげられ、シランカップリング剤
として、テトラエトキシシラン〔Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4
商品名：ＳＳ１９００〕、メチルトリエトキシシラン
〔ＣＨ3 Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 商品名：ＳＳ１６５
０〕、テトラ−ｎ−ブトキシシラン〔Ｓｉ（ｏ−ｎ−Ｃ
4 Ｈ9 ）4商品名：Ｔ１７５０〕等があげられる。
ート化合物、およびシランカップリング剤の代表的なも
のとして次のものがあげられる。金属アルコキシド化合
物として、チタニウムテトラ−ｉ−プロポキシド〔Ｔｉ
（ｏ−ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4 商品名：アルコファインＴＩ−
３１〕、チタニウムテトラ−ｎ−ブトキシド〔Ｔｉ（ｏ
−ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）4 商品名：アルコファインＴＩ−４
０〕、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド〔Ｚｒ（ｏ
−ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）4 商品名：アルコファインＺＲ−４
０〕等があげられ、金属キレート化合物として、チタニ
ウムアセチルアセトネート〔（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）2 Ｔｉ−
（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 商品名：オルガチックスＴＣ１０
０〕、アセチルアセトンジルコニウムブチレート〔（Ｃ
5 Ｈ7 Ｏ2 ）Ｚｒ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 商品名：オルガチッ
クスＺＣ５４０〕等があげられ、シランカップリング剤
として、テトラエトキシシラン〔Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4
商品名：ＳＳ１９００〕、メチルトリエトキシシラン
〔ＣＨ3 Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）3 商品名：ＳＳ１６５
０〕、テトラ−ｎ−ブトキシシラン〔Ｓｉ（ｏ−ｎ−Ｃ
4 Ｈ9 ）4商品名：Ｔ１７５０〕等があげられる。
【０００９】本発明においては、上記の原料として、金
属元素が一種類よりなるものを単独または併用してもよ
いが、金属元素が異なる２種類以上のものを併用しても
よい。金属元素が異なる２種類以上のものを併用する場
合には、それぞれの原料の供給量を制御することによ
り、膜厚方向の組成を変化させることが可能である。し
たがって、組成を変化させて導電性基体或るいは感光層
に対する接着性を改善することが可能になる。また、下
引き層は、電気特性の点から見て膜形成後の体積抵抗率
を１０10〜１０13Ω・ｃｍにすることが望ましい。体積
抵抗率が上記の範囲よりも高くなると、露光部表面電位
および残留電位が上昇し、また上記の範囲よりも低くな
るとブロッキング層としての作用を示さなくなり、帯電
電位の低下等の問題が発生する。下引き層の体積抵抗率
をコントロールする手段としては、２種以上の原料を適
当な比率で混合して無機高分子薄膜を形成するのが有効
である。
属元素が一種類よりなるものを単独または併用してもよ
いが、金属元素が異なる２種類以上のものを併用しても
よい。金属元素が異なる２種類以上のものを併用する場
合には、それぞれの原料の供給量を制御することによ
り、膜厚方向の組成を変化させることが可能である。し
たがって、組成を変化させて導電性基体或るいは感光層
に対する接着性を改善することが可能になる。また、下
引き層は、電気特性の点から見て膜形成後の体積抵抗率
を１０10〜１０13Ω・ｃｍにすることが望ましい。体積
抵抗率が上記の範囲よりも高くなると、露光部表面電位
および残留電位が上昇し、また上記の範囲よりも低くな
るとブロッキング層としての作用を示さなくなり、帯電
電位の低下等の問題が発生する。下引き層の体積抵抗率
をコントロールする手段としては、２種以上の原料を適
当な比率で混合して無機高分子薄膜を形成するのが有効
である。
【００１０】反応および成膜の条件としては、基板温
度、総ガス流量、原料ガスおよびＯ2ガスの分圧があげ
られる。基板温度は形成する膜の構造、特性に影響を与
える。基板温度が低温の場合には均一な非晶質膜が得ら
れるが、高温の場合には、多結晶質の膜が形成されるよ
うになる。多結晶質膜を下引き層に使用した場合、残留
電位の上昇、白ポチ、が発生し、好ましくないため、基
板温度はなるべく低い温度に保持するのが好ましい。成
膜速度は、総ガス流量により調節できるが、成膜速度を
速くしすぎると未反応残基が多く残り、抵抗の低い膜に
なる。金属元素が異なる２種類以上の原料を用いる場合
には、各々の原料ガスの分圧を変えることにより形成さ
れる膜の組成を制御することができる。
度、総ガス流量、原料ガスおよびＯ2ガスの分圧があげ
られる。基板温度は形成する膜の構造、特性に影響を与
える。基板温度が低温の場合には均一な非晶質膜が得ら
れるが、高温の場合には、多結晶質の膜が形成されるよ
うになる。多結晶質膜を下引き層に使用した場合、残留
電位の上昇、白ポチ、が発生し、好ましくないため、基
板温度はなるべく低い温度に保持するのが好ましい。成
膜速度は、総ガス流量により調節できるが、成膜速度を
速くしすぎると未反応残基が多く残り、抵抗の低い膜に
なる。金属元素が異なる２種類以上の原料を用いる場合
には、各々の原料ガスの分圧を変えることにより形成さ
れる膜の組成を制御することができる。
【００１１】上記下引き層の上には、感光層が設けられ
るが、本発明において、感光層は単層構造でも、積層構
造でもよい。単層構造の場合としては、色素増感された
ＺｎＯ感光層、ＣｄＳ感光層、電荷発生物質を電荷輸送
物質に分散させた感光層等をあげることができる。ま
た、積層構造の場合には、電荷発生層と電荷輸送層とに
機能分離されたものがあげられる。導電性基体上におけ
る電荷発生層と電荷輸送層との積層順序は、いずれが先
であってもよい。
るが、本発明において、感光層は単層構造でも、積層構
造でもよい。単層構造の場合としては、色素増感された
ＺｎＯ感光層、ＣｄＳ感光層、電荷発生物質を電荷輸送
物質に分散させた感光層等をあげることができる。ま
た、積層構造の場合には、電荷発生層と電荷輸送層とに
機能分離されたものがあげられる。導電性基体上におけ
る電荷発生層と電荷輸送層との積層順序は、いずれが先
であってもよい。
【００１２】電荷発生層は、電荷発生物質を蒸着して形
成してもよく、あるいは必要に応じて結着樹脂に分散さ
せて形成してもよい。電荷発生物質としては、例えばセ
レンおよびセレン合金；ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳＳ
ｅ、ＺｎＯおよびＺｎＳ等の無機光導電体；金属または
無金属フタロシアニン顔料；ビスアゾ顔料、トリスアゾ
顔料等のアゾ顔料；スクエアリウム化合物；アズレニウ
ム化合物；ペリレン系顔料；インジゴ顔料；キナクリド
ン顔料；多環キノン顔料；シアニン色素；キサンテン染
料；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオ
レノン等からなる電荷移動錯体；ピリリウム塩染料とポ
リカーボネート樹脂からなる共晶錯体等があげられる。
結着樹脂としては、周知のもの、例えば、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリビニルブチラ
ール、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、メタクリル酸エス
テル重合体または共重合体、酢酸ビニル重合体または共
重合体、セルロースエステルまたはエーテル、ポリブタ
ジエン、ポリウレタン、エポキシ樹脂等が用いられる。
成してもよく、あるいは必要に応じて結着樹脂に分散さ
せて形成してもよい。電荷発生物質としては、例えばセ
レンおよびセレン合金；ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳＳ
ｅ、ＺｎＯおよびＺｎＳ等の無機光導電体；金属または
無金属フタロシアニン顔料；ビスアゾ顔料、トリスアゾ
顔料等のアゾ顔料；スクエアリウム化合物；アズレニウ
ム化合物；ペリレン系顔料；インジゴ顔料；キナクリド
ン顔料；多環キノン顔料；シアニン色素；キサンテン染
料；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニトロフルオ
レノン等からなる電荷移動錯体；ピリリウム塩染料とポ
リカーボネート樹脂からなる共晶錯体等があげられる。
結着樹脂としては、周知のもの、例えば、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリビニルブチラ
ール、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、メタクリル酸エス
テル重合体または共重合体、酢酸ビニル重合体または共
重合体、セルロースエステルまたはエーテル、ポリブタ
ジエン、ポリウレタン、エポキシ樹脂等が用いられる。
【００１３】電荷輸送層は、電荷移動物質を主成分とし
て構成される。電荷移動物質としては、可視光に対して
透明であり、かつ、電荷輸送能力を有するものであれば
特に制限されるものではなく、具体的には、イミダゾー
ル、ピラゾリン、チアゾール、オキサジアゾール、オキ
サゾール、ヒドラゾン、ケタジン、アジン、カルバゾー
ル、ポリビニルカルバゾール等、およびそれらの誘導
体、トリフェニルアミン誘導体、スチルベン誘導体、ベ
ンジジン誘導体等があげられる。必要に応じて結着樹脂
が併用されるが、結着樹脂としては、例えばポリカーボ
ネート、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアリレー
ト、ポリエステル、ポリスチレン、スチレン−アクリロ
ニトリル共重合体、ポリスルホン、ポリメタクリル酸エ
ステル、スチレン−メタクリル酸エステル共重合体等が
あげられる。
て構成される。電荷移動物質としては、可視光に対して
透明であり、かつ、電荷輸送能力を有するものであれば
特に制限されるものではなく、具体的には、イミダゾー
ル、ピラゾリン、チアゾール、オキサジアゾール、オキ
サゾール、ヒドラゾン、ケタジン、アジン、カルバゾー
ル、ポリビニルカルバゾール等、およびそれらの誘導
体、トリフェニルアミン誘導体、スチルベン誘導体、ベ
ンジジン誘導体等があげられる。必要に応じて結着樹脂
が併用されるが、結着樹脂としては、例えばポリカーボ
ネート、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアリレー
ト、ポリエステル、ポリスチレン、スチレン−アクリロ
ニトリル共重合体、ポリスルホン、ポリメタクリル酸エ
ステル、スチレン−メタクリル酸エステル共重合体等が
あげられる。
【００１４】
【実施例】以下、実施例によって本発明をさらに詳細に
説明する。 実施例１ 図１に示すＣＶＤ装置を使用して下引き層の形成を行っ
た。すなわち、容器Ａに、原料Ａとしてジルコニウムテ
トラｔ−ブトキシド、容器Ｂに原料Ｂとしてテトラ−ｎ
−ブトキシシランを入れ、その中に、乾燥したＮ2 ガス
Ａ、Ｂを導入してバブリングさせ、原料蒸気ＡおよびＢ
を発生させた。原料蒸気Ａ、ＢにＯ2 ガスおよびＮ2 ガ
スＣを混入し、反応槽内の基板に吹き付けた。基板とし
てはアルミニウムシートを用いた。Ｎ2 ガスＡおよびＢ
の流量を調節することにより、原料ガスＡ、Ｂの分圧を
それぞれ、７×１０-3ａｔｍ、５×１０-4ａｔｍに設定
した。Ｏ2 の分圧は０．１ａｔｍとし、全圧が１ａｔ
ｍ、総ガス流量が２．５ｌ／ｍｉｎとなるようにＮ2 ガ
スＣの流量を調節した。ガス配管は原料の凝結を防ぐた
め高温に保持した。基板の温度はヒーターにより２００
℃に保持した。以上の条件で１０分間成膜し、厚さ５０
０オングストロームの下引き層を形成した。ついで、ジ
ブロモアントアントロン１０重量部を、ポリビニルブチ
ラール１重量部、トリフルオロ酢酸０．０２重量部、塩
酸０．０６重量部、およびシクロヘキサン９０重量部よ
りなる溶液に分散させた。得られた分散液を上記下引き
層の上に浸漬塗布法により塗布し、１００℃で１０分間
乾燥させて、膜厚約０．８μｍの電荷発生層を形成し
た。さらにその上に、次のようにして電荷輸送層を形成
した。すなわち、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］
−４，４′−ジアミン５部を電荷移動物質とし、ポリカ
ーボネートＺ樹脂６部と共にモノクロルベンゼン４０部
に溶解させ、得られた溶液を浸漬塗布法により塗布し、
１１０℃で１時間乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層
を形成した。このようにして作製された電子写真感光体
を、静電複写紙試験装置（ＥＰＡ８１００、川口電気
製）を用いてコロナ放電により表面を負に帯電したの
ち、光照射を施し除電させる操作を、低温低湿（１０
℃、１５％ＲＨ）の環境下で３００００回行なった。そ
の際の電位保持性能の評価をしたところ、暗電位の低
下、残留電位の上昇も認められなかった。その結果を表
１に示す。
説明する。 実施例１ 図１に示すＣＶＤ装置を使用して下引き層の形成を行っ
た。すなわち、容器Ａに、原料Ａとしてジルコニウムテ
トラｔ−ブトキシド、容器Ｂに原料Ｂとしてテトラ−ｎ
−ブトキシシランを入れ、その中に、乾燥したＮ2 ガス
Ａ、Ｂを導入してバブリングさせ、原料蒸気ＡおよびＢ
を発生させた。原料蒸気Ａ、ＢにＯ2 ガスおよびＮ2 ガ
スＣを混入し、反応槽内の基板に吹き付けた。基板とし
てはアルミニウムシートを用いた。Ｎ2 ガスＡおよびＢ
の流量を調節することにより、原料ガスＡ、Ｂの分圧を
それぞれ、７×１０-3ａｔｍ、５×１０-4ａｔｍに設定
した。Ｏ2 の分圧は０．１ａｔｍとし、全圧が１ａｔ
ｍ、総ガス流量が２．５ｌ／ｍｉｎとなるようにＮ2 ガ
スＣの流量を調節した。ガス配管は原料の凝結を防ぐた
め高温に保持した。基板の温度はヒーターにより２００
℃に保持した。以上の条件で１０分間成膜し、厚さ５０
０オングストロームの下引き層を形成した。ついで、ジ
ブロモアントアントロン１０重量部を、ポリビニルブチ
ラール１重量部、トリフルオロ酢酸０．０２重量部、塩
酸０．０６重量部、およびシクロヘキサン９０重量部よ
りなる溶液に分散させた。得られた分散液を上記下引き
層の上に浸漬塗布法により塗布し、１００℃で１０分間
乾燥させて、膜厚約０．８μｍの電荷発生層を形成し
た。さらにその上に、次のようにして電荷輸送層を形成
した。すなわち、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］
−４，４′−ジアミン５部を電荷移動物質とし、ポリカ
ーボネートＺ樹脂６部と共にモノクロルベンゼン４０部
に溶解させ、得られた溶液を浸漬塗布法により塗布し、
１１０℃で１時間乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層
を形成した。このようにして作製された電子写真感光体
を、静電複写紙試験装置（ＥＰＡ８１００、川口電気
製）を用いてコロナ放電により表面を負に帯電したの
ち、光照射を施し除電させる操作を、低温低湿（１０
℃、１５％ＲＨ）の環境下で３００００回行なった。そ
の際の電位保持性能の評価をしたところ、暗電位の低
下、残留電位の上昇も認められなかった。その結果を表
１に示す。
【００１５】実施例２ 実施例１と同様にして下引き層を形成し、その上に電荷
発生物質としてジブロモアントアントロンを蒸着し、膜
厚０．８０μｍの電荷発生層を形成した。さらにその上
に、実施例１と同様にして電荷輸送層を形成した。得ら
れた電子写真感光体について実施例１と同様に評価テス
トを行なったところ、ほぼ同様の結果が得られた。すな
わち３００００回繰り返し操作における電子保持性能は
実施例１とほぼ同程度であり、問題な生じなかった。
発生物質としてジブロモアントアントロンを蒸着し、膜
厚０．８０μｍの電荷発生層を形成した。さらにその上
に、実施例１と同様にして電荷輸送層を形成した。得ら
れた電子写真感光体について実施例１と同様に評価テス
トを行なったところ、ほぼ同様の結果が得られた。すな
わち３００００回繰り返し操作における電子保持性能は
実施例１とほぼ同程度であり、問題な生じなかった。
【００１６】比較例１ アルミニウムシート上に下記の条件でスパッタリングす
ることにより、ＳｉＯ2 膜を下引き層として形成した。 スパッタガス：Ａｒ スパッタ圧力：１０-3Ｔｏｒｒ スパッタ出力、周波数：１．０Ｋｗ、１３．５６Ｍｚ 膜厚：５００オングストローム その上に、実施例１と同様に電荷発生層と電荷輸送層を
形成して電子写真感光体を作成した。得られた電子写真
感光体について実施例１と同様に評価したところ、残留
電位の上昇がみられた。その結果を表１に示す。
ることにより、ＳｉＯ2 膜を下引き層として形成した。 スパッタガス：Ａｒ スパッタ圧力：１０-3Ｔｏｒｒ スパッタ出力、周波数：１．０Ｋｗ、１３．５６Ｍｚ 膜厚：５００オングストローム その上に、実施例１と同様に電荷発生層と電荷輸送層を
形成して電子写真感光体を作成した。得られた電子写真
感光体について実施例１と同様に評価したところ、残留
電位の上昇がみられた。その結果を表１に示す。
【００１７】比較例２ アルミニウムシート上に、比較例１と同様にして下引き
層を形成したのち、実施例２と同様に電荷発生層と電荷
輸送層を形成して電子写真感光体を作成した。得られた
電子写真感光体について実施例１と同様に評価したとこ
ろ、残留電位の上昇がみられた。この結果を表１に示
す。
層を形成したのち、実施例２と同様に電荷発生層と電荷
輸送層を形成して電子写真感光体を作成した。得られた
電子写真感光体について実施例１と同様に評価したとこ
ろ、残留電位の上昇がみられた。この結果を表１に示
す。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体における下引き
層は、無機高分子薄膜よりなり、上記したようにＣＶＤ
法により形成されるから、膜厚を１μｍ程度までコント
ロールすることが可能であり、形成された下引き層は、
均一性および平面性が優れたものになる。また、原料と
して金属元素が異なる２種類以上の成分を使用し、反応
させながら製膜することができるから、膜厚方向に組成
の制御することが可能であり、導電性基体或いは感光層
との密着性を制御することができる。したがって、本発
明の電子写真感光体は、暗電位、残留電位がサイクル数
の増加に伴い、上昇することがなく、多数枚のコピー操
作を行なっても画質に何等異常を生じない、極めて信頼
性の高いものである。
層は、無機高分子薄膜よりなり、上記したようにＣＶＤ
法により形成されるから、膜厚を１μｍ程度までコント
ロールすることが可能であり、形成された下引き層は、
均一性および平面性が優れたものになる。また、原料と
して金属元素が異なる２種類以上の成分を使用し、反応
させながら製膜することができるから、膜厚方向に組成
の制御することが可能であり、導電性基体或いは感光層
との密着性を制御することができる。したがって、本発
明の電子写真感光体は、暗電位、残留電位がサイクル数
の増加に伴い、上昇することがなく、多数枚のコピー操
作を行なっても画質に何等異常を生じない、極めて信頼
性の高いものである。
【図１】 本発明の電子写真感光体における下引き層の
形成用ＣＶＤ装置の概略構成図である。
形成用ＣＶＤ装置の概略構成図である。
【符号の説明】 １…反応槽、２…ヒーター、３…基板、４…液体窒素ト
ラップ、５，６…原料を入れた容器。
ラップ、５，６…原料を入れた容器。
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性基体上に、下引き層および感光層
を設けてなる電子写真感光体において、該下引き層が、
金属アルコキシド、金属キレート化合物、およびシラン
カップリング剤から選択された少なくとも１種を原料と
して用い、化学的真空蒸着法により形成された無機高分
子薄膜からなることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項２】 金属元素が異なる２種類以上の原料を使
用することを特徴とする請求項１記載の電子写真感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5654992A JPH05224448A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5654992A JPH05224448A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224448A true JPH05224448A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13030182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5654992A Pending JPH05224448A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224448A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146767A (en) * | 1996-10-17 | 2000-11-14 | The Trustees Of Princeton University | Self-assembled organic monolayers |
| US6645644B1 (en) | 1996-10-17 | 2003-11-11 | The Trustees Of Princeton University | Enhanced bonding of phosphoric and phosphoric acids to oxidized substrates |
| US7396594B2 (en) | 2002-06-24 | 2008-07-08 | The Trustees Of Princeton University | Carrier applied coating layers |
| US7507483B2 (en) | 1997-02-04 | 2009-03-24 | Jeffrey Schwartz | Enhanced bonding layers on native oxide surfaces |
| US7569285B2 (en) | 1996-10-17 | 2009-08-04 | The Trustees Of Princeton University | Enhanced bonding layers on titanium materials |
| US7815963B2 (en) | 1996-10-17 | 2010-10-19 | The Trustees Of Princeton University | Enhanced bonding layers on titanium materials |
| US8852672B2 (en) | 2008-01-28 | 2014-10-07 | Biomet 3I, Llc | Implant surface with increased hydrophilicity |
| US8993117B2 (en) | 1999-09-22 | 2015-03-31 | The Trustees Of Princeton University | Devices with multiple surface functionality |
| US9034201B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-05-19 | Biomet 3I, Llc | Titanium nano-scale etching on an implant surface |
| US9131995B2 (en) | 2012-03-20 | 2015-09-15 | Biomet 3I, Llc | Surface treatment for an implant surface |
| US9763751B2 (en) | 2005-11-14 | 2017-09-19 | Biomet 3I, Llc | Deposition of discrete nanoparticles on an implant surface |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP5654992A patent/JPH05224448A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8758899B2 (en) | 1996-10-17 | 2014-06-24 | The Trustees Of Princeton University | Enhanced bonding layers on titanium materials |
| US6146767A (en) * | 1996-10-17 | 2000-11-14 | The Trustees Of Princeton University | Self-assembled organic monolayers |
| US7569285B2 (en) | 1996-10-17 | 2009-08-04 | The Trustees Of Princeton University | Enhanced bonding layers on titanium materials |
| US7815963B2 (en) | 1996-10-17 | 2010-10-19 | The Trustees Of Princeton University | Enhanced bonding layers on titanium materials |
| US7879456B2 (en) | 1996-10-17 | 2011-02-01 | Jeffrey Schwartz | Carrier applied coating layers |
| US8092585B2 (en) | 1996-10-17 | 2012-01-10 | The Trustees Of Princeton University | Enhanced bonding layers on titanium materials |
| US6645644B1 (en) | 1996-10-17 | 2003-11-11 | The Trustees Of Princeton University | Enhanced bonding of phosphoric and phosphoric acids to oxidized substrates |
| US7507483B2 (en) | 1997-02-04 | 2009-03-24 | Jeffrey Schwartz | Enhanced bonding layers on native oxide surfaces |
| US8993117B2 (en) | 1999-09-22 | 2015-03-31 | The Trustees Of Princeton University | Devices with multiple surface functionality |
| US7396594B2 (en) | 2002-06-24 | 2008-07-08 | The Trustees Of Princeton University | Carrier applied coating layers |
| US9763751B2 (en) | 2005-11-14 | 2017-09-19 | Biomet 3I, Llc | Deposition of discrete nanoparticles on an implant surface |
| US9198742B2 (en) | 2008-01-28 | 2015-12-01 | Biomet 3I, Llc | Implant surface with increased hydrophilicity |
| US8852672B2 (en) | 2008-01-28 | 2014-10-07 | Biomet 3I, Llc | Implant surface with increased hydrophilicity |
| US9034201B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-05-19 | Biomet 3I, Llc | Titanium nano-scale etching on an implant surface |
| US9283056B2 (en) | 2010-03-29 | 2016-03-15 | Biomet 3I, Llc | Titanium nano-scale etching on an implant surface |
| US9757212B2 (en) | 2010-03-29 | 2017-09-12 | Biomet 3I, Llc | Titanium nano-scale etching on an implant surface |
| US10765494B2 (en) | 2010-03-29 | 2020-09-08 | Biomet 3I, Llc | Titanium nano-scale etching on an implant surface |
| US10182887B2 (en) | 2010-03-29 | 2019-01-22 | Biomet 3I, Llc | Titanium nano-scale etching on an implant surface |
| US9131995B2 (en) | 2012-03-20 | 2015-09-15 | Biomet 3I, Llc | Surface treatment for an implant surface |
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