JPH05217113A - 浮上型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
浮上型磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH05217113A JPH05217113A JP5185591A JP5185591A JPH05217113A JP H05217113 A JPH05217113 A JP H05217113A JP 5185591 A JP5185591 A JP 5185591A JP 5185591 A JP5185591 A JP 5185591A JP H05217113 A JPH05217113 A JP H05217113A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 浮上型磁気ヘッドにおいて、ヘッドを構成す
る主要材料であるMn−Znフェライトの不純物量を規
制し、再生波形のベースラインノイズを低減する。 【構成】 Mn−ZnフェライトにCaO,ZrO2あ
るいはNb2O5を含有させ、かつSiO2含有量を0.
01wt%以下にすることにより、結晶粒界と結晶粒内
での組成の均一化を図る。該材料を用いて浮上型磁気ヘ
ッドを作成し、再生時における波形のベースラインノイ
ズを小さく、かつ波形形態を良好なものにする。
る主要材料であるMn−Znフェライトの不純物量を規
制し、再生波形のベースラインノイズを低減する。 【構成】 Mn−ZnフェライトにCaO,ZrO2あ
るいはNb2O5を含有させ、かつSiO2含有量を0.
01wt%以下にすることにより、結晶粒界と結晶粒内
での組成の均一化を図る。該材料を用いて浮上型磁気ヘ
ッドを作成し、再生時における波形のベースラインノイ
ズを小さく、かつ波形形態を良好なものにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高透磁率のMn−Zn
多結晶フェライトと、多結晶フェライトより高い飽和磁
束密度を有する金属磁性薄膜とで磁気回路を構成し、高
周波,高密度記録の磁気記録装置に用いられるモノリシ
ック型の浮上型磁気ヘッドに関するものであり、特に再
生時のベースラインノイズが小さく、再生波形形態が良
好な浮上型磁気ヘッドに関するものである。
多結晶フェライトと、多結晶フェライトより高い飽和磁
束密度を有する金属磁性薄膜とで磁気回路を構成し、高
周波,高密度記録の磁気記録装置に用いられるモノリシ
ック型の浮上型磁気ヘッドに関するものであり、特に再
生時のベースラインノイズが小さく、再生波形形態が良
好な浮上型磁気ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】高周波や高密度記録の磁気記録装置に使
用される浮上型磁気ヘッドの一つとして、図1(a),
(b)に示すような一対の磁性体コアからなるコアスラ
イダー方式のモノリシック型(例えば特開昭58−14
311号公報参照)がある。図1(a),(b)のモノ
リシック型の浮上型磁気ヘッド1は、例えば、一対のM
n−Zn多結晶フェライトの磁性体よりなるC型コア5
とI型コア6の突き合わせ面に、スパッタリング等によ
り形成されたFe−Al−Si系等の金属磁性薄膜4
と、磁気ギャップG,補強ガラス7,及び磁気ヘッド1
の窓部3に巻回された巻線(図示せず)とで構成されて
いる。そして、近年の磁気記録媒体のトラック密度と線
記録密度の一層の高密度化に対処するために、磁気ギャ
ップ部のトラック幅Twの狭トラック化とギャップ長G
lの狭ギャップ化が著しい。
用される浮上型磁気ヘッドの一つとして、図1(a),
(b)に示すような一対の磁性体コアからなるコアスラ
イダー方式のモノリシック型(例えば特開昭58−14
311号公報参照)がある。図1(a),(b)のモノ
リシック型の浮上型磁気ヘッド1は、例えば、一対のM
n−Zn多結晶フェライトの磁性体よりなるC型コア5
とI型コア6の突き合わせ面に、スパッタリング等によ
り形成されたFe−Al−Si系等の金属磁性薄膜4
と、磁気ギャップG,補強ガラス7,及び磁気ヘッド1
の窓部3に巻回された巻線(図示せず)とで構成されて
いる。そして、近年の磁気記録媒体のトラック密度と線
記録密度の一層の高密度化に対処するために、磁気ギャ
ップ部のトラック幅Twの狭トラック化とギャップ長G
lの狭ギャップ化が著しい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】Mn−Zn多結晶フェ
ライトと金属磁性薄膜とで磁気回路を構成した浮上型磁
気ヘッドは、金属磁性薄膜を付与しない浮上型磁気ヘッ
ドに比較して、記録再生特性が良好で、特に記録電流が
大きい領域での再生出力の低下が少ないという優位性を
有していた。
ライトと金属磁性薄膜とで磁気回路を構成した浮上型磁
気ヘッドは、金属磁性薄膜を付与しない浮上型磁気ヘッ
ドに比較して、記録再生特性が良好で、特に記録電流が
大きい領域での再生出力の低下が少ないという優位性を
有していた。
【0004】しかしながら、近年の磁気記録媒体のトラ
ック密度の高密度化に対処するために、磁気ギャップ部
の狭トラック化が著しい最近の磁気ヘッドでは、特にそ
の狭トラック化のために再生出力が低下し、再生波形の
ベースラインに図2(b)に示すような波形変動、即ち
ノイズが発生する傾向が強くなってきた。金属磁性薄膜
を付与した磁気ヘッドの再生波形に生じるノイズには、
このようなベースラインのノイズと、金属磁性薄膜とフ
ェライトコアとの磁気特性の差によって発生する図2
(a)に示すような疑似ギャップノイズとがある。この
疑似ギャップノイズは、金属磁性薄膜とフェライトコア
との間にCr等の薄膜を成膜することによりほぼ解決さ
れている。(特開昭63−537067号公報,特開昭
63−298805号公報等参照)
ック密度の高密度化に対処するために、磁気ギャップ部
の狭トラック化が著しい最近の磁気ヘッドでは、特にそ
の狭トラック化のために再生出力が低下し、再生波形の
ベースラインに図2(b)に示すような波形変動、即ち
ノイズが発生する傾向が強くなってきた。金属磁性薄膜
を付与した磁気ヘッドの再生波形に生じるノイズには、
このようなベースラインのノイズと、金属磁性薄膜とフ
ェライトコアとの磁気特性の差によって発生する図2
(a)に示すような疑似ギャップノイズとがある。この
疑似ギャップノイズは、金属磁性薄膜とフェライトコア
との間にCr等の薄膜を成膜することによりほぼ解決さ
れている。(特開昭63−537067号公報,特開昭
63−298805号公報等参照)
【0005】しかしながら、再生出力波形に発生するベ
ースラインノイズは、その発生原因が主磁気回路を構成
する多結晶フェライトにあるのか、補助磁気回路を構成
する金属磁性薄膜によるものなのか、I型コアとC型コ
アとを接合するガラス等なのか、明らかでなく未だに解
決されていない。そして、このようなベースラインノイ
ズが発生すると、ノイズによる出力波形の変動によりメ
インパルスのピーク位置が変動し、それによりビットシ
フトエラーが大きくなり相対マージンが低下する。図3
に示すように相対マージンの低下は、トラック幅が20
μm以下のときに目立ち始め、特に16μm以下になる
と顕著になり、狭トラック化を指向する高密度記録用の
磁気ヘッドにとっては大きな問題となってきている。
ースラインノイズは、その発生原因が主磁気回路を構成
する多結晶フェライトにあるのか、補助磁気回路を構成
する金属磁性薄膜によるものなのか、I型コアとC型コ
アとを接合するガラス等なのか、明らかでなく未だに解
決されていない。そして、このようなベースラインノイ
ズが発生すると、ノイズによる出力波形の変動によりメ
インパルスのピーク位置が変動し、それによりビットシ
フトエラーが大きくなり相対マージンが低下する。図3
に示すように相対マージンの低下は、トラック幅が20
μm以下のときに目立ち始め、特に16μm以下になる
と顕著になり、狭トラック化を指向する高密度記録用の
磁気ヘッドにとっては大きな問題となってきている。
【0006】本発明者らは、その発生原因が不明な再生
波形のベースラインノイズについて調査を行い、このノ
イズの特徴として、ノイズの位置が磁気記録媒体である
磁気ディスクの回転数にほぼ反比例して変化することを
確認した。この事実は、ベースラインノイズの発生が磁
気ディスクと磁気ヘッドとの相対的な幾何学的配置に関
連していることを示唆している。
波形のベースラインノイズについて調査を行い、このノ
イズの特徴として、ノイズの位置が磁気記録媒体である
磁気ディスクの回転数にほぼ反比例して変化することを
確認した。この事実は、ベースラインノイズの発生が磁
気ディスクと磁気ヘッドとの相対的な幾何学的配置に関
連していることを示唆している。
【0007】更に詳細に磁気ヘッドを調査した結果、多
結晶フェライトの粒界層の位置と、ノイズが発生してい
る位置とが対応する傾向が強いことを確認した。そこ
で、粒界層や粒界層近傍が疑似ギャップ的作用を有し、
それがベースラインノイズの発生原因であるとの推定に
基づき、焼結性,結晶粒径,粒界層等に影響を与える添
加物を選択し、更に焼結性,結晶粒径,粒界層に影響を
与える製造工程上混入する不純物であるSiO2を制御
し、添加物の量及び不純物の混入量とベースラインのノ
イズの発生状況との関連を調査した。ここで、SiO2
は、Mn−Zn多結晶フェライトの製造工程である原料
粉末の混合工程あるいは原料粉末を仮焼した後の粉砕工
程において、混合あるいは粉砕に使用する鋼製ボールミ
ル及び鋼製ボールが摩耗し、これらの摩耗粉より混入す
るものが多い。
結晶フェライトの粒界層の位置と、ノイズが発生してい
る位置とが対応する傾向が強いことを確認した。そこ
で、粒界層や粒界層近傍が疑似ギャップ的作用を有し、
それがベースラインノイズの発生原因であるとの推定に
基づき、焼結性,結晶粒径,粒界層等に影響を与える添
加物を選択し、更に焼結性,結晶粒径,粒界層に影響を
与える製造工程上混入する不純物であるSiO2を制御
し、添加物の量及び不純物の混入量とベースラインのノ
イズの発生状況との関連を調査した。ここで、SiO2
は、Mn−Zn多結晶フェライトの製造工程である原料
粉末の混合工程あるいは原料粉末を仮焼した後の粉砕工
程において、混合あるいは粉砕に使用する鋼製ボールミ
ル及び鋼製ボールが摩耗し、これらの摩耗粉より混入す
るものが多い。
【0008】本発明者らは、このような製造工程上混入
するSiO2を抑えるため、Siを含まない、例えば樹
脂製のボールミルや樹脂製あるいはZrO2ボールのよ
うなSiを含まないボールを使用して、原料粉末の混
合,粉砕を行うことにより、焼結性,結晶粒径,粒界層
に影響を与えるSiO2の混入量を0.01wt%以下
に抑えることが可能であることを見い出し、そのSiO
2混入量とベースラインノイズの発生状況の関連を詳細
に調査した。その結果、次のような解決策を見い出し
た。
するSiO2を抑えるため、Siを含まない、例えば樹
脂製のボールミルや樹脂製あるいはZrO2ボールのよ
うなSiを含まないボールを使用して、原料粉末の混
合,粉砕を行うことにより、焼結性,結晶粒径,粒界層
に影響を与えるSiO2の混入量を0.01wt%以下
に抑えることが可能であることを見い出し、そのSiO
2混入量とベースラインノイズの発生状況の関連を詳細
に調査した。その結果、次のような解決策を見い出し
た。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち本願発明は、M
n−Zn多結晶フェライトよりなり、突き合わせ面に磁
気ギャップを有し、主磁気回路を構成する一対の磁性体
コアとその磁性体コアの少なくとも一方のコアの突き合
わせ面に前記磁気ギャップに接して形成され、補助磁気
回路を構成する金属磁性薄膜と、前記磁性体コアの窓部
に巻線された励磁用のコイルとを有し、トラック幅が1
6μm以下の狭トラックであるモノリシック型の浮上型
磁気ヘッドにおいて、前記磁性体コアを構成するMn−
Zn多結晶フェライトは、主成分(MnO,ZnO,F
e2O3)に対し、重量%で副成分としてCaOを0.0
1〜0.1wt%と、更にZrO2及び/またはNb2O
5を0.01〜0.2wt%(ZrO2とNb2O5の2種
類含有の場合はその合計が0.01〜0.2wt%)含
有させ、かつSiO2の含有量を0.01wt%以下と
し、SiO2が結晶粒に偏在せず、その含有量が結晶粒
界と結晶粒内で同等であるようにすることにより再生波
形のベースラインノイズが小さく、その波形形態が良好
なことを特徴とする浮上型磁気ヘッドを提供するもので
あり、また、前記浮上型磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記磁性体コアMn−Znフェライトの原料の混合
及び仮焼後の粉砕を樹脂製のボールミル,樹脂製または
ZrO2ボールを用いるものである。
n−Zn多結晶フェライトよりなり、突き合わせ面に磁
気ギャップを有し、主磁気回路を構成する一対の磁性体
コアとその磁性体コアの少なくとも一方のコアの突き合
わせ面に前記磁気ギャップに接して形成され、補助磁気
回路を構成する金属磁性薄膜と、前記磁性体コアの窓部
に巻線された励磁用のコイルとを有し、トラック幅が1
6μm以下の狭トラックであるモノリシック型の浮上型
磁気ヘッドにおいて、前記磁性体コアを構成するMn−
Zn多結晶フェライトは、主成分(MnO,ZnO,F
e2O3)に対し、重量%で副成分としてCaOを0.0
1〜0.1wt%と、更にZrO2及び/またはNb2O
5を0.01〜0.2wt%(ZrO2とNb2O5の2種
類含有の場合はその合計が0.01〜0.2wt%)含
有させ、かつSiO2の含有量を0.01wt%以下と
し、SiO2が結晶粒に偏在せず、その含有量が結晶粒
界と結晶粒内で同等であるようにすることにより再生波
形のベースラインノイズが小さく、その波形形態が良好
なことを特徴とする浮上型磁気ヘッドを提供するもので
あり、また、前記浮上型磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記磁性体コアMn−Znフェライトの原料の混合
及び仮焼後の粉砕を樹脂製のボールミル,樹脂製または
ZrO2ボールを用いるものである。
【0010】
【作用】多結晶フェライトの粒界層は、原料中に含まれ
ていた不純物や製造工程中で混入する微量成分のうちで
フェライト結晶粒中に固溶しにくい成分が残留して薄い
境界層を形成したものである。この粒界層は非晶質であ
ったり、粒界層及び結晶粒界近傍はCa2+やSi4+のよ
うな非磁性イオンが偏析し易いために非磁性であった
り、磁気的特性が劣化している。また、この粒界層は、
結晶粒とは化学組成が異なるために熱膨張係数の差等に
より粒界層を含めた粒内の粒界近傍に応力が発生し、粒
界近傍の結晶粒内は、磁気的に劣化していると考えられ
る。
ていた不純物や製造工程中で混入する微量成分のうちで
フェライト結晶粒中に固溶しにくい成分が残留して薄い
境界層を形成したものである。この粒界層は非晶質であ
ったり、粒界層及び結晶粒界近傍はCa2+やSi4+のよ
うな非磁性イオンが偏析し易いために非磁性であった
り、磁気的特性が劣化している。また、この粒界層は、
結晶粒とは化学組成が異なるために熱膨張係数の差等に
より粒界層を含めた粒内の粒界近傍に応力が発生し、粒
界近傍の結晶粒内は、磁気的に劣化していると考えられ
る。
【0011】しかしながら、このような磁気的特性が劣
化している粒界層や粒界近傍の粒内でも、Ca2+やSi
4+のような非磁性イオンの偏析を低減することで再生出
力波形に与える影響の度合を弱められることができると
考えられる。特に、粒界層を形成し易いCa2+,Si4+
イオンのうち、Ca2+イオンはSi4+イオンと結合して
粒界層に析出し、Si4+イオンが微量であればフェライ
ト結晶粒中に固溶することが知られている。つまり、こ
のような磁気的に劣化している粒界層や粒界近傍の粒内
の層を小さくするためには、Ca2+イオンの含有量を制
御すると同時にSi4+イオンを低減すれば良いと考えら
れる。
化している粒界層や粒界近傍の粒内でも、Ca2+やSi
4+のような非磁性イオンの偏析を低減することで再生出
力波形に与える影響の度合を弱められることができると
考えられる。特に、粒界層を形成し易いCa2+,Si4+
イオンのうち、Ca2+イオンはSi4+イオンと結合して
粒界層に析出し、Si4+イオンが微量であればフェライ
ト結晶粒中に固溶することが知られている。つまり、こ
のような磁気的に劣化している粒界層や粒界近傍の粒内
の層を小さくするためには、Ca2+イオンの含有量を制
御すると同時にSi4+イオンを低減すれば良いと考えら
れる。
【0012】このような知見に基づき、Mn−Znフェ
ライトに添加する副成分の含有量及びSiO2の含有量
を以下の理由に基づき決定した。CaOは結晶粒の粒成
長を制御するために、添加含有するものであるが、その
含有量が0.01wt%未満ではその効果がなく、0.
1wt%を越えると、粒界層及びその近傍に高濃度に偏
析し、磁気的劣化層を拡大するため、CaOの添加量は
0.01〜0.1wt%とした。ZrO2とNb2O5の
添加は、CaOやSiO2が粒界層及び結晶粒の粒界近
傍へ偏析することを抑制すると考えられるが、その含有
量が0.01wt%未満ではその効果がなく、0.2w
t%を越えて含有してもその効果に変わりがなく、逆に
0.2wt%を越えて含有すると異相の析出を生じ易く
するので、0.01〜0.2wt%の範囲とした。
ライトに添加する副成分の含有量及びSiO2の含有量
を以下の理由に基づき決定した。CaOは結晶粒の粒成
長を制御するために、添加含有するものであるが、その
含有量が0.01wt%未満ではその効果がなく、0.
1wt%を越えると、粒界層及びその近傍に高濃度に偏
析し、磁気的劣化層を拡大するため、CaOの添加量は
0.01〜0.1wt%とした。ZrO2とNb2O5の
添加は、CaOやSiO2が粒界層及び結晶粒の粒界近
傍へ偏析することを抑制すると考えられるが、その含有
量が0.01wt%未満ではその効果がなく、0.2w
t%を越えて含有してもその効果に変わりがなく、逆に
0.2wt%を越えて含有すると異相の析出を生じ易く
するので、0.01〜0.2wt%の範囲とした。
【0013】また、SiO2の含有量を0.01wt%
以下とした理由は以下の通りである。 SiO2が0.
01wt%を越えると、Ca2+の影響によりSi4+は粒
界,または粒界の粒界近傍に偏析を起こし始め、粒界に
磁気的な劣化層を形成する。しかし、SiO2が0.0
1wt%以下であれば、Si4+は粒界に析出することな
く、粒内と粒界とでその含有量がほぼ同等となる。ま
た、それと同時にCa2+も粒界に偏析することなく、ほ
ぼ粒界と粒内に均一に分布する。ところで、特開昭62
−86510号公報には、酸化ケイ素0.02重量%以
下及び/または酸化カルシウム0.1重量%以下と酸化
ニオブ0.02重量%及び/または酸化バナジウム0.
02重量%以下含有させたMn−Znフェライトを用い
た磁気ヘッドの例が記載されているが、同号公報の目的
は、グレイン粒界の強度が大きく、しかも高周波数領域
での透磁率及び最高磁束密度が大きく、損失係数が小さ
い磁気ヘッドを提供することが主体であり、その作用,
効果は本発明とは異なる。
以下とした理由は以下の通りである。 SiO2が0.
01wt%を越えると、Ca2+の影響によりSi4+は粒
界,または粒界の粒界近傍に偏析を起こし始め、粒界に
磁気的な劣化層を形成する。しかし、SiO2が0.0
1wt%以下であれば、Si4+は粒界に析出することな
く、粒内と粒界とでその含有量がほぼ同等となる。ま
た、それと同時にCa2+も粒界に偏析することなく、ほ
ぼ粒界と粒内に均一に分布する。ところで、特開昭62
−86510号公報には、酸化ケイ素0.02重量%以
下及び/または酸化カルシウム0.1重量%以下と酸化
ニオブ0.02重量%及び/または酸化バナジウム0.
02重量%以下含有させたMn−Znフェライトを用い
た磁気ヘッドの例が記載されているが、同号公報の目的
は、グレイン粒界の強度が大きく、しかも高周波数領域
での透磁率及び最高磁束密度が大きく、損失係数が小さ
い磁気ヘッドを提供することが主体であり、その作用,
効果は本発明とは異なる。
【0015】また、特開平1−108160号公報に
は、微粉砕工程を直径0.5mm〜3mmのジルコニア
ボールを用いて行うフェライトの製造方法の記述がある
が、同号公報の目的は、ジルコニアボールを用いること
により不純物の混入を抑え、低い温度で焼結して高密度
の焼結体を得ることが主体であり、その作用,効果は本
発明と異なる。
は、微粉砕工程を直径0.5mm〜3mmのジルコニア
ボールを用いて行うフェライトの製造方法の記述がある
が、同号公報の目的は、ジルコニアボールを用いること
により不純物の混入を抑え、低い温度で焼結して高密度
の焼結体を得ることが主体であり、その作用,効果は本
発明と異なる。
【0016】
実施例1 主成分(Fe2O3:53.5mol%,ZnO:15.
5mol%,MnO:31.0mol%)に対し、第1
の副成分としてCaOを0.075wt%と、更に第2
の副成分としてZrO2,Nb2O5のうちどちらか1種
類または2種類を0.1wt%含有するように添加し、
ボールミルで混合し、1000℃で仮焼を行い、更にボ
ールミルで粉砕した。この時のボールミルは、SiO2
の混入量を制御するため、鋼製ボールミル及び鋼製ボー
ルと樹脂製ボールミル,ZrO2ボールの2種類を使用
した。その後、1250℃で一次焼結を行い、更に12
00℃,1000気圧で熱間静水圧プレスを行い、Mn
−Znフェライトの焼結体を得た。得られた焼結体を電
子線マイクロアナライザーを用い、SiO2の含有量を
調査した。その結果を表1に示す。
5mol%,MnO:31.0mol%)に対し、第1
の副成分としてCaOを0.075wt%と、更に第2
の副成分としてZrO2,Nb2O5のうちどちらか1種
類または2種類を0.1wt%含有するように添加し、
ボールミルで混合し、1000℃で仮焼を行い、更にボ
ールミルで粉砕した。この時のボールミルは、SiO2
の混入量を制御するため、鋼製ボールミル及び鋼製ボー
ルと樹脂製ボールミル,ZrO2ボールの2種類を使用
した。その後、1250℃で一次焼結を行い、更に12
00℃,1000気圧で熱間静水圧プレスを行い、Mn
−Znフェライトの焼結体を得た。得られた焼結体を電
子線マイクロアナライザーを用い、SiO2の含有量を
調査した。その結果を表1に示す。
【0017】
【表1】
【0018】樹脂製のボールミル,ZrO2ボールを使
用したものは、SiO2の含有量は0.01wt%以下
であり、その含有量は粒界と結晶粒内で同等であった。
用したものは、SiO2の含有量は0.01wt%以下
であり、その含有量は粒界と結晶粒内で同等であった。
【0019】実施例2 次に、CaO,ZrO2,Nb2O5の含有量及びSiO2
の含有量とベースラインノイズの関連性を調査するた
め、実施例1と組成の等しい主成分に対し、第1の副成
分としてのCaOを0.075〜0.2wt%、第2の
副成分としてのZrO2及び/またはNb2O5を0.0
2〜0.3wt%添加含有し、実施例1と同様の方法で
Mn−Zn多結晶フェライトの焼結体を得た。得られた
Mn−Zn多結晶フェライトのブロックを所定の寸法に
加工し、C型コアとI型コアとを製作し、そして、C型
コアのI型コアとの突き合わせ面に厚さ約2μmのFe
−Al−Siの金属磁性薄膜を形成した。次いで、C型
コアとI型コアとをガラスにより接合し、所定の寸法へ
研削,研磨することにより、トラック幅12μm,ギャ
ップ長0.6μm,ギャップ深さ8μmのモノリシック
型の浮上型磁気ヘッドを作成した。この磁気ヘッドにコ
イルを巻線し、3.5インチの磁気記録装置により再生
波形のベースラインノイズに及ぼす添加副成分の影響を
調査した。この時の磁気ディスクはHcが1200(O
e)のスパッタディスクで、回転数は3600rpm,
浮上量は0.19μmであった。そして、これらの磁気
ヘッドについて、再生波形のノイズについて調査を行っ
た。その結果を表2に示す。
の含有量とベースラインノイズの関連性を調査するた
め、実施例1と組成の等しい主成分に対し、第1の副成
分としてのCaOを0.075〜0.2wt%、第2の
副成分としてのZrO2及び/またはNb2O5を0.0
2〜0.3wt%添加含有し、実施例1と同様の方法で
Mn−Zn多結晶フェライトの焼結体を得た。得られた
Mn−Zn多結晶フェライトのブロックを所定の寸法に
加工し、C型コアとI型コアとを製作し、そして、C型
コアのI型コアとの突き合わせ面に厚さ約2μmのFe
−Al−Siの金属磁性薄膜を形成した。次いで、C型
コアとI型コアとをガラスにより接合し、所定の寸法へ
研削,研磨することにより、トラック幅12μm,ギャ
ップ長0.6μm,ギャップ深さ8μmのモノリシック
型の浮上型磁気ヘッドを作成した。この磁気ヘッドにコ
イルを巻線し、3.5インチの磁気記録装置により再生
波形のベースラインノイズに及ぼす添加副成分の影響を
調査した。この時の磁気ディスクはHcが1200(O
e)のスパッタディスクで、回転数は3600rpm,
浮上量は0.19μmであった。そして、これらの磁気
ヘッドについて、再生波形のノイズについて調査を行っ
た。その結果を表2に示す。
【0020】
【表2】
【0021】CaOを0.1wt%より多く添加含有さ
せると、再生波形ノイズが低減できず、また、CaOの
みの添加では、CaOが粒界層とその近傍に高濃度に偏
析するためか、CaOが0.075wt%でも再生波形
ノイズは低減できなかった。ZrO2またはNb2O5を
0.2wt%より多く添加すると、異相が析出して加工
時に脱粒を起こし、磁気ヘッドとしては使用できなかっ
た。しかし、CaOの添加量を0.01〜0.1wt
%,ZrO2またはNb2O5を0.01〜0.2wt%
添加含有させれば、再生ノイズの発生がない良好な磁気
ヘッドを得ることができた。更に、樹脂製のボールミル
を用いZrO2ボールを使用して作成したMn−Znフ
ェライトを用いた磁気ヘッドは、鋼製ボールミル,鋼製
ボールを用いて作成したMn−Znフェライトを用いた
ヘッドよりも、更にベースラインノイズの小さい良好な
磁気ヘッドを得ることができた。
せると、再生波形ノイズが低減できず、また、CaOの
みの添加では、CaOが粒界層とその近傍に高濃度に偏
析するためか、CaOが0.075wt%でも再生波形
ノイズは低減できなかった。ZrO2またはNb2O5を
0.2wt%より多く添加すると、異相が析出して加工
時に脱粒を起こし、磁気ヘッドとしては使用できなかっ
た。しかし、CaOの添加量を0.01〜0.1wt
%,ZrO2またはNb2O5を0.01〜0.2wt%
添加含有させれば、再生ノイズの発生がない良好な磁気
ヘッドを得ることができた。更に、樹脂製のボールミル
を用いZrO2ボールを使用して作成したMn−Znフ
ェライトを用いた磁気ヘッドは、鋼製ボールミル,鋼製
ボールを用いて作成したMn−Znフェライトを用いた
ヘッドよりも、更にベースラインノイズの小さい良好な
磁気ヘッドを得ることができた。
【0022】
【発明の効果】本発明は、Mn−Zn多結晶フェライト
で主磁気回路を、金属磁性薄膜で補助磁気回路を構成し
た、モノリシック型の浮上型磁気ヘッドに発生する再生
波形のベースラインノイズの原因を調査し、Mn−Zn
多結晶フェライトの主成分に対しCaO,ZrO2,N
b2O5の副成分を添加し、かつ、その含有量を好適な値
とすることにより、またSiO2の含有量を0.01w
t%以下と適度に制御することにより、高密度記録化に
対処するための磁気記録媒体の高保持力化,磁気ヘッド
自体の特に狭トラック化が進展した磁気記録装置におい
ても、記録再生特性の良好な浮上型磁気ヘッドを提供す
ることが可能となった。
で主磁気回路を、金属磁性薄膜で補助磁気回路を構成し
た、モノリシック型の浮上型磁気ヘッドに発生する再生
波形のベースラインノイズの原因を調査し、Mn−Zn
多結晶フェライトの主成分に対しCaO,ZrO2,N
b2O5の副成分を添加し、かつ、その含有量を好適な値
とすることにより、またSiO2の含有量を0.01w
t%以下と適度に制御することにより、高密度記録化に
対処するための磁気記録媒体の高保持力化,磁気ヘッド
自体の特に狭トラック化が進展した磁気記録装置におい
ても、記録再生特性の良好な浮上型磁気ヘッドを提供す
ることが可能となった。
【図1】(a) モノリシック型の浮上型磁気ヘッドの
構成を表す斜視図である。
構成を表す斜視図である。
【図1】(b) 磁気ギャップの主要部の斜視図であ
る。
る。
【図2】(a) 再生波形の疑似ギャップノイズを表す
図である。
図である。
【図2】(b) ベースラインノイズを表す図である。
【図3】 トラック幅と相対マージンとの関係を表す図
である。
である。
【符号の説明】 1 磁気ヘッド 2 スライダー 3 巻線窓 4 金属磁性薄膜 5 C型コア 6 I型コア 7 補強用ガラス G ギャップ Tw トラック幅 Gl ギャップ長
Claims (2)
- 【請求項1】 Mn−Zn多結晶フェライトよりなり、
突き合わせ面に磁気ギャップを有し、主磁気回路を構成
する一対の磁性体コアとその磁性体コアの少なくとも一
方のコアの突き合わせ面に前記磁気ギャップに接して形
成され、補助磁気回路を構成する金属磁性薄膜と、前記
磁性体コアの窓部に巻線された励磁用のコイルを有し、
トラック幅が16μm以下の狭トラックであるモノリシ
ック型の浮上型磁気ヘッドにおいて、前記磁性体コアを
構成するMn−Zn多結晶フェライトは、主成分(Mn
O,ZnO,Fe2O3)に対し、重量%で副成分として
のCaOを0.01〜0.1wt%と、更にZrO2及
び/またはNb2O5を0.01〜0.2wt%(ZrO
2とNb2O5の2種類含有の場合はその合計が0.01
〜0.2wt%)含有し、かつSiO2の含有量が0.
01wt%以下であり、SiO2が結晶粒界に偏在する
ことなく、その含有量が結晶粒界と結晶粒内で同等であ
ることを特徴とする浮上型磁気ヘッド。 - 【請求項2】 Mn−Zn多結晶フェライトよりなり、
突き合わせ面に磁気ギャップを有し、主磁気回路を構成
する一対の磁性体コアとその磁性体コアの少なくとも一
方のコアの突き合わせ面に形成され、補助磁気回路を構
成する金属磁性薄膜と、前記磁性体コアの窓部に巻線さ
れた励磁用のコイルとを有するモノリシック型の浮上型
磁気ヘッドにおいて、その磁気ヘッドのトラック幅が1
6μm以下であり、前記金属磁性薄膜の厚さが5μm以
下である浮上型磁気ヘッドの製造方法において、前記磁
性体コアを形成するMn−Znフェライトの構成する各
元素の原料粉末を混合及びその粉末を仮焼した後、粉砕
する工程で樹脂製のボールミルと樹脂製またはZrO2
のボールを用いることを特徴とする浮上型磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5185591A JPH05217113A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 浮上型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5185591A JPH05217113A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 浮上型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05217113A true JPH05217113A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12898477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5185591A Pending JPH05217113A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 浮上型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05217113A (ja) |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP5185591A patent/JPH05217113A/ja active Pending
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