JPH0521683A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPH0521683A JPH0521683A JP3172114A JP17211491A JPH0521683A JP H0521683 A JPH0521683 A JP H0521683A JP 3172114 A JP3172114 A JP 3172114A JP 17211491 A JP17211491 A JP 17211491A JP H0521683 A JPH0521683 A JP H0521683A
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- Japan
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- semiconductor element
- lead terminal
- tip
- fillet
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、精密であり、しかも信頼性の高
い表面実装用半導体素子の半田接合の提供。フィレッ
ト形状が精度良く均一に繰り返し成形出来且つ、レーザ
ー方式の半田付け検査機による検査精度向上させうる半
導体素子のリード形状提供。簡略な方法により歩留り
良く製造することができ、しかも半田実装上使用耐久性
に優れた半導体素子のリード形状提供。を目的としてい
る。 【構成】 このような目的を達成するために本発明の表
面実装用半導体素子は、リード端子と回路基板上のラン
ドとが形成する角度が鋭角または直角であること、リー
ド端子の先端形状が、円柱または多角柱である形態を付
与した構造で達成した。
い表面実装用半導体素子の半田接合の提供。フィレッ
ト形状が精度良く均一に繰り返し成形出来且つ、レーザ
ー方式の半田付け検査機による検査精度向上させうる半
導体素子のリード形状提供。簡略な方法により歩留り
良く製造することができ、しかも半田実装上使用耐久性
に優れた半導体素子のリード形状提供。を目的としてい
る。 【構成】 このような目的を達成するために本発明の表
面実装用半導体素子は、リード端子と回路基板上のラン
ドとが形成する角度が鋭角または直角であること、リー
ド端子の先端形状が、円柱または多角柱である形態を付
与した構造で達成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リフロー炉において、
リード端子と回路基板上のランドとを半田接合する表面
実装用半導体素子のリード先端形状に関する。
リード端子と回路基板上のランドとを半田接合する表面
実装用半導体素子のリード先端形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面実装用半導体素子を回路基板に半田
付けする場合は、回路基板上のランド部に塗られた半田
クリームに表面実装用半導体素子をマウンターでセット
され、リフロー炉においてリード端子と回路基板上の半
田とを加熱接合している。従来、このように表面実装さ
れた半導体素子を検査する方法として、例えばレーザー
光によるフィレット部での反射光の強弱を検出方法や多
色の光を検出部に照射し、その映像をカラーカメラで撮
影し、そのフィレット部での反射光の変化を検出する方
法等があり、半田付け不良基板をはねていた。
付けする場合は、回路基板上のランド部に塗られた半田
クリームに表面実装用半導体素子をマウンターでセット
され、リフロー炉においてリード端子と回路基板上の半
田とを加熱接合している。従来、このように表面実装さ
れた半導体素子を検査する方法として、例えばレーザー
光によるフィレット部での反射光の強弱を検出方法や多
色の光を検出部に照射し、その映像をカラーカメラで撮
影し、そのフィレット部での反射光の変化を検出する方
法等があり、半田付け不良基板をはねていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる従来法
によって作成される回路基板では、塗布される半田クリ
ーム量の増減や加わる熱量のバラツキにより、半導体素
子のリードにブリッジ不良が発生し易く、また、製造歩
留りが悪いと言う欠点もある。そして、フィレット部を
多色の反射光の強弱で検出する方法は、フィレット部形
状が不定形で、その検出できるリード先端部の半田付け
形状が大小まちまちである場合が多く、検査コストの上
昇をまねくと言う不利がある。
によって作成される回路基板では、塗布される半田クリ
ーム量の増減や加わる熱量のバラツキにより、半導体素
子のリードにブリッジ不良が発生し易く、また、製造歩
留りが悪いと言う欠点もある。そして、フィレット部を
多色の反射光の強弱で検出する方法は、フィレット部形
状が不定形で、その検出できるリード先端部の半田付け
形状が大小まちまちである場合が多く、検査コストの上
昇をまねくと言う不利がある。
【０００４】そして、レーザー光によるフィレット部の
検出方法は、レーザー光のスポット径が０．０５から
０．１ミリメーターと大きく、０．５ミリピッチのＱＦ
Ｐ素子では、その検出できるリード先端部の半田付けが
線条にしか検査データが収集できず、いわゆる″見す
ぎ″、″見逃し″等の検査精度の悪化をまねく。
検出方法は、レーザー光のスポット径が０．０５から
０．１ミリメーターと大きく、０．５ミリピッチのＱＦ
Ｐ素子では、その検出できるリード先端部の半田付けが
線条にしか検査データが収集できず、いわゆる″見す
ぎ″、″見逃し″等の検査精度の悪化をまねく。
【０００５】更に上記した従来法に共通する欠点として
は、フィレット部の検査可能面積が狭く、検出精度の低
下を余儀なくされてきた。
は、フィレット部の検査可能面積が狭く、検出精度の低
下を余儀なくされてきた。
【０００６】今後の高密度の表面実装基板において、電
子部品点数が数百から数千へと多く、半田付け不良によ
る検査コスト、不良コストつまり製造コストの上昇をま
ねくことが予想される。したがって、これらの欠点が解
決される構成を有する半導体素子の開発が切望されてい
る。
子部品点数が数百から数千へと多く、半田付け不良によ
る検査コスト、不良コストつまり製造コストの上昇をま
ねくことが予想される。したがって、これらの欠点が解
決される構成を有する半導体素子の開発が切望されてい
る。
【０００７】本発明は、上記欠点に鑑み成されたもの
で、リード端子を有する半導体素子を十分な半田量でし
っかりと回路基板に実装し、しかも隣接するリード端子
間をショートさせるブリッジ不良の発生を防止し、さら
に画像処理による半田付け検査精度の向上させ、信頼性
に富む接合が得られる半導体素子を提供することも本発
明の他の目的である。
で、リード端子を有する半導体素子を十分な半田量でし
っかりと回路基板に実装し、しかも隣接するリード端子
間をショートさせるブリッジ不良の発生を防止し、さら
に画像処理による半田付け検査精度の向上させ、信頼性
に富む接合が得られる半導体素子を提供することも本発
明の他の目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明の表面実装用半導体素子は、リード端子
と回路基板上のランドとが形成する角度が鋭角または直
角であること、リード端子の先端形状が、円柱または多
角柱であることを特徴であることを特徴とする。
るために本発明の表面実装用半導体素子は、リード端子
と回路基板上のランドとが形成する角度が鋭角または直
角であること、リード端子の先端形状が、円柱または多
角柱であることを特徴であることを特徴とする。
【０００９】
【実施例】（実施例１）以下、実施例に基づき本発明を
詳細に説明する。図１から図３に示した作成工程に従っ
て、本発明の実施例を説明する。
詳細に説明する。図１から図３に示した作成工程に従っ
て、本発明の実施例を説明する。
【００１０】０．５ミリの配線が施されたガラスエポキ
シ回路基板を、はんだ印刷機（ＮＰ−０４ＡＮ２・日立
テクノ製）でパターンが刻まれたステンシルを挟みつつ
ハンダクリーム（ＰＳ１０Ｒ−４５０Ａ−Ｆ２８・ハリ
マ化成製）を印刷した。チップマウンター（ＣＭ８５Ｃ
−ＭＥ・九州松下製）で、半導体素子｛ＶＳＯ・ＱＦＰ
・ＳＯＰ・ＰＱＡ・パワートランジスタ｝、冠状部品
｛電解コンデンサー・可変抵抗器｝、チップ部品｛コン
デンサー・抵抗・フィルター｝等の部品を搭載した。
シ回路基板を、はんだ印刷機（ＮＰ−０４ＡＮ２・日立
テクノ製）でパターンが刻まれたステンシルを挟みつつ
ハンダクリーム（ＰＳ１０Ｒ−４５０Ａ−Ｆ２８・ハリ
マ化成製）を印刷した。チップマウンター（ＣＭ８５Ｃ
−ＭＥ・九州松下製）で、半導体素子｛ＶＳＯ・ＱＦＰ
・ＳＯＰ・ＰＱＡ・パワートランジスタ｝、冠状部品
｛電解コンデンサー・可変抵抗器｝、チップ部品｛コン
デンサー・抵抗・フィルター｝等の部品を搭載した。
【００１１】本発明の半導体素子のリード端子のフィレ
ット形状は、図１に示すように確実に半田接合ができ
た。半田クリームの塗布量の多少の増減や塗布形状の変
形を本発明のリード形状で体積的に吸収した効果が現れ
た。半導体素子の半田付け状態を検査する方法として、
レーザー光による検出方法と、多色光を照射しその映像
を画像処理し反射光を検出する方法があり、図３のよう
に良好なリード端子のフィレット形状の実現で確実に半
田付け不良基板をはねられた。半田付け特性を評価し
た。先端フィレット体積（mm3）、レーサ゛ー検出面積（mm2）、フ゛
リッシ゛不良発生率(％)、半田不良検出率（％）について測
定した結果を表１に示す。
ット形状は、図１に示すように確実に半田接合ができ
た。半田クリームの塗布量の多少の増減や塗布形状の変
形を本発明のリード形状で体積的に吸収した効果が現れ
た。半導体素子の半田付け状態を検査する方法として、
レーザー光による検出方法と、多色光を照射しその映像
を画像処理し反射光を検出する方法があり、図３のよう
に良好なリード端子のフィレット形状の実現で確実に半
田付け不良基板をはねられた。半田付け特性を評価し
た。先端フィレット体積（mm3）、レーサ゛ー検出面積（mm2）、フ゛
リッシ゛不良発生率(％)、半田不良検出率（％）について測
定した結果を表１に示す。
【００１２】（実施例２）０．５ミリの配線が施された
ガラスエポキシ回路基板を、はんだ印刷機（ＮＰ−０４
ＡＮ２・日立テクノ製）でパターンが刻まれたステンシ
ルを挟みつつハンダクリーム（ＰＳ１０Ｒ−４５０Ａ−
Ｆ２８・ハリマ化成製）を印刷した。チップマウンター
（ＣＭ８５Ｃ−ＭＥ・九州松下製）で、半導体素子｛Ｖ
ＳＯ・ＱＦＰ・ＳＯＰ・ＰＱＡ・パワートランジス
タ｝、冠状部品｛電解コンデンサー・可変抵抗器｝、チ
ップ部品｛コンデンサー・抵抗・フィルター｝等の部品
を搭載した。
ガラスエポキシ回路基板を、はんだ印刷機（ＮＰ−０４
ＡＮ２・日立テクノ製）でパターンが刻まれたステンシ
ルを挟みつつハンダクリーム（ＰＳ１０Ｒ−４５０Ａ−
Ｆ２８・ハリマ化成製）を印刷した。チップマウンター
（ＣＭ８５Ｃ−ＭＥ・九州松下製）で、半導体素子｛Ｖ
ＳＯ・ＱＦＰ・ＳＯＰ・ＰＱＡ・パワートランジス
タ｝、冠状部品｛電解コンデンサー・可変抵抗器｝、チ
ップ部品｛コンデンサー・抵抗・フィルター｝等の部品
を搭載した。
【００１３】本発明の半導体素子のリード端子のフィレ
ット形状は、図４に示すように確実に半田接合ができ
た。半田クリームの塗布量の多少の増減や塗布形状の変
形を本発明の多角柱であるリード形状でうまく立体的に
吸収した効果が現れた。半導体素子の半田付け状態を検
査する方法として、レーザー光による検出方法と、多色
光を照射しその映像を画像処理し反射光を検出する方法
があり、図６のように良好なリード端子のフィレット形
状の実現で確実に半田付け不良基板をはねられた。半田
付け特性を評価した。先端フィレット体積（mm3）、レーサ゛ー検
出面積（mm2）、フ゛リッシ゛不良発生率(％)、半田不良検出
率（％）について測定した結果を表１に示す。
ット形状は、図４に示すように確実に半田接合ができ
た。半田クリームの塗布量の多少の増減や塗布形状の変
形を本発明の多角柱であるリード形状でうまく立体的に
吸収した効果が現れた。半導体素子の半田付け状態を検
査する方法として、レーザー光による検出方法と、多色
光を照射しその映像を画像処理し反射光を検出する方法
があり、図６のように良好なリード端子のフィレット形
状の実現で確実に半田付け不良基板をはねられた。半田
付け特性を評価した。先端フィレット体積（mm3）、レーサ゛ー検
出面積（mm2）、フ゛リッシ゛不良発生率(％)、半田不良検出
率（％）について測定した結果を表１に示す。
【００１４】（従来例）０．５ミリの配線が施されたガ
ラスエポキシ回路基板を、はんだ印刷機（ＮＰ−０４Ａ
Ｎ２・日立テクノ製）でパターンが刻まれたステンシル
を挟みつつハンダクリーム（ＰＳ１０Ｒ−４５０Ａ−Ｆ
２８・ハリマ化成製）を印刷した。チップマウンター
（ＣＭ８５Ｃ−ＭＥ・九州松下製）で、半導体素子｛Ｖ
ＳＯ・ＱＦＰ・ＳＯＰ・ＰＱＡ・パワートランジス
タ｝、冠状部品｛電解コンデンサー・可変抵抗器｝、チ
ップ部品｛コンデンサー・抵抗・フィルター｝等の部品
を搭載した。
ラスエポキシ回路基板を、はんだ印刷機（ＮＰ−０４Ａ
Ｎ２・日立テクノ製）でパターンが刻まれたステンシル
を挟みつつハンダクリーム（ＰＳ１０Ｒ−４５０Ａ−Ｆ
２８・ハリマ化成製）を印刷した。チップマウンター
（ＣＭ８５Ｃ−ＭＥ・九州松下製）で、半導体素子｛Ｖ
ＳＯ・ＱＦＰ・ＳＯＰ・ＰＱＡ・パワートランジス
タ｝、冠状部品｛電解コンデンサー・可変抵抗器｝、チ
ップ部品｛コンデンサー・抵抗・フィルター｝等の部品
を搭載した。
【００１５】従来法によって作成される半導体素子のリ
ード端子のフィレット形状は、図７に示すように塗布さ
れる半田クリーム量の増減や加わる熱量のバラツキによ
り、半導体素子のリードにブリッジ不良が発生し易かっ
た。そのため微妙な湿度管理、粘度管理、スキージの塗
布スピード・圧力管理、ステンシルの裏面洗浄・耐久性
等が要求され、かつブリッジ・浮き不良などの後修正が
必要で、製造歩留りが悪いと言う欠点がある。
ード端子のフィレット形状は、図７に示すように塗布さ
れる半田クリーム量の増減や加わる熱量のバラツキによ
り、半導体素子のリードにブリッジ不良が発生し易かっ
た。そのため微妙な湿度管理、粘度管理、スキージの塗
布スピード・圧力管理、ステンシルの裏面洗浄・耐久性
等が要求され、かつブリッジ・浮き不良などの後修正が
必要で、製造歩留りが悪いと言う欠点がある。
【００１６】そして、不良フィレット部を検出する方法
は、フィレット部形状が不定形で、その検出できるリー
ド先端部の半田付け形状が大小まちまちである場合が多
く、またフィレット部の検査可能面積が狭く、検出精度
の低下を余儀なくされてきた。
は、フィレット部形状が不定形で、その検出できるリー
ド先端部の半田付け形状が大小まちまちである場合が多
く、またフィレット部の検査可能面積が狭く、検出精度
の低下を余儀なくされてきた。
【００１７】半田付け特性を評価した。先端フィレット体積
（mm3）、レーサ゛ー検出面積（mm2）、フ゛リッシ゛不良発生率
(％)、半田不良検出率（％）について測定した結果を表
１に示す。
（mm3）、レーサ゛ー検出面積（mm2）、フ゛リッシ゛不良発生率
(％)、半田不良検出率（％）について測定した結果を表
１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明の効果として
は、次の通り種々列挙する事が出来る。精密であり、
しかも信頼性の高い表面実装用半導体素子の半田接合が
できた。フィレット形状が精度良く均一に繰り返し成
形出来且つ、レーザー方式の半田付け検査機による検査
精度向上させうる半導体素子のリード形状ができた。
は、次の通り種々列挙する事が出来る。精密であり、
しかも信頼性の高い表面実装用半導体素子の半田接合が
できた。フィレット形状が精度良く均一に繰り返し成
形出来且つ、レーザー方式の半田付け検査機による検査
精度向上させうる半導体素子のリード形状ができた。
【００２０】簡略な方法により歩留り良く製造するこ
とができ、しかも半田実装上使用耐久性に優れた半導体
素子のリード形態の実現した。
とができ、しかも半田実装上使用耐久性に優れた半導体
素子のリード形態の実現した。
【００２１】リード加工工程で連続且つ、大量生産が
可能である。
可能である。
【図１】本発明の実施例１のフィレット形状を示す断面
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の実施例１の斜視図である。
【図３】本発明の実施例１のレーザー光線によるフィレ
ット部検査状態を示す断面図である。
ット部検査状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例２のフィレット形状を示す断面
構成図である。
構成図である。
【図５】本発明の実施例２の斜視図である。
【図６】本発明の実施例２のレーザー光線によるフィレ
ット部検査状態を示す断面図である。
ット部検査状態を示す断面図である。
【図７】従来例のフィレット形状を示す断面構成図であ
る。
る。
【図８】従来例の斜視図である。
【図９】従来例のレーザー光線によるフィレット部検査
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
１ 固化した半田ペースト
２ 本発明のリード端子
３ ランド
４ 回路基板
５ インク流路
６ 検査用レーザー光線
７ フィレットで反射したレーザー光線
８ 本発明のリード端子
９ 従来例のリード端子
１０ オーバーフロォーした半田形状
１１ ブリッジ不良の半田形状
Claims (2)
- 【請求項１】 表面実装用ＳＯＰ、ＱＦＰのリード端子
において、該リード端子先端と回路基板上のランドとが
形成する角度が鋭角または直角であることを特徴とする
半導体素子。 - 【請求項２】 回路基板のランドと角度を形成するリー
ド端子の先端形状が、円柱または多角柱であることを特
徴であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172114A JPH0521683A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172114A JPH0521683A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521683A true JPH0521683A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15935817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3172114A Pending JPH0521683A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521683A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140002602A (ko) | 2010-07-09 | 2014-01-08 | 가부시키가이샤 스기노 마신 | 천공가공 제어방법 및 천공가공장치 |
| US20140284809A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-09-25 | Honda Motor Co., Ltd. | Power converter |
| EP3001453A1 (en) | 2014-09-29 | 2016-03-30 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3172114A patent/JPH0521683A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140002602A (ko) | 2010-07-09 | 2014-01-08 | 가부시키가이샤 스기노 마신 | 천공가공 제어방법 및 천공가공장치 |
| US20140284809A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-09-25 | Honda Motor Co., Ltd. | Power converter |
| US9455238B2 (en) * | 2013-03-25 | 2016-09-27 | Honda Motor Co., Ltd. | Power converter |
| EP3001453A1 (en) | 2014-09-29 | 2016-03-30 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
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