JPH05206424A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH05206424A JPH05206424A JP4012790A JP1279092A JPH05206424A JP H05206424 A JPH05206424 A JP H05206424A JP 4012790 A JP4012790 A JP 4012790A JP 1279092 A JP1279092 A JP 1279092A JP H05206424 A JPH05206424 A JP H05206424A
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- parts
- type
- film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 光電変換部４及び転送部６上部に平坦化膜１
１を形成した後、転送部６の上面及び側面の平坦化膜１
１を除去し、遮光膜１０材料としてＡｌを堆積した後、
パターニングを行う。その後、従来の工程により固体撮
像装置を完成する。 【効果】 従来に比べて、有効画素領域の平坦性が向上
するため、次工程のオンチップカラーフィルター工程が
容易になり、また、転送部の上面部及び側面部を遮光膜
を形成したため、斜め入射光を防ぎ、スミア特性が改善
される。
１を形成した後、転送部６の上面及び側面の平坦化膜１
１を除去し、遮光膜１０材料としてＡｌを堆積した後、
パターニングを行う。その後、従来の工程により固体撮
像装置を完成する。 【効果】 従来に比べて、有効画素領域の平坦性が向上
するため、次工程のオンチップカラーフィルター工程が
容易になり、また、転送部の上面部及び側面部を遮光膜
を形成したため、斜め入射光を防ぎ、スミア特性が改善
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特にインターライン転送ＣＣＤ型固体撮像装置に関する
ものである。
特にインターライン転送ＣＣＤ型固体撮像装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の、半導体基板又はウエル
表面に光電変換部と転送部とを隣接させて構成した各列
を所定の距離だけ離間させて複数並べて配置し、上記各
列間の隙間上に上記転送部のゲート電極を延在させて、
このゲート電極の電界によって上記各列間を電気的に分
離するようにした、インターライン転送ＣＣＤ型固体撮
像装置の断面図を示す。
表面に光電変換部と転送部とを隣接させて構成した各列
を所定の距離だけ離間させて複数並べて配置し、上記各
列間の隙間上に上記転送部のゲート電極を延在させて、
このゲート電極の電界によって上記各列間を電気的に分
離するようにした、インターライン転送ＣＣＤ型固体撮
像装置の断面図を示す。
【０００３】図３に示す固体撮像装置において、Ｎ型半
導体基板１の表面に低不純物濃度のＰ-型ウエル２が設
けられ、このＰ-型ウエル２内にＮ型不純物層３からな
る光電変換部４が等間隔に複数並べて設けられている。
さらに、Ｐ+型の画素分離領域５を挟んで上記各光電変
換部４に隣接して、転送部６が設けられている。各転送
部６はＮ+型の転送チャネル７、ゲート絶縁膜８及びゲ
ート電極９から成っている。各光電変換部４とこれに隣
接する転送部６とでそれぞれ１つの列を構成している。
光電変換部４以外に光を入射させないために遮光膜１０
が形成され、一般にこの遮光膜１０は配線電極を兼ねて
いるため、遮光膜１０の下部に平坦化膜１１が設けられ
る。
導体基板１の表面に低不純物濃度のＰ-型ウエル２が設
けられ、このＰ-型ウエル２内にＮ型不純物層３からな
る光電変換部４が等間隔に複数並べて設けられている。
さらに、Ｐ+型の画素分離領域５を挟んで上記各光電変
換部４に隣接して、転送部６が設けられている。各転送
部６はＮ+型の転送チャネル７、ゲート絶縁膜８及びゲ
ート電極９から成っている。各光電変換部４とこれに隣
接する転送部６とでそれぞれ１つの列を構成している。
光電変換部４以外に光を入射させないために遮光膜１０
が形成され、一般にこの遮光膜１０は配線電極を兼ねて
いるため、遮光膜１０の下部に平坦化膜１１が設けられ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】固体撮像装置の特性の
一つであるスミアを改善するためには、最大のスミア発
生原因である光電変換部４への斜め入射光を防ぐ必要が
ある。そのため、平坦化膜１１を薄くし、斜め入射光を
防ぎスミアを改善する手段がある。しかし、平坦化膜１
１を薄くすると平坦性が悪化し配線部ショートなどの問
題が生じる。
一つであるスミアを改善するためには、最大のスミア発
生原因である光電変換部４への斜め入射光を防ぐ必要が
ある。そのため、平坦化膜１１を薄くし、斜め入射光を
防ぎスミアを改善する手段がある。しかし、平坦化膜１
１を薄くすると平坦性が悪化し配線部ショートなどの問
題が生じる。
【０００５】本発明は、配線部のショートなどの問題を
起こさず、斜め入射光を防ぎ、スミアを改善する手段を
提供することを目的とする。
起こさず、斜め入射光を防ぎ、スミアを改善する手段を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のインターライン
転送ＣＣＤ型固体撮像装置は、半導体基板又はウエル表
面に光電変換部と転送部とを隣接させて構成した列を所
定の距離だけ離間させて複数並べて配置したインターラ
イン転送ＣＣＤ型固体撮像装置において、上記転送部を
構成するゲート電極の表面部及び側面部に遮光膜を形成
したことを特徴としたものである。
転送ＣＣＤ型固体撮像装置は、半導体基板又はウエル表
面に光電変換部と転送部とを隣接させて構成した列を所
定の距離だけ離間させて複数並べて配置したインターラ
イン転送ＣＣＤ型固体撮像装置において、上記転送部を
構成するゲート電極の表面部及び側面部に遮光膜を形成
したことを特徴としたものである。
【０００７】
【作用】上記構成を用いて、平坦化膜に埋め込んだ遮光
膜でゲート電極の表面及び側面を覆うことにより、斜め
入射光を防ぐ。また、有効画素領域の遮光膜と平坦化膜
との段差が減少し、平坦化が向上する。
膜でゲート電極の表面及び側面を覆うことにより、斜め
入射光を防ぐ。また、有効画素領域の遮光膜と平坦化膜
との段差が減少し、平坦化が向上する。
【０００８】
【実施例】以下、一実施例に基づいて、本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例の構造断面図を示
し、図２は同製造工程図を示す。図１に示す固体撮像装
置は、従来と同様にＮ型半導体基板１の表面に低不純物
濃度のＰ-型ウエル２が設けられ、このＰ-型ウエル２内
にＮ型不純物層３からなる光電変換部４が等間隔に複数
並べて設けられている。さらにＰ+型の画素分離領域５
を挟んで上記各光電変換部４に隣接して、転送部６が設
けられている。各転送部６はＮ+型の転送チャネル７、
ゲート絶縁膜８及びゲート電極９からなっている。各光
電変換部４とこれに隣接する転送部６とでそれぞれ１つ
の列を構成している。
し、図２は同製造工程図を示す。図１に示す固体撮像装
置は、従来と同様にＮ型半導体基板１の表面に低不純物
濃度のＰ-型ウエル２が設けられ、このＰ-型ウエル２内
にＮ型不純物層３からなる光電変換部４が等間隔に複数
並べて設けられている。さらにＰ+型の画素分離領域５
を挟んで上記各光電変換部４に隣接して、転送部６が設
けられている。各転送部６はＮ+型の転送チャネル７、
ゲート絶縁膜８及びゲート電極９からなっている。各光
電変換部４とこれに隣接する転送部６とでそれぞれ１つ
の列を構成している。
【００１０】上述の転送部６の上部を除く構成部上面に
平坦化膜１１が形成され、該平坦化膜１１形成部以外の
部分に、光電変換部４以外に光を入射させないための遮
光膜１０が、転送部６のゲート電極９の表面及び側面を
覆う様に形成され、この遮光膜１０は平坦化膜１１に埋
め込まれている。また、ゲート電極９及び下地と遮光膜
１０及び平坦化膜１１との間には、遮光膜１０を平坦化
膜１１に埋め込むために、平坦化膜１１をエッチングす
る際、下地を保護するため、ＳｉＯ2膜又はＳｉＮ2膜等
から成る下地保護膜１２が形成されている。
平坦化膜１１が形成され、該平坦化膜１１形成部以外の
部分に、光電変換部４以外に光を入射させないための遮
光膜１０が、転送部６のゲート電極９の表面及び側面を
覆う様に形成され、この遮光膜１０は平坦化膜１１に埋
め込まれている。また、ゲート電極９及び下地と遮光膜
１０及び平坦化膜１１との間には、遮光膜１０を平坦化
膜１１に埋め込むために、平坦化膜１１をエッチングす
る際、下地を保護するため、ＳｉＯ2膜又はＳｉＮ2膜等
から成る下地保護膜１２が形成されている。
【００１１】本発明は、転送部６のゲート電極９の上面
部及び側面部が遮光膜１０で覆われていることを特徴と
する。
部及び側面部が遮光膜１０で覆われていることを特徴と
する。
【００１２】次に、図２を用いて、本発明の一実施例の
製造工程を説明する。
製造工程を説明する。
【００１３】まず、従来技術により、Ｎ型半導体基板１
の表面に低不純物濃度のＰ-型ウエル２を設け、このＰ-
型ウエル２内にＮ型不純物層３からなる光電変換部４を
等間隔に複数並べて設ける。さらにＰ+型の画素分離領
域５を挟んで上記各光電変換部４に隣接して、Ｎ+型の
転送チャネル７、ゲート絶縁膜８及びゲート電極９から
なる転送部６を設ける。次に、ＣＶＤ法を用いて、下地
保護膜１２としてＳｉＯ2膜又はＳｉＮ2膜を膜厚約１０
００Å程度堆積した後（図２（ａ））、平坦化膜１１と
してＰＳＧ膜を膜厚約７０００Å程度堆積する。下地保
護膜１２は、遮光膜１０埋め込みのため、平坦化膜１１
をエッチングする際、下地をエッチングしないように保
護するためのものである（図２（ｂ））。
の表面に低不純物濃度のＰ-型ウエル２を設け、このＰ-
型ウエル２内にＮ型不純物層３からなる光電変換部４を
等間隔に複数並べて設ける。さらにＰ+型の画素分離領
域５を挟んで上記各光電変換部４に隣接して、Ｎ+型の
転送チャネル７、ゲート絶縁膜８及びゲート電極９から
なる転送部６を設ける。次に、ＣＶＤ法を用いて、下地
保護膜１２としてＳｉＯ2膜又はＳｉＮ2膜を膜厚約１０
００Å程度堆積した後（図２（ａ））、平坦化膜１１と
してＰＳＧ膜を膜厚約７０００Å程度堆積する。下地保
護膜１２は、遮光膜１０埋め込みのため、平坦化膜１１
をエッチングする際、下地をエッチングしないように保
護するためのものである（図２（ｂ））。
【００１４】次に、ＲＩＥ法を用いて、転送部６及びそ
の周辺上の平坦化膜１１を除去し（図２（ｃ））、スパ
ッタ法を用いて、遮光膜として、例えば、Ａｌを堆積し
た後、パターニングを行う（図２（ｄ））。その後、従
来の工程により固体撮像装置を完成させる。
の周辺上の平坦化膜１１を除去し（図２（ｃ））、スパ
ッタ法を用いて、遮光膜として、例えば、Ａｌを堆積し
た後、パターニングを行う（図２（ｄ））。その後、従
来の工程により固体撮像装置を完成させる。
【００１５】上記実施例において、下地保護膜１２を形
成したが、エッチングによる下地表面への影響なく平坦
化膜１１をエッチングすれば、下地保護膜１２を形成し
なくても実施可能である。
成したが、エッチングによる下地表面への影響なく平坦
化膜１１をエッチングすれば、下地保護膜１２を形成し
なくても実施可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明を用
いることにより、従来に比べて有効画素の平坦性が向上
するため、次工程であるオンチップカラーフィルター工
程が容易になり、また、転送部への斜め入射光を防止す
ることができるため、スミア特性を改善することができ
るという効果を奏する。
いることにより、従来に比べて有効画素の平坦性が向上
するため、次工程であるオンチップカラーフィルター工
程が容易になり、また、転送部への斜め入射光を防止す
ることができるため、スミア特性を改善することができ
るという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例の構造断面図である。
【図２】本発明の一実施例の製造工程図である。
【図３】従来のインターライン転送ＣＤＤ型固体撮像装
置の構造断面図である。
置の構造断面図である。
１ Ｎ型半導体基板 ２ Ｐ+型ウエル ３ Ｎ型不純物層 ４ 光電変換部 ５ 画素分離領域 ６ 転送部 ７ 転送チャネル ８ ゲート絶縁膜 ９ ゲート電極 １０ 遮光膜 １１ 平坦化膜 １２ 下地保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板又はウエル表面に光電変換部と
転送部とを隣接させて構成した列を所定の距離だけ離間
させて複数列並べて配置されている固体撮像装置におい
て、 上記転送部を構成するゲート電極の上面部及び側面部に
遮光膜を設けたことを特徴とした固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012790A JPH05206424A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012790A JPH05206424A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206424A true JPH05206424A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11815199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4012790A Pending JPH05206424A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206424A (ja) |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP4012790A patent/JPH05206424A/ja active Pending
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