JPH05205470A - ダイナミックram - Google Patents

ダイナミックram

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Publication number
JPH05205470A
JPH05205470A JP4010157A JP1015792A JPH05205470A JP H05205470 A JPH05205470 A JP H05205470A JP 4010157 A JP4010157 A JP 4010157A JP 1015792 A JP1015792 A JP 1015792A JP H05205470 A JPH05205470 A JP H05205470A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier circuit
memory array
output
circuit
output control
Prior art date
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Pending
Application number
JP4010157A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsumi Yamanaka
睦 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4010157A priority Critical patent/JPH05205470A/ja
Publication of JPH05205470A publication Critical patent/JPH05205470A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 メモリアレイ1と、出力制御回路6の2カ所
に増幅回路3A、3Bを配置し、メモリアレイ1側の増
幅回路3Aを動作させた後に出力制御回路6側の増幅回
路3Bを動作させる。 【効果】 従来の増幅回路より駆動能力が半分の2組の
増幅回路3A、3Bを2回に分けて動作させているの
で、電源電流のピーク電流値を小さくすることができ
る。また、メモリアレイ1側と出力制御回路6側に増幅
回路3A、3Bを配置しているので、増幅回路3A、3
Bの負荷が軽くなるためにアクセスタイムも遅れること
もない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電源電流のピーク電
流値の小さい多ビット構成のダイナミックRAMに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来のダイナミックRAMの構成を図3
を参照しながら説明する。図3は、従来のダイナミック
RAMを示すブロック図である。
【0003】図3において、1はメモリアレイ、2はデ
ータバス対、3は増幅回路、4は活性化信号が入力され
る増幅回路3の端子、5は増幅回路3の出力が伝えられ
る信号線、6はメモリアレイ1のデータの出力を制御す
るための出力制御回路、7は出力端子である。なお、そ
れぞれn個設けられている。
【0004】つぎに、前述した従来例の動作を説明す
る。図3中のメモリアレイ1内のビット線のデータがデ
ータバス対2に伝わってから増幅回路3の端子4に入力
される活性化信号がハイレベル(“H”)になると増幅
回路3は動作する。増幅回路3の出力側に接続されてい
る信号線5は出力制御回路6に接続されており、増幅回
路3によって高速に増幅されたメモリアレイ1のデータ
は出力制御回路6に入力されると出力端子7に出力され
る。出力制御回路6にメモリアレイ1のデータが完全に
入力されると活性化信号がローレベル(“L”)となり
増幅回路3は停止する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
n語の多ビット構成のダイナミックRAMでは、n個の
メモリアレイ1から同時にデータを出力する必要があっ
た。従って、同時にn個の増幅回路3を動作させなけれ
ばならないので電源電流のピーク電流値も1個の増幅回
路のn倍になる。そのためにビット構成が多いと電源電
流のピーク電流値も大きくなるために電源ノイズも大き
くなり誤動作の原因になるという問題点があった。
【0006】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、アクセスタイムを遅らせることも
なく、電源電流のピーク電流値を抑えることができ、電
源ノイズによる誤動作を防止することができるダイナミ
ックRAMを得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
るダイナミックRAMは、次に掲げる手段を備えたもの
である。 〔1〕 メモリアレイ側に設けられ前記メモリアレイの
データを増幅する第1の増幅回路。 〔2〕 出力制御回路側に設けられ前記第1の増幅回路
が動作された後で前記第1の増幅回路の出力を増幅する
第2の増幅回路。
【0008】この発明の請求項2に係るダイナミックR
AMは、次に掲げる手段を備えたものである。 〔1〕 メモリアレイの出力側に設けられ前記メモリア
レイのデータを増幅し所定時間経過後に動作を停止する
第1の増幅回路。 〔2〕 出力制御回路の入力側に設けられ前記第1の増
幅回路が動作された後で前記第1の増幅回路の出力を増
幅する第2の増幅回路。
【0009】
【作用】この発明の請求項1に係るダイナミックRAM
においては、メモリアレイ側に設けられた第1の増幅回
路によって、メモリアレイのデータが増幅される。ま
た、出力制御回路側に設けられた第2の増幅回路によっ
て、前記第1の増幅回路が動作された後で前記第1の増
幅回路の出力が増幅される。
【0010】この発明の請求項2に係るダイナミックR
AMにおいては、メモリアレイの出力側に設けられた第
1の増幅回路によって、前記メモリアレイのデータが増
幅され所定時間経過後に動作が停止される。また、出力
制御回路の入力側に設けられた第2の増幅回路によっ
て、前記第1の増幅回路が動作された後で前記第1の増
幅回路の出力が増幅される。
【0011】
【実施例】
実施例1.この発明の実施例1の構成を図1を参照しな
がら説明する。図1は、この発明の実施例1を示すブロ
ック図であり、メモリアレイ1、データバス対2、端子
4〜出力端子7は上述した従来例のものと全く同一であ
る。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示
す。
【0012】図1において、3Aはメモリアレイ1の出
力側に設けられた増幅回路、3Bは出力制御回路6の入
力側に設けられた増幅回路、8は活性化信号SBが入力
される増幅回路3Bの端子、9は信号線である。なお、
増幅回路3Aの端子4には活性化信号SAが入力され、
増幅回路3A、3Bは従来の増幅回路の半分の駆動能力
に設定されている。
【0013】ところで、この発明の第1の増幅回路は、
前述したこの発明の実施例1では増幅回路3Aに相当
し、この発明の第2の増幅回路は、実施例1では増幅回
路3Bに相当する。
【0014】つぎに、前述した実施例1の動作を図2を
参照しながら説明する。図2は、この発明の実施例1の
動作を示すタイミングチャートである。図2において、
(a)は増幅回路3Aの活性化信号SA、(b)は増幅
回路3Bの活性化信号SB、(c)は増幅回路3Aの出
力、(d)は増幅回路3Bの出力、(e)は増幅回路3
Aの動作電流波形、(f)は増幅回路3Bの動作電流波
形、(g)は増幅回路3A、3Bの合成電流波形をそれ
ぞれ示す。
【0015】まず、メモリアレイ1のデータがデータバ
ス対2に現れる。次に、図2(a)に示すように、時点
T1で増幅回路3Aの活性化信号SAがハイレベルにな
り増幅回路3Aが動作する。この増幅回路3Aは、従来
の増幅回路の半分の駆動能力しかないために、図2
(c)に示すように、出力のレベルが完全にハイレベル
かローレベルになるまでに時間がかかる。しかし、増幅
回路3Aの動作電流のピーク電流は、従来の半分にな
る。
【0016】増幅回路3Aだけではアクセスタイムが遅
れるので、図2(b)に示すように、時点T2で増幅回
路3Bの活性化信号SBをハイレベルにする。これによ
って増幅回路3Aにより増幅されたデータバス対2のデ
ータが増幅回路3Bによってさらに高速に伝えられる。
これによって時点T4で完全にデータバス対のデータが
出力制御回路6にセットされる。
【0017】増幅回路3A、3Bが同時に動作している
ため動作電流が大きくなるので、図2(b)に示すよう
に、時点T3で活性化信号SAをローレベルにして増幅
回路3Aの動作を停止させる。出力制御回路6にデータ
バス対2のデータがセットされると出力端子7に上記デ
ータが出力される。
【0018】出力制御回路6にデータバス対2のデータ
がセットされているので、時点T5で活性化信号SBが
ローレベルになり増幅回路3Bの動作を停止させる。こ
の時の増幅回路3Bの動作時の電源電流のピーク電流値
は従来の半分程度になる。
【0019】この発明の実施例1は、前述したように、
メモリアレイ1と、出力制御回路6の2カ所に増幅回路
3A、3Bを配置し、メモリアレイ1側の増幅回路3A
を動作させた後に出力制御回路6側の増幅回路3Bを動
作させる。すなわち、従来の増幅回路3より駆動能力が
半分の2組の増幅回路3A、3Bを2回に分けて動作さ
せているので、電源電流のピーク電流値を小さくするこ
とができるという効果を奏する。また、メモリアレイ1
側と出力制御回路6側に増幅回路3A、3Bを配置して
いるので、増幅回路3A、3Bの負荷が軽くなるために
アクセスタイムも遅れることもない。
【0020】
【発明の効果】この発明の請求項1に係るダイナミック
RAMは、以上説明したとおり、メモリアレイ側に設け
られ前記メモリアレイのデータを増幅する第1の増幅回
路と、出力制御回路側に設けられ前記第1の増幅回路が
動作された後で前記第1の増幅回路の出力を増幅する第
2の増幅回路とを備えたので、アクセスタイムを遅らせ
ることもなく、電源電流のピーク電流値を抑えることが
でき、電源ノイズによる誤動作を防止することができる
という効果を奏する。
【0021】この発明の請求項2に係るダイナミックR
AMは、以上説明したとおり、メモリアレイの出力側に
設けられ前記メモリアレイのデータを増幅し所定時間経
過後に動作を停止する第1の増幅回路と、出力制御回路
の入力側に設けられ前記第1の増幅回路が動作された後
で前記第1の増幅回路の出力を増幅する第2の増幅回路
とを備えたので、アクセスタイムを遅らせることもな
く、電源電流のピーク電流値を抑えることができ、電源
ノイズによる誤動作を防止することができるという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1を示すブロック図である。
【図2】この発明の実施例1の動作を示すタイミングチ
ャートである。
【図3】従来のダイナミックRAMを示すブロック図で
ある。
【符号の説明】
1 メモリアレイ 2 データバス対 3A、3B 増幅回路 6 出力制御回路 7 出力端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリアレイ側に設けられ前記メモリア
    レイのデータを増幅する第1の増幅回路、及び出力制御
    回路側に設けられ前記第1の増幅回路が動作された後で
    前記第1の増幅回路の出力を増幅する第2の増幅回路を
    備えたことを特徴とするダイナミックRAM。
  2. 【請求項2】 メモリアレイの出力側に設けられ前記メ
    モリアレイのデータを増幅し所定時間経過後に動作を停
    止する第1の増幅回路、及び出力制御回路の入力側に設
    けられ前記第1の増幅回路が動作された後で前記第1の
    増幅回路の出力を増幅する第2の増幅回路を備えたこと
    を特徴とするダイナミックRAM。
JP4010157A 1992-01-23 1992-01-23 ダイナミックram Pending JPH05205470A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4010157A JPH05205470A (ja) 1992-01-23 1992-01-23 ダイナミックram

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4010157A JPH05205470A (ja) 1992-01-23 1992-01-23 ダイナミックram

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Publication Number Publication Date
JPH05205470A true JPH05205470A (ja) 1993-08-13

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ID=11742446

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4010157A Pending JPH05205470A (ja) 1992-01-23 1992-01-23 ダイナミックram

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