JPH05199178A - 受光装置 - Google Patents
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- JPH05199178A JPH05199178A JP4008621A JP862192A JPH05199178A JP H05199178 A JPH05199178 A JP H05199178A JP 4008621 A JP4008621 A JP 4008621A JP 862192 A JP862192 A JP 862192A JP H05199178 A JPH05199178 A JP H05199178A
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- light
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- signal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外乱光による影響を少なくして、出力信号の
Ｓ／Ｎを向上させる。 【構成】 受光部１を２つの受光ユニットＵ１，Ｕ２に
て構成し、この受光部１の後段に、各受光ユニットＵ
１，Ｕ２からの出力信号Ｓｉ１，Ｓｉ２から、外乱光信
号Ｓｅ１，Ｓｅ２と信号光信号Ｓｓ１，Ｓｓ２とに分離
する分離回路１１ａ，１１ｂと、外乱光信号Ｓｅ１，Ｓ
ｅ２をパラメータｉn とし、重み付け関数Ｘ（ｉn ）に
基いてその関数値を割り出す演算回路１２ａ，１２ｂ
と、分離回路１１ａ，１１ｂからの信号光信号Ｓｓ１，
Ｓｓ２と演算回路１２ａ，１２ｂからの出力信号Ｓｆ
１，Ｓｆ２とを乗算して重み付け信号Ｓ１，Ｓ２を得る
乗算回路１３ａ，１３ｂと、重み付け信号Ｓ１，Ｓ２を
加算する加算回路１４と、加算回路１４からの出力信号
Ｓを復調して出力信号Ｓに重畳されている雑音成分を除
去し、真の出力信号Ｓｉとして出力する復調回路１５か
らなる信号処理回路を設けて構成する。
Ｓ／Ｎを向上させる。 【構成】 受光部１を２つの受光ユニットＵ１，Ｕ２に
て構成し、この受光部１の後段に、各受光ユニットＵ
１，Ｕ２からの出力信号Ｓｉ１，Ｓｉ２から、外乱光信
号Ｓｅ１，Ｓｅ２と信号光信号Ｓｓ１，Ｓｓ２とに分離
する分離回路１１ａ，１１ｂと、外乱光信号Ｓｅ１，Ｓ
ｅ２をパラメータｉn とし、重み付け関数Ｘ（ｉn ）に
基いてその関数値を割り出す演算回路１２ａ，１２ｂ
と、分離回路１１ａ，１１ｂからの信号光信号Ｓｓ１，
Ｓｓ２と演算回路１２ａ，１２ｂからの出力信号Ｓｆ
１，Ｓｆ２とを乗算して重み付け信号Ｓ１，Ｓ２を得る
乗算回路１３ａ，１３ｂと、重み付け信号Ｓ１，Ｓ２を
加算する加算回路１４と、加算回路１４からの出力信号
Ｓを復調して出力信号Ｓに重畳されている雑音成分を除
去し、真の出力信号Ｓｉとして出力する復調回路１５か
らなる信号処理回路を設けて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＰＮ接合による
フォトダイオードを用いた赤外線受光素子を有し、該赤
外線受光素子上にレンズが形成された受光装置に関す
る。
フォトダイオードを用いた赤外線受光素子を有し、該赤
外線受光素子上にレンズが形成された受光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、テレビジョン受像機やＶＴＲ等
では、遠隔制御するために、リモートコマンダに対して
受光手段としての赤外線リモートセンサを有する受光装
置が取り付けられている。この受光装置における赤外線
リモートセンサとしては、従来からＰＩＮダイオードを
用いたフォトディテクタが使用されている。
では、遠隔制御するために、リモートコマンダに対して
受光手段としての赤外線リモートセンサを有する受光装
置が取り付けられている。この受光装置における赤外線
リモートセンサとしては、従来からＰＩＮダイオードを
用いたフォトディテクタが使用されている。
【０００３】そして、このＰＩＮダイオードを用いたフ
ォトディテクタからなる受光部と該受光部からの出力信
号を増幅する回路及び周波数の帯域を制御する回路等か
らなる信号処理回路を例えば金属製の箱に収容して電磁
シールドするようにしている。しかしながら、この電磁
シールドを目的とする上記金属製の箱は、その価格及び
組立工数が必要となり、受光装置の高生産性及び低コス
ト化を阻害する要因となっている。
ォトディテクタからなる受光部と該受光部からの出力信
号を増幅する回路及び周波数の帯域を制御する回路等か
らなる信号処理回路を例えば金属製の箱に収容して電磁
シールドするようにしている。しかしながら、この電磁
シールドを目的とする上記金属製の箱は、その価格及び
組立工数が必要となり、受光装置の高生産性及び低コス
ト化を阻害する要因となっている。
【０００４】そこで、上記不都合を解消させるものとし
て、フォトダイオードからなる受光部と信号処理回路と
を同一基板上に形成してモノリシック化させた赤外線リ
モートセンサが提案されている。そして、図４に示すよ
うに、モノリシック化された上記赤外線リモートセンサ
２１をパッケージ２２内に収容し、更にパッケージ２２
の開口にレンズ２３を設けて受光装置Ｂが構成される。
尚、図４Ｂは、受光装置Ｂに取り付けられるリモートセ
ンサ２１の受光部２４の平面形状を示す。
て、フォトダイオードからなる受光部と信号処理回路と
を同一基板上に形成してモノリシック化させた赤外線リ
モートセンサが提案されている。そして、図４に示すよ
うに、モノリシック化された上記赤外線リモートセンサ
２１をパッケージ２２内に収容し、更にパッケージ２２
の開口にレンズ２３を設けて受光装置Ｂが構成される。
尚、図４Ｂは、受光装置Ｂに取り付けられるリモートセ
ンサ２１の受光部２４の平面形状を示す。
【０００５】そして、従来の受光装置Ｂにおいては、受
光部２４全体を１つのフォトダイオードとして使用し、
レンズ２３にて集光された入射光Ｌがこの受光部２４の
一部に当たることによって発生する光電流を例えば電圧
変換して取り出すようにしている。
光部２４全体を１つのフォトダイオードとして使用し、
レンズ２３にて集光された入射光Ｌがこの受光部２４の
一部に当たることによって発生する光電流を例えば電圧
変換して取り出すようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、モノリシッ
ク化されたリモートセンサ２１の受光部２４を構成する
フォトダイオードは、Ｐ型不純物拡散領域とＮ型不純物
拡散領域とのＰＮ接合によって形成されるため、このＰ
Ｎ接合面にて接合容量が生じる。
ク化されたリモートセンサ２１の受光部２４を構成する
フォトダイオードは、Ｐ型不純物拡散領域とＮ型不純物
拡散領域とのＰＮ接合によって形成されるため、このＰ
Ｎ接合面にて接合容量が生じる。
【０００７】従来の受光装置Ｂにおいては、受光部２４
全体を１つのフォトダイオードとして使用しているた
め、光信号に寄与する入射光Ｌのほかに、その入射光Ｌ
の妨害となる外乱光が存在する場合には、外乱光の入射
によって流れる偽電流がそのままノイズとなり、出力信
号のＳ／Ｎを劣化させ（信号到達距離を短くする）、赤
外線の受光感度を著しく低下させるという不都合があ
る。
全体を１つのフォトダイオードとして使用しているた
め、光信号に寄与する入射光Ｌのほかに、その入射光Ｌ
の妨害となる外乱光が存在する場合には、外乱光の入射
によって流れる偽電流がそのままノイズとなり、出力信
号のＳ／Ｎを劣化させ（信号到達距離を短くする）、赤
外線の受光感度を著しく低下させるという不都合があ
る。
【０００８】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、外乱光による影響を
少なくすることができ、出力信号のＳ／Ｎを向上させる
ことができる受光装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、外乱光による影響を
少なくすることができ、出力信号のＳ／Ｎを向上させる
ことができる受光装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、所定の受光面
積を有する受光部１上にレンズ４が形成され、上記受光
部１の後段に信号処理回路を有する受光装置Ａにおい
て、受光部１を、受光ユニットＵ１及びＵ２にて２個以
上に分割して構成すると共に、信号処理回路に、少なく
とも各受光ユニットＵ１及びＵ２に当たる外乱光量を検
知して、該外乱光の光量が多い受光ユニットＵ１又はＵ
２ほど出力信号Ｓｉ１及びＳｉ２を小さくするような重
み付けを行い、各受光ユニットＵ１及びＵ２からの信号
出力Ｓ１及びＳ２を足し合わせる手段（分離回路１１ａ
及び１１ｂ、演算回路１２ａ及び１２ｂ、乗算回路１３
ａ及び１３ｂ）を設けて構成する。
積を有する受光部１上にレンズ４が形成され、上記受光
部１の後段に信号処理回路を有する受光装置Ａにおい
て、受光部１を、受光ユニットＵ１及びＵ２にて２個以
上に分割して構成すると共に、信号処理回路に、少なく
とも各受光ユニットＵ１及びＵ２に当たる外乱光量を検
知して、該外乱光の光量が多い受光ユニットＵ１又はＵ
２ほど出力信号Ｓｉ１及びＳｉ２を小さくするような重
み付けを行い、各受光ユニットＵ１及びＵ２からの信号
出力Ｓ１及びＳ２を足し合わせる手段（分離回路１１ａ
及び１１ｂ、演算回路１２ａ及び１２ｂ、乗算回路１３
ａ及び１３ｂ）を設けて構成する。
【００１０】
【作用】上述の本発明の構成によれば、受光部１を構成
する複数の受光ユニットＵ１及びＵ２からの出力信号Ｓ
ｉ１及びＳｉ２から、各受光ユニットＵ１及びＵ２に当
たっている外乱光量を検知し、重み付けを行って、該外
乱光量の多い受光ユニットＵ１又はＵ２からの出力信号
Ｓｉ１又はＳｉ２を小さくするようにし、更に各受光ユ
ニットＵ１及びＵ２からの重み付けされた出力信号Ｓ１
及びＳ２を足し合わせて受光装置Ａの出力信号Ｓとした
ので、外乱光が存在する場合において、その外乱光の影
響が少ない出力信号Ｓを得ることができる。
する複数の受光ユニットＵ１及びＵ２からの出力信号Ｓ
ｉ１及びＳｉ２から、各受光ユニットＵ１及びＵ２に当
たっている外乱光量を検知し、重み付けを行って、該外
乱光量の多い受光ユニットＵ１又はＵ２からの出力信号
Ｓｉ１又はＳｉ２を小さくするようにし、更に各受光ユ
ニットＵ１及びＵ２からの重み付けされた出力信号Ｓ１
及びＳ２を足し合わせて受光装置Ａの出力信号Ｓとした
ので、外乱光が存在する場合において、その外乱光の影
響が少ない出力信号Ｓを得ることができる。
【００１１】また、各受光ユニットＵ１及びＵ２からの
重み付けされた出力信号Ｓ１及びＳ２を足し合わせて、
受光装置Ａからの出力信号Ｓとしたので、上記のよう
に、外乱光量の多い受光ユニットＵ１又はＵ２からの出
力信号Ｓ１又はＳ２の信号レベルが小さくなったとして
も、その影響は少なく、全体的にみれば、足し合わされ
た出力信号Ｓは、外乱光の影響が少ない信号成分となっ
ているため、Ｓ／Ｎの高いものとなる。即ち、信号到達
距離が長くなり、赤外線受光感度の向上を実現させるこ
とができる。
重み付けされた出力信号Ｓ１及びＳ２を足し合わせて、
受光装置Ａからの出力信号Ｓとしたので、上記のよう
に、外乱光量の多い受光ユニットＵ１又はＵ２からの出
力信号Ｓ１又はＳ２の信号レベルが小さくなったとして
も、その影響は少なく、全体的にみれば、足し合わされ
た出力信号Ｓは、外乱光の影響が少ない信号成分となっ
ているため、Ｓ／Ｎの高いものとなる。即ち、信号到達
距離が長くなり、赤外線受光感度の向上を実現させるこ
とができる。
【００１２】
【実施例】以下、図１〜図３を参照しながら本発明の実
施例を説明する。図１は、本実施例に係る受光装置Ａを
示す概略構成図である。
施例を説明する。図１は、本実施例に係る受光装置Ａを
示す概略構成図である。
【００１３】この受光装置Ａは、例えばＰ型のシリコン
基板にＮ型の不純物拡散領域（エピタキシャル層）が形
成されて、そのＰＮ接合によるフォトダイオードにて受
光部（図１Ｂ参照）１が構成され、更に同一基板上に受
光部１からの出力信号を増幅する回路及び周波数の帯域
を制御する回路等からなる信号処理回路（図示せず）が
形成されてモノリシック化された赤外線リモートセンサ
２を有する。そして、この赤外線リモートセンサ２をパ
ッケージ３内に収容し、更にこのリモートセンサ２上に
存するパッケージ３の開口にレンズ４を形成してこの受
光装置Ａが構成される。
基板にＮ型の不純物拡散領域（エピタキシャル層）が形
成されて、そのＰＮ接合によるフォトダイオードにて受
光部（図１Ｂ参照）１が構成され、更に同一基板上に受
光部１からの出力信号を増幅する回路及び周波数の帯域
を制御する回路等からなる信号処理回路（図示せず）が
形成されてモノリシック化された赤外線リモートセンサ
２を有する。そして、この赤外線リモートセンサ２をパ
ッケージ３内に収容し、更にこのリモートセンサ２上に
存するパッケージ３の開口にレンズ４を形成してこの受
光装置Ａが構成される。
【００１４】しかして、本例においては、図１Ｂに示す
ように、縦約１ｍｍ、横約２ｍｍの大きさを有する長方
形状の受光部１が、左右２分割されて構成されている。
即ち、縦約１ｍｍ、横約１ｍｍの受光ユニットＵ１及び
Ｕ２が左右に配列された形に形成されている。これら受
光ユニットＵ１及びＵ２間の分離は、例えば、高濃度の
Ｐ型不純物拡散による素子分離領域にて行われる。この
とき、素子分離領域上に選択酸化によるフィールド絶縁
層を形成するようにしてもよい。
ように、縦約１ｍｍ、横約２ｍｍの大きさを有する長方
形状の受光部１が、左右２分割されて構成されている。
即ち、縦約１ｍｍ、横約１ｍｍの受光ユニットＵ１及び
Ｕ２が左右に配列された形に形成されている。これら受
光ユニットＵ１及びＵ２間の分離は、例えば、高濃度の
Ｐ型不純物拡散による素子分離領域にて行われる。この
とき、素子分離領域上に選択酸化によるフィールド絶縁
層を形成するようにしてもよい。
【００１５】次に、受光部１の後段に設けられる信号処
理回路は、図２に示すように、各受光ユニットＵ１及び
Ｕ２に対応して接続される２つの分離回路１１ａ及び１
１ｂと、２つの演算回路１２ａ及び１２ｂと、２つの乗
算回路１３ａ及び１３ｂを有し、更にその後段に加算回
路１４と復調回路１５が設けられて構成される。
理回路は、図２に示すように、各受光ユニットＵ１及び
Ｕ２に対応して接続される２つの分離回路１１ａ及び１
１ｂと、２つの演算回路１２ａ及び１２ｂと、２つの乗
算回路１３ａ及び１３ｂを有し、更にその後段に加算回
路１４と復調回路１５が設けられて構成される。
【００１６】分離回路１１ａ及び１１ｂは、各受光ユニ
ットＵ１及びＵ２からの出力信号Ｓｉ１及びＳｉ２を、
外乱光量に応じた外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２と、信号
光量に応じた信号光信号Ｓｓ１及びＳｓ２とに分離し、
そのうち、外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２を演算回路１２
ａ及び１２ｂ側に夫々出力し、信号光信号Ｓｓ１及びＳ
ｓ２を後段の乗算回路１３ａ及び１３ｂに夫々出力する
ものである。
ットＵ１及びＵ２からの出力信号Ｓｉ１及びＳｉ２を、
外乱光量に応じた外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２と、信号
光量に応じた信号光信号Ｓｓ１及びＳｓ２とに分離し、
そのうち、外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２を演算回路１２
ａ及び１２ｂ側に夫々出力し、信号光信号Ｓｓ１及びＳ
ｓ２を後段の乗算回路１３ａ及び１３ｂに夫々出力する
ものである。
【００１７】ここで、外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２の発
生は、受光装置Ａの周辺に設置された例えば照明器具等
からの照明光によるところが多く、各受光ユニットＵ１
及びＵ２からの出力信号Ｓｉ１及びＳｉ２のうち、直流
電流成分が外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２を構成すること
になる。一方、信号光信号Ｓｓ１及びＳｓ２は、上記出
力信号Ｓｉ１及びＳｉ２のうち、交流電流成分で構成さ
れる。従って、分離回路１１ａ及び１１ｂの回路構成と
しては、直流電流成分と交流電流成分を分離するもので
よく、既知の回路にて構成することができる。
生は、受光装置Ａの周辺に設置された例えば照明器具等
からの照明光によるところが多く、各受光ユニットＵ１
及びＵ２からの出力信号Ｓｉ１及びＳｉ２のうち、直流
電流成分が外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２を構成すること
になる。一方、信号光信号Ｓｓ１及びＳｓ２は、上記出
力信号Ｓｉ１及びＳｉ２のうち、交流電流成分で構成さ
れる。従って、分離回路１１ａ及び１１ｂの回路構成と
しては、直流電流成分と交流電流成分を分離するもので
よく、既知の回路にて構成することができる。
【００１８】また、演算回路１２ａ及び１２ｂは、分離
回路１１ａ及び１１ｂからの外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ
２をパラメータｉn とし、以下の数１で示す重み付け関
数Ｘ（ｉn ）に基いて、その関数値を求めるものであ
る。
回路１１ａ及び１１ｂからの外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ
２をパラメータｉn とし、以下の数１で示す重み付け関
数Ｘ（ｉn ）に基いて、その関数値を求めるものであ
る。
【数１】
【００１９】この演算回路１２ａ及び１２ｂは、外乱光
信号Ｓｅ１及びＳｅ２に応じて負荷抵抗を選択するアナ
ログ回路にて構成するようにしてもよいし、その前段に
おいて、外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２をＡ／Ｄ変換器に
てデジタル信号に変換した後、そのデジタル信号に基い
て演算を行う、ＣＰＵを主体としたデジタル回路にて構
成することもできる。
信号Ｓｅ１及びＳｅ２に応じて負荷抵抗を選択するアナ
ログ回路にて構成するようにしてもよいし、その前段に
おいて、外乱光信号Ｓｅ１及びＳｅ２をＡ／Ｄ変換器に
てデジタル信号に変換した後、そのデジタル信号に基い
て演算を行う、ＣＰＵを主体としたデジタル回路にて構
成することもできる。
【００２０】乗算回路１３ａ及び１３ｂは、演算回路１
２ａ及び１２ｂからの出力信号Ｓｆ１及びＳｆ２と、分
離回路１１ａ及び１１ｂからの信号光信号Ｓｓ１及びＳ
ｓ２とを乗算し、重み付け信号Ｓ１及びＳ２として後段
の加算回路１４に出力するものである。従って、上記重
み付け関数Ｘ（ｉn ）からわかるように、外乱光信号Ｓ
ｅ１及びＳｅ２の信号レベルが大きくなるほど、関数値
が小さくなり、それに伴って、乗算回路１３ａ及び１３
ｂからの重み付け信号Ｓｆ１及びＳｆ２の信号レベルも
小さくなる。
２ａ及び１２ｂからの出力信号Ｓｆ１及びＳｆ２と、分
離回路１１ａ及び１１ｂからの信号光信号Ｓｓ１及びＳ
ｓ２とを乗算し、重み付け信号Ｓ１及びＳ２として後段
の加算回路１４に出力するものである。従って、上記重
み付け関数Ｘ（ｉn ）からわかるように、外乱光信号Ｓ
ｅ１及びＳｅ２の信号レベルが大きくなるほど、関数値
が小さくなり、それに伴って、乗算回路１３ａ及び１３
ｂからの重み付け信号Ｓｆ１及びＳｆ２の信号レベルも
小さくなる。
【００２１】このようなことから、各受光ユニットＵ１
及びＵ２毎に接続された分離回路１１ａ及び１１ｂ、演
算回路１２ａ及び１２ｂ、乗算回路１３ａ及び１３ｂ
は、各受光ユニットＵ１及びＵ２にて受光した外乱光量
が多いほど、その受光ユニットＵ１又はＵ２からの出力
信号Ｓｉ１又はＳｉ２を小さくするような重み付けを行
う重み付け回路を構成する。
及びＵ２毎に接続された分離回路１１ａ及び１１ｂ、演
算回路１２ａ及び１２ｂ、乗算回路１３ａ及び１３ｂ
は、各受光ユニットＵ１及びＵ２にて受光した外乱光量
が多いほど、その受光ユニットＵ１又はＵ２からの出力
信号Ｓｉ１又はＳｉ２を小さくするような重み付けを行
う重み付け回路を構成する。
【００２２】加算回路１４は、各乗算回路１３ａ及び１
３ｂからの重み付け信号Ｓ１及びＳ２を足し合わせ、出
力信号Ｓとして後段の復調回路１５に供給するものであ
る。復調回路１５は、加算回路１４からの出力信号Ｓを
復調して該出力信号Ｓに重畳されている雑音成分を除去
して真の出力信号Ｓｉとして出力するものである。
３ｂからの重み付け信号Ｓ１及びＳ２を足し合わせ、出
力信号Ｓとして後段の復調回路１５に供給するものであ
る。復調回路１５は、加算回路１４からの出力信号Ｓを
復調して該出力信号Ｓに重畳されている雑音成分を除去
して真の出力信号Ｓｉとして出力するものである。
【００２３】次に、本実施例に係る受光装置Ａの出力信
号Ｓｉと、従来例に係る受光装置Ｂ（図４参照）の出力
信号のＳ／Ｎの違いを図３に基いて説明する。ここで、
図３Ａは本実施例に係る受光部１を示し、図３Ｂは従来
例に係る受光部２４を示す。
号Ｓｉと、従来例に係る受光装置Ｂ（図４参照）の出力
信号のＳ／Ｎの違いを図３に基いて説明する。ここで、
図３Ａは本実施例に係る受光部１を示し、図３Ｂは従来
例に係る受光部２４を示す。
【００２４】今、図３Ａに示すように、受光部１の中央
部分に信号光が当り、右側の受光ユニットＵ２のみに外
乱光（斜線で示す）が当たっている場合を想定する。こ
のとき、左側の受光ユニットＵ１に信号光電流＝１、外
乱光電流＝０が流れ、右側の受光ユニットＵ２に信号光
電流＝１、外乱光電流＝１００が流れているとすると、
本実施例のＳ／Ｎは、以下の数２で表される。
部分に信号光が当り、右側の受光ユニットＵ２のみに外
乱光（斜線で示す）が当たっている場合を想定する。こ
のとき、左側の受光ユニットＵ１に信号光電流＝１、外
乱光電流＝０が流れ、右側の受光ユニットＵ２に信号光
電流＝１、外乱光電流＝１００が流れているとすると、
本実施例のＳ／Ｎは、以下の数２で表される。
【数２】
【００２５】一方、従来例においては、同様の条件、即
ち、図３Ｂにおいて、受光部２４の中央部分に信号光が
当り、受光部２４の右側のみに外乱光（斜線で示す）が
当たっている場合、そのＳ／Ｎは以下の数３で表され
る。
ち、図３Ｂにおいて、受光部２４の中央部分に信号光が
当り、受光部２４の右側のみに外乱光（斜線で示す）が
当たっている場合、そのＳ／Ｎは以下の数３で表され
る。
【数３】
【００２６】上記数２及び数３から、本実施例に係る受
光装置Ａにおいては、従来例に係る受光装置Ｂに比べて
約５倍程度、出力信号のＳ／Ｎを向上させることができ
る。
光装置Ａにおいては、従来例に係る受光装置Ｂに比べて
約５倍程度、出力信号のＳ／Ｎを向上させることができ
る。
【００２７】上述のように、本例によれば、受光部１を
構成する複数の受光ユニットＵ１及びＵ２からの出力信
号Ｓｉ１及びＳｉ２から、各受光ユニットＵ１及びＵ２
に当たっている外乱光量を検知し、重み付けを行って、
該外乱光量の多い受光ユニットＵ１又はＵ２からの出力
信号Ｓｉ１又はＳｉ２を小さくするようにし、更に各受
光ユニットＵ１及びＵ２からの重み付けされた出力信号
Ｓ１及びＳ２を足し合わせて受光装置Ａの出力信号Ｓと
したので、外乱光が存在する場合において、その外乱光
の影響が少ない出力信号Ｓを得ることができる。
構成する複数の受光ユニットＵ１及びＵ２からの出力信
号Ｓｉ１及びＳｉ２から、各受光ユニットＵ１及びＵ２
に当たっている外乱光量を検知し、重み付けを行って、
該外乱光量の多い受光ユニットＵ１又はＵ２からの出力
信号Ｓｉ１又はＳｉ２を小さくするようにし、更に各受
光ユニットＵ１及びＵ２からの重み付けされた出力信号
Ｓ１及びＳ２を足し合わせて受光装置Ａの出力信号Ｓと
したので、外乱光が存在する場合において、その外乱光
の影響が少ない出力信号Ｓを得ることができる。
【００２８】また、各受光ユニットＵ１及びＵ２からの
重み付けされた出力信号Ｓ１及びＳ２を足し合わせて、
受光装置Ａからの出力信号Ｓとしたので、上記のよう
に、外乱光量の多い受光ユニットＵ１又はＵ２からの出
力信号Ｓｉ１又はＳｉ２の信号レベルが小さくなったと
しても、その影響は少なく、全体的にみれば、足し合わ
された出力信号Ｓは、外乱光の影響が少ない信号成分と
なっているため、Ｓ／Ｎの高いものとなる。このことか
ら、信号到達距離が長くなり、赤外線受光感度の向上を
実現させることができる。
重み付けされた出力信号Ｓ１及びＳ２を足し合わせて、
受光装置Ａからの出力信号Ｓとしたので、上記のよう
に、外乱光量の多い受光ユニットＵ１又はＵ２からの出
力信号Ｓｉ１又はＳｉ２の信号レベルが小さくなったと
しても、その影響は少なく、全体的にみれば、足し合わ
された出力信号Ｓは、外乱光の影響が少ない信号成分と
なっているため、Ｓ／Ｎの高いものとなる。このことか
ら、信号到達距離が長くなり、赤外線受光感度の向上を
実現させることができる。
【００２９】尚、上記実施例では、各受光ユニットＵ１
及びＵ２の形状を正方形状としたが、その他、正方形以
外でもよく、その形状は任意であり、しかも各受光ユニ
ットＵ１及びＵ２の面積は等しくなくてもよい。また、
受光部１の分割数、即ち受光ユニットＵの個数は幾つで
もよい。
及びＵ２の形状を正方形状としたが、その他、正方形以
外でもよく、その形状は任意であり、しかも各受光ユニ
ットＵ１及びＵ２の面積は等しくなくてもよい。また、
受光部１の分割数、即ち受光ユニットＵの個数は幾つで
もよい。
【００３０】また、各受光ユニットＵ１及びＵ２からの
出力信号Ｓｉ１及びＳｉ２の重み付け関数Ｘ（ｉn ）
は、外乱光の当たっている受光ユニットＵ１又はＵ２か
らの出力信号Ｓｉ１又はＳｉ２を小さくするものであれ
ば、いかなる関数でもよく、各受光ユニットＵ１及びＵ
２によって、異なる関数を用いてもよい。
出力信号Ｓｉ１及びＳｉ２の重み付け関数Ｘ（ｉn ）
は、外乱光の当たっている受光ユニットＵ１又はＵ２か
らの出力信号Ｓｉ１又はＳｉ２を小さくするものであれ
ば、いかなる関数でもよく、各受光ユニットＵ１及びＵ
２によって、異なる関数を用いてもよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係る受光装置によれば、外乱光
による影響を少なくすることができ、出力信号のＳ／Ｎ
を向上させることができる。
による影響を少なくすることができ、出力信号のＳ／Ｎ
を向上させることができる。
【図１】Ａは、本実施例に係る受光装置を示す概略構成
図。Ｂは、本実施例に係る受光部を示す概略構成図。
図。Ｂは、本実施例に係る受光部を示す概略構成図。
【図２】本実施例に係る信号処理回路を示すブロック線
図。
図。
【図３】本実施例に係る受光装置の出力信号と従来例に
係る受光装置の出力信号のＳ／Ｎの違いを示す説明にお
いて、その一条件を示す説明図。
係る受光装置の出力信号のＳ／Ｎの違いを示す説明にお
いて、その一条件を示す説明図。
【図４】Ａは、従来例に係る受光装置を示す概略構成
図。Ｂは、従来例に係る受光部を示す概略構成図。
図。Ｂは、従来例に係る受光部を示す概略構成図。
Ａ 受光装置 Ｕ１，Ｕ２ 受光ユニット １ 受光部 ２ リモートセンサ ３ パッケージ ４ レンズ １１ａ，１１ｂ 分離回路 １２ａ，１２ｂ 演算回路 １３ａ，１３ｂ 乗算回路 １４ 加算回路 １５ 復調回路
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の受光面積を有する受光部上にレン
ズが形成され、上記受光部の後段に信号処理回路を有す
る受光装置において、 上記受光部が、受光ユニットにて２個以上に分割されて
構成されると共に、上記信号処理回路に、少なくとも各
受光ユニットに当たる外乱光量を検知し、該外乱光量が
多い受光ユニットほど出力信号を小さくするような重み
付けを行い、各受光ユニットからの信号出力を足し合わ
せる手段を有することを特徴とする受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008621A JPH05199178A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008621A JPH05199178A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05199178A true JPH05199178A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11698017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4008621A Pending JPH05199178A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05199178A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7633075B2 (en) | 2007-09-28 | 2009-12-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Through hole formation state detecting device and electronic timepiece using the detecting device |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP4008621A patent/JPH05199178A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7633075B2 (en) | 2007-09-28 | 2009-12-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Through hole formation state detecting device and electronic timepiece using the detecting device |
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