JPS6091668A - 受光集積素子 - Google Patents
受光集積素子Info
- Publication number
- JPS6091668A JPS6091668A JP20015883A JP20015883A JPS6091668A JP S6091668 A JPS6091668 A JP S6091668A JP 20015883 A JP20015883 A JP 20015883A JP 20015883 A JP20015883 A JP 20015883A JP S6091668 A JPS6091668 A JP S6091668A
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- JP
- Japan
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- diode
- substrate
- region
- light
- output currents
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、任意の成長の元のみに敏感な受光集積素子に
関するものである。
関するものである。
任意の波長の元のみに敏感な受光素子に関しては、従来
より可視光カットフィルターを外付けしたフォトダイオ
ード等の方法が知られているが、次のような欠点を有し
ている。
より可視光カットフィルターを外付けしたフォトダイオ
ード等の方法が知られているが、次のような欠点を有し
ている。
可視光カットフィルターを外付けしなければならず、実
装面積が大きくなる。又、可視）゛０カットフィルタは
赤外ブ０も一部吸収し、フォトダイオードへの入射光量
が小さくなる。あるいは、赤外光をほとんど吸収しない
フィルターは可視光も一部透過させる。本発明はかかる
欠点を除去したものである。
装面積が大きくなる。又、可視）゛０カットフィルタは
赤外ブ０も一部吸収し、フォトダイオードへの入射光量
が小さくなる。あるいは、赤外光をほとんど吸収しない
フィルターは可視光も一部透過させる。本発明はかかる
欠点を除去したものである。
本発明は、半導体基板内に形成した受光素子及び集積回
路自体に、光学フィルターとしての特性をもたせること
により実装面積が小さくなり、低価格化、高信頼性化で
きる受光集積素子を提供することにある。
路自体に、光学フィルターとしての特性をもたせること
により実装面積が小さくなり、低価格化、高信頼性化で
きる受光集積素子を提供することにある。
以下′Ａ施例に基づいて本発明の詳細な説明する第１図
に赤外光に敏感な受光集積素子を実現する本発明による
フォトダイオード断ｕＩＪ図を示す。
に赤外光に敏感な受光集積素子を実現する本発明による
フォトダイオード断ｕＩＪ図を示す。
ｎ型半棉体基板１上に形成されたＰ″″拡散領域２．Ｐ
＋拡散領域３は、接合深さが異なるため、分光愚直が、
第２図に示すように異なっている。
＋拡散領域３は、接合深さが異なるため、分光愚直が、
第２図に示すように異なっている。
すなわぢ、接合の深い１−２間ダイオードの分光感度曲
線４と、接合の浅い１−３間ダイオードの分光ＩＦＡ度
曲線曲線では明らかに異なる。そのため、１−２間ダイ
オード出力電流工凰と１−３間ダイオード出力篭流工、
との差（工１−工？ ンをとれば赤外９°０のみに鋭敏
な受光集積素子となる。第３図に前記回路の実現例を示
す。ここでフォトダイオード６は接合の浅いダイオード
、フォトダイオード７は接合の深いダイオードである。
線４と、接合の浅い１−３間ダイオードの分光ＩＦＡ度
曲線曲線では明らかに異なる。そのため、１−２間ダイ
オード出力電流工凰と１−３間ダイオード出力篭流工、
との差（工１−工？ ンをとれば赤外９°０のみに鋭敏
な受光集積素子となる。第３図に前記回路の実現例を示
す。ここでフォトダイオード６は接合の浅いダイオード
、フォトダイオード７は接合の深いダイオードである。
０ＭＯ８集積回路におけるＰＷＫＬＬ−Ｎ基板間ダイオ
ードを７に、Ｐ＋拡散−Ｎ基板間ダイオードを６にすれ
ば、０Ｍ０ＥＩ集積回ＴｋＩＭ造プロセスで不回路は実
現できる。このような概念で実際の回路としたものが第
４図である。ここでは、７のダイオードに比ベロのダイ
オードの容量が大きく、出力′屯ｊ＋ｉｉ；能力が少さ
いため、７のダイオード出力電流を増幅したのち、遅延
回路８で信号を遅らせ、位相を整合させ、又、６のダイ
オードの出力電流を２回増幅し、絶対値を７の出方電流
とあわせている。この両者の信号を減算することにより
螢光灯等の外来ノイズに対しては、不感性となり８ ／
Ｎ比が改善される。又、より外来ノイズ等に対して強
くさらに位相の微妙な不整台分を除失するために、シュ
ミット・トリガー回路を経て出力している。
ードを７に、Ｐ＋拡散−Ｎ基板間ダイオードを６にすれ
ば、０Ｍ０ＥＩ集積回ＴｋＩＭ造プロセスで不回路は実
現できる。このような概念で実際の回路としたものが第
４図である。ここでは、７のダイオードに比ベロのダイ
オードの容量が大きく、出力′屯ｊ＋ｉｉ；能力が少さ
いため、７のダイオード出力電流を増幅したのち、遅延
回路８で信号を遅らせ、位相を整合させ、又、６のダイ
オードの出力電流を２回増幅し、絶対値を７の出方電流
とあわせている。この両者の信号を減算することにより
螢光灯等の外来ノイズに対しては、不感性となり８ ／
Ｎ比が改善される。又、より外来ノイズ等に対して強
くさらに位相の微妙な不整台分を除失するために、シュ
ミット・トリガー回路を経て出力している。
また、第４図の減算・シュミット・トリガー回路１０に
、比較回路を設け、正負を判別することにより、赤外、
赤外色と黄色、緑色との判別をすることが可能となる。
、比較回路を設け、正負を判別することにより、赤外、
赤外色と黄色、緑色との判別をすることが可能となる。
本発明は、同一基板上に形成した検数のフォトダイオー
ドと、その出力電流を増幅・演算専行なう回路を同時に
形成することが出来、任慧の波長依存性を有し、Ｅｌ／
Ｎ比の改善部品点数の減少、実装面積の減少、低価格化
、高信頼性などすぐれた効果を有する。
ドと、その出力電流を増幅・演算専行なう回路を同時に
形成することが出来、任慧の波長依存性を有し、Ｅｌ／
Ｎ比の改善部品点数の減少、実装面積の減少、低価格化
、高信頼性などすぐれた効果を有する。
また本発明で、ＭＯＢ集’＄ １１！ｌ路のみならず、
バイポーラ集積回路等に於ても同様に作成するととがで
きる。
バイポーラ集積回路等に於ても同様に作成するととがで
きる。
又、本発明に於て、外来元等雑音に強い耐性を有した赤
外受光電子となり、赤外１．ＫＤ等を光源とした、外来
光に影響されにくいフォト・インタラプタ、フォト・す
７レクタ等を可視光カットフィルタ等を付加することな
しに、容易に形成できる。
外受光電子となり、赤外１．ＫＤ等を光源とした、外来
光に影響されにくいフォト・インタラプタ、フォト・す
７レクタ等を可視光カットフィルタ等を付加することな
しに、容易に形成できる。
第１図は本発明による複数のフォトダイオード断聞図。
第２図は、第１図フォトダイオードの分光感度曲線。
第６図は、本発明回路の概念図。
第４図は、本究明回路の一実施例。
以 上
出願人 株式会社諏訪精工菅
先 源
第２肥
Claims (2)
- （１） 元の波長に対し感度の異なる複数のフォトダイ
オードを同一基板上に形成し、それぞれのフォトダイオ
ード出力電流を信号処理することにより、任意の波長の
光のみに敏感な素子として用いることを特徴とする受う
°Ｃ集積系子。 - （２）ｏｕｏｓプロセスを用い、受光素子として、？Ｉ
型基板−Ｐ型ＷＥＬＬ間ダイオードと％型基板−Ｐ型関
濃度拡散間ダイオードを用いることを特徴とする符ｉｔ
’ｆ 請求の軛囲第１項記載の受光集積素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20015883A JPS6091668A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 受光集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20015883A JPS6091668A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 受光集積素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091668A true JPS6091668A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16419750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20015883A Pending JPS6091668A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 受光集積素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091668A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5506430A (en) * | 1992-03-03 | 1996-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pick-up device with differing capacitances |
| US8330090B2 (en) | 2007-05-07 | 2012-12-11 | Nxp, B.V. | Photosensitive device and method of manufacturing a photosensitive device using nanowire diodes |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP20015883A patent/JPS6091668A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5506430A (en) * | 1992-03-03 | 1996-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pick-up device with differing capacitances |
| US8330090B2 (en) | 2007-05-07 | 2012-12-11 | Nxp, B.V. | Photosensitive device and method of manufacturing a photosensitive device using nanowire diodes |
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