JPH05198502A - 半導体の製造方法 - Google Patents
半導体の製造方法Info
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- JPH05198502A JPH05198502A JP4168416A JP16841692A JPH05198502A JP H05198502 A JPH05198502 A JP H05198502A JP 4168416 A JP4168416 A JP 4168416A JP 16841692 A JP16841692 A JP 16841692A JP H05198502 A JPH05198502 A JP H05198502A
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- Japan
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- fluororesin
- protective film
- semiconductor
- surfactant
- polymer
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】保護膜としてフッ素樹脂薄膜を有する半導体
で、保護膜の機能を損なうことなく、配線用の接続穴を
保護膜に形成する等の微細加工を可能にする。 【構成】保護膜上にフォトレジスト層を形成し、露光、
現像、エッチングを行うことにより微細加工するにあた
り、フォトレジスト層を均一に形成せしめるために、フ
ォトレジスト溶液塗布前に界面活性剤を添加した密着性
改良剤塗布する、または、界面活性剤を添加したフォト
レジスト溶液を使用する。
で、保護膜の機能を損なうことなく、配線用の接続穴を
保護膜に形成する等の微細加工を可能にする。 【構成】保護膜上にフォトレジスト層を形成し、露光、
現像、エッチングを行うことにより微細加工するにあた
り、フォトレジスト層を均一に形成せしめるために、フ
ォトレジスト溶液塗布前に界面活性剤を添加した密着性
改良剤塗布する、または、界面活性剤を添加したフォト
レジスト溶液を使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面エネルギーの低い
フッ素樹脂を保護膜として用いた、半導体の製造方法に
関するものである。
フッ素樹脂を保護膜として用いた、半導体の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般にフッ素樹脂は溶媒に不溶で
あるためにコーティングによる薄膜形成は困難であった
が、特開昭６３−２３８１１１号公報、特開昭６３−２
６０９３２号公報、米国特許４７５４００９号明細書に
見られるように特殊な溶媒に溶解するフッ素樹脂が考案
され、その電気特性、低吸水性等を活かして半導体保護
膜等の用途への応用が欧州特許０３９３６８２号明細書
に記載されている。
あるためにコーティングによる薄膜形成は困難であった
が、特開昭６３−２３８１１１号公報、特開昭６３−２
６０９３２号公報、米国特許４７５４００９号明細書に
見られるように特殊な溶媒に溶解するフッ素樹脂が考案
され、その電気特性、低吸水性等を活かして半導体保護
膜等の用途への応用が欧州特許０３９３６８２号明細書
に記載されている。
【０００３】一方、半導体保護膜に用いられる有機薄膜
は、配線用の接続をとるために、部分的に穴あけ加工等
の微細加工を施す必要があり、そのためにフォトレジス
トを使ったフォトリソグラフィー法が用いられる。
は、配線用の接続をとるために、部分的に穴あけ加工等
の微細加工を施す必要があり、そのためにフォトレジス
トを使ったフォトリソグラフィー法が用いられる。
【０００４】しかし、上記のフッ素樹脂は、フッ素含有
量が高く表面エネルギーが極めて低いために、フォトレ
ジストの溶液をはじいてしまい、スピンコート等により
均一に塗布することが困難で、フォトリソグラフィーに
よる微細加工がやりにくいといった問題があった。
量が高く表面エネルギーが極めて低いために、フォトレ
ジストの溶液をはじいてしまい、スピンコート等により
均一に塗布することが困難で、フォトリソグラフィーに
よる微細加工がやりにくいといった問題があった。
【０００５】また、一般にフォトレジストの均一塗布性
を上げるために、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）
等の密着性改良剤を液状コーティングし、その上にフォ
トレジストを塗布してフォトリソグラフィーを行うとい
う方法がとられることがあるが、上記のフッ素樹脂の場
合、これらの溶液をもはじいてしまい、コーティングに
よる密着性の改良が困難であるために、密着性改良剤を
加熱して蒸気による処理を行うか、金属等の蒸着等の方
法により表面のぬれ性を改善しなければならないといっ
た問題があった。
を上げるために、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）
等の密着性改良剤を液状コーティングし、その上にフォ
トレジストを塗布してフォトリソグラフィーを行うとい
う方法がとられることがあるが、上記のフッ素樹脂の場
合、これらの溶液をもはじいてしまい、コーティングに
よる密着性の改良が困難であるために、密着性改良剤を
加熱して蒸気による処理を行うか、金属等の蒸着等の方
法により表面のぬれ性を改善しなければならないといっ
た問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述のよう
なフッ素樹脂を保護膜として用いた半導体の製造方法に
認められる欠点を解消し、電気特性、耐水性に優れた半
導体の製造方法を新規に提供することを目的とするもの
である。
なフッ素樹脂を保護膜として用いた半導体の製造方法に
認められる欠点を解消し、電気特性、耐水性に優れた半
導体の製造方法を新規に提供することを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
の認識に基づいて、鋭意検討を重ねた結果、界面活性剤
をフォトレジストまたは密着性改良剤の液中に添加する
ことにより、低表面エネルギーのフッ素樹脂の微細加工
が可能であり、該フッ素樹脂の保護膜を有する半導体の
製造が可能であることを新規に見いだすに至った。
の認識に基づいて、鋭意検討を重ねた結果、界面活性剤
をフォトレジストまたは密着性改良剤の液中に添加する
ことにより、低表面エネルギーのフッ素樹脂の微細加工
が可能であり、該フッ素樹脂の保護膜を有する半導体の
製造が可能であることを新規に見いだすに至った。
【０００８】かくして本発明は、上記知見に基づいて完
成されたものであり、保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を
有する半導体の製造において、フッ素樹脂の表面に、界
面活性剤を添加したフォトレジスト溶液を塗布し、次い
で露光、現像、エッチングを行うことによってフッ素樹
脂の微細加工を行うことを特徴とする半導体の製造方
法、および、保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半
導体の製造において、フッ素樹脂の表面に、界面活性剤
を添加した液体を塗布し、ついでフォトレジストの溶液
を塗布し、次いで露光、現像、エッチングを行うことに
よってフッ素樹脂の微細加工を行うことを特徴とする半
導体の製造方法、を新規に提供する。
成されたものであり、保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を
有する半導体の製造において、フッ素樹脂の表面に、界
面活性剤を添加したフォトレジスト溶液を塗布し、次い
で露光、現像、エッチングを行うことによってフッ素樹
脂の微細加工を行うことを特徴とする半導体の製造方
法、および、保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半
導体の製造において、フッ素樹脂の表面に、界面活性剤
を添加した液体を塗布し、ついでフォトレジストの溶液
を塗布し、次いで露光、現像、エッチングを行うことに
よってフッ素樹脂の微細加工を行うことを特徴とする半
導体の製造方法、を新規に提供する。
【０００９】本発明において、フッ素樹脂としては、テ
トラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、
ヘキサフルオロプロピレン、パーフルオロアルキルビニ
ルエーテル、等の含フッ素モノマーを単独あるいは共重
合させてさせて得られるフッ素樹脂、含フッ素ポリイミ
ド、含フッ素アクリル系重合体、含フッ素脂肪族環構造
を有する重合体、等が例示可能であるが、コーティング
により薄膜の形成が可能であるという点、誘電率が低く
半導体素子の応答速度向上が期待できる点、吸水率が低
く素子の耐湿安定性向上が期待できるという点から、含
フッ素脂肪族環構造を有するポリマーが好ましい。
トラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、
ヘキサフルオロプロピレン、パーフルオロアルキルビニ
ルエーテル、等の含フッ素モノマーを単独あるいは共重
合させてさせて得られるフッ素樹脂、含フッ素ポリイミ
ド、含フッ素アクリル系重合体、含フッ素脂肪族環構造
を有する重合体、等が例示可能であるが、コーティング
により薄膜の形成が可能であるという点、誘電率が低く
半導体素子の応答速度向上が期待できる点、吸水率が低
く素子の耐湿安定性向上が期待できるという点から、含
フッ素脂肪族環構造を有するポリマーが好ましい。
【００１０】本発明において、含フッ素脂肪族環構造を
有するポリマーとしては、従来より公知ないし周知のも
のを含めて広範囲にわたって例示され得る。本発明にお
いては、主鎖に上記特定の環構造を有する含フッ素ポリ
マーが好適に採用される。
有するポリマーとしては、従来より公知ないし周知のも
のを含めて広範囲にわたって例示され得る。本発明にお
いては、主鎖に上記特定の環構造を有する含フッ素ポリ
マーが好適に採用される。
【００１１】例えば次の化１、化２、化３および化４な
どのごとき環構造を有するものが挙げられる。ただし、
化１、化２、化３および化４において、ｈは０〜５、ｉ
は０〜４、ｋは０〜１、ｈ＋ｉ＋ｋは１〜６、ＲはＦま
たはＣＦ3 であり、ｊ，ｐ，ｑは０〜５、ｊ＋ｐ＋ｑは
１〜６であり、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれＦまたはＣＦ
3 である。
どのごとき環構造を有するものが挙げられる。ただし、
化１、化２、化３および化４において、ｈは０〜５、ｉ
は０〜４、ｋは０〜１、ｈ＋ｉ＋ｋは１〜６、ＲはＦま
たはＣＦ3 であり、ｊ，ｐ，ｑは０〜５、ｊ＋ｐ＋ｑは
１〜６であり、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれＦまたはＣＦ
3 である。
【００１２】
【化１】
【００１３】
【化２】
【００１４】
【化３】
【００１５】
【化４】
【００１６】これらのうち、次のごとき環構造を有する
ポリマーが代表的である。ただし、本発明の内容はこれ
らのみに限定されるものではない。
ポリマーが代表的である。ただし、本発明の内容はこれ
らのみに限定されるものではない。
【００１７】
【化５】
【００１８】
【化６】
【００１９】
【化７】
【００２０】
【化８】
【００２１】
【化９】
【００２２】
【化１０】
【００２３】これら重合体の製造法を示すと、次の２通
りである。ただし、これら製造法に限定されるものでは
ない。
りである。ただし、これら製造法に限定されるものでは
ない。
【００２４】１．環化重合によるもの
【００２５】
【化１１】
【００２６】
【化１２】
【００２７】
【化１３】
【００２８】２．環状モノマーを使用するもの（米国特
許３９７８０３０号明細書）
許３９７８０３０号明細書）
【００２９】
【化１４】
【００３０】上記では、パーフルオロ脂肪族環構造を有
するポリマーを例示したが、本発明においては、上記例
示のフッ素原子の一部が他の水素原子や有機基で置換さ
れたもの、あるいはメタセシス重合で得られるところの
化１５、化１６のごとき環構造を有するものなども挙げ
られる。
するポリマーを例示したが、本発明においては、上記例
示のフッ素原子の一部が他の水素原子や有機基で置換さ
れたもの、あるいはメタセシス重合で得られるところの
化１５、化１６のごとき環構造を有するものなども挙げ
られる。
【００３１】
【化１５】
【００３２】
【化１６】
【００３３】本発明における特定の環構造を有するポリ
マーは、上記のごとき環化重合によりにより円滑かつ有
利に得られるが、特に、分子内に重合性の異なる二つの
重合性基を有し且つこれらの二つの重合性基を連結する
連結鎖の直鎖部分の原子数が２〜７個であるモノマーを
用いることにより、超高圧条件や大希釈条件を採用しな
くても、ゲル化の副生を抑えて円滑有利に環化重合を進
行せしめ得るものである。
マーは、上記のごとき環化重合によりにより円滑かつ有
利に得られるが、特に、分子内に重合性の異なる二つの
重合性基を有し且つこれらの二つの重合性基を連結する
連結鎖の直鎖部分の原子数が２〜７個であるモノマーを
用いることにより、超高圧条件や大希釈条件を採用しな
くても、ゲル化の副生を抑えて円滑有利に環化重合を進
行せしめ得るものである。
【００３４】上記のごとき環化重合に好適なモノマーと
しては、まず第一に、重合性の異なる炭素−炭素多重結
合を二つ有することが望ましい。通常は炭素−炭素二重
結合が採用される。例えば、左右対称構造でない二つの
多重結合を有する含フッ素単量体、ビニル基とアリル
基、ビニルエーテル基とビニル基、含フッ素多重結合と
炭化水素多重結合、パーフルオロ多重結合と部分フッ素
化多重結合のごときが挙げられる。
しては、まず第一に、重合性の異なる炭素−炭素多重結
合を二つ有することが望ましい。通常は炭素−炭素二重
結合が採用される。例えば、左右対称構造でない二つの
多重結合を有する含フッ素単量体、ビニル基とアリル
基、ビニルエーテル基とビニル基、含フッ素多重結合と
炭化水素多重結合、パーフルオロ多重結合と部分フッ素
化多重結合のごときが挙げられる。
【００３５】第二に、これら二つの炭素−炭素多重結合
を連結する連結鎖の直線部分の原子数が２〜７であるこ
とが望ましい。連結鎖の直線部分の原子数が０〜１の場
合には環化重合が生起し難く、また８以上の場合にも同
様である。通常好ましくは、この原子数が２から５の場
合である。また、連結鎖は直線状に限られず、側鎖構造
あるいは環構造を有していてもよく、更に構成原子は炭
素原子に限られず、Ｏ，Ｓ，Ｎのごときヘテロ原子を含
んでいてもよい。
を連結する連結鎖の直線部分の原子数が２〜７であるこ
とが望ましい。連結鎖の直線部分の原子数が０〜１の場
合には環化重合が生起し難く、また８以上の場合にも同
様である。通常好ましくは、この原子数が２から５の場
合である。また、連結鎖は直線状に限られず、側鎖構造
あるいは環構造を有していてもよく、更に構成原子は炭
素原子に限られず、Ｏ，Ｓ，Ｎのごときヘテロ原子を含
んでいてもよい。
【００３６】第三に、フッ素含有率が１０重量％以上の
ものが望ましい。フッ素含有率が余りに少ない場合に
は、フッ素原子の有する特異性が発揮され難くなる。当
然のことであるが、パーフルオロ単量体が好適に採用さ
れる。
ものが望ましい。フッ素含有率が余りに少ない場合に
は、フッ素原子の有する特異性が発揮され難くなる。当
然のことであるが、パーフルオロ単量体が好適に採用さ
れる。
【００３７】上記の特定の含フッ素単量体の具体例とし
ては、化１７、化１８に列挙されるもの等が例示され
る。
ては、化１７、化１８に列挙されるもの等が例示され
る。
【００３８】
【化１７】
【００３９】
【化１８】
【００４０】本発明においては、ＣＦ2 ＝ＣＦＯ−なる
ビニルエーテル基を一つ有するものが重合反応性、環化
重合性、ゲル化抑制等の点で好ましく採用され、特に、
パーフルオロアリルビニルエーテル（ＣＦ2 ＝ＣＦＯＣ
Ｆ2 ＣＦ＝ＣＦ2 ）およびパーフルオロブテニルビニル
エーテル（ＣＦ2 ＝ＣＦＯＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ＝ＣＦ2）
が好適な例として挙げられる。
ビニルエーテル基を一つ有するものが重合反応性、環化
重合性、ゲル化抑制等の点で好ましく採用され、特に、
パーフルオロアリルビニルエーテル（ＣＦ2 ＝ＣＦＯＣ
Ｆ2 ＣＦ＝ＣＦ2 ）およびパーフルオロブテニルビニル
エーテル（ＣＦ2 ＝ＣＦＯＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ＝ＣＦ2）
が好適な例として挙げられる。
【００４１】上記のごとき単量体成分は単独で、または
二種以上で採用され得ると共に、さらにはこれらの成分
の本質を損なわない程度に他の共重合成分と併用して共
重合しても何ら差しつかえがないし、必要ならば何らか
の方法でポリマーを架橋してもよい。
二種以上で採用され得ると共に、さらにはこれらの成分
の本質を損なわない程度に他の共重合成分と併用して共
重合しても何ら差しつかえがないし、必要ならば何らか
の方法でポリマーを架橋してもよい。
【００４２】共重合せしめる他の単量体としては、ラジ
カル重合性を有するモノマーであれば特に限定されずに
含フッ素系、炭化水素系その他が広範囲にわたって例示
され得る。当然のことであるが、これら他の単量体は一
種単独で前記特定の環構造を導入し得るモノマーとラジ
カル共重合せしめてもよく、あるいは適宜の二種類以上
併用して上記共重合反応を行わせてもよい。
カル重合性を有するモノマーであれば特に限定されずに
含フッ素系、炭化水素系その他が広範囲にわたって例示
され得る。当然のことであるが、これら他の単量体は一
種単独で前記特定の環構造を導入し得るモノマーとラジ
カル共重合せしめてもよく、あるいは適宜の二種類以上
併用して上記共重合反応を行わせてもよい。
【００４３】本発明においては、通常は他の単量体とし
てフルオロオレフィン、フルオロビニルエーテルなどの
含フッ素モノマーを選定することが望ましい。例えば、
テトラフルオロエチレン、パーフルオロメチルビニルエ
ーテル、パーフルオロプロピルビニルエーテル、あるい
はカルボン酸基やスルホン酸基のごとき官能基を含有す
るパーフルオロビニルエーテルなどは好適な具体例であ
り、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフル
オロエチレンなども例示される。
てフルオロオレフィン、フルオロビニルエーテルなどの
含フッ素モノマーを選定することが望ましい。例えば、
テトラフルオロエチレン、パーフルオロメチルビニルエ
ーテル、パーフルオロプロピルビニルエーテル、あるい
はカルボン酸基やスルホン酸基のごとき官能基を含有す
るパーフルオロビニルエーテルなどは好適な具体例であ
り、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリフル
オロエチレンなども例示される。
【００４４】共重合体組成としては、本発明で目的とす
る特定含フッ素脂肪族環構造の特性を生かすために、環
状構造の組成が２０％以上であることが好ましく、更に
好ましくは４０％以上であることが望ましい。
る特定含フッ素脂肪族環構造の特性を生かすために、環
状構造の組成が２０％以上であることが好ましく、更に
好ましくは４０％以上であることが望ましい。
【００４５】本発明において、含フッ素ポリマーの架橋
方法としては、通常行われている方法などを適宜用いる
ことができる。例えば、架橋部位を持つ単量体を共重合
させて架橋せしめたり、架橋剤を添加して架橋せしめた
り、あるいは放射線などを用いて架橋せしめることがで
きる。
方法としては、通常行われている方法などを適宜用いる
ことができる。例えば、架橋部位を持つ単量体を共重合
させて架橋せしめたり、架橋剤を添加して架橋せしめた
り、あるいは放射線などを用いて架橋せしめることがで
きる。
【００４６】本発明で用いるフォトレジストとしては、
一般に使われるポジ型、ネガ型のフォトレジストの中か
ら任意に選択でき、所望のパターンの大きさ、要求精
度、露光装置の特性等により最適のものを選べばよい。
また、フォトレジストの溶液粘度は、スピンコートによ
りフッ素樹脂の表面に塗布しやすいという点から、高粘
度のものが好んで用いられる。
一般に使われるポジ型、ネガ型のフォトレジストの中か
ら任意に選択でき、所望のパターンの大きさ、要求精
度、露光装置の特性等により最適のものを選べばよい。
また、フォトレジストの溶液粘度は、スピンコートによ
りフッ素樹脂の表面に塗布しやすいという点から、高粘
度のものが好んで用いられる。
【００４７】本発明においては、フォトレジスト溶液に
界面活性剤を添加して直接フッ素樹脂表面に塗布しても
よいが、この方法で充分な密着性が得られない場合に
は、フッ素樹脂表面に界面活性剤を添加した液体を液体
を塗布した後フォトレジスト溶液を塗布することにより
密着性は改善される。後者の方法では、フォトレジスト
溶液に界面活性剤を添加する必要はない。また、後者の
方法で用いる界面活性剤を添加した液体とは、フッ素樹
脂とフォトレジストの密着性を改善する、いわゆる、密
着性改良剤と呼ばれる液体に界面活性剤を添加した液体
が使用される。
界面活性剤を添加して直接フッ素樹脂表面に塗布しても
よいが、この方法で充分な密着性が得られない場合に
は、フッ素樹脂表面に界面活性剤を添加した液体を液体
を塗布した後フォトレジスト溶液を塗布することにより
密着性は改善される。後者の方法では、フォトレジスト
溶液に界面活性剤を添加する必要はない。また、後者の
方法で用いる界面活性剤を添加した液体とは、フッ素樹
脂とフォトレジストの密着性を改善する、いわゆる、密
着性改良剤と呼ばれる液体に界面活性剤を添加した液体
が使用される。
【００４８】本発明で用いられる密着性改良剤として
は、フッ素樹脂表面へのフォトレジスト溶液の均一塗布
性を向上させ、密着性を改善するためのものであれば、
特に限定されるものではないが、ＨＭＤＳが好ましく採
用される。
は、フッ素樹脂表面へのフォトレジスト溶液の均一塗布
性を向上させ、密着性を改善するためのものであれば、
特に限定されるものではないが、ＨＭＤＳが好ましく採
用される。
【００４９】また、本発明で用いる界面活性剤として
は、液の表面張力を低下させる効果を有するものであれ
ば特に限定されるものではなく、アニオン系、カチオン
系、ノニオン系、水溶性、油溶性等あらゆるタイプの活
性剤が使用可能である。また、上記効果を有するもので
あれば、界面活性剤と呼ばれるものに限定されず、表面
改質剤、レベリング剤等別の用途に使われるものを本用
途に用いることもできる。これらのなかで、均一なレジ
ストの塗布層を形成させるためには、フォトレジストま
たは密着性改良剤の溶液と相溶するものが好ましい。
は、液の表面張力を低下させる効果を有するものであれ
ば特に限定されるものではなく、アニオン系、カチオン
系、ノニオン系、水溶性、油溶性等あらゆるタイプの活
性剤が使用可能である。また、上記効果を有するもので
あれば、界面活性剤と呼ばれるものに限定されず、表面
改質剤、レベリング剤等別の用途に使われるものを本用
途に用いることもできる。これらのなかで、均一なレジ
ストの塗布層を形成させるためには、フォトレジストま
たは密着性改良剤の溶液と相溶するものが好ましい。
【００５０】本発明で用いる界面活性剤としては、必ず
しもフッ素樹脂の有する表面張力よりも小さい表面張力
を有する必要はないが、できるだけ低い表面張力を持つ
ものが好ましい。特に低い表面張力を有する界面活性剤
としては、含フッ素の界面活性剤が好ましく採用され
る。
しもフッ素樹脂の有する表面張力よりも小さい表面張力
を有する必要はないが、できるだけ低い表面張力を持つ
ものが好ましい。特に低い表面張力を有する界面活性剤
としては、含フッ素の界面活性剤が好ましく採用され
る。
【００５１】また、界面活性剤の種類としては、アニオ
ン系、カチオン系、ノニオン系、両性のいずれの種類の
ものも使用可能であるが、フォトレジスト溶液への溶解
性の観点からノニオン系のものが好ましい。また、ポリ
フルオロアルキル基を有するアクリレートオリゴマーま
たはメタクリレートオリゴマーなどのポリメリックタイ
プ（オリゴマータイプ）のものを使用してもよい。
ン系、カチオン系、ノニオン系、両性のいずれの種類の
ものも使用可能であるが、フォトレジスト溶液への溶解
性の観点からノニオン系のものが好ましい。また、ポリ
フルオロアルキル基を有するアクリレートオリゴマーま
たはメタクリレートオリゴマーなどのポリメリックタイ
プ（オリゴマータイプ）のものを使用してもよい。
【００５２】本発明の界面活性剤の添加量は、フッ素樹
脂表面に充分な塗布性を与える範囲で、少ない方が好ま
しい。添加量が多いと、液の泡立ちが起こり易くなり均
一に塗布することが難しくなる。また、フォトレジスト
の溶液に添加する場合は、添加量が多くなるとフォトレ
ジストの解像度等に悪影響を与えることが多い。
脂表面に充分な塗布性を与える範囲で、少ない方が好ま
しい。添加量が多いと、液の泡立ちが起こり易くなり均
一に塗布することが難しくなる。また、フォトレジスト
の溶液に添加する場合は、添加量が多くなるとフォトレ
ジストの解像度等に悪影響を与えることが多い。
【００５３】本発明の方法では、フォトレジストを塗布
し必要に応じて乾燥を行った後、一般に用いられる方法
により加工したいパターンを刻んだフォトマスクを用い
てｇ線、ｉ線、レーザー光、電子線、等によって露光を
行い、各レジスト液に応じた現像液を用いて現像して、
パターンをレジスト上に転写する。次いで、保護膜とし
て用いられているフッ素樹脂を溶解するフッ素系溶媒に
よるウェットエッチング、またはアルゴン、ＣＦ4 、Ｃ
ＨＦ3 、酸素等のプラズマを用いたドライエッチング等
によりエッチングし、レジストをアルカリ等で除去し
て、所望の加工パターンを有するフッ素樹脂の保護膜を
形成する。
し必要に応じて乾燥を行った後、一般に用いられる方法
により加工したいパターンを刻んだフォトマスクを用い
てｇ線、ｉ線、レーザー光、電子線、等によって露光を
行い、各レジスト液に応じた現像液を用いて現像して、
パターンをレジスト上に転写する。次いで、保護膜とし
て用いられているフッ素樹脂を溶解するフッ素系溶媒に
よるウェットエッチング、またはアルゴン、ＣＦ4 、Ｃ
ＨＦ3 、酸素等のプラズマを用いたドライエッチング等
によりエッチングし、レジストをアルカリ等で除去し
て、所望の加工パターンを有するフッ素樹脂の保護膜を
形成する。
【００５４】
【実施例】次に、本発明の実施例について更に具体的に
説明するが、この説明が本発明を限定するものでないこ
とは勿論である。
説明するが、この説明が本発明を限定するものでないこ
とは勿論である。
【００５５】合成例１ １，１，２，４，４，５，５−ヘプタフルオロ−３−オ
キサ−１，６−ヘプタジエンの２０ｇおよびトリクロロ
トリフルオロエタン（以下Ｒ１１３と略記する）の４０
ｇを窒素置換した三ツ口フラスコに入れ、重合開始剤と
して（Ｃ3 Ｆ7ＣＯＯ）2 の２０ｍｇを加え、更に系内
を窒素置換した後に、１８℃で１０時間重合した。その
結果、重合体Ａを１０ｇ得た。この重合体はＲ１１３に
溶解するポリマーであり、メタキシレンヘキサフロライ
ド中３０℃での固有粘度［η］は０．９６ｄｌ／ｇであ
った。19Ｆおよび 1Ｈ ＮＭＲにより、主鎖に環構造を
有する重合体であることを確認した。また、この重合体
は無色透明であり、表面エネルギーは２０ｄｙｎ／ｃｍ
2 であった。
キサ−１，６−ヘプタジエンの２０ｇおよびトリクロロ
トリフルオロエタン（以下Ｒ１１３と略記する）の４０
ｇを窒素置換した三ツ口フラスコに入れ、重合開始剤と
して（Ｃ3 Ｆ7ＣＯＯ）2 の２０ｍｇを加え、更に系内
を窒素置換した後に、１８℃で１０時間重合した。その
結果、重合体Ａを１０ｇ得た。この重合体はＲ１１３に
溶解するポリマーであり、メタキシレンヘキサフロライ
ド中３０℃での固有粘度［η］は０．９６ｄｌ／ｇであ
った。19Ｆおよび 1Ｈ ＮＭＲにより、主鎖に環構造を
有する重合体であることを確認した。また、この重合体
は無色透明であり、表面エネルギーは２０ｄｙｎ／ｃｍ
2 であった。
【００５６】合成例２ パーフルオロブテニルビニルエーテルの３５ｇ、Ｒ１１
３の５ｇ、イオン交換水の１５０ｇ、および重合開始剤
として（（ＣＨ3 ）2 ＣＨＯＣＯＯ）2 の９０ｍｇを、
内容積２００ｍｌの耐圧ガラス製オートクレーブに入れ
た。系内を３回窒素で置換した後、４０℃で２２時間懸
濁重合を行った。その結果、重合体Ｂを２８ｇ得た。こ
の重合体の固有粘度［η］は、パーフルオロ（２−ブチ
ルテトラヒドロフラン）中３０℃で０．２４ｄｌ／ｇで
あった。重合体のガラス転移点は１０８℃であり、室温
ではタフで透明なガラス状の重合体である。また１０％
熱分解温度は４６５℃であり、光線透過率は９５％以上
と高かった。また、この重合体の表面エネルギーは、１
９ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
３の５ｇ、イオン交換水の１５０ｇ、および重合開始剤
として（（ＣＨ3 ）2 ＣＨＯＣＯＯ）2 の９０ｍｇを、
内容積２００ｍｌの耐圧ガラス製オートクレーブに入れ
た。系内を３回窒素で置換した後、４０℃で２２時間懸
濁重合を行った。その結果、重合体Ｂを２８ｇ得た。こ
の重合体の固有粘度［η］は、パーフルオロ（２−ブチ
ルテトラヒドロフラン）中３０℃で０．２４ｄｌ／ｇで
あった。重合体のガラス転移点は１０８℃であり、室温
ではタフで透明なガラス状の重合体である。また１０％
熱分解温度は４６５℃であり、光線透過率は９５％以上
と高かった。また、この重合体の表面エネルギーは、１
９ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
【００５７】合成例３ パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソー
ル）とテトラフルオロエチレンをラジカル共重合し、ガ
ラス転移点１６０℃の共重合体Ｃを得た。この重合体は
無色透明であり、屈折率は１．３で、透過率も高い。ま
た、この重合体の表面エネルギーは、１９ｄｙｎ／ｃｍ
2 であった。
ル）とテトラフルオロエチレンをラジカル共重合し、ガ
ラス転移点１６０℃の共重合体Ｃを得た。この重合体は
無色透明であり、屈折率は１．３で、透過率も高い。ま
た、この重合体の表面エネルギーは、１９ｄｙｎ／ｃｍ
2 であった。
【００５８】実施例１ 合成例１で得られた含フッ素重合体をパーフルオロトリ
ブチルアミン中に溶解し、９％の溶液を調製した。この
溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された
６インチウェハー上にスピンコーターで塗布し、５０℃
１時間、１８０℃１時間の乾燥を行って厚さ３μｍの保
護膜を形成した。
ブチルアミン中に溶解し、９％の溶液を調製した。この
溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された
６インチウェハー上にスピンコーターで塗布し、５０℃
１時間、１８０℃１時間の乾燥を行って厚さ３μｍの保
護膜を形成した。
【００５９】このフッ素樹脂保護膜を形成したウェハー
上に、ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応
化工業社製）の２７．３％溶液中に、界面活性剤とし
て、サーフロンＳ−３８１（旭硝子社製：ポリフルオロ
アルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を０．０
５％添加した溶液をスピンコートにより塗布し、ホット
プレート上で乾燥した後に、ベーキング、露光、現像工
程を経て、Ｏ2 プラズマによるエッチングを行ってフッ
素樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１００μｍ
角大の穴あけ加工を行った。このようにして保護膜の形
成された半導体素子は、耐湿性試験後も優れた性能を有
していた。
上に、ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応
化工業社製）の２７．３％溶液中に、界面活性剤とし
て、サーフロンＳ−３８１（旭硝子社製：ポリフルオロ
アルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を０．０
５％添加した溶液をスピンコートにより塗布し、ホット
プレート上で乾燥した後に、ベーキング、露光、現像工
程を経て、Ｏ2 プラズマによるエッチングを行ってフッ
素樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１００μｍ
角大の穴あけ加工を行った。このようにして保護膜の形
成された半導体素子は、耐湿性試験後も優れた性能を有
していた。
【００６０】実施例２ 合成例２で得られた含フッ素重合体を用い、界面活性剤
としてサーフロンＳ−３８２（旭硝子社製：ポリフルオ
ロアルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を用い
た他は、実施例１と同様にして保護膜を有する半導体を
製造した。得られた半導体素子は、初期および耐湿性試
験後において、優れた性能を示した。
としてサーフロンＳ−３８２（旭硝子社製：ポリフルオ
ロアルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を用い
た他は、実施例１と同様にして保護膜を有する半導体を
製造した。得られた半導体素子は、初期および耐湿性試
験後において、優れた性能を示した。
【００６１】実施例３ 合成例３で得られた含フッ素重合体を用い、界面活性剤
としてサーフロンＳ−２０７（旭硝子社製：ポリフルオ
ロアルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を用い
た他は、実施例１と同様にして保護膜を有する半導体を
製造した。得られた半導体素子は、初期および耐湿性試
験後において、優れた性能を示した。
としてサーフロンＳ−２０７（旭硝子社製：ポリフルオ
ロアルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を用い
た他は、実施例１と同様にして保護膜を有する半導体を
製造した。得られた半導体素子は、初期および耐湿性試
験後において、優れた性能を示した。
【００６２】実施例４ 合成例１で得られた含フッ素重合体をパーフルオロトリ
ブチルアミン中に溶解し、９％の溶液を調製した。この
溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された
６インチウェハー上にスピンコーターで塗布し、５０℃
１時間、１８０℃１時間の乾燥を行って厚さ３μｍの保
護膜を形成した。
ブチルアミン中に溶解し、９％の溶液を調製した。この
溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された
６インチウェハー上にスピンコーターで塗布し、５０℃
１時間、１８０℃１時間の乾燥を行って厚さ３μｍの保
護膜を形成した。
【００６３】このフッ素樹脂保護膜を形成したウェハー
上に、界面活性剤として、サーフロンＳＣ−１０１（旭
硝子社製：ポリフルオロアルキル基を有するアクリレー
トオリゴマー）を０．０５％添加した密着性改良剤（Ｏ
ＡＰ：商品名 東京応化工業社製）をスピンコートによ
り塗布し、ホットプレート上で乾燥を行った。ついでポ
ジ型フォトレジストＨＰＲ−２０７（富士ハント社製）
をスピンコートした後に、ベーキング、露光、現像工程
を経て、Ｏ2 プラズマによるエッチングを行ってフッ素
樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１００μｍ角
大の穴あけ加工を行った。このようにして保護膜の形成
された半導体素子は、耐湿性試験後も優れた性能を有し
ていた。
上に、界面活性剤として、サーフロンＳＣ−１０１（旭
硝子社製：ポリフルオロアルキル基を有するアクリレー
トオリゴマー）を０．０５％添加した密着性改良剤（Ｏ
ＡＰ：商品名 東京応化工業社製）をスピンコートによ
り塗布し、ホットプレート上で乾燥を行った。ついでポ
ジ型フォトレジストＨＰＲ−２０７（富士ハント社製）
をスピンコートした後に、ベーキング、露光、現像工程
を経て、Ｏ2 プラズマによるエッチングを行ってフッ素
樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１００μｍ角
大の穴あけ加工を行った。このようにして保護膜の形成
された半導体素子は、耐湿性試験後も優れた性能を有し
ていた。
【００６４】実施例５ 合成例２で得られた含フッ素重合体を用い、界面活性剤
としてサーフロンＳ−１０５（旭硝子社製：ポリフルオ
ロアルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を用い
た他は、実施例４と同様にして保護膜を有する半導体を
製造した。得られた半導体素子は、初期および耐湿性試
験後において、優れた性能を示した。
としてサーフロンＳ−１０５（旭硝子社製：ポリフルオ
ロアルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を用い
た他は、実施例４と同様にして保護膜を有する半導体を
製造した。得られた半導体素子は、初期および耐湿性試
験後において、優れた性能を示した。
【００６５】実施例６ 合成例３で得られた含フッ素重合体を用い、界面活性剤
としてサーフロンＳ−１１１（旭硝子社製：ポリフルオ
ロアルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を用い
た他は、実施例４と同様にして保護膜を有する半導体を
製造した。得られた半導体素子は、初期および耐湿性試
験後において、優れた性能を示した。
としてサーフロンＳ−１１１（旭硝子社製：ポリフルオ
ロアルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を用い
た他は、実施例４と同様にして保護膜を有する半導体を
製造した。得られた半導体素子は、初期および耐湿性試
験後において、優れた性能を示した。
【００６６】比較例１ 合成例２で得られた含フッ素重合体をパーフルオロトリ
ブチルアミン中に溶解し、９％の溶液を調製した。この
溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された
６インチウェハー上にスピンコーターで塗布し、５０℃
１時間、１８０℃１時間の乾燥を行って厚さ３μｍの保
護膜を形成した。このフッ素樹脂保護膜を形成したウェ
ハー上に、ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東
京応化工業社製）の２７．３％溶液を５００ｒｐｍのス
ピンコートにより塗布したところ、回転中にレジスト液
が全量飛散してしまい、レジスト層を形成することがで
きなかった。
ブチルアミン中に溶解し、９％の溶液を調製した。この
溶液を半導体素子（ＣＭＯＳ−ＤＲＡＭ）の形成された
６インチウェハー上にスピンコーターで塗布し、５０℃
１時間、１８０℃１時間の乾燥を行って厚さ３μｍの保
護膜を形成した。このフッ素樹脂保護膜を形成したウェ
ハー上に、ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東
京応化工業社製）の２７．３％溶液を５００ｒｐｍのス
ピンコートにより塗布したところ、回転中にレジスト液
が全量飛散してしまい、レジスト層を形成することがで
きなかった。
【００６７】比較例２ 合成例２で得られた含フッ素重合体を用い、比較例１と
同様にして、厚さ３μｍの保護膜を形成した。ついでポ
ジ型フォトレジストＨＰＲ−２０７（富士ハント社製）
をスピンコートした。レジスト層は部分的にはじかれて
いるところのある不均一なものであった。次いで、通常
の方法によりベーキング、露光、現像工程を経て、Ｏ2
プラズマによるエッチングを行ってフッ素樹脂保護膜上
にワイヤーボンディング用の１００μｍ角大の穴あけ加
工を行った。このようにして保護膜の形成された半導体
素子は、耐湿性試験により不良の発生率が高かった。
同様にして、厚さ３μｍの保護膜を形成した。ついでポ
ジ型フォトレジストＨＰＲ−２０７（富士ハント社製）
をスピンコートした。レジスト層は部分的にはじかれて
いるところのある不均一なものであった。次いで、通常
の方法によりベーキング、露光、現像工程を経て、Ｏ2
プラズマによるエッチングを行ってフッ素樹脂保護膜上
にワイヤーボンディング用の１００μｍ角大の穴あけ加
工を行った。このようにして保護膜の形成された半導体
素子は、耐湿性試験により不良の発生率が高かった。
【００６８】
【発明の効果】本発明は、界面活性剤を添加したフォト
レジストまたは密着性改良剤を用いることにより、フッ
素含有量の多い低表面エネルギーのフッ素樹脂薄膜の微
細加工が可能になり、低誘電率、低吸水性、等の優れた
特性を有する保護膜を持つ半導体素子が得られるという
効果を有する。
レジストまたは密着性改良剤を用いることにより、フッ
素含有量の多い低表面エネルギーのフッ素樹脂薄膜の微
細加工が可能になり、低誘電率、低吸水性、等の優れた
特性を有する保護膜を持つ半導体素子が得られるという
効果を有する。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】例えば次の化１、化２、化３および化４な
どのごとき環構造を有するものが挙げられる。ただし、
化１、化２、化３および化４において、ｈは０〜５、ｉ
は０〜４、ｋは０〜１、ｈ＋ｉ＋ｋは１〜６、ＲはＦま
たはＣＦ3 であり、ｊ，ｐ，ｑは０〜５、ｊ＋ｐ＋ｑは
１〜６であり、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれＦまたはＣＦ
3 である。
どのごとき環構造を有するものが挙げられる。ただし、
化１、化２、化３および化４において、ｈは０〜５、ｉ
は０〜４、ｋは０〜１、ｈ＋ｉ＋ｋは１〜６、ＲはＦま
たはＣＦ3 であり、ｊ，ｐ，ｑは０〜５、ｊ＋ｐ＋ｑは
１〜６であり、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれＦまたはＣＦ
3 である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】本発明においては、ＣＦ2 ＝ＣＦＯ−なる
ビニルエーテル基を一つ有するものが重合反応性、環化
重合性、ゲル化抑制等の点で好ましく採用され、特に、
パーフルオロアリルビニルエーテル（ＣＦ2 ＝ＣＦＯＣ
Ｆ2 ＣＦ＝ＣＦ2 ）およびパーフルオロブテニルビニル
エーテル（ＣＦ2 ＝ＣＦＯＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ＝ＣＦ2）
が好適な例として挙げられる。
ビニルエーテル基を一つ有するものが重合反応性、環化
重合性、ゲル化抑制等の点で好ましく採用され、特に、
パーフルオロアリルビニルエーテル（ＣＦ2 ＝ＣＦＯＣ
Ｆ2 ＣＦ＝ＣＦ2 ）およびパーフルオロブテニルビニル
エーテル（ＣＦ2 ＝ＣＦＯＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ＝ＣＦ2）
が好適な例として挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５３】本発明の方法では、フォトレジストを塗布
し必要に応じて乾燥を行った後、一般に用いられる方法
により加工したいパターンを刻んだフォトマスクを用い
てｇ線、ｉ線、レーザー光、電子線、等によって露光を
行い、各レジスト液に応じた現像液を用いて現像して、
パターンをレジスト上に転写する。次いで、保護膜とし
て用いられているフッ素樹脂を溶解するフッ素系溶媒に
よるウェットエッチング、またはアルゴン、ＣＦ4 、Ｃ
ＨＦ3 、酸素等のプラズマを用いたドライエッチング等
によりエッチングし、レジストをアルカリ等で除去し
て、所望の加工パターンを有するフッ素樹脂の保護膜を
形成する。
し必要に応じて乾燥を行った後、一般に用いられる方法
により加工したいパターンを刻んだフォトマスクを用い
てｇ線、ｉ線、レーザー光、電子線、等によって露光を
行い、各レジスト液に応じた現像液を用いて現像して、
パターンをレジスト上に転写する。次いで、保護膜とし
て用いられているフッ素樹脂を溶解するフッ素系溶媒に
よるウェットエッチング、またはアルゴン、ＣＦ4 、Ｃ
ＨＦ3 、酸素等のプラズマを用いたドライエッチング等
によりエッチングし、レジストをアルカリ等で除去し
て、所望の加工パターンを有するフッ素樹脂の保護膜を
形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５５】合成例１ １，１，２，４，４，５，５−ヘプタフルオロ−３−オ
キサ−１，６−ヘプタジエンの２０ｇおよびトリクロロ
トリフルオロエタン（以下Ｒ１１３と略記する）の４０
ｇを窒素置換した三ツ口フラスコに入れ、重合開始剤と
して（Ｃ3 Ｆ7ＣＯＯ）2 の２０ｍｇを加え、更に系内
を窒素置換した後に、１８℃で１０時間重合した。その
結果、重合体Ａを１０ｇ得た。この重合体はＲ１１３に
溶解するポリマーであり、メタキシレンヘキサフロライ
ド中３０℃での固有粘度［η］は０．９６ｄｌ／ｇであ
った。19Ｆおよび 1Ｈ ＮＭＲにより、主鎖に環構造を
有する重合体であることを確認した。また、この重合体
は無色透明であり、表面エネルギーは２０ｄｙｎ／ｃｍ
2 であった。
キサ−１，６−ヘプタジエンの２０ｇおよびトリクロロ
トリフルオロエタン（以下Ｒ１１３と略記する）の４０
ｇを窒素置換した三ツ口フラスコに入れ、重合開始剤と
して（Ｃ3 Ｆ7ＣＯＯ）2 の２０ｍｇを加え、更に系内
を窒素置換した後に、１８℃で１０時間重合した。その
結果、重合体Ａを１０ｇ得た。この重合体はＲ１１３に
溶解するポリマーであり、メタキシレンヘキサフロライ
ド中３０℃での固有粘度［η］は０．９６ｄｌ／ｇであ
った。19Ｆおよび 1Ｈ ＮＭＲにより、主鎖に環構造を
有する重合体であることを確認した。また、この重合体
は無色透明であり、表面エネルギーは２０ｄｙｎ／ｃｍ
2 であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５６】合成例２ パーフルオロブテニルビニルエーテルの３５ｇ、Ｒ１１
３の５ｇ、イオン交換水の１５０ｇ、および重合開始剤
として（（ＣＨ3 ）2 ＣＨＯＣＯＯ）2 の９０ｍｇを、
内容積２００ｍｌの耐圧ガラス製オートクレーブに入れ
た。系内を３回窒素で置換した後、４０℃で２２時間懸
濁重合を行った。その結果、重合体Ｂを２８ｇ得た。こ
の重合体の固有粘度［η］は、パーフルオロ（２−ブチ
ルテトラヒドロフラン）中３０℃で０．２４ｄｌ／ｇで
あった。重合体のガラス転移点は１０８℃であり、室温
ではタフで透明なガラス状の重合体である。また１０％
熱分解温度は４６５℃であり、光線透過率は９５％以上
と高かった。また、この重合体の表面エネルギーは、１
９ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
３の５ｇ、イオン交換水の１５０ｇ、および重合開始剤
として（（ＣＨ3 ）2 ＣＨＯＣＯＯ）2 の９０ｍｇを、
内容積２００ｍｌの耐圧ガラス製オートクレーブに入れ
た。系内を３回窒素で置換した後、４０℃で２２時間懸
濁重合を行った。その結果、重合体Ｂを２８ｇ得た。こ
の重合体の固有粘度［η］は、パーフルオロ（２−ブチ
ルテトラヒドロフラン）中３０℃で０．２４ｄｌ／ｇで
あった。重合体のガラス転移点は１０８℃であり、室温
ではタフで透明なガラス状の重合体である。また１０％
熱分解温度は４６５℃であり、光線透過率は９５％以上
と高かった。また、この重合体の表面エネルギーは、１
９ｄｙｎ／ｃｍ2 であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５７】合成例３ パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソー
ル）とテトラフルオロエチレンをラジカル共重合し、ガ
ラス転移点１６０℃の共重合体Ｃを得た。この重合体は
無色透明であり、屈折率は１．３で、透過率も高い。ま
た、この重合体の表面エネルギーは、１９ｄｙｎ／ｃｍ
2 であった。
ル）とテトラフルオロエチレンをラジカル共重合し、ガ
ラス転移点１６０℃の共重合体Ｃを得た。この重合体は
無色透明であり、屈折率は１．３で、透過率も高い。ま
た、この重合体の表面エネルギーは、１９ｄｙｎ／ｃｍ
2 であった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５９】このフッ素樹脂保護膜を形成したウェハー
上に、ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応
化工業社製）の２７．３％溶液中に、界面活性剤とし
て、サーフロンＳ−３８１（旭硝子社製：ポリフルオロ
アルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を０．０
５％添加した溶液をスピンコートにより塗布し、ホット
プレート上で乾燥した後に、ベーキング、露光、現像工
程を経て、Ｏ2 プラズマによるエッチングを行ってフッ
素樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１００μｍ
角大の穴あけ加工を行った。このようにして保護膜の形
成された半導体素子は、耐湿性試験後も優れた性能を有
していた。
上に、ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応
化工業社製）の２７．３％溶液中に、界面活性剤とし
て、サーフロンＳ−３８１（旭硝子社製：ポリフルオロ
アルキル基を有するアクリレートオリゴマー）を０．０
５％添加した溶液をスピンコートにより塗布し、ホット
プレート上で乾燥した後に、ベーキング、露光、現像工
程を経て、Ｏ2 プラズマによるエッチングを行ってフッ
素樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１００μｍ
角大の穴あけ加工を行った。このようにして保護膜の形
成された半導体素子は、耐湿性試験後も優れた性能を有
していた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６３】このフッ素樹脂保護膜を形成したウェハー
上に、界面活性剤として、サーフロンＳＣ−１０１（旭
硝子社製：ポリフルオロアルキル基を有するアクリレー
トオリゴマー）を０．０５％添加した密着性改良剤（Ｏ
ＡＰ：商品名 東京応化工業社製）をスピンコートによ
り塗布し、ホットプレート上で乾燥を行った。ついでポ
ジ型フォトレジストＨＰＲ−２０７（富士ハント社製）
をスピンコートした後に、ベーキング、露光、現像工程
を経て、Ｏ2 プラズマによるエッチングを行ってフッ素
樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１００μｍ角
大の穴あけ加工を行った。このようにして保護膜の形成
された半導体素子は、耐湿性試験後も優れた性能を有し
ていた。
上に、界面活性剤として、サーフロンＳＣ−１０１（旭
硝子社製：ポリフルオロアルキル基を有するアクリレー
トオリゴマー）を０．０５％添加した密着性改良剤（Ｏ
ＡＰ：商品名 東京応化工業社製）をスピンコートによ
り塗布し、ホットプレート上で乾燥を行った。ついでポ
ジ型フォトレジストＨＰＲ−２０７（富士ハント社製）
をスピンコートした後に、ベーキング、露光、現像工程
を経て、Ｏ2 プラズマによるエッチングを行ってフッ素
樹脂保護膜上にワイヤーボンディング用の１００μｍ角
大の穴あけ加工を行った。このようにして保護膜の形成
された半導体素子は、耐湿性試験後も優れた性能を有し
ていた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６７】比較例２ 合成例２で得られた含フッ素重合体を用い、比較例１と
同様にして、厚さ３μｍの保護膜を形成した。ついでポ
ジ型フォトレジストＨＰＲ−２０７（富士ハント社製）
をスピンコートした。レジスト層は部分的にはじかれて
いるところのある不均一なものであった。次いで、通常
の方法によりベーキング、露光、現像工程を経て、Ｏ2
プラズマによるエッチングを行ってフッ素樹脂保護膜上
にワイヤーボンディング用の１００μｍ角大の穴あけ加
工を行った。このようにして保護膜の形成された半導体
素子は、耐湿性試験により不良の発生率が高かった。
同様にして、厚さ３μｍの保護膜を形成した。ついでポ
ジ型フォトレジストＨＰＲ−２０７（富士ハント社製）
をスピンコートした。レジスト層は部分的にはじかれて
いるところのある不均一なものであった。次いで、通常
の方法によりベーキング、露光、現像工程を経て、Ｏ2
プラズマによるエッチングを行ってフッ素樹脂保護膜上
にワイヤーボンディング用の１００μｍ角大の穴あけ加
工を行った。このようにして保護膜の形成された半導体
素子は、耐湿性試験により不良の発生率が高かった。
Claims (6)
- 【請求項１】保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半
導体の製造において、フッ素樹脂の表面に、界面活性剤
を添加したフォトレジスト溶液を塗布し、次いで露光、
現像、エッチングを行うことによってフッ素樹脂の微細
加工を行うことを特徴とする半導体の製造方法。 - 【請求項２】請求項１の製造方法において、フッ素樹脂
の薄膜が、スピンコートによって形成されたフッ素樹脂
の薄膜である半導体の製造方法。 - 【請求項３】請求項１の製造方法において、フッ素樹脂
が、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂で
ある半導体の製造方法。 - 【請求項４】保護膜としてフッ素樹脂の薄膜を有する半
導体の製造において、フッ素樹脂の表面に、界面活性剤
を添加した液体を塗布し、ついでフォトレジストの溶液
を塗布し、次いで露光、現像、エッチングを行うことに
よってフッ素樹脂の微細加工を行うことを特徴とする半
導体の製造方法。 - 【請求項５】請求項４の製造方法において、フッ素樹脂
の薄膜が、スピンコートによって形成されたフッ素樹脂
の薄膜である半導体の製造方法。 - 【請求項６】請求項４の製造方法において、フッ素樹脂
が、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂で
ある半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4168416A JPH05198502A (ja) | 1991-06-06 | 1992-06-03 | 半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16217191 | 1991-06-06 | ||
| JP3-162171 | 1991-06-06 | ||
| JP4168416A JPH05198502A (ja) | 1991-06-06 | 1992-06-03 | 半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198502A true JPH05198502A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=26488059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4168416A Pending JPH05198502A (ja) | 1991-06-06 | 1992-06-03 | 半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198502A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19533291A1 (de) * | 1994-09-09 | 1996-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung |
| US6423566B1 (en) | 1998-07-24 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Moisture and ion barrier for protection of devices and interconnect structures |
| JP2010283240A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜のパターニング方法、デバイス及びその製造方法 |
| WO2016021501A1 (ja) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | 旭硝子株式会社 | 感光性樹脂溶液、パターニング膜の形成方法および含フッ素樹脂膜の微細加工方法 |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP4168416A patent/JPH05198502A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19533291A1 (de) * | 1994-09-09 | 1996-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung |
| DE19533291C2 (de) * | 1994-09-09 | 2002-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung |
| US6423566B1 (en) | 1998-07-24 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Moisture and ion barrier for protection of devices and interconnect structures |
| JP2010283240A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜のパターニング方法、デバイス及びその製造方法 |
| WO2016021501A1 (ja) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | 旭硝子株式会社 | 感光性樹脂溶液、パターニング膜の形成方法および含フッ素樹脂膜の微細加工方法 |
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