JPH05195183A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05195183A JPH05195183A JP1001692A JP1001692A JPH05195183A JP H05195183 A JPH05195183 A JP H05195183A JP 1001692 A JP1001692 A JP 1001692A JP 1001692 A JP1001692 A JP 1001692A JP H05195183 A JPH05195183 A JP H05195183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- electrode
- wafer
- plating
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子電極をめっきにて製造する場合、
現状は長時間の加工（２時間程度）が必要で、この時間
短縮を行う。 【構成】 半導体素子が形成されたウエハ１にめっき液
５を吹き付け、このウエハ１と対向するカソード電極１
３と電流調整アノード電極８間に電流を流して素子電極
を形成する際に、電流コントロール式直流電源１０から
高電流，低電流，逆電流を繰り返し流すようにした。
現状は長時間の加工（２時間程度）が必要で、この時間
短縮を行う。 【構成】 半導体素子が形成されたウエハ１にめっき液
５を吹き付け、このウエハ１と対向するカソード電極１
３と電流調整アノード電極８間に電流を流して素子電極
を形成する際に、電流コントロール式直流電源１０から
高電流，低電流，逆電流を繰り返し流すようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特にウエハ上の半導体素子の電極の製造方法に
関するものである。
に係り、特にウエハ上の半導体素子の電極の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のめっきによる半導体素子，電極の
製造方法としては、半導体素子電極を回転させながら、
めっき液を素子電極面へ吹き付ける方法で行われてい
た。
製造方法としては、半導体素子電極を回転させながら、
めっき液を素子電極面へ吹き付ける方法で行われてい
た。
【０００３】次に、従来の方法について図２，図３を参
照して説明する。なお、これらの図において、１はウエ
ハ、２はウエハ素子、３は素子電極、４は回転テーブ
ル、５はめっき液、６ａはノズル、７は吹付めっき液、
８ａはアノード電極、９ａはポンプ、１０ａは直流電
源、１３はカソード電極である。従来の電極製造方法で
は、ウエハ１に素子電極３を形成する場合、ウエハ１を
回転テーブル４へセットし、ポンプ９ａにてめっき液５
をノズル６ａにてウエハ１へ吹き付け、直流電源１０ａ
にてアノード電極８ａとカソード電極１３へ電流を印加
して制御を行うことにより、素子電極３を形成してい
た。
照して説明する。なお、これらの図において、１はウエ
ハ、２はウエハ素子、３は素子電極、４は回転テーブ
ル、５はめっき液、６ａはノズル、７は吹付めっき液、
８ａはアノード電極、９ａはポンプ、１０ａは直流電
源、１３はカソード電極である。従来の電極製造方法で
は、ウエハ１に素子電極３を形成する場合、ウエハ１を
回転テーブル４へセットし、ポンプ９ａにてめっき液５
をノズル６ａにてウエハ１へ吹き付け、直流電源１０ａ
にてアノード電極８ａとカソード電極１３へ電流を印加
して制御を行うことにより、素子電極３を形成してい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置の製造方法は、一定の電流，一定の圧力でめっ
き液吹付を行っていたが、１個につき３００点の素子電
極３を有するウエハ素子２が１２０個存在するウエハ１
上では素子電極３が３６０００点にもなり、これらのす
べてに対して均一で、高速にめっきを行うことができ
ず、長時間を要する等の問題点を有していた。
導体装置の製造方法は、一定の電流，一定の圧力でめっ
き液吹付を行っていたが、１個につき３００点の素子電
極３を有するウエハ素子２が１２０個存在するウエハ１
上では素子電極３が３６０００点にもなり、これらのす
べてに対して均一で、高速にめっきを行うことができ
ず、長時間を要する等の問題点を有していた。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、短時間に均一で高品質な素子電
極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を得る
ことを目的とする。
ためになされたもので、短時間に均一で高品質な素子電
極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を得る
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、電極の形成時に高電流，低電流，逆電流
を繰り返し流すものである。
の製造方法は、電極の形成時に高電流，低電流，逆電流
を繰り返し流すものである。
【０００７】
【作用】本発明においては、高電流時に高速めっきが行
われ、低電流時にめっき表面が正常化され、逆電流時に
めっきが削られて均一化される。
われ、低電流時にめっき表面が正常化され、逆電流時に
めっきが削られて均一化される。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例を図１を参照して説明す
る。この図において、図３と同一符号は同一のものを示
し、６は液量調整ノズル、８は電流調整アノード電極、
９は圧力コントロールポンプ、１０は電流コントロール
式直流電源、１１は前記液量調整ノズル６を含む上，下
可変式ノズル、１２は前記電流調整アノード電極８を含
む上，下可変式アノード電極である。
る。この図において、図３と同一符号は同一のものを示
し、６は液量調整ノズル、８は電流調整アノード電極、
９は圧力コントロールポンプ、１０は電流コントロール
式直流電源、１１は前記液量調整ノズル６を含む上，下
可変式ノズル、１２は前記電流調整アノード電極８を含
む上，下可変式アノード電極である。
【０００９】まず、ウエハ１を回転テーブル４へセット
し、圧力コントロールポンプ９にてめっき液５を液量調
整ノズル６を介してウエハ１に吹付ける。この際、上，
下可変式アノード電極１２と上，下可変式ノズル１１を
それぞれ上下に動作させて位置調整するとともに、カソ
ード電極１３と電流調整アノード電極８間へ電流コント
ロール式直流電源１０により高電流，逆電流，低電流と
繰り返して電流を流す。また、めっき液５の吹付け圧力
も低圧、高圧と変化させ、高電流にて短時間に高速で均
一に素子電極３を形成する。通電時間と電流値の一例を
示せば、高電流３０秒，逆電流１０秒，低電流２０秒の
割合で電流を流し、高電流１０〜５０Ａ／ｄｍ2 ，低電
流１〜２０Ａ／ｄｍ2 となる。なお、高電流，逆電流，
低電流の組み合わせは上記に限らず、他の組み合わせで
もよいことはもちろんであり、電流値も一例に過ぎな
い。
し、圧力コントロールポンプ９にてめっき液５を液量調
整ノズル６を介してウエハ１に吹付ける。この際、上，
下可変式アノード電極１２と上，下可変式ノズル１１を
それぞれ上下に動作させて位置調整するとともに、カソ
ード電極１３と電流調整アノード電極８間へ電流コント
ロール式直流電源１０により高電流，逆電流，低電流と
繰り返して電流を流す。また、めっき液５の吹付け圧力
も低圧、高圧と変化させ、高電流にて短時間に高速で均
一に素子電極３を形成する。通電時間と電流値の一例を
示せば、高電流３０秒，逆電流１０秒，低電流２０秒の
割合で電流を流し、高電流１０〜５０Ａ／ｄｍ2 ，低電
流１〜２０Ａ／ｄｍ2 となる。なお、高電流，逆電流，
低電流の組み合わせは上記に限らず、他の組み合わせで
もよいことはもちろんであり、電流値も一例に過ぎな
い。
【００１０】すなわち、本発明によれば、高電流にて高
速めっきが行われ、逆電流にてめっき厚が削られて均一
化され、低電流にてめっき表面が正常化されることにな
り、これが繰り返されることで高速で均一なめっきが実
現されている。
速めっきが行われ、逆電流にてめっき厚が削られて均一
化され、低電流にてめっき表面が正常化されることにな
り、これが繰り返されることで高速で均一なめっきが実
現されている。
【００１１】また、めっき液５の吹付圧をめっき厚の厚
くつく部分へは圧力を下げ、めっき厚の薄い部分へは、
圧力，液量を上げるようにコントロールすることでめっ
き液５の分布を良くし、さらに高速で均一なめっきが実
現できる。
くつく部分へは圧力を下げ、めっき厚の薄い部分へは、
圧力，液量を上げるようにコントロールすることでめっ
き液５の分布を良くし、さらに高速で均一なめっきが実
現できる。
【００１２】さらに、電流調整アノード電極８の形状を
加工し、電流調整アノード電極８を上下動させたり、高
電流部分と低電流部分との電流分布が良くなるようにア
ノード電流を変化させることにより、高速で均一なめっ
きが実現できる。
加工し、電流調整アノード電極８を上下動させたり、高
電流部分と低電流部分との電流分布が良くなるようにア
ノード電流を変化させることにより、高速で均一なめっ
きが実現できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、電極の
形成時に高電流，低電流，逆電流を適当な順序で繰り返
し流すので、高速で均一なめっきによって電極が形成で
きるという効果がある。
形成時に高電流，低電流，逆電流を適当な順序で繰り返
し流すので、高速で均一なめっきによって電極が形成で
きるという効果がある。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の図である。
の図である。
【図２】ウエハおよび半導体素子の電極を示す図であ
る。
る。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
図である。
図である。
１ ウエハ ２ ウエハ素子 ３ 素子電極 ４ 回転テーブル ５ めっき液 ６ 液量調整ノズル ７ 吹付けめっき液 ８ 電流調整アノード電極 ９ 圧力コントロールポンプ １０ 電流コントロール式直流電源 １１ 上，下可変式ノズル １２ 上，下可変式アノード電極 １３ カソード電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子が形成されたウエハにめっき
液を吹き付け、このウエハと対向する電極間に電流を流
して電極を形成する工程を有する半導体装置の製造方法
において、前記電極の形成時に高電流，低電流，逆電流
を繰り返し流すことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001692A JPH05195183A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001692A JPH05195183A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05195183A true JPH05195183A (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=11738600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1001692A Pending JPH05195183A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05195183A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000129490A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Ebara Corp | 電解めっき方法及び電解めっき装置 |
| JP2002503766A (ja) * | 1998-02-12 | 2002-02-05 | エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド | メッキ設備及び方法 |
| JP2005097732A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-04-14 | Ebara Corp | めっき装置 |
| JP2011026708A (ja) * | 2003-08-21 | 2011-02-10 | Ebara Corp | めっき装置 |
| JP2012136765A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Ebara Corp | 電気めっき方法 |
| JP2019525000A (ja) * | 2016-07-20 | 2019-09-05 | テクニク, インク.Technic, Inc. | 半導体ウェハ上の均一な厚さの金属層の電着 |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP1001692A patent/JPH05195183A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503766A (ja) * | 1998-02-12 | 2002-02-05 | エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド | メッキ設備及び方法 |
| JP2000129490A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Ebara Corp | 電解めっき方法及び電解めっき装置 |
| JP2005097732A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-04-14 | Ebara Corp | めっき装置 |
| JP2011026708A (ja) * | 2003-08-21 | 2011-02-10 | Ebara Corp | めっき装置 |
| JP2012136765A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Ebara Corp | 電気めっき方法 |
| JP2019525000A (ja) * | 2016-07-20 | 2019-09-05 | テクニク, インク.Technic, Inc. | 半導体ウェハ上の均一な厚さの金属層の電着 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5865984A (en) | Electrochemical etching apparatus and method for spirally etching a workpiece | |
| US20010000891A1 (en) | Method of plating semiconductor wafer and plated semiconductor wafer | |
| JP2004518817A5 (ja) | ||
| JPH05195183A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3289459B2 (ja) | メッキ方法及びメッキ装置 | |
| KR20210011983A (ko) | 전기 도금 장치 및 전기 도금 방법 | |
| US2349622A (en) | Manufacture of rectifiers of the blocking layer type | |
| JPH11246999A (ja) | ウエハのメッキ方法及び装置 | |
| JPS6154534B2 (ja) | ||
| JPH0314228A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2538705Y2 (ja) | めっき処理装置 | |
| JPH1018076A (ja) | 金属箔の製造方法及び装置 | |
| JP3096296B1 (ja) | 電解めっき処理装置 | |
| JP3343077B2 (ja) | めっき用電極 | |
| JP3212266B2 (ja) | バンプ形成装置およびバンプ形成方法 | |
| JP2000256895A (ja) | 電着塗装システム及び電着塗装方法 | |
| JPH02225693A (ja) | 噴流式ウエハメッキ装置 | |
| JPH02101189A (ja) | 精密電気めっき方法及びその装置 | |
| CN117293064B (zh) | 一种金属剥离方法 | |
| JP2825041B2 (ja) | めっき処理装置 | |
| JPH05255897A (ja) | 噴流式電解金メッキ成長装置 | |
| JPH02134813A (ja) | レジストの塗布方法 | |
| JPH02153100A (ja) | バレルめっき装置 | |
| JP3317223B2 (ja) | 枚葉式メッキ装置 | |
| JP2641325B2 (ja) | 半導体装置のめっき装置 |