JPH05182947A - 半導体結晶のエッチング方法 - Google Patents
半導体結晶のエッチング方法Info
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- JPH05182947A JPH05182947A JP34667691A JP34667691A JPH05182947A JP H05182947 A JPH05182947 A JP H05182947A JP 34667691 A JP34667691 A JP 34667691A JP 34667691 A JP34667691 A JP 34667691A JP H05182947 A JPH05182947 A JP H05182947A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＡｌＧａＩｎＰ半導体結晶におけるＡｌＧａ
ＩｎＰとＧａＩｎＰの選択性が高く、制御が容易で再現
性が良く、短時間に高精度にエッチングが行なえるこ
と。 【構成】 ＡｌＧａＩｎＰクラッド層をエッチングする
際は、硫酸エッチング液の温度を２９°Ｃ以上に設定
し、この層のエッチングが終了した時点で硫酸エッチン
グ液の温度を２８°Ｃ以下に下げ、下層のＧａＩｎＰエ
ッチング阻止層のエッチングを防止する。硫酸エッチン
グ液の温度が２８°Ｃ以下では、ＡｌＧａＩｎＰに対す
るＧａＩｎＰの比すなわち選択比は無限大になり、Ａｌ
ＧａＩｎＰはエッチングされるものの、ＧａＩｎＰはエ
ッチングされない。したがって、初めから硫酸エッチン
グ液の温度を２８°Ｃ以下に設定してエッチングを行な
ってもよい。
ＩｎＰとＧａＩｎＰの選択性が高く、制御が容易で再現
性が良く、短時間に高精度にエッチングが行なえるこ
と。 【構成】 ＡｌＧａＩｎＰクラッド層をエッチングする
際は、硫酸エッチング液の温度を２９°Ｃ以上に設定
し、この層のエッチングが終了した時点で硫酸エッチン
グ液の温度を２８°Ｃ以下に下げ、下層のＧａＩｎＰエ
ッチング阻止層のエッチングを防止する。硫酸エッチン
グ液の温度が２８°Ｃ以下では、ＡｌＧａＩｎＰに対す
るＧａＩｎＰの比すなわち選択比は無限大になり、Ａｌ
ＧａＩｎＰはエッチングされるものの、ＧａＩｎＰはエ
ッチングされない。したがって、初めから硫酸エッチン
グ液の温度を２８°Ｃ以下に設定してエッチングを行な
ってもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶のエッチン
グ方法に関するものである。
グ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ａｌ（アルミニウム）Ｇａ（ガリウム）
Ｉｎ（インジウム）Ｐ（リン）結晶は、６００ｎｍ帯で
発振する短波長の半導体レーザを作製するための結晶と
して用いられる。このＡｌＧａＩｎＰ結晶の成長技術の
進歩に伴い、レーザの特性向上を目的としたさまざまな
構造の半導体レーザが研究されており、半導体レーザ作
製のための結晶加工技術の開発も進められている。結晶
加工技術の中でも重要なＡｌＧａＩｎＰ結晶のエッチン
グについては、従来は熱硫酸や硫酸と過酸化水素水と水
を混合したエッチング液などが知られているものの、Ａ
ｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰに対して選択性の高いエッチ
ング液の報告は極めて少ない。以下、本願発明者らが研
究室で行なったこの種の半導体結晶のエッチング方法に
ついて図面を参照しながら説明する。
Ｉｎ（インジウム）Ｐ（リン）結晶は、６００ｎｍ帯で
発振する短波長の半導体レーザを作製するための結晶と
して用いられる。このＡｌＧａＩｎＰ結晶の成長技術の
進歩に伴い、レーザの特性向上を目的としたさまざまな
構造の半導体レーザが研究されており、半導体レーザ作
製のための結晶加工技術の開発も進められている。結晶
加工技術の中でも重要なＡｌＧａＩｎＰ結晶のエッチン
グについては、従来は熱硫酸や硫酸と過酸化水素水と水
を混合したエッチング液などが知られているものの、Ａ
ｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰに対して選択性の高いエッチ
ング液の報告は極めて少ない。以下、本願発明者らが研
究室で行なったこの種の半導体結晶のエッチング方法に
ついて図面を参照しながら説明する。
【０００３】図３は半導体結晶の断面図、図４の（ａ）
はエッチング前、（ｂ）はエッチング後の断面図であ
る。図３において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型Ｇ
ａＡｓバッファ層、３はｎ型ＧａＩｎＰ層、４はｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層、５はアンドープのＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層、６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、７は
約０．００１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰエッチング阻止
層、８はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、９はｐ型Ｇａ
ＩｎＰ層、１０はｐ型ＧａＡｓキャップ層である。図４
の１１はＳｉＯ2 エッチングマスクである。
はエッチング前、（ｂ）はエッチング後の断面図であ
る。図３において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型Ｇ
ａＡｓバッファ層、３はｎ型ＧａＩｎＰ層、４はｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層、５はアンドープのＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層、６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、７は
約０．００１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰエッチング阻止
層、８はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、９はｐ型Ｇａ
ＩｎＰ層、１０はｐ型ＧａＡｓキャップ層である。図４
の１１はＳｉＯ2 エッチングマスクである。
【０００４】次にエッチング方法について説明する。図
３のようにＧａＡｓ基板１上に順次成長させた結晶表面
に、まずＳｉＯ2 膜を形成し、次に図４（ａ）のように
ＳｉＯ2 エッチングマスク１１をフォトリソグラフィー
技術等によりストライプを含むパターンに形成する。そ
の後、このエッチングマスク１１を利用し、ＧａＡｓキ
ャップ層１０およびＧａＩｎＰ層９を硫酸、水、過酸化
水素水とを混合したエッチング液でエッチングする。次
に、図４（ｂ）のように、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８
を３５°Ｃの硫酸液でリッジ型にエッチングする。この
時、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８の段差すなわちエッチ
ングの深さを２〜３度測定し、エッチングレートを確認
する。このエッチングレートから、残っているＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層８のみをエッチングする時間を求め、
下のＧａＩｎＰエッチング阻止層７をエッチングしない
ように慎重にエッチングする。リッジ作製後、２度目の
結晶成長を行ない、レーザ構造に作製する。
３のようにＧａＡｓ基板１上に順次成長させた結晶表面
に、まずＳｉＯ2 膜を形成し、次に図４（ａ）のように
ＳｉＯ2 エッチングマスク１１をフォトリソグラフィー
技術等によりストライプを含むパターンに形成する。そ
の後、このエッチングマスク１１を利用し、ＧａＡｓキ
ャップ層１０およびＧａＩｎＰ層９を硫酸、水、過酸化
水素水とを混合したエッチング液でエッチングする。次
に、図４（ｂ）のように、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８
を３５°Ｃの硫酸液でリッジ型にエッチングする。この
時、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８の段差すなわちエッチ
ングの深さを２〜３度測定し、エッチングレートを確認
する。このエッチングレートから、残っているＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層８のみをエッチングする時間を求め、
下のＧａＩｎＰエッチング阻止層７をエッチングしない
ように慎重にエッチングする。リッジ作製後、２度目の
結晶成長を行ない、レーザ構造に作製する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＡｌＧ
ａＩｎＰ結晶のエッチングにおいては、結晶の膜厚が設
定値と異なることが多く、従来のエッチング方法では、
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８の下のＧａＩｎＰエッチン
グ阻止層７を誤ってエッチングしてしまうことが多い。
さらにレーザ構造で最も重要な下層の活性層５まで除去
してしまったり、逆にＡｌＧａＩｎＰクラッド層８が大
量に残ったまま半導体レーザが作製されると、レーザの
特性を大きく左右してしまうため、エッチングに際して
は、高度な技術とエッチング深さを測定しながらの慎重
な作業が要求され、熟練者でも非常に困難な作業となっ
ていた。
ａＩｎＰ結晶のエッチングにおいては、結晶の膜厚が設
定値と異なることが多く、従来のエッチング方法では、
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８の下のＧａＩｎＰエッチン
グ阻止層７を誤ってエッチングしてしまうことが多い。
さらにレーザ構造で最も重要な下層の活性層５まで除去
してしまったり、逆にＡｌＧａＩｎＰクラッド層８が大
量に残ったまま半導体レーザが作製されると、レーザの
特性を大きく左右してしまうため、エッチングに際して
は、高度な技術とエッチング深さを測定しながらの慎重
な作業が要求され、熟練者でも非常に困難な作業となっ
ていた。
【０００６】本発明は、このような従来の問題に鑑み、
ＡｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰの選択性が高く、制御が容
易で再現性が良く、短時間に高精度にエッチングが行な
える優れた半導体結晶のエッチング方法を提供すること
を目的とする。
ＡｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰの選択性が高く、制御が容
易で再現性が良く、短時間に高精度にエッチングが行な
える優れた半導体結晶のエッチング方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【発明が解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ半導体結晶におけるＡｌ
ＧａＩｎＰクラッド層をエッチングする硫酸液の温度を
２８°Ｃ以下に設定して、その下層のＧａＩｎＰエッチ
ング阻止層のエッチングを防止するようにしたものであ
る。
に、本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ半導体結晶におけるＡｌ
ＧａＩｎＰクラッド層をエッチングする硫酸液の温度を
２８°Ｃ以下に設定して、その下層のＧａＩｎＰエッチ
ング阻止層のエッチングを防止するようにしたものであ
る。
【０００８】
【作用】本発明は、上記構成により、ＧａＩｎＰに対し
てＡｌＧａＩｎＰを選択的にエッチングすることができ
るので、特性の安定した半導体レーザを作製することが
できる。
てＡｌＧａＩｎＰを選択的にエッチングすることができ
るので、特性の安定した半導体レーザを作製することが
できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する
が、その前に本発明の原理について説明する。
が、その前に本発明の原理について説明する。
【００１０】図１は本発明におけるＡｌＧａＩｎＰとＧ
ａＩｎＰに対する硫酸エッチング液の温度／選択比を示
すもので、エッチング液の温度が２８°Ｃ以下では、Ａ
ｌＧａＩｎＰに対するＧａＩｎＰの比すなわち選択比は
無限大になり、ＡｌＧａＩｎＰはエッチングされるもの
の、ＧａＩｎＰはエッチングされないことを示してい
る。エッチング液の温度が、３０°Ｃでは選択比は１７
倍、４０°Ｃでは６倍、５０°Ｃでは５．７６倍、６０
°Ｃでは５．２倍になり、エッチング液の温度が上昇す
るにつれて選択性が小さくなり、ＡｌＧａＩｎＰもＧａ
ＩｎＰも同様にエッチングされることになる。
ａＩｎＰに対する硫酸エッチング液の温度／選択比を示
すもので、エッチング液の温度が２８°Ｃ以下では、Ａ
ｌＧａＩｎＰに対するＧａＩｎＰの比すなわち選択比は
無限大になり、ＡｌＧａＩｎＰはエッチングされるもの
の、ＧａＩｎＰはエッチングされないことを示してい
る。エッチング液の温度が、３０°Ｃでは選択比は１７
倍、４０°Ｃでは６倍、５０°Ｃでは５．７６倍、６０
°Ｃでは５．２倍になり、エッチング液の温度が上昇す
るにつれて選択性が小さくなり、ＡｌＧａＩｎＰもＧａ
ＩｎＰも同様にエッチングされることになる。
【００１１】図２はＡｌＧａｌｎＰとＧａＩｎＰの硫酸
エッチング液の温度変化によるエッチングレートを示す
もので、硫酸エッチング液の温度が２８°Ｃでは、Ａｌ
ＧａａＩｎＰのエッチングレートが２５０Å／ｍｉｎで
あるのに対し、ＧａＩｎＰはエッチングされないのでゼ
ロである。硫酸エッチング液の温度が３０°Ｃのエッチ
ングレートは、ＡｌＧａＩｎＰの３４０Å／ｍｉｎに対
し、ＧａＩｎＰは２０Å／ｍｉｎであり、選択比は１７
倍であることが分かる。また、３５°Ｃのエッチングレ
ートは、ＡｌＧａＩｎＰの７００Å／ｍｉｎに対し、Ｇ
ａＩｎＰは１００Å／ｍｉｎであり、選択比は７倍であ
る。さらに、４０°Ｃのエッチングレートは、ＡｌＧａ
ＩｎＰの１２００Å／ｍｉｎに対し、ＧａＩｎＰは２０
０Å／ｍｉｎであり、選択比は６倍である。
エッチング液の温度変化によるエッチングレートを示す
もので、硫酸エッチング液の温度が２８°Ｃでは、Ａｌ
ＧａａＩｎＰのエッチングレートが２５０Å／ｍｉｎで
あるのに対し、ＧａＩｎＰはエッチングされないのでゼ
ロである。硫酸エッチング液の温度が３０°Ｃのエッチ
ングレートは、ＡｌＧａＩｎＰの３４０Å／ｍｉｎに対
し、ＧａＩｎＰは２０Å／ｍｉｎであり、選択比は１７
倍であることが分かる。また、３５°Ｃのエッチングレ
ートは、ＡｌＧａＩｎＰの７００Å／ｍｉｎに対し、Ｇ
ａＩｎＰは１００Å／ｍｉｎであり、選択比は７倍であ
る。さらに、４０°Ｃのエッチングレートは、ＡｌＧａ
ＩｎＰの１２００Å／ｍｉｎに対し、ＧａＩｎＰは２０
０Å／ｍｉｎであり、選択比は６倍である。
【００１２】次に上記原理を応用した本発明の一実施例
について説明する。本発明によるエッチング方法は、そ
のエッチング液の温度設定を除いては従来例と変わらな
いので、従来技術の説明で用いた図３および図４を再び
引用して説明する。
について説明する。本発明によるエッチング方法は、そ
のエッチング液の温度設定を除いては従来例と変わらな
いので、従来技術の説明で用いた図３および図４を再び
引用して説明する。
【００１３】まず図３のように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰ層３、ｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、アンドープのＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６、約
０．００１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰエッチング阻止層
７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８、ｐ型ＧａＩｎＰ
層９およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０を順次結晶成長
させる。次にこの結晶表面にＳｉＯ2 膜を形成し、図４
（ａ）のようにＳｉＯ2 エッチングマスク１１をフォト
リソグラフィー技術等によりストライプを含むパターン
に形成する。その後、このエッチングマスク１１を利用
し、ＧａＡｓキャップ層１０およびＧａＩｎＰ層９を硫
酸、水、過酸化水素水とを混合したエッチング液でエッ
チングする。次に図４（ｂ）のように、ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層８を３０°Ｃの硫酸エッチング液でリッジ型
にエッチングする。この時、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
８のエッチングが終了するまでの時間を計測したり、そ
の下層のＧａＩｎＰエッチング阻止層７が現れたときの
色の変化を観察しながら、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８
のエッチングが終了時点で硫酸エッチング液の温度を２
８°Ｃ以下に下げ、その下層のＧａＩｎＰエッチング阻
止層７のエッチングを防止する。このようにしてリッジ
作製後、２度目の結晶成長を行ない、レーザ構造に作製
する。
にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰ層３、ｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、アンドープのＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６、約
０．００１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰエッチング阻止層
７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８、ｐ型ＧａＩｎＰ
層９およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０を順次結晶成長
させる。次にこの結晶表面にＳｉＯ2 膜を形成し、図４
（ａ）のようにＳｉＯ2 エッチングマスク１１をフォト
リソグラフィー技術等によりストライプを含むパターン
に形成する。その後、このエッチングマスク１１を利用
し、ＧａＡｓキャップ層１０およびＧａＩｎＰ層９を硫
酸、水、過酸化水素水とを混合したエッチング液でエッ
チングする。次に図４（ｂ）のように、ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層８を３０°Ｃの硫酸エッチング液でリッジ型
にエッチングする。この時、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
８のエッチングが終了するまでの時間を計測したり、そ
の下層のＧａＩｎＰエッチング阻止層７が現れたときの
色の変化を観察しながら、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８
のエッチングが終了時点で硫酸エッチング液の温度を２
８°Ｃ以下に下げ、その下層のＧａＩｎＰエッチング阻
止層７のエッチングを防止する。このようにしてリッジ
作製後、２度目の結晶成長を行ない、レーザ構造に作製
する。
【００１４】このように、硫酸エッチング液の温度を３
０°Ｃに設定してＡｌＧａＩｎＰクラッド層８をエッチ
ングすれば、その下層のＧａＩｎＰエッチング阻止層７
の膜厚が１００Åならば、これを除去しきるまで約５分
あり、その上層のＡｌＧａＩｎＰクラッド層８のエッチ
ングが終了した時点で硫酸エッチング液の温度を２８°
Ｃ以下にさげることにより、エッチング阻止層７のエッ
チングを容易に止めることができる。また、エッチング
阻止層７の膜厚が解らない場合には、硫酸エッチング液
の温度を初めから２８°Ｃ以下に設定することにより、
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８のみをエッチングして、Ｇ
ａＩｎＰエッチング阻止層７におけるエッチングを止め
ることができる。
０°Ｃに設定してＡｌＧａＩｎＰクラッド層８をエッチ
ングすれば、その下層のＧａＩｎＰエッチング阻止層７
の膜厚が１００Åならば、これを除去しきるまで約５分
あり、その上層のＡｌＧａＩｎＰクラッド層８のエッチ
ングが終了した時点で硫酸エッチング液の温度を２８°
Ｃ以下にさげることにより、エッチング阻止層７のエッ
チングを容易に止めることができる。また、エッチング
阻止層７の膜厚が解らない場合には、硫酸エッチング液
の温度を初めから２８°Ｃ以下に設定することにより、
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８のみをエッチングして、Ｇ
ａＩｎＰエッチング阻止層７におけるエッチングを止め
ることができる。
【００１５】このように、上記実施例によれば、ＧａＩ
ｎＰエッチング阻止層７とＡｌＧａＩｎＰクラッド層８
のエッチング選択比を硫酸エッチング液の温度を変える
ことにより、容易に制御することができ、ＧａＩｎＰエ
ッチング阻止層７の厚みが確認できない場合には、硫酸
エッチング液温度を初めから２８°Ｃ以下に設定するこ
とにより、確実にＧａＩｎＰエッチング阻止層７でエッ
チングを止めることができる。
ｎＰエッチング阻止層７とＡｌＧａＩｎＰクラッド層８
のエッチング選択比を硫酸エッチング液の温度を変える
ことにより、容易に制御することができ、ＧａＩｎＰエ
ッチング阻止層７の厚みが確認できない場合には、硫酸
エッチング液温度を初めから２８°Ｃ以下に設定するこ
とにより、確実にＧａＩｎＰエッチング阻止層７でエッ
チングを止めることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明は、ＡｌＧａＩｎ
Ｐの半導体結晶におけるＡｌＧａＩｎＰクラッド層をエ
ッチングする硫酸液の温度を２８°Ｃ以下に設定して、
その下層のＧａＩｎＰエッチング阻止層のエッチングを
防止するようにしたものであり、ＡｌＧａＩｎＰとＧａ
ＩｎＰとのエッチング選択性が高く、制御が容易でしか
も再現性よく、短時間に高精度にエッチングを行なうこ
とができるという効果を有する。
Ｐの半導体結晶におけるＡｌＧａＩｎＰクラッド層をエ
ッチングする硫酸液の温度を２８°Ｃ以下に設定して、
その下層のＧａＩｎＰエッチング阻止層のエッチングを
防止するようにしたものであり、ＡｌＧａＩｎＰとＧａ
ＩｎＰとのエッチング選択性が高く、制御が容易でしか
も再現性よく、短時間に高精度にエッチングを行なうこ
とができるという効果を有する。
【図１】本発明におけるＡｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰの
硫酸エッチング液の温度変化に対する選択比を示すグラ
フ
硫酸エッチング液の温度変化に対する選択比を示すグラ
フ
【図２】本発明におけるＡｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰの
硫酸エッチングの異なる温度におけるエッチングレート
を示すグラフ
硫酸エッチングの異なる温度におけるエッチングレート
を示すグラフ
【図３】ＡｌＧａＩｎＰ半導体結晶の構造を示す断面図
【図４】ＡｌＧａＩｎＰ半導体結晶のエッチング方法を
説明するための半導体結晶の断面図
説明するための半導体結晶の断面図
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型ＧａＩｎＰ層 ４ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ５ アンドープのＡｌＧａＩｎＰ活性層 ６ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ７ 約０．００１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰエッチング阻
止層 ８ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ９ ｐ型ＧａＩｎＰ層 １０ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 １１ ＳｉＯ2 エッチングマスク
止層 ８ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ９ ｐ型ＧａＩｎＰ層 １０ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 １１ ＳｉＯ2 エッチングマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｌＧａＩｎＰ半導体結晶におけるＡｌ
ＧａＩｎＰクラッド層をエッチングする硫酸液の温度を
２８°Ｃ以下に設定して、その下層のＧａＩｎＰエッチ
ング阻止層のエッチングを防止することを含む半導体結
晶のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34667691A JPH05182947A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体結晶のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34667691A JPH05182947A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体結晶のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182947A true JPH05182947A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18385065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34667691A Pending JPH05182947A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体結晶のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182947A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002031886A1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-18 | Kwangju Institute Of Science And Technology | Monolithically integrated e/d mode hemt and method for fabricating the same |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34667691A patent/JPH05182947A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002031886A1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-18 | Kwangju Institute Of Science And Technology | Monolithically integrated e/d mode hemt and method for fabricating the same |
| US6670652B2 (en) | 2000-10-13 | 2003-12-30 | Kwangju Institute Of Science And Technology | Monolithically integrated E/D mode HEMT and method for fabricating the same |
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