JPH05182487A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05182487A JPH05182487A JP36028891A JP36028891A JPH05182487A JP H05182487 A JPH05182487 A JP H05182487A JP 36028891 A JP36028891 A JP 36028891A JP 36028891 A JP36028891 A JP 36028891A JP H05182487 A JPH05182487 A JP H05182487A
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Abstract
最適な動作特性が得られる半導体装置を提供することに
ある。 【構成】 本発明は、列線18に並列接続されたメモリ
セルブロック20にバイアス電圧を印加するバイアス回
路12と、列線18を充,放電するための充電用回路3
6とを備え、これらバイアス回路12及び充電用回路3
6によってメモリセルM1〜M16の導通,非導通状態
を変化させることによりメモリセル内のデータを読み出
す半導体装置において、所定の情報が記憶された制御用
記憶素子MC1 を備え、制御用記憶素子MC1 に記憶さ
れた情報に基づいて充電用回路36の活性,非活性化を
制御する制御回路32を備えている。
Description
成要素とする半導体メモリに関し、特に容易に列線の充
電特性を変更できる半導体装置に関する。
れる読み出し専用記憶素子には、一般にマスクROM
(Read Only Memory)と呼ばれるものがある。このマス
クROMは、製造工程においてMOS型電界効果トラン
ジスタ(以下、「MOSFET」と称する)の閾値電圧
を選択的に変化させて情報を記憶させる。MOSFET
には、通常、閾値電圧が正であるものと負であるものが
ある。図4に示されたMOSFETは、閾値電圧が正の
N型エンハンスメントMOSFETであり、図5に示さ
れたMOSFETは、閾値電圧が負のN型ディプリーシ
ョンMOSFETである。このようなMOSFETは、
記憶される情報によってどちらかが選択される。
SFETは、P型基板41の上にソース拡散層42とド
レイン拡散層43が形成され、その上にゲート電極54
が形成されている。また、図5に示されたN型ディプリ
ーションMOSFETは、P型基板51の上にソース拡
散層52及びドレイン拡散層53が形成され、これら拡
散層52,53の間にリン拡散したチャネル領域55が
形成され、このチャネル領域55の上にゲート電極54
が形成されている。
ETの電圧−電流特性が示されている。N型エンハンス
メントMOSFET(図4)は、実線61に示すように
ゲート電圧VG が1V以上で導通状態になり、N型ディ
プリーションMOSFET(図5)は実線62に示すよ
うにゲート電圧−4V以上で導通状態になる。従って、
このような記憶素子から情報を読み出す場合、ゲート電
圧VG を0Vにすれば、N型エンハンスメントMOSF
ETならば非導通状態、N型ディプリーションMOSF
ETならば導通状態となるので、列線の電位が変化し、
その微小な変化を検出して情報の読出が可能となる。こ
の検出を行うのがセンスアンプ回路である。
が示されている。このセンスアンプ回路10は、バイア
ス回路12と充電用回路14とから構成されている。バ
イアス回路12内では、N型MOSFET Q1 のドレ
インが、負荷として働くP型MOSFET Q2 を介し
て電源VCCに接続され、ソースがインバータINV1の
入力に共通接続され、ゲートがインバータINV1の出
力がMOSFET Q1 のゲートに接続されている。一
方、充電用回路14内では、N型MOSFET Q1 と
同一の入出力特性をもつN型MOSFET Q3 のドレ
インが、N型MOSFET Q4 を介して電源VCCに接
続され、インバータINV1と同一の入出力特性をもつ
インバータINV2の入力と、N型MOSFETQ3 の
ソースとが共通接続され、インバータINV2の出力が
N型MOSFET Q3 のゲートに接続され、更にN型
MOSFET Q4 のゲートに、アドレスの変化を検出
してパルス状の信号を発生するアドレス遷移検出回路1
6の出力ATDが入力されるようになっている。アドレ
ス遷移検出回路16には、入力パッドA1 〜Am に接続
されたアドレスバッファB1 〜Bm が接続されている。
て、列線18との接続点COJが入力となり、N型MO
SFET Q1 とP型MOSFET Q2 との接続点S
Aが出力となっている。列線18には、これと並列にメ
モリセルブロック20が接続され、メモリセルの導通、
非導通に応じたデータが出力SAより出力されるように
なっている。
スアンプ回路10の動作について説明する。選択された
メモリセルが導通状態、つまり、図7において、N型エ
ンハンスメントMOSFET(M1 〜M15)のゲートに
入力される信号X1 〜X15が高レベルで、ディプリーシ
ョンMOSFET M16のゲートに入力される信号X16
が低レベルの場合は、メモリセルが全て導通状態となる
ので、メモリセルを介してグランドへ電流が流れ、セン
スアンプ回路10の入力COJは放電され電位が下が
る。そして、入力COJの電位がインバータINV1,
INV2の論理閾値電圧以下になると、インバータIN
V1,INV2の出力は高レベルになり、N型MOSF
ET Q1 ,Q3 は導通状態となる。従って、センスア
ンプ回路10の出力SAは放電され低レベルとなり、出
力電位VONがSAから出力される。
態、つまり、N型エンハンスメントMOSFET(M1
〜M15)のゲートに入力される信号X1 〜X15のうちど
れか1つが低レベルで、残りのN型ディプリーションM
OSFET M16のゲートに入る信号X16を含む15本
の信号が高レベルの場合は、メモリセルには電流は流れ
ず、列線18は充電され電位が上がる。そして、列線1
8の電位がインバータINV1,INV2の論理閾値電
圧に達すると、インバータINV1,INV2の出力は
低レベルになりN型MOSFET Q1 ,Q3 は非導通
状態となる。従って、センスアンプ回路10の出力SA
は、P型MOSFET Q2 によって充電され高レベル
になり、出力電位VOFF がSAより出力される。この
時、アドレス遷移検出回路16よりパルス状の信号が発
生していると、パルス状の信号が高レベルの間、N型M
OSFET Q4 は導通状態となるため、列線18をイ
ンバータINV1,INV2の論理閾値電圧に達するま
で、若しくはパルス状の信号が低レベルになるまで充電
を続行する。
メモリセルの導通、非導通を検出し、それに応じたデー
タVON,VOFF をSAより出力するようになっている。
また、リファレンスアンプ22の出力RAからは基準電
圧VREF が出力され、このVREF はVONとVOFF の間に
位置するように設定されている。このVREF とVONまた
はVREF とVOFF との電位差が差動アンプ24の入力と
なり、それぞれの電位差に応じたデータが出力端子OU
Tより出力される。なお、上記のような構成のセンスア
ンプ回路20を用いた半導体装置は、一般に動作時の電
源電圧VCCは5Vであるので、この電圧において安定か
つ高速に動作するように最適設計されている。また、最
近では、動作時の電源電圧VCCを5Vから3V付近へ設
定した半導体装置が求められている。
ような従来のセンスアンプ回路20を、電源電圧3Vで
動作させると、動作速度は非常に遅くなる。これは、電
源電圧VCCの低下に伴って負荷として働くMOSFET
の能力が低下し、列線18の充電に時間がかかるためで
ある。その結果、従来の半導体装置においては、電源電
圧VCCを5Vで使用するか、3V付近で使用するかによ
って、基本的な設計変更を行わなければならない。この
ような変更を行うには、半導体装置の製造工程であるフ
ォトリソグラフィ工程で用いるマスクパターンの変更が
必要であり、電源電圧VCCが5Vの製品と3Vの製品
を、マスクパターンを区別して開発および製造しなくて
はならない。このため、開発工数および生産上の管理工
数が多くなってしまうという問題点があった。 また、
一般的にマスクROMでは、中間製品(情報を書き込む
工程の直前まで製造を行った製品)を事前に製造してお
き、顧客の必要とするデータを受注した後に、情報書き
込みを含む残りの工程を行うため、上記マスクパターン
の変更が情報を書き込む前に行われる場合には、多種類
の中間製品を作っておく必要があり、生産管理が複雑に
なるという問題点が発生する。
常に最適な動作特性が得られる半導体装置を提供するこ
とにある。
成するために、列線に並列接続されたメモリセルにバイ
アス電圧を印加するバイアス回路と、列線を充,放電す
るための充電用回路とを備え、これらバイアス回路及び
充電用回路によってメモリセルの導通,非導通状態を変
化させることによりメモリセル内のデータを読み出す半
導体装置において、所定の情報が記憶された制御用記憶
素子を備え、制御用記憶素子に記憶された情報に基づい
て充電用回路の活性,非活性化を制御する制御回路を備
えている。
御用記憶素子に記憶する情報を変更するだけで、容易に
列線の充電能力を変更できる。例えば、制御用記憶素子
がN型エンハンスメントMOSFETの場合に、バイア
ス回路を5V付近で動作する時に最適となるように設計
し、制御用記憶素子がN型ディプリーションMOSFE
Tの場合に、充電用回路を3V付近で動作する時に最適
となるように設計すれば、制御用記憶素子に書き込む情
報を変化させるだけで、電源電圧が異なる場合でも、回
路変更の必要も無く適切な動作が得られる。また、制御
用記憶素子への情報の書き込みは、半導体装置の製造工
程において、メモリセル(ROM)に情報の書き込みを
行う工程と同一工程で行われ、更に、情報書き込み工程
のフォトリソグラフィ工程で用いるマスクパターンは、
顧客から供給されるデータによってその都度作成される
ため、このマスクパターンを作成する際に、顧客が要求
する電源電圧を考慮して制御用記憶素子に書き込む情報
を決定すればよいため、マスクパターンの種類や中間製
品の種類が多くなることもなく、生産管理も容易にな
る。
つ詳細に説明する。図1には、本発明の第1実施例に係
る半導体装置の構成が示されている。なお、図7と同一
の箇所は同一の符号を付し説明を省略する。この半導体
装置は、センスアンプ回路30と、メモリセルブロック
20と、センスアンプ回路30を制御する制御回路32
とを備えている。すなわち、本実施例においては、図7
に示した装置のリファレンスアンプ22,差動アンプ2
4に代えて制御回路32を設けるとともに、センスアン
プ回路内の充電用回路に第1のNOR回路NOR1を配
置している。
OMと同様の構造を有する第1の記憶素子MC1 が備え
られ、ソースとゲートが接地電位VSS2 に接続され、ド
レインが負荷として働くP型MOSFET Q5 を介し
て電源電圧VCCに接続されている。第1の記憶素子MC
1 とP型MOSFET Q5 との接続点は、第2のNO
R回路NOR2 の入力に接続されている。第2のNOR
回路NOR2 の他方の入力端には、活性化信号の反転信
号CEBが接続されている。第2のNOR回路NOR2
の出力は、インバータINV3の入力に接続されてい
る。インバータINV3の出力はセンスアンプ回路32
の充電用回路36中の第1のNOR回路NOR1 の入力
に接続されている。また、第1のNOR回路NOR1 の
他方の入力にはセンスアンプ回路30の入力接続点CO
Jに接続されている。なお、第1の記憶素子としては、
EPROM又は電気的,レーザ照射によりプログラム可
能なヒューズを用いてもよい。また、MOSFET Q
5 に代えて抵抗素子を用いてもよい。
例の動作について説明する。まず、活性化信号の反転信
号CEBが高レベルの場合、つまり半導体装置が非活性
化状態の場合は、第2のNOR回路NOR2 の出力は他
の入力信号には依存せず低レベルとなり、INV3を介
して第1のNOR回路NOR1 に高レベルが入力され
る。したがって、第1のNOR回路NOR1 の出力は他
の入力には依存せず低レベルとなり、N型MOSFET
Q3 は非導通状態となる。その結果、充電用回路36
が非活性化される。
ベルの場合、つまり半導体装置が活性化されている場合
は、第2のNOR回路は他の信号に依存することにな
る。したがって、まず、第1の記憶素子MC1 がN型エ
ンハンスメントMOSFETの場合は、第1の記憶素子
MC1 はゲート接地電位VSS2 なので非導通状態とな
り、第2のNOR回路NOR2 の入力はP型MOSFE
T Q5 によって高レベルとなる。したがって、第2の
NOR回路NOR2 の出力は他の入力に依存せず低レベ
ルとなり、インバータINV3を介して第1のNOR回
路NOR1 に高レベルが入力される。したがって、第1
のNOR回路NOR1 の出力は低レベルとなりN型MO
SFET Q3 は非導通状態となり、充電用回路36は
非活性化状態となる。その結果、センスアンプ回路30
の動作は全てバイアス回路12によって行われることに
なる。
記憶素子MC1 がN型ディプリーションMOSFETの
場合は、ゲート電圧は接地電位VSS2 であるが記憶素子
MC1 は導通状態となるため、相互伝達コンダクタンス
をP型MOSFET Q5 と比較して十分大きく設計す
れば、第2のNOR回路NOR2 の入力は低レベルとな
る。この時、第2のNOR回路NOR2 の出力は高レベ
ルとなり、INV3を介して第1のNOR回路NOR1
に低レベルが入力される。したがって、充電用回路36
は活性化され、第1のNOR回路NOR1 のもう1つの
入力であるCOJのデータに応じて高レベルか、または
低レベルを出力し、これに応じてN型MOSFET Q
3 も導通状態または非導通状態となる。この時のセンス
アンプ回路30の動作については、従来の装置(図7)
と同一である。
通状態へ変化した時の各部の電位が示されている。図に
おいて、上段が電源電圧5Vにおいて最適設計した時の
波形(従来例)であり、下段の点線は電源電圧5Vで最
適設計したものを電源電圧3Vで動作させた時の波形
(従来例)、下段の実線は第1の記憶素子MC1 をN型
ディプリーションMOSFETにした時の電源電圧3V
における各部の電位波形(本実施例)である。
従来例で示した通り、選択されたメモリセルが非導通の
場合は、列線18が充電され、センスアンプ回路10の
出力SAは高レベルとなり、リファレンスアンプ22と
の電位差が差動アンプ24に入力され、その結果、信号
OUTが出力される。これを電源電圧だけを5Vから3
Vに変更すると、下段の点線に示すような波形になる。
すなわち、この波形は電源電圧が下がることによりバイ
アス回路12のP型MOSFET Q2 の相互伝達コン
ダクタンスが低下し、列線18の充電に時間がかかって
いることを示している。
憶素子MC1 を半導体装置の製造工程において、N型デ
ィプリーションMOSFETにすることにより、充電用
回路36が活性化され、下段の実線で示すような特性を
得ることができ、電源電圧5Vの波形と比較してもスピ
ードの差は全く見られない。
装置の構成が示されている。なお、第1の実施例と同一
の箇所は、同一の符号を付け説明を省略する。この実施
例は、第1の実施例の制御回路32に代えて制御回路4
2を備えている。すなわち、制御回路42においては、
第1のNAND回路NAND1 の入力に、第1の記憶素
子MC1 とP型MOSFET Q5 との接続点と、活性
化信号CEとが供給される。そして、制御回路42の出
力はセンスアンプ回路30の第1のNOR回路NOR1
に入力される。
例の動作について説明する。まず、活性化信号CEが低
レベルの場合、つまり半導体装置が非活性化状態の場合
は、第1のNAND回路NAND1 の出力は信号CE以
外の信号に依存せず高レベルとなり、第1のNOR回路
NOR1 の出力は低レベルとなり、N型MOSFETQ
3 は非導通状態となる。したがって、充電用回路36は
非活性化状態となる。
つまり半導体装置が活性化状態の場合は、第1のNAN
D回路NAND1 は信号CE以外の信号に依存するよう
になる。したがって、まず、第1の記憶素子MC1 がN
型ディプリーションMOSFETの場合、第1の記憶素
子MC1 のゲート電圧は接地電位VSS2 ではあるが、導
通状態となり、第1の記憶素子MC1 の相互伝達コンダ
クタンスをP型MOSFET Q5 と比較して十分大き
く設計すれば、第1のNAND回路NAND1 の入力は
低レベルとなる。この場合、第1のNAND回路NAN
D1 の出力は必ず高レベルとなり、第1のNOR回路N
OR1 の出力は低レベルになる。この際、N型MOSF
ET Q3 は非導通状態となり、充電用回路36は非活
性化状態となり動作しない。したがって、センスアンプ
回路30の動作は全てバイアス回路12に依存すること
になる。
ントMOSFETの場合は、第1の記憶素子MC1 のゲ
ート電圧は接地電位VSS2 であるので非導通状態とな
り、第1のNAND回路NAND1 の入力は、P型MO
SFET Q5 によって高レベルとなる。この際、活性
化信号CEも高レベルであるので、第1のNAND回路
NAND1 の出力は低レベルとなり、第1のNOR回路
に入力される。したがって、充電用回路36は活性化さ
れ、第1のNOR回路NOR1 のもう1つの入力である
COJのデータに応じて高レベルか低レベルを出力す
る。これに対応して、N型MOSFET Q3 も導通状
態又は非導通状態となる。この時のセンスアンプ回路3
0の動作については、従来例と同一である。
列接続されたメモリセルにバイアス電圧を印加するバイ
アス回路と、列線を充,放電するための充電用回路とを
備え、これらバイアス回路及び充電用回路によってメモ
リセルの導通,非導通状態を変化させることによりメモ
リセル内のデータを読み出す半導体装置において、所定
の情報が記憶された制御用記憶素子を備え、制御用記憶
素子に記憶された情報に基づいて充電用回路の活性,非
活性化を制御する制御回路を備えているため、動作電源
(電圧)が異なっても常に最適な動作特性が得られると
いう効果がある。
を示すの回路図。
を示すの回路図。
断面図。
断面図。
Claims (5)
- 【請求項1】 列線に並列接続されたメモリセルにバイ
アス電圧を印加するバイアス回路と、前記列線を充,放
電するための充電用回路とを備え、これらバイアス回路
及び充電用回路によって前記メモリセルの導通,非導通
状態を変化させることにより前記メモリセル内のデータ
を読み出す半導体装置において、 所定の情報が記憶された制御用記憶素子を備え、前記制
御用記憶素子に記憶された情報に基づいて前記充電用回
路の活性,非活性化を制御する制御回路を備えたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記半導体装置が、アドレス信号の変化
を検出してパルス状の信号を発生するアドレス遷移検出
回路を備え、 前記バイアス回路が、第1のデータ出力端子と前記列線
との間に設けられた第1のMOSFETと、第1の電源
と前記第1のデータ出力端子との間に設けられた負荷と
して働く第2のMOSFETと、入力が前記列線に出力
が前記第1のMOSFETのゲートに接続された第1の
インバータとから成り、 前記充電用回路が、前記第1の電源に接続された第4の
MOSFETと、前記列線と前記第4のMOSFETと
の間に接続された第3のMOSFETと、1入力が前記
列線に、出力が前記第3のMOSFETのゲートに接続
された第1のNOR回路とを備え、前記第4のMOSF
ETのゲートに前記アドレス遷移検出回路の出力が接続
され、 前記制御用記憶素子が、前記メモリセルと同様の構造を
有し、ゲートが前記接地電源に接続されており、 前記制御回路が、前記第1の電源と前記第2のデータ出
力端子との間に設けられた負荷として働く第5のMOS
FETを有し、 前記制御回路の出力が前記第1のNOR回路の入力に接
続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装
置。 - 【請求項3】 前記制御回路が、前記第5のMOSFE
Tに代えて、抵抗素子を備えたことをを特徴とする請求
項2記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記制御用記憶素子が電気的に書き込み
のできるEPROMと同様の構造を有することを特徴と
する請求項2又は3記載の半導体装置。 - 【請求項5】 前記制御回路が、前記制御用記憶素子に
代えて、電気的に又はレーザ照射によりプログラ可能な
ヒューズを備えたことを特徴とする請求項2又は3記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36028891A JP2844585B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36028891A JP2844585B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05182487A true JPH05182487A (ja) | 1993-07-23 |
JP2844585B2 JP2844585B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=18468751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36028891A Expired - Lifetime JP2844585B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2844585B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5617370A (en) * | 1994-10-28 | 1997-04-01 | Nec Corporation | Semiconductor memory device with controllable charging characteristics of column lines |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP36028891A patent/JP2844585B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5617370A (en) * | 1994-10-28 | 1997-04-01 | Nec Corporation | Semiconductor memory device with controllable charging characteristics of column lines |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2844585B2 (ja) | 1999-01-06 |
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