JPH05175178A - 半導体基板の研削方法 - Google Patents
半導体基板の研削方法Info
- Publication number
- JPH05175178A JPH05175178A JP34374991A JP34374991A JPH05175178A JP H05175178 A JPH05175178 A JP H05175178A JP 34374991 A JP34374991 A JP 34374991A JP 34374991 A JP34374991 A JP 34374991A JP H05175178 A JPH05175178 A JP H05175178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- semiconductor substrate
- orientation flat
- substrate
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板研削時あるいは研削後の後工程でオ
リエンテーションフラットから研削跡に沿って割れが発
生するのを防ぐ。 【構成】研削盤の回転テーブル上の半導体基板を、オリ
エンテーションフラットの方向がテーブルの回転方向に
切する方向に位置するように取付ける。これにより研削
跡はオリエンテーションフラットに浅い角度で交わり、
割れの発生がなくなる。
リエンテーションフラットから研削跡に沿って割れが発
生するのを防ぐ。 【構成】研削盤の回転テーブル上の半導体基板を、オリ
エンテーションフラットの方向がテーブルの回転方向に
切する方向に位置するように取付ける。これにより研削
跡はオリエンテーションフラットに浅い角度で交わり、
割れの発生がなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の厚さの表面層を
除去するために行うシリコンウエーハなどの半導体基板
の研削方法に関する。
除去するために行うシリコンウエーハなどの半導体基板
の研削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、エピタキシャルウエーハなどは
エピタキシャル工程の関係からサブストレートをある程
度厚くする必要がある。しかし電力用トランジスタある
いはダイオードの順電圧降下を低くするためにはサブス
トレートの厚さを薄くすることが望ましい場合があり、
例えば500 μｍの厚さのウエーハを300 μｍの厚さにす
るために研削を行う。あるいはｎ型シリコンウエーハの
両面からの不純物拡散によりｐ+ 層を形成したのち、一
方のｐ+ 層を除去するために研削を行うこともある。研
削は、研削盤の円形テーブル上にキャリアから取り出さ
れたウエーハをオートローダにより供給し、テーブルを
回転させながら回転する研削砥石車をウエーハ面に接触
させることにより行うのが一般的である。
エピタキシャル工程の関係からサブストレートをある程
度厚くする必要がある。しかし電力用トランジスタある
いはダイオードの順電圧降下を低くするためにはサブス
トレートの厚さを薄くすることが望ましい場合があり、
例えば500 μｍの厚さのウエーハを300 μｍの厚さにす
るために研削を行う。あるいはｎ型シリコンウエーハの
両面からの不純物拡散によりｐ+ 層を形成したのち、一
方のｐ+ 層を除去するために研削を行うこともある。研
削は、研削盤の円形テーブル上にキャリアから取り出さ
れたウエーハをオートローダにより供給し、テーブルを
回転させながら回転する研削砥石車をウエーハ面に接触
させることにより行うのが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】砥石車でウエーハの表
面を削る際に研削跡が生ずることは避けられない。図２
はそのような研削跡の例を示し、シリコンウエーハ１の
表面に円弧状の研削跡２が平行に生ずる。(a) と(b) は
オリエンテーションフラット３の位置がテーブルの回転
方向に対して逆の場合である。このようなウエーハの研
削工程および研削の後の工程で問題になるのはウエーハ
割れである。そしてそのようなウエーハ割れは、研削の
際に発生する研削跡２が、通常(100) 面に合わせて形成
されるオリエンテーションフラット３と交る点から研削
跡２に沿って進行することが認められる。
面を削る際に研削跡が生ずることは避けられない。図２
はそのような研削跡の例を示し、シリコンウエーハ１の
表面に円弧状の研削跡２が平行に生ずる。(a) と(b) は
オリエンテーションフラット３の位置がテーブルの回転
方向に対して逆の場合である。このようなウエーハの研
削工程および研削の後の工程で問題になるのはウエーハ
割れである。そしてそのようなウエーハ割れは、研削の
際に発生する研削跡２が、通常(100) 面に合わせて形成
されるオリエンテーションフラット３と交る点から研削
跡２に沿って進行することが認められる。
【０００４】本発明の目的は、研削工程中あるいは後工
程で割れの発生することの少ない半導体基板の研削方法
を提供することにある。
程で割れの発生することの少ない半導体基板の研削方法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、研削盤の回転テーブル上に支持した半導
体基板の表面に回転する砥石車を接触させて行う半導体
基板の研削方法において、回転テーブル上の半導体基板
のオリエンテーションフラットをそのテーブルの回転方
向に切する方向に位置させるものとする。そして、オリ
エンテーションフラットが半導体基板に最初に砥石車の
接触する側に位置してもよく、最後に砥石車が離れる側
に位置してもよい。また、回転テーブル上に供給する前
に半導体基板をオリエンテーションフラットが重なるよ
うに積重ねておくことが有効である。
めに本発明は、研削盤の回転テーブル上に支持した半導
体基板の表面に回転する砥石車を接触させて行う半導体
基板の研削方法において、回転テーブル上の半導体基板
のオリエンテーションフラットをそのテーブルの回転方
向に切する方向に位置させるものとする。そして、オリ
エンテーションフラットが半導体基板に最初に砥石車の
接触する側に位置してもよく、最後に砥石車が離れる側
に位置してもよい。また、回転テーブル上に供給する前
に半導体基板をオリエンテーションフラットが重なるよ
うに積重ねておくことが有効である。
【０００６】
【作用】オリエンテーションフラットを研削盤の回転テ
ーブルの回転方向に切する方向に位置させることによ
り、発生する研削跡がオリエンテーションフラットに切
するようになり、割れの発生しやすいオリエンテーショ
ンフラットに直角あるいはそれに近い角度で交わる研削
跡が発生を防ぐことができる。
ーブルの回転方向に切する方向に位置させることによ
り、発生する研削跡がオリエンテーションフラットに切
するようになり、割れの発生しやすいオリエンテーショ
ンフラットに直角あるいはそれに近い角度で交わる研削
跡が発生を防ぐことができる。
【０００７】
【実施例】片面を研削するシリコンウエーハをキャリア
内にオリエンテーションフラットが重なるように積重ね
ておき、そのキャリアから１枚ずつすべらせてオートロ
ーダにより研削盤の回転テーブル上に移した。その際、
ウエーハのオリエンテーションフラットがテーブルの回
転方向に切するようにキャリア内でのオリエンテーショ
ンフラットの位置を予め合わせておく。この結果、図１
に示すように研削跡３がシリコンウエーハ１のオリエン
テーションフラット２に平行な方向に生じた。図(a) は
オリエンテーションフラット２の側から研削が始まるよ
うにウエーハの位置合わせを行った場合、図(b) はオリ
エンテーションフラット２の反対側から研削が始まるよ
うにウエーハの位置合わせを行った場合の研削跡３を示
す。このように研削跡２が(110) 結晶面に形成されたオ
リエンテーションフラット３に浅い角度で交わるため、
割れの発生がなくなった。
内にオリエンテーションフラットが重なるように積重ね
ておき、そのキャリアから１枚ずつすべらせてオートロ
ーダにより研削盤の回転テーブル上に移した。その際、
ウエーハのオリエンテーションフラットがテーブルの回
転方向に切するようにキャリア内でのオリエンテーショ
ンフラットの位置を予め合わせておく。この結果、図１
に示すように研削跡３がシリコンウエーハ１のオリエン
テーションフラット２に平行な方向に生じた。図(a) は
オリエンテーションフラット２の側から研削が始まるよ
うにウエーハの位置合わせを行った場合、図(b) はオリ
エンテーションフラット２の反対側から研削が始まるよ
うにウエーハの位置合わせを行った場合の研削跡３を示
す。このように研削跡２が(110) 結晶面に形成されたオ
リエンテーションフラット３に浅い角度で交わるため、
割れの発生がなくなった。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、研削盤の回転テーブル
上の半導体基板の取付け位置の調整により、研削跡が基
板のオリエンテーションフラットに切するように発生
し、研削時および研削後の後固定でオリエンテーション
フラットから研削跡に沿って発生する基板の割れおよび
基板のチッピングが大幅に減少した。
上の半導体基板の取付け位置の調整により、研削跡が基
板のオリエンテーションフラットに切するように発生
し、研削時および研削後の後固定でオリエンテーション
フラットから研削跡に沿って発生する基板の割れおよび
基板のチッピングが大幅に減少した。
【図１】本発明の二つの実施例による研削後のシリコン
ウエーハのそれぞれの平面図
ウエーハのそれぞれの平面図
【図２】従来の方法による研削後の二つの例のシリコン
ウエーハのそれぞれの平面図
ウエーハのそれぞれの平面図
【符号の説明】 １ シリコンウエーハ ２ 研削跡 ３ オリエンテーションフラット
Claims (4)
- 【請求項１】研削盤の回転テーブル上に支持した半導体
基板の表面に回転する砥石車を接触させて行う半導体基
板の研削方法において、回転テーブル上の半導体基板の
オリエンテーションフラットをそのテーブルの回転方向
に切する方向に位置させることを特徴とする半導体基板
の研削方法。 - 【請求項２】オリエンテーションフラットが半導体基板
に最初に砥石車の接触する側に位置する請求項１記載の
半導体基板の研削方法。 - 【請求項３】オリエンテーションフラットが半導体基板
から最後に砥石車が離れる側に位置する請求項１記載の
半導体基板の研削方法。 - 【請求項４】回転テーブル上に供給する前に半導体基板
をオリエンテーションフラットが重なるように積重ねて
おく請求項１, ２あるいは３記載の半導体基板の研削方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34374991A JPH05175178A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体基板の研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34374991A JPH05175178A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体基板の研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175178A true JPH05175178A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18363943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34374991A Pending JPH05175178A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体基板の研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175178A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2851311A1 (de) * | 1977-11-28 | 1979-05-31 | Kuraray Co | Wildlederartiges aufgerauhtes folienmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP34374991A patent/JPH05175178A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2851311A1 (de) * | 1977-11-28 | 1979-05-31 | Kuraray Co | Wildlederartiges aufgerauhtes folienmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
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