JPH05171009A - 高分子混合物 - Google Patents
高分子混合物Info
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- JPH05171009A JPH05171009A JP3181518A JP18151891A JPH05171009A JP H05171009 A JPH05171009 A JP H05171009A JP 3181518 A JP3181518 A JP 3181518A JP 18151891 A JP18151891 A JP 18151891A JP H05171009 A JPH05171009 A JP H05171009A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】溶媒に抵抗性がある、塗膜と不織布、特に柔軟
な積層物の提供 【構成】 (a)分子中に少なくとも2個のエポキシ基
を有するエポキシ樹脂;および (b)極性非プロトン性溶媒に可溶性のポリアミド−ポ
リイミド(PA−PI)ブロック共重合体を; 1:1ないし1:200のa:bの重量比で含有する混
合物。
な積層物の提供 【構成】 (a)分子中に少なくとも2個のエポキシ基
を有するエポキシ樹脂;および (b)極性非プロトン性溶媒に可溶性のポリアミド−ポ
リイミド(PA−PI)ブロック共重合体を; 1:1ないし1:200のa:bの重量比で含有する混
合物。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、エポキシ樹脂と可溶性
のポリアミド−ボリイミド(PA−PI)ブロック共重
合体を含有する混合物、並びにこれらの混合物から製造
される積層物、塗料、箔または結合した材料、特に結合
した金属箔に関する。
のポリアミド−ボリイミド(PA−PI)ブロック共重
合体を含有する混合物、並びにこれらの混合物から製造
される積層物、塗料、箔または結合した材料、特に結合
した金属箔に関する。
【0002】
【従来の技術】PA−PIブロック共重合体は、非常に
優れた機械的および熱的特性を持ち、特に金属箔の塗布
のために使用される。これらの所謂軟質積層物の重要な
特性は、それらが破壊する迄、多数回折り曲げ出来るこ
とである。このような軟質積層物は、例えば欧州特許第
48219号に記載されている。
優れた機械的および熱的特性を持ち、特に金属箔の塗布
のために使用される。これらの所謂軟質積層物の重要な
特性は、それらが破壊する迄、多数回折り曲げ出来るこ
とである。このような軟質積層物は、例えば欧州特許第
48219号に記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】その特許で加工される
ポリマーは、ポリアミド−ポリアミド酸の形で適用さ
れ、塗布操作が終了した後、熱的に変換して水の要素を
除去することにより不溶性のポリアミド−ポリアミドに
する。しかし、その反応の段階は泡形成と分子量低下の
ような望ましくない2次現象を招くこともあり得る。更
に、使用されるポリアミド−ポリアミド酸溶液は貯蔵に
対して不安定である。
ポリマーは、ポリアミド−ポリアミド酸の形で適用さ
れ、塗布操作が終了した後、熱的に変換して水の要素を
除去することにより不溶性のポリアミド−ポリアミドに
する。しかし、その反応の段階は泡形成と分子量低下の
ような望ましくない2次現象を招くこともあり得る。更
に、使用されるポリアミド−ポリアミド酸溶液は貯蔵に
対して不安定である。
【0004】その理由のために、これらの塗料のため
に、例えば欧州特許公開公報EP−A−324315号
または西独特許公開公報DE−OS3738458号か
ら公知であるような可溶性のPA−PIブロック共重合
体を使用するのが有利である。しかし、適用した後、こ
れらの可溶性のポリマーは使用する溶媒に対して敏感で
ある。溶媒に安定なポリマーは、熱的後処理の手段によ
りある種の組成物の場合に得られるが、その処理は高温
および/または長い反応時間を要する。
に、例えば欧州特許公開公報EP−A−324315号
または西独特許公開公報DE−OS3738458号か
ら公知であるような可溶性のPA−PIブロック共重合
体を使用するのが有利である。しかし、適用した後、こ
れらの可溶性のポリマーは使用する溶媒に対して敏感で
ある。溶媒に安定なポリマーは、熱的後処理の手段によ
りある種の組成物の場合に得られるが、その処理は高温
および/または長い反応時間を要する。
【0005】
【課題を解決するための手段】分子中に少なくとも2個
のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と可溶性のPA−P
Iブロック共重合体を含有する混合物は、適用の後、比
較的低い温度での短い時間内で溶媒に安定な塗膜を形成
し、一方同時に該重合体の優れた機械的特性が殆ど保持
されることが、今や見出された。
のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と可溶性のPA−P
Iブロック共重合体を含有する混合物は、適用の後、比
較的低い温度での短い時間内で溶媒に安定な塗膜を形成
し、一方同時に該重合体の優れた機械的特性が殆ど保持
されることが、今や見出された。
【0006】従って、本発明は、 (a)分子中に少なくとも2個のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂;および (b)極性非プロトン性溶媒に可溶性のポリアミド−ポ
リイミド(PA−PI)ブロック共重合体を; 1:1ないし1:200のa:bの重量比で含有する混
合物に関する。
ポキシ樹脂;および (b)極性非プロトン性溶媒に可溶性のポリアミド−ポ
リイミド(PA−PI)ブロック共重合体を; 1:1ないし1:200のa:bの重量比で含有する混
合物に関する。
【0007】以下、PA−PIブロック共重合体は、ポ
リアミドとポリイミドブロックから、ポリアミドイミド
とポリイミドブロックからまたはポリアミド−ポリアミ
ドイミドとポリイミドブロックから製造される化合物で
あると理解されるべきである。
リアミドとポリイミドブロックから、ポリアミドイミド
とポリイミドブロックからまたはポリアミド−ポリアミ
ドイミドとポリイミドブロックから製造される化合物で
あると理解されるべきである。
【0008】本発明の混合物では、a:bの重量比が好
ましくは1:4ないし1:100、特に1:5ないし
1:50、更に特に1:15ないし1:40である。
ましくは1:4ないし1:100、特に1:5ないし
1:50、更に特に1:15ないし1:40である。
【0009】混合物に使用できるエポキシ樹脂は、式I
【化21】 の基を少なくとも2個持っているそれらが好ましく、こ
れら式Iの基は酸素、窒素または硫黄原子の一個または
複数個に結合していて、R′とR″′の各々が水素原子
であって、R″が水素原子またはメチル基であるか;ま
たはR′とR″′が一緒になって−CH2 CH2 −であ
って、R″が水素原子であるかのいずれかである。
れら式Iの基は酸素、窒素または硫黄原子の一個または
複数個に結合していて、R′とR″′の各々が水素原子
であって、R″が水素原子またはメチル基であるか;ま
たはR′とR″′が一緒になって−CH2 CH2 −であ
って、R″が水素原子であるかのいずれかである。
【0010】このような樹脂の例は、ポリグリシジルお
よびポリ(β−メチルグリシジル)エステル類であっ
て、これらは、アルカリの存在下、一分子当り2個もし
くはそれ以上のカルボン酸基を含有する化合物と、エピ
クロルヒドリン、グリセロールジクロルヒドリンまたは
βーメチルエピクロルヒドリンとの反応により得られ
る。
よびポリ(β−メチルグリシジル)エステル類であっ
て、これらは、アルカリの存在下、一分子当り2個もし
くはそれ以上のカルボン酸基を含有する化合物と、エピ
クロルヒドリン、グリセロールジクロルヒドリンまたは
βーメチルエピクロルヒドリンとの反応により得られ
る。
【0011】このようなポリグリシジルエステルは、脂
肪族ポリカルボン酸、例えば、シュウ酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼ
ライン酸、セバシン酸または二量化したもしくは三量化
したリノレイン酸;テトラヒドロフタル酸、4−メチル
テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸および4
−メチルヘキサヒドロフタル酸のような環式脂肪族ポリ
カルボン酸;およびフタル酸、イソフタル酸およびテレ
フタル酸のような芳香族ポリカルボン酸から誘導でき
る。
肪族ポリカルボン酸、例えば、シュウ酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼ
ライン酸、セバシン酸または二量化したもしくは三量化
したリノレイン酸;テトラヒドロフタル酸、4−メチル
テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸および4
−メチルヘキサヒドロフタル酸のような環式脂肪族ポリ
カルボン酸;およびフタル酸、イソフタル酸およびテレ
フタル酸のような芳香族ポリカルボン酸から誘導でき
る。
【0012】他の例は、ポリグリシジルおよびポリ(β
−メチルグリシジル)エーテル類であって、これらは、
アルカリ性の条件下、またはそれに代わって酸性触媒の
存在下であってそれに次ぐアルカリ処理を伴って、一分
子当り少なくとも2個の遊離のアルコール性および/ま
たはフェノール性のヒドロキシル基を含む化合物と該当
するエピクロルヒドリンとの反応により得られる。
−メチルグリシジル)エーテル類であって、これらは、
アルカリ性の条件下、またはそれに代わって酸性触媒の
存在下であってそれに次ぐアルカリ処理を伴って、一分
子当り少なくとも2個の遊離のアルコール性および/ま
たはフェノール性のヒドロキシル基を含む化合物と該当
するエピクロルヒドリンとの反応により得られる。
【0013】これらのエーテルは、エチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、および高級ポリ(オキシエ
チレン)グリコール、プロパン−1,2−ジオールおよ
びポリ(オキシプロピレン)グリコール、プロパン−
1,3−ジオール、ブタン−1,4−ジオール、ポリ
(オキシテトラメチレン)グリコール、ペンタン−1,
5−ジオール、ヘキサン−1,6−ジオール、ヘキサン
−2,4,6−トリオール、グリセリン、1,1,1−
トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ソル
ビトールおよびポリエピクロルヒドリンのような非環式
アルコール類から;またはレゾルシトール、キニトー
ル、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパ
ンおよび1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−3−シク
ロヘキサンのような環式アルコール類から;並びにN,
N−ビス(2−ヒドロキシエチル)アニリンおよびp,
p′−ビス(2−ヒドロキシエチルアミノ)ジフェニル
メタンのような芳香核を有するアルコールから製造でき
る。
ル、ジエチレングリコール、および高級ポリ(オキシエ
チレン)グリコール、プロパン−1,2−ジオールおよ
びポリ(オキシプロピレン)グリコール、プロパン−
1,3−ジオール、ブタン−1,4−ジオール、ポリ
(オキシテトラメチレン)グリコール、ペンタン−1,
5−ジオール、ヘキサン−1,6−ジオール、ヘキサン
−2,4,6−トリオール、グリセリン、1,1,1−
トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ソル
ビトールおよびポリエピクロルヒドリンのような非環式
アルコール類から;またはレゾルシトール、キニトー
ル、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパ
ンおよび1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−3−シク
ロヘキサンのような環式アルコール類から;並びにN,
N−ビス(2−ヒドロキシエチル)アニリンおよびp,
p′−ビス(2−ヒドロキシエチルアミノ)ジフェニル
メタンのような芳香核を有するアルコールから製造でき
る。
【0014】それらは、レゾルシンおよびハイドロキノ
ンのような単核フェノール、ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)メタン、4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、1,1,2,
2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンおよ
び2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパンのような多核フェノール類;ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、クロラールおよびフルフ
ラールのようなアルデヒド類と、フェノールそれ自身お
よび、4−クロロフェノール、2−メチルフェノールお
よび4−tert−ブチルフェノールのような塩素原子
によりまたは各々が9個迄の炭素原子を持つアルキル基
により核置換されたフェノールのようなフェノール類と
から形成されるノボラック類からも製造できる。
ンのような単核フェノール、ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)メタン、4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、1,1,2,
2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンおよ
び2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパンのような多核フェノール類;ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、クロラールおよびフルフ
ラールのようなアルデヒド類と、フェノールそれ自身お
よび、4−クロロフェノール、2−メチルフェノールお
よび4−tert−ブチルフェノールのような塩素原子
によりまたは各々が9個迄の炭素原子を持つアルキル基
により核置換されたフェノールのようなフェノール類と
から形成されるノボラック類からも製造できる。
【0015】ポリ(N−グリシジル)化合物は、例え
ば、エピクロルヒドリンと、アニリン、n−ブチルアミ
ン、ビス(4−アミノフェニル)メタン、m−キシレン
ジアミンおよびビス(4−メチルアミノフェニル)メタ
ンのような少なくとも2個のアミノ水素原子を有するア
ミン類との反応生成物の脱塩化水素により得られるそれ
ら;トリグリシジルイソシアヌレート;およびエチレン
尿素および1,3−プロピレン尿素のような環式アルキ
レン尿素および5,5−ジメチルヒダントインのような
ヒダントイン類のN,N’−ジグリシジル誘導体を包含
する。
ば、エピクロルヒドリンと、アニリン、n−ブチルアミ
ン、ビス(4−アミノフェニル)メタン、m−キシレン
ジアミンおよびビス(4−メチルアミノフェニル)メタ
ンのような少なくとも2個のアミノ水素原子を有するア
ミン類との反応生成物の脱塩化水素により得られるそれ
ら;トリグリシジルイソシアヌレート;およびエチレン
尿素および1,3−プロピレン尿素のような環式アルキ
レン尿素および5,5−ジメチルヒダントインのような
ヒダントイン類のN,N’−ジグリシジル誘導体を包含
する。
【0016】ポリ(S−グリシジル)化合物は、例え
ば、エタン−1,2−ジチオールおよびビス(4−メル
カプトメチルフェニル)エーテルのようなジチオール類
のジ−S−グリシジル誘導体である。
ば、エタン−1,2−ジチオールおよびビス(4−メル
カプトメチルフェニル)エーテルのようなジチオール類
のジ−S−グリシジル誘導体である。
【0017】式中、R′とR″′が一緒になって−CH
2 CH2 −基を形成する式Iの基を持つエポキシ樹脂
は、ビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテ
ル、2,3−エポキシシクロペンチルグリシジルエーテ
ル、1,2−ビス(2,3−エポキシシクロペンチルオ
キシ)エタン、アジピン酸ビス(3,4−エポキシシク
ロヘキシルメチル)または3,4−エポキシシクロヘキ
シルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキ
シレートである。
2 CH2 −基を形成する式Iの基を持つエポキシ樹脂
は、ビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテ
ル、2,3−エポキシシクロペンチルグリシジルエーテ
ル、1,2−ビス(2,3−エポキシシクロペンチルオ
キシ)エタン、アジピン酸ビス(3,4−エポキシシク
ロヘキシルメチル)または3,4−エポキシシクロヘキ
シルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキ
シレートである。
【0018】1,2−エポキシ基が種々の異原子に結合
しているエポキシ樹脂、例えば4−アミノフェノールの
または2,2−(4−アミノフェニル−4′−ヒドロキ
シフェニル)プロパンのN,N,O−トリグリシジル誘
導体;サリチル酸のグリシジルエーテル/グリシジルエ
ステル、N−グリシジル−N′−(2−グリシジルオキ
シプロピル)−5,5−ジメチルヒダントインおよび2
−グリシジルオキシ−1,3−ビス(5,5−ジメチル
−1−グリシジルヒダントイン−3−イル)プロパンも
適当である。
しているエポキシ樹脂、例えば4−アミノフェノールの
または2,2−(4−アミノフェニル−4′−ヒドロキ
シフェニル)プロパンのN,N,O−トリグリシジル誘
導体;サリチル酸のグリシジルエーテル/グリシジルエ
ステル、N−グリシジル−N′−(2−グリシジルオキ
シプロピル)−5,5−ジメチルヒダントインおよび2
−グリシジルオキシ−1,3−ビス(5,5−ジメチル
−1−グリシジルヒダントイン−3−イル)プロパンも
適当である。
【0019】使用されるエポキシ樹脂は、アルキル基、
アルケニル基、アリール基、ハロゲン原子、アリールオ
キシ基によりまたはアルコキシ基により置換されていて
もよい。それらの好ましい例は、o,o′−ジアリルビ
スフェノールAジグリシジルエーテルである。
アルケニル基、アリール基、ハロゲン原子、アリールオ
キシ基によりまたはアルコキシ基により置換されていて
もよい。それらの好ましい例は、o,o′−ジアリルビ
スフェノールAジグリシジルエーテルである。
【0020】所望ならば、エポキシ樹脂の混合物を使用
することも可能である。
することも可能である。
【0021】好ましいエポキシ樹脂は、フェノール類ま
たはノボラック類のポリグリシジルエーテル、トリグリ
シジルイソシアヌレート、N,N,O−トリグリシジル
−p−アミノフェノール、芳香族アミンのポリ(N−グ
リシジル)誘導体および環式脂肪族エポキシ樹脂であ
る。
たはノボラック類のポリグリシジルエーテル、トリグリ
シジルイソシアヌレート、N,N,O−トリグリシジル
−p−アミノフェノール、芳香族アミンのポリ(N−グ
リシジル)誘導体および環式脂肪族エポキシ樹脂であ
る。
【0022】特に好ましい樹脂は、2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)プロパン(ビスフェノールA)、
ビスフェノールSおよびビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン(ビスフェノールF)またはノボラック類の
ようなビスフェノールのジグリシジルエーテル類;o,
o′−ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテ
ル、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N,O−ド
リグリシジル−p−アミノフェノール、ビス[4−(ジ
グリシジルアミノ)−フェニル]メタン、テトラ(p−
グリシジルオキシフェニル)エタンおよび3,4−エポ
キシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘ
キサンカルボキシレートである。
ヒドロキシフェニル)プロパン(ビスフェノールA)、
ビスフェノールSおよびビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン(ビスフェノールF)またはノボラック類の
ようなビスフェノールのジグリシジルエーテル類;o,
o′−ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテ
ル、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N,O−ド
リグリシジル−p−アミノフェノール、ビス[4−(ジ
グリシジルアミノ)−フェニル]メタン、テトラ(p−
グリシジルオキシフェニル)エタンおよび3,4−エポ
キシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘ
キサンカルボキシレートである。
【0023】「可溶性のPA−PIブロック共重合体」
という表現は、極性非プロトン性溶媒中に可溶性である
共重合体を意味するものと理解されるべきであり、その
結果溶液を基準にして少なくとも5重量%、特に少なく
とも10重量%可溶性であるPA−PIブロック共重合
体を含有する溶液を調整することが可能になる。
という表現は、極性非プロトン性溶媒中に可溶性である
共重合体を意味するものと理解されるべきであり、その
結果溶液を基準にして少なくとも5重量%、特に少なく
とも10重量%可溶性であるPA−PIブロック共重合
体を含有する溶液を調整することが可能になる。
【0024】極性非プロトン性溶媒に可溶性のPA−P
Iブロック共重合体(b)は、例えば欧州特許公開公報
EP−A−324315から公知である。好ましいもの
は、式II:
Iブロック共重合体(b)は、例えば欧州特許公開公報
EP−A−324315から公知である。好ましいもの
は、式II:
【化22】
【0025】{式中、PAは、300ないし20000
の数平均分子量Mn を持つポリアミドブロックであっ
て、少なくとも式III :
の数平均分子量Mn を持つポリアミドブロックであっ
て、少なくとも式III :
【化23】 〔式中、R1 は、式:−CnH2n−、
【化24】
【化25】 の基を表し;
【0026】そしてR2 は式:−CnH2n−、
【化26】
【0027】(式中、Qは直接結合、−CH2 −、−C
H2 CH2 −、−CH(CH3 )−、−C(CH3 )2
−、−C(CF3 )2 −、−O−、−S−、−SO2 −
または−CO−を表し;nは2ないし12を表し;そし
てYa 、Y b、Yc およびYd は各々が互いに他と独立
して水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数1ないし
4のアルキル基を表す。)の基を表す。〕の少なくとも
一個の(反復)単位を包含し;そしてPIは、300な
いし20000の数平均分子量Mn を持つポリイミドブ
ロックであって、式IV
H2 CH2 −、−CH(CH3 )−、−C(CH3 )2
−、−C(CF3 )2 −、−O−、−S−、−SO2 −
または−CO−を表し;nは2ないし12を表し;そし
てYa 、Y b、Yc およびYd は各々が互いに他と独立
して水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数1ないし
4のアルキル基を表す。)の基を表す。〕の少なくとも
一個の(反復)単位を包含し;そしてPIは、300な
いし20000の数平均分子量Mn を持つポリイミドブ
ロックであって、式IV
【0028】
【化27】 (式中、R3 は
【化28】 を表し;
【0029】QとR2 は上述と同じに定義され;但し、
全ての橋員R2 の25ないし100モル%は
全ての橋員R2 の25ないし100モル%は
【化29】 そして(環状)脂肪族橋員であるR2 の比率は10モル
%を越えない。)の少なくとも一個の(反復)単位を包
含する。}の反復単位を包含する1000ないし500
00の数平均分子量Mn を持つ型Aのブロック共重合体
である。
%を越えない。)の少なくとも一個の(反復)単位を包
含する。}の反復単位を包含する1000ないし500
00の数平均分子量Mn を持つ型Aのブロック共重合体
である。
【0030】式IIの反復単位を有する好ましいブロック
共重合体は、4000ないし40000の数平均分子量
Mn を持つ。
共重合体は、4000ないし40000の数平均分子量
Mn を持つ。
【0031】好ましいブロック共重合体では、ポリアミ
ドブロックおよび/またはポリイミドブロックは、場合
によっては式III のまたは式IVの一個より多い反復単位
を包含する。この結果、好ましいポリアミドブロックお
よび/またはポリイミドブロックでは、500ないし2
0000の数平均分子量になる。
ドブロックおよび/またはポリイミドブロックは、場合
によっては式III のまたは式IVの一個より多い反復単位
を包含する。この結果、好ましいポリアミドブロックお
よび/またはポリイミドブロックでは、500ないし2
0000の数平均分子量になる。
【0032】上述の式では、R1 は、例えば、フェニレ
ン−1,3基;フェニレン−1,4基;ナフチレン−
1,5基;ナフチレン−1,5基;ナフチレン−1,8
基;ビフェニレン−3,3′基;ビフェニレン−4,
4′基、
ン−1,3基;フェニレン−1,4基;ナフチレン−
1,5基;ナフチレン−1,5基;ナフチレン−1,8
基;ビフェニレン−3,3′基;ビフェニレン−4,
4′基、
【化30】 またはブチレン−1,3基である。
【0033】フェニレン−1,3基が好ましい。
【0034】本発明では、式III および/またはIV中の
R2 は、共重合体中にある橋員R2 の25ないし100
モル%そして特に50ないし100モル%は式:
R2 は、共重合体中にある橋員R2 の25ないし100
モル%そして特に50ないし100モル%は式:
【化31】 の基を表すことで特徴付けられる。ポリアミドおよびポ
リイミドブロックの両方にとって、このような橋員を包
含することは本質的でない。
リイミドブロックの両方にとって、このような橋員を包
含することは本質的でない。
【0035】もしもR1 またはR2 が基 −Cn Hn −
であるならば、これは例えば、エチレン−1,2基;プ
ロピレン−1,3基;テトラメチレン−1,4基;ペン
タメチレン−1,5基;ヘキサメチレン−1,6基;ヘ
プタメチレン−1,7基;オクタメチレン−1,8基;
ノナメチレン−1,9基;デカメチレン−1,10基;
ドデカメチレン−1,12基;デカメチレン−2,9
基;または2−メチルペンタメチレン−1,5基であ
る。
であるならば、これは例えば、エチレン−1,2基;プ
ロピレン−1,3基;テトラメチレン−1,4基;ペン
タメチレン−1,5基;ヘキサメチレン−1,6基;ヘ
プタメチレン−1,7基;オクタメチレン−1,8基;
ノナメチレン−1,9基;デカメチレン−1,10基;
ドデカメチレン−1,12基;デカメチレン−2,9
基;または2−メチルペンタメチレン−1,5基であ
る。
【0036】もしもR1 またはR2 が基
【化32】 であるならば、これは例えばシクロヘキシレン−1,2
基;シクロヘキシレン−1,3基またはシクロヘキシレ
ン−1,4基である。
基;シクロヘキシレン−1,3基またはシクロヘキシレ
ン−1,4基である。
【0037】特別な環式脂肪族基R2 の他の例は、
【化33】 である。
【0038】特別な芳香族基R2 の例は、フェニレン−
1,2基;フェニレン−1,3基;フェニレン−1,4
基;メチルフェニレン−2,4基;1,3,5−トリメ
チルフェニレン−2,5基;キシリレン−2,5基;4
−クロロフェニレン−1,3基;2,5−ジクロロフェ
ニレン−1,4基;または下記の基:
1,2基;フェニレン−1,3基;フェニレン−1,4
基;メチルフェニレン−2,4基;1,3,5−トリメ
チルフェニレン−2,5基;キシリレン−2,5基;4
−クロロフェニレン−1,3基;2,5−ジクロロフェ
ニレン−1,4基;または下記の基:
【0039】
【化34】
【化35】 の中の一つ、
【0040】そして特に式III 中のR2 のための基
【化36】 と式IV中のR2 のための基:
【化37】 である。
【0041】もしも橋員R2 が2価の基Qを含有するな
らば、その基は、例えば、−CH2 CH2 −または−S
−、または、好ましくは、−CH2 −、−C(CH3 )
2 −、−O−、−SO2 −または−C(O)−である。
もしも、橋員R2 が幾つかのQを含有するならば、それ
らの基は同一または異なっていてよい。
らば、その基は、例えば、−CH2 CH2 −または−S
−、または、好ましくは、−CH2 −、−C(CH3 )
2 −、−O−、−SO2 −または−C(O)−である。
もしも、橋員R2 が幾つかのQを含有するならば、それ
らの基は同一または異なっていてよい。
【0042】四価の基R3 は、酸無水物の基の2個を形
成できるテトラカルボン酸から誘導できる。その基は、
例えば、基:
成できるテトラカルボン酸から誘導できる。その基は、
例えば、基:
【化38】 そして特に
【化39】 である。
【0043】型AのPA−PIブロック共重合体を形成
するためのポリアミドとポリイミドのブロックの可能な
組み合わせの例を表1に示す。これらのPA−PIブロ
ック共重合体は、欧州特許公開公報EP−A−0324
315号の実施例に従って製造出来る。
するためのポリアミドとポリイミドのブロックの可能な
組み合わせの例を表1に示す。これらのPA−PIブロ
ック共重合体は、欧州特許公開公報EP−A−0324
315号の実施例に従って製造出来る。
【0044】
【表1】
【0045】
【表2】
【0046】表Iの脚注: BTDA:3,3′−4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 PMDA:無水ピロメリト酸 pDDS:4,4′−ジアミノジフェニルスルホン IPC:イソフタル酸ジクロライド mDDS:3,3′−ジアミノジフェニルスルホン DDE:4,4′−ジアミノジフェニルエーテル mBAPB:1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン mPDA:m−フェニレンジアミン NMP:N−メチルピロリドン 粘度:25℃におけるNMP中の0.5重量%重合体溶
液 PA−PAS:ポリアミド−ポリアミド酸
カルボン酸二無水物 PMDA:無水ピロメリト酸 pDDS:4,4′−ジアミノジフェニルスルホン IPC:イソフタル酸ジクロライド mDDS:3,3′−ジアミノジフェニルスルホン DDE:4,4′−ジアミノジフェニルエーテル mBAPB:1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン mPDA:m−フェニレンジアミン NMP:N−メチルピロリドン 粘度:25℃におけるNMP中の0.5重量%重合体溶
液 PA−PAS:ポリアミド−ポリアミド酸
【0047】極性非プロトン性溶媒に可溶性であり、式
IIの反復単位と1000ないし50000の数平均分子
量Mn を持つ型Bの他の適当なPA−PIブロック共重
合体は、約4:1ないし1:4のイミド基に対するアミ
ド基の比率を持ち、そして5−(2,5−ジケトテトラ
ヒドロフルフリル)−3−メチルシクロヘキサン−1,
2−ジカルボン酸から誘導される式
IIの反復単位と1000ないし50000の数平均分子
量Mn を持つ型Bの他の適当なPA−PIブロック共重
合体は、約4:1ないし1:4のイミド基に対するアミ
ド基の比率を持ち、そして5−(2,5−ジケトテトラ
ヒドロフルフリル)−3−メチルシクロヘキサン−1,
2−ジカルボン酸から誘導される式
【0048】
【化40】 (DMCD基)の基を、共重合体中の全てのカルボン酸
基の含有量を基準にして、少なくとも2モル%、特に少
なくとも5モル%の含有量をポリアミド中に持つこと
で、特徴付けられる。
基の含有量を基準にして、少なくとも2モル%、特に少
なくとも5モル%の含有量をポリアミド中に持つこと
で、特徴付けられる。
【0049】本発明に従って使用できるPA−PIブロ
ック共重合体におけるDMCD基の含有量は、コポリマ
ー中の全てのカルボン酸基の含有量を基準にして2ない
し80モル%である。
ック共重合体におけるDMCD基の含有量は、コポリマ
ー中の全てのカルボン酸基の含有量を基準にして2ない
し80モル%である。
【0050】好ましいPA−PIブロック共重合体は、
式:VbおよびIVaおよび/もしくはIVcのまたは
式:IVbおよびVaおよび/もしくはVc
式:VbおよびIVaおよび/もしくはIVcのまたは
式:IVbおよびVaおよび/もしくはVc
【0051】
【化41】
【0052】
【化42】
【0053】〔式中、係数e、fおよびgの各々は互い
に他と独立して1ないし100の整数を表し;R1 およ
びR2 は式III 中と同じに定義され;R3 は式:
に他と独立して1ないし100の整数を表し;R1 およ
びR2 は式III 中と同じに定義され;R3 は式:
【0054】
【化43】
【0055】(式中、Qは直接結合を表すか、または−
CH2 −、−CH2 CH2 −、−CH(CH3 )−、−
C(CH3 )2 −、−C(CF3 )2 −、−O−、−S
−、−SO2 −または−CO−を表す。)の基を表し;
CH2 −、−CH2 CH2 −、−CH(CH3 )−、−
C(CH3 )2 −、−C(CF3 )2 −、−O−、−S
−、−SO2 −または−CO−を表す。)の基を表し;
【0056】R5 は式:
【化44】 の基を表し;そしてR4 とR6 の各々は他と独立してR
2 の定義の一つを持ち;
2 の定義の一つを持ち;
【0057】但し、全ての基R3 の25ないし100モ
ル%は式
ル%は式
【化45】 を持つ。〕の組み合わせを包含する。
【0058】式IVaとVaにおいて、R1 とR2 は式II
I に関するのと同じ好ましい意味を持つ。
I に関するのと同じ好ましい意味を持つ。
【0059】四価の基R3 は、2個の酸無水基を形成で
きるテトラカルボン酸から誘導される。その好ましい基
は下記の基である:
きるテトラカルボン酸から誘導される。その好ましい基
は下記の基である:
【0060】
【化46】
【0061】本発明に従って使用するためのブロック共
重合体のポリイミドブロックにおけるDMCD基の比率
は、それらのブロックにおけるテトラカルボン酸の比率
を基準にして、好ましくは50ないし100モル%であ
る。
重合体のポリイミドブロックにおけるDMCD基の比率
は、それらのブロックにおけるテトラカルボン酸の比率
を基準にして、好ましくは50ないし100モル%であ
る。
【0062】R5 は好ましくは式
【化47】 の基である。
【0063】型Bのブロック共重合体を形成するための
ポリアミドとポリイミドブロックの可能な組み合わせを
表IIに示してある。それらのブロック共重合体は、例え
ばそれ自体知られている方法で、前もって形成されたポ
リアミドとポリアミド酸ブロックの反応およびそれに次
ぐポリアミド−ポリアミド酸の環化により得ることがで
きる。
ポリアミドとポリイミドブロックの可能な組み合わせを
表IIに示してある。それらのブロック共重合体は、例え
ばそれ自体知られている方法で、前もって形成されたポ
リアミドとポリアミド酸ブロックの反応およびそれに次
ぐポリアミド−ポリアミド酸の環化により得ることがで
きる。
【0064】
【表3】
【0065】表II脚注: * 乾燥温度200℃ DMCD:5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフルフ
リル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジ
カルボン酸無水物 BTDA:3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物IPC:イソフタル酸ジクロライド DDE:4,4′─ジアミノジフェニルエーテル pDDS:4,4′─ジアミノジフェニルスルホン mDDS:3,3′─ジアミノジフェニルスルホン mPDA:m−フェニレンジアミン mXDA:m−キシリレンジアミン ジアミン混合物:4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、3−エチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルメタンから成る工業製品(アミン数から計算した平均
分子量) インヘレント粘度:25℃におけるNMP中の0.5重
量%重合体溶液 PA−PAS:ポリアミド−ポリアミド酸
リル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジ
カルボン酸無水物 BTDA:3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物IPC:イソフタル酸ジクロライド DDE:4,4′─ジアミノジフェニルエーテル pDDS:4,4′─ジアミノジフェニルスルホン mDDS:3,3′─ジアミノジフェニルスルホン mPDA:m−フェニレンジアミン mXDA:m−キシリレンジアミン ジアミン混合物:4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、3−エチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルメタンから成る工業製品(アミン数から計算した平均
分子量) インヘレント粘度:25℃におけるNMP中の0.5重
量%重合体溶液 PA−PAS:ポリアミド−ポリアミド酸
【0066】極性非プロトン性溶媒に可溶性であり、1
000ないし50000の数平均分子量Mn を持つ型C
の別の適当なPA−PIブロック共重合体は、式:IV
aおよびVbおよび/もしくはVcのまたは式:IVb
およびVaおよび/もしくはVcのまたは式:IVcお
よびVaおよび/もしくはVbのブロックの組合わせを
含有する;但し、R2 、R4 およびR6 の全ての基の、
これらの基の全量に基づく10ないし100モル%は、
好ましくは25ないし100モル%、特に50ないし1
00モル%は、式:
000ないし50000の数平均分子量Mn を持つ型C
の別の適当なPA−PIブロック共重合体は、式:IV
aおよびVbおよび/もしくはVcのまたは式:IVb
およびVaおよび/もしくはVcのまたは式:IVcお
よびVaおよび/もしくはVbのブロックの組合わせを
含有する;但し、R2 、R4 およびR6 の全ての基の、
これらの基の全量に基づく10ないし100モル%は、
好ましくは25ないし100モル%、特に50ないし1
00モル%は、式:
【化48】 (式中、pは1または2を表し、そしてqは零、1また
は2を表し;そしてR7 とR8 の各々は炭素原子数1な
いし8のアルキル基を表すか;または式中、互いにオル
ト位の関係にあるR7 とR8 の対は一緒になってアルキ
レン基を形成する。)を持つという異なる前提で含有す
る。
は2を表し;そしてR7 とR8 の各々は炭素原子数1な
いし8のアルキル基を表すか;または式中、互いにオル
ト位の関係にあるR7 とR8 の対は一緒になってアルキ
レン基を形成する。)を持つという異なる前提で含有す
る。
【0067】上述の式中のアルキル置換基R7 またはと
R8 は、分枝していてよくまたは好ましくは直鎖であっ
てよい。直鎖の炭素原子数1ないし6のアルキル基が好
ましい。それらの例は、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基およびn−ヘキ
シル基である。メチル基とエチル基が特に好ましい。
R8 は、分枝していてよくまたは好ましくは直鎖であっ
てよい。直鎖の炭素原子数1ないし6のアルキル基が好
ましい。それらの例は、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基およびn−ヘキ
シル基である。メチル基とエチル基が特に好ましい。
【0068】もしも基R7 とR8 が一緒になってアルキ
レン鎖を形成するならば、それは好ましくはトリメチレ
ン基そして、特にテトラメチレン基である。
レン鎖を形成するならば、それは好ましくはトリメチレ
ン基そして、特にテトラメチレン基である。
【0069】使用するためのPA−PIブロック共重合
体におけるイミド基に対するアミド基の好ましい比率
は、4:1ないし1:4である。
体におけるイミド基に対するアミド基の好ましい比率
は、4:1ないし1:4である。
【0070】PA−PIブロック共重合体Cの、ポリア
ミドブロックIVaおよびVaにおけるまたはポリイミ
ドブロックIVbおよびIVbにおけるまたはポリアミ
ドイミドブロックIVcおよびVcにおける数平均分子
量Mn は、概して300ないし20000、好ましくは
500ないし10000である。
ミドブロックIVaおよびVaにおけるまたはポリイミ
ドブロックIVbおよびIVbにおけるまたはポリアミ
ドイミドブロックIVcおよびVcにおける数平均分子
量Mn は、概して300ないし20000、好ましくは
500ないし10000である。
【0071】2個のブロックの上述の組み合わせに加え
て、本発明に従って使用するためのPA−PIブロック
共重合体Cは、式IVa、IVbおよびVcのまたは式
IVa、IVcおよびVbのまたは式IVb、IVcお
よびVaの3個のブロックの組み合わせも包含する。
て、本発明に従って使用するためのPA−PIブロック
共重合体Cは、式IVa、IVbおよびVcのまたは式
IVa、IVcおよびVbのまたは式IVb、IVcお
よびVaの3個のブロックの組み合わせも包含する。
【0072】実質的に、ポリアミドブロックIVaおよ
びポリイミドブロックIVbからまたはポリアミドブロ
ックVaおよびポリイミドブロックIVbから成るPA
−PIブロック共重合体を使用するのが好ましい。
びポリイミドブロックIVbからまたはポリアミドブロ
ックVaおよびポリイミドブロックIVbから成るPA
−PIブロック共重合体を使用するのが好ましい。
【0073】本発明に従って使用するためのPA−PI
ブロック共重合体Cも、それ自体知られている方法で、
前もって形成されたポリアミドとポリアミド酸ブロック
の反応およびそれに次ぐポリアミド−ポリアミド酸の環
化により得ることができる。
ブロック共重合体Cも、それ自体知られている方法で、
前もって形成されたポリアミドとポリアミド酸ブロック
の反応およびそれに次ぐポリアミド−ポリアミド酸の環
化により得ることができる。
【0074】ブロック共重合体Cを形成するためのポリ
アミドとポリイミドブロックの可能な組み合わせの例を
表III に示してある。下記の略号を表III で使用する: ηinh :25℃において、重合体の0.5重量%(NM
P中)溶液を使用して測定したインヘレント粘度 BTDA:3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 BPDA:3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物 IPC:イソフタル酸ジクロライド TMAC:トリメリト酸一無水物一酸クロライド
アミドとポリイミドブロックの可能な組み合わせの例を
表III に示してある。下記の略号を表III で使用する: ηinh :25℃において、重合体の0.5重量%(NM
P中)溶液を使用して測定したインヘレント粘度 BTDA:3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 BPDA:3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物 IPC:イソフタル酸ジクロライド TMAC:トリメリト酸一無水物一酸クロライド
【0075】BADM:ビス(3,5−ジエチル−4−
アミノフェニル)メタン BEMA:ビス(3−エチル−5−メチル−4−アミノ
フェニル)メタン BIDM:ビス(3,5−ジイソプロピル−4−アミノ
フェニル)メタン mDDS:3,3′─ジアミノジフェニルスルホン pDDS:4,4′─ジアミノジフェニルスルホン ジアミン混合物:4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、3−エチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン
および3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェ
ニルメタンから成る工業製品(アミン数から計算した平
均分子量) PA−PAS:ポリアミド−ポリアミド酸
アミノフェニル)メタン BEMA:ビス(3−エチル−5−メチル−4−アミノ
フェニル)メタン BIDM:ビス(3,5−ジイソプロピル−4−アミノ
フェニル)メタン mDDS:3,3′─ジアミノジフェニルスルホン pDDS:4,4′─ジアミノジフェニルスルホン ジアミン混合物:4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、3−エチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン
および3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェ
ニルメタンから成る工業製品(アミン数から計算した平
均分子量) PA−PAS:ポリアミド−ポリアミド酸
【0076】
【表4】
【0077】極性非プロトン性溶媒に可溶性であり、1
000ないし50000、好ましくは5000ないし4
0000の数平均分子量Mn を持つ型Dの別の適当なP
A−PIブロック共重合体は、式:IVaおよびVbお
よび/もしくはVcのまたは式:IVbおよびVaおよ
び/もしくはVcのまたは式:IVcおよびVaおよび
/もしくはVbのブロックの組合わせを含有する;
000ないし50000、好ましくは5000ないし4
0000の数平均分子量Mn を持つ型Dの別の適当なP
A−PIブロック共重合体は、式:IVaおよびVbお
よび/もしくはVcのまたは式:IVbおよびVaおよ
び/もしくはVcのまたは式:IVcおよびVaおよび
/もしくはVbのブロックの組合わせを含有する;
【0078】但し、R2 、R4 およびR6 の全ての基
の、これらの基の全量に基づく25ないし100モル%
は、式:
の、これらの基の全量に基づく25ないし100モル%
は、式:
【化49】 (式中、Yは炭素原子数1ないし8のアルキル基または
ハロゲン原子を表し;mは0ないし4の数を表す。)を
持つという異なる前提で包含する。
ハロゲン原子を表し;mは0ないし4の数を表す。)を
持つという異なる前提で包含する。
【0079】上述の式中のアルキル置換基Yは、分枝し
ていてよくまたは好ましくは直鎖であってよい。直鎖の
炭素原子数1ないし6のアルキル基が好ましい。それら
の例は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブ
チル基、n−ペンチル基およびn−ヘキシル基である。
メチル基が特に好ましい。
ていてよくまたは好ましくは直鎖であってよい。直鎖の
炭素原子数1ないし6のアルキル基が好ましい。それら
の例は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブ
チル基、n−ペンチル基およびn−ヘキシル基である。
メチル基が特に好ましい。
【0080】ハロゲン原子としてのYは好ましくは塩素
原子または臭素原子であり、そしててmは好ましくは零
または1の数である。
原子または臭素原子であり、そしててmは好ましくは零
または1の数である。
【0081】本発明に従って使用するためのブロック共
重合体Dにおけるポリイミドブロックに対するまたはポ
リアミドイミドブロックに対するポリアミドブロックの
比率は、概して、極性非プロトン性溶媒におけるそれら
の共重合体の所望の溶解度により決められる。それらの
ブロックの比率とキシレンジアミンおよび/またはアミ
ノベンジルアミン単位の含有量は、そのブロック共重合
体が極性非プロトン性溶媒に可溶性であるようにして選
択される。
重合体Dにおけるポリイミドブロックに対するまたはポ
リアミドイミドブロックに対するポリアミドブロックの
比率は、概して、極性非プロトン性溶媒におけるそれら
の共重合体の所望の溶解度により決められる。それらの
ブロックの比率とキシレンジアミンおよび/またはアミ
ノベンジルアミン単位の含有量は、そのブロック共重合
体が極性非プロトン性溶媒に可溶性であるようにして選
択される。
【0082】使用するためのPA−PIブロック共重合
体Dにおけるイミド基に対するアミド基の好ましい比率
は、4:1ないし1:4である。
体Dにおけるイミド基に対するアミド基の好ましい比率
は、4:1ないし1:4である。
【0083】PA−PIブロック共重合体Dの、ポリア
ミドブロックIVaおよびVaのまたはポリイミドブロ
ックIVbおよびVbのまたはポリアミドイミドブロッ
クIVcおよびVcの数平均分子量Mn は、概して30
0ないし20000、好ましくは500ないし1000
0である。
ミドブロックIVaおよびVaのまたはポリイミドブロ
ックIVbおよびVbのまたはポリアミドイミドブロッ
クIVcおよびVcの数平均分子量Mn は、概して30
0ないし20000、好ましくは500ないし1000
0である。
【0084】2個のブロックの上述の組み合わせに加え
て、本発明に従って使用するためのPA−PIブロック
共重合体Dは、式IVa、IVbおよびVcのまたは式
IVa、IVcおよびVbのまたは式IVb、IVcお
よびVaの3個のブロックの組み合わせも包含する。
て、本発明に従って使用するためのPA−PIブロック
共重合体Dは、式IVa、IVbおよびVcのまたは式
IVa、IVcおよびVbのまたは式IVb、IVcお
よびVaの3個のブロックの組み合わせも包含する。
【0085】特に好ましいものは、式IVaおよび式I
Vb、またはIVbおよびVaの反復単位から実質的に
成るPA−PIブロック共重合体Dである。
Vb、またはIVbおよびVaの反復単位から実質的に
成るPA−PIブロック共重合体Dである。
【0086】その型の非常に特に好ましいPA−PIブ
ロック共重合体は、キシレンジアミン単位またはアミノ
ベンジルアミン単位が、またはキシレンジアミン単位と
アミノベンジルアミンの組み合わせが、ポリイミドブロ
ックIXbまたはXbにだけ存在するそれらである。
ロック共重合体は、キシレンジアミン単位またはアミノ
ベンジルアミン単位が、またはキシレンジアミン単位と
アミノベンジルアミンの組み合わせが、ポリイミドブロ
ックIXbまたはXbにだけ存在するそれらである。
【0087】本発明に従って使用するためのPA−PI
ブロック共重合体Dは、それ自体知られている方法で、
前もって形成されたポリアミドとポリアミド酸ブロック
の反応およびそれに次ぐポリアミド−ポリアミド酸の環
化により得ることができる。
ブロック共重合体Dは、それ自体知られている方法で、
前もって形成されたポリアミドとポリアミド酸ブロック
の反応およびそれに次ぐポリアミド−ポリアミド酸の環
化により得ることができる。
【0088】ブロック共重合体Dを形成するためのポリ
アミドとポリイミドブロックの可能な組み合わせの例を
表IVに示してある。下記の略号を表IVで使用する: BTDA:3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 BPDA:3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物 IPC:イソフタル酸ジクロライド TMAC:トリメリト酸一無水物一酸クロライド mXDA:m−キシレンジアミン pXDA:p−キシレンジアミン
アミドとポリイミドブロックの可能な組み合わせの例を
表IVに示してある。下記の略号を表IVで使用する: BTDA:3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 BPDA:3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物 IPC:イソフタル酸ジクロライド TMAC:トリメリト酸一無水物一酸クロライド mXDA:m−キシレンジアミン pXDA:p−キシレンジアミン
【0089】ABA:アミノベンジルアミン(m−およ
びp−異性体の混合物) m−PDA:m−フェニレンジアミン m−DDS:3,3′−ジアミノジフェニルスルホン p−DDS:4,4′−ジアミノジフェニルスルホン PA−PAS:ポリアミド−ポリアミド酸
びp−異性体の混合物) m−PDA:m−フェニレンジアミン m−DDS:3,3′−ジアミノジフェニルスルホン p−DDS:4,4′−ジアミノジフェニルスルホン PA−PAS:ポリアミド−ポリアミド酸
【0090】
【表5】
【0091】本発明に従って使用するためのブロック共
重合体は、それ自体知られている方法で、例えば西独特
許公開公報DE−A−2342464号に記述されてい
る手順に従って、前もって形成されたポリアミドとポリ
アミド酸および/またはポリアミドアミド酸ブロックの
反応およびそれに次ぐポリアミド−ポリアミド酸の環化
により得ることができる。
重合体は、それ自体知られている方法で、例えば西独特
許公開公報DE−A−2342464号に記述されてい
る手順に従って、前もって形成されたポリアミドとポリ
アミド酸および/またはポリアミドアミド酸ブロックの
反応およびそれに次ぐポリアミド−ポリアミド酸の環化
により得ることができる。
【0092】製造の他の方法に従えば、適当な末端基、
好ましくは酸無水物の基を持つポリアミド酸ブロック
を、ジアミン類またはジカルボン酸誘導体、例えばジカ
ルボン酸クロライドおよび/またはトリカルボン酸無水
物・クロライドと反応させることが出来、そして生成し
たポリアミドを環化する。
好ましくは酸無水物の基を持つポリアミド酸ブロック
を、ジアミン類またはジカルボン酸誘導体、例えばジカ
ルボン酸クロライドおよび/またはトリカルボン酸無水
物・クロライドと反応させることが出来、そして生成し
たポリアミドを環化する。
【0093】本発明に従って使用するためのブロック共
重合体は、それ自体知られている方法で合成される:即
ち先ず手始めにポリアミドおよび/またはポリアミドア
ミド酸ブロックを形成し、次いで後者を適当なテトラカ
ルボン酸誘導体およびジアミンと、または適当なジカル
ボン酸ジクロライドおよびジアミンを反応させてポリア
ミドポリアミドアミド酸ブロックを形成し、次いでこれ
を環化する。このような手順は、例えば西独特許公開公
報DE−A−2342454号に記載されている。
重合体は、それ自体知られている方法で合成される:即
ち先ず手始めにポリアミドおよび/またはポリアミドア
ミド酸ブロックを形成し、次いで後者を適当なテトラカ
ルボン酸誘導体およびジアミンと、または適当なジカル
ボン酸ジクロライドおよびジアミンを反応させてポリア
ミドポリアミドアミド酸ブロックを形成し、次いでこれ
を環化する。このような手順は、例えば西独特許公開公
報DE−A−2342454号に記載されている。
【0094】例えば、型AのPA−PIブロック共重合
体は、式VII
体は、式VII
【化50】 のポリアミド類を、式VIII
【化51】 のポリアミド酸二無水物類と反応させるか;
【0095】または式IX
【化52】 のポリアミド類を式X
【化53】 のポリアミド酸と反応させるか;
【0096】または式VIII またはXのポリアミド酸類
を式XI
を式XI
【化54】 のジカルボン酸ジクロライド類および式XII H2 N−R2 −NH2 (XII) のジアミン類と反応させるかし、次いで得られたポリア
ミド−ポリアミド酸共重合体を環化することにより製造
する;なお、反応工程中、式VIIないしXII中では
R1 、R2 およびR3 は式III およびIV中と同じに定義
され、そしてaとbの各々他と独立して少なくとも2の
整数を表す。
ミド−ポリアミド酸共重合体を環化することにより製造
する;なお、反応工程中、式VIIないしXII中では
R1 、R2 およびR3 は式III およびIV中と同じに定義
され、そしてaとbの各々他と独立して少なくとも2の
整数を表す。
【0097】式VIIないしXIIの化合物は公知である。
式VIII とXのポリアミド酸の製造も、西独特許公開公
報DE−A−2342464号に記載されていて、例え
ば、式XIII
式VIII とXのポリアミド酸の製造も、西独特許公開公
報DE−A−2342464号に記載されていて、例え
ば、式XIII
【化55】 (式中、R3 は上述と同じに定義される。)のテトラカ
ルボン酸二無水物類を式XIIのジアミン類の化学量論的
量より少ない量とまたは過剰量と反応させることにより
行う。
ルボン酸二無水物類を式XIIのジアミン類の化学量論的
量より少ない量とまたは過剰量と反応させることにより
行う。
【0098】適当な反応条件により、例えば反応体のモ
ル比の適当な選択により、個々のブロックの上記で定義
した平均分子量(そして従ってaとb)を設定すること
は、この技術における熟練者にとっては簡単なことであ
る。
ル比の適当な選択により、個々のブロックの上記で定義
した平均分子量(そして従ってaとb)を設定すること
は、この技術における熟練者にとっては簡単なことであ
る。
【0099】場合によってはの式VIII 、IXまたはX
Iのジ−またはテトラ−カルボン酸誘導体と、場合によ
っては式VIIまたはXIIのジアミン類との重縮合は、そ
れ自体知られている方法で、好ましくは無水の有機溶媒
中で、そして湿気を排除して、例えば窒素下で、約−2
0℃ないし+50℃、特に約−15℃ないし+10℃の
温度で、行うことができる。
Iのジ−またはテトラ−カルボン酸誘導体と、場合によ
っては式VIIまたはXIIのジアミン類との重縮合は、そ
れ自体知られている方法で、好ましくは無水の有機溶媒
中で、そして湿気を排除して、例えば窒素下で、約−2
0℃ないし+50℃、特に約−15℃ないし+10℃の
温度で、行うことができる。
【0100】適当な有機溶媒は、N,N−ジメチルアセ
タミド、N,N−ジエチルアセタミド、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルメトキシアセタミ
ド、2−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−
ピロリドン、N−メチル−ε−カプロラクタム、N,
N、N′,N′−テトラメチル尿素、テトラヒドロチオ
フェンジオキシド(スルホラン)およびジメチルジスル
ホキシドのような極性非プロトン性溶媒である。
タミド、N,N−ジエチルアセタミド、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルメトキシアセタミ
ド、2−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−
ピロリドン、N−メチル−ε−カプロラクタム、N,
N、N′,N′−テトラメチル尿素、テトラヒドロチオ
フェンジオキシド(スルホラン)およびジメチルジスル
ホキシドのような極性非プロトン性溶媒である。
【0101】反応はそれらの溶媒の混合物中でも行え
る。その代わりに、それらの好ましい溶媒系を芳香族、
環式脂肪族または脂肪族炭化水素、例えばトルエン、キ
シレン類、シクロヘキサン、ペンタン、ヘキサン、塩化
メチレン、テトラヒドロフランおよびシクロヘキサンの
ような他の有機非プロトン性溶媒で希釈することも可能
である。
る。その代わりに、それらの好ましい溶媒系を芳香族、
環式脂肪族または脂肪族炭化水素、例えばトルエン、キ
シレン類、シクロヘキサン、ペンタン、ヘキサン、塩化
メチレン、テトラヒドロフランおよびシクロヘキサンの
ような他の有機非プロトン性溶媒で希釈することも可能
である。
【0102】ポリアミドブロックは、界面重縮合によっ
ても製造できる。
ても製造できる。
【0103】型B、CおよびDのブロック共重合体は、
該当する出発化合物を使用して上述したそれらと同じ方
法によって製造できる。
該当する出発化合物を使用して上述したそれらと同じ方
法によって製造できる。
【0104】型B、CおよびDのブロック共重合体の別
の製造法は、式VIIaおよび/またはXIV
の製造法は、式VIIaおよび/またはXIV
【化56】 のポリアミド酸を、式XII H2 N−R2 −NH2 (XII) のジアミン類および式XI Cl−OC−R1 −CO−Cl (XI) のジカルボン酸ジクロライドと反応させ、次いで得られ
たポリアミド−ポリアミド酸ブロック共重合体を環化す
ることを包含する。式VIII 、XIV、XIIおよびXI
中、記号R1 、R2 、R3 、R4 、R5 およびR6 は上
述と同じに定義され、そしてbは少なくとも2の整数を
表す。
たポリアミド−ポリアミド酸ブロック共重合体を環化す
ることを包含する。式VIII 、XIV、XIIおよびXI
中、記号R1 、R2 、R3 、R4 、R5 およびR6 は上
述と同じに定義され、そしてbは少なくとも2の整数を
表す。
【0105】式XIVのポリアミド酸の製造は、それ自体
知られていて、式XVまたは該当するトリカルボン酸一
無水物一酸クロライド
知られていて、式XVまたは該当するトリカルボン酸一
無水物一酸クロライド
【化57】 (式中、R5 は上述と同じに定義される。)を式XIIの
ジアミンの化学量論的量より少ない量と反応させること
により製造される。
ジアミンの化学量論的量より少ない量と反応させること
により製造される。
【0106】式XVの出発物質は、それ自体知られてい
て、それらのあるものは市販品である。
て、それらのあるものは市販品である。
【0107】DMCD二無水物
【化58】 は欧州特許公開公報EP−A−9645号から公知であ
り、3−メチル−4−シクロヘキセン−1,2−ジカル
ボン酸の酸無水物を無水マレイン酸と反応させることに
より行える。これも市販品である。
り、3−メチル−4−シクロヘキセン−1,2−ジカル
ボン酸の酸無水物を無水マレイン酸と反応させることに
より行える。これも市販品である。
【0108】適当な反応条件を選択することにより、例
えば反応体のモル比の適当な選択により、個々のブロッ
クの所望の平均分子量を設定することは可能である。こ
の技術における熟練者にとっては、この選択の手順は公
知である。
えば反応体のモル比の適当な選択により、個々のブロッ
クの所望の平均分子量を設定することは可能である。こ
の技術における熟練者にとっては、この選択の手順は公
知である。
【0109】式VIII 、XIV、XIおよびXVのジ−、
トリ−またはテトラ−カルボン酸誘導体の、式XIIのジ
アミンとの重縮合は、それ自体知られている方法で、好
ましくは無水有機溶媒中で、そして湿気を排除して例え
ば窒素下で、約−20℃ないし+50℃で特に約−15
℃ないし+10℃で、行うことができる。
トリ−またはテトラ−カルボン酸誘導体の、式XIIのジ
アミンとの重縮合は、それ自体知られている方法で、好
ましくは無水有機溶媒中で、そして湿気を排除して例え
ば窒素下で、約−20℃ないし+50℃で特に約−15
℃ないし+10℃で、行うことができる。
【0110】所望ならば、異なるPA−PIブロック共
重合体の混合物も使用できる。
重合体の混合物も使用できる。
【0111】本発明の混合物は、その優れた加工性によ
り特徴付けられ、そして、例えば、母材樹脂、表面塗
料、接着剤、塗料組成物、全ての型の工業製品、例えば
繊維強化複合材料、積層物、結合した材料、発泡体、被
覆材、塗膜、フィルム、箔または圧縮成型品のための圧
縮成型粉および焼結用粉末として使用できる。
り特徴付けられ、そして、例えば、母材樹脂、表面塗
料、接着剤、塗料組成物、全ての型の工業製品、例えば
繊維強化複合材料、積層物、結合した材料、発泡体、被
覆材、塗膜、フィルム、箔または圧縮成型品のための圧
縮成型粉および焼結用粉末として使用できる。
【0112】例えば、粉状でまたは、特に、溶液状であ
る混合物を加工する前に、通常の添加剤、例えば充填
剤、顔料、安定剤または炭素繊維、硼素繊維、金属繊維
またはガラス繊維のような繊維強化剤を添加することは
可能である。
る混合物を加工する前に、通常の添加剤、例えば充填
剤、顔料、安定剤または炭素繊維、硼素繊維、金属繊維
またはガラス繊維のような繊維強化剤を添加することは
可能である。
【0113】所謂、流れ調整剤、例えば製品(登録商標
名)BYK S 706(BYK−ヒェミー製造、ヴェ
ーゼル所在)の添加は特に有利である。本発明に従う流
れ調節剤の添加は好ましい。
名)BYK S 706(BYK−ヒェミー製造、ヴェ
ーゼル所在)の添加は特に有利である。本発明に従う流
れ調節剤の添加は好ましい。
【0114】極性非プロトン性溶媒(この溶媒はハロゲ
ン化炭化水素のような常用の溶媒で希釈してもよい)に
対する本発明の混合物の優れた溶解特性により、この混
合物はフィルムを製造するために溶液から有利に加工で
き、または全ての基材上の塗膜の製造のために有利に使
用できる。好ましい溶媒は、N−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシドおよびγ−ブチロラクトンである。
ン化炭化水素のような常用の溶媒で希釈してもよい)に
対する本発明の混合物の優れた溶解特性により、この混
合物はフィルムを製造するために溶液から有利に加工で
き、または全ての基材上の塗膜の製造のために有利に使
用できる。好ましい溶媒は、N−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシドおよびγ−ブチロラクトンである。
【0115】適当な基材は:銅、黄銅、アルミニウム、
鉄または鋼のような金属または合金;アスベストまたは
ガラス繊維材;セルロース材(セルロースエステルまた
はエーテル、紙)、ポリエステル類、ポリアミド類、ポ
リイミド類またはポリウレタン類のような高分子であ
る。
鉄または鋼のような金属または合金;アスベストまたは
ガラス繊維材;セルロース材(セルロースエステルまた
はエーテル、紙)、ポリエステル類、ポリアミド類、ポ
リイミド類またはポリウレタン類のような高分子であ
る。
【0116】塗膜を施用した後、例えば180℃で30
分間乾燥し、例えば220ないし280℃の温度で短時
間加熱して、溶媒に対して抵抗性にする。溶媒に対して
安定な塗膜は、特に金属に対する優れた接着性により;
そして非常に優れた表面品質により特徴付けられる。従
って、本発明に従う混合物は、PA−PIブロック共重
合体の、高度の柔軟性のような優れた機械特性が維持さ
れている塗膜を形成するのに使用できる。エポキシ樹脂
の添加が原因になる脆性は観察されず、且つ非常に高い
接着強度と溶媒に対する高程度の抵抗性が達成される。
分間乾燥し、例えば220ないし280℃の温度で短時
間加熱して、溶媒に対して抵抗性にする。溶媒に対して
安定な塗膜は、特に金属に対する優れた接着性により;
そして非常に優れた表面品質により特徴付けられる。従
って、本発明に従う混合物は、PA−PIブロック共重
合体の、高度の柔軟性のような優れた機械特性が維持さ
れている塗膜を形成するのに使用できる。エポキシ樹脂
の添加が原因になる脆性は観察されず、且つ非常に高い
接着強度と溶媒に対する高程度の抵抗性が達成される。
【0117】本発明に従う混合物で塗布した金属箔は、
アクリレート接着剤の追加の補助的結合剤の使用なしに
多層の積層物に直接に結合できることも見出された。
アクリレート接着剤の追加の補助的結合剤の使用なしに
多層の積層物に直接に結合できることも見出された。
【0118】従って、本発明は積層物、好ましくは金属
積層物そして特に銅積層物に関していて、この積層物で
は結合剤は、エポキシ樹脂(a)と可溶性のPA−PI
ブロック共重合体(b)を含有する本発明に従う混合物
から成る。
積層物そして特に銅積層物に関していて、この積層物で
は結合剤は、エポキシ樹脂(a)と可溶性のPA−PI
ブロック共重合体(b)を含有する本発明に従う混合物
から成る。
【0119】結合した材料は、加圧下そしてPA−PI
ブロック共重合体/エポキシ樹脂混合物が少なくとも僅
かに流動することのできる温度、例えば180ないし3
20℃、好ましくは200ないし300℃の範囲の温度
で製造される。
ブロック共重合体/エポキシ樹脂混合物が少なくとも僅
かに流動することのできる温度、例えば180ないし3
20℃、好ましくは200ないし300℃の範囲の温度
で製造される。
【0120】温度は、PA−PIブロック共重合体のガ
ラス転移温度、エポキシ樹脂含有量および所望の圧縮お
よび加熱時間による。例えば、低いガラス転移温度を持
つPA−PIブロック共重合体とエポキシ樹脂の高比率
の場合は、低い加工温度を選択することが望ましい。高
いガラス転移温度を持つPA−PIブロック共重合体と
エポキシ樹脂の低比率の場合は、圧縮温度は相対的に高
い範囲内になるのが好ましい。
ラス転移温度、エポキシ樹脂含有量および所望の圧縮お
よび加熱時間による。例えば、低いガラス転移温度を持
つPA−PIブロック共重合体とエポキシ樹脂の高比率
の場合は、低い加工温度を選択することが望ましい。高
いガラス転移温度を持つPA−PIブロック共重合体と
エポキシ樹脂の低比率の場合は、圧縮温度は相対的に高
い範囲内になるのが好ましい。
【0121】非常に柔軟でありそして破壊されることな
しに数回折り曲げることのできるような積層物を使用す
るのに好ましい分野は、回路製造のための電子産業界に
ある。
しに数回折り曲げることのできるような積層物を使用す
るのに好ましい分野は、回路製造のための電子産業界に
ある。
【0122】下記の実施例において、下記のエポキシ樹
脂が使用される。エポキシ樹脂I: 5.6ないし5.7当量/kgのエポキ
シ含量と50℃における4500ないし5900mPa
・sの粘度を持つビスフェノールAジグリシジルエーテ
ル。エポキシ樹脂II: 7.5ないし8.5当量/kgのエポキ
シ含量と50℃における10000ないし17000m
Pa・sの粘度を持つN,N,N′,N′−テトラグリ
シジル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン。エポキシ樹脂III : 9.35ないし10.53当量/kg
のエポキシ含量と25℃における550ないし850m
Pa・sの粘度を持つN,N,O−トリグリシジル−p
−アミノフェノール。エポキシ樹脂IV: 5.55ないし5.95当量/kgの
エポキシ含量と25℃における3000ないし1000
0mPa・sの粘度を持つビスフェノールFジグリシジ
ルエーテル。エポキシ樹脂V: 9.3ないし10.0当量/kgのエポ
キシ含量と86ないし96℃の融解範囲を持つトリグリ
シジルイソシアヌレート。エポキシ樹脂VI: 5.1ないし5.4当量/kgのエポ
キシ含量と65ないし85℃のコフラーによる軟化点を
持つポリフェノールAテトラグリシジルエーテル(テト
ラ(p−グリシジルオキシフェニル)エタン)。
脂が使用される。エポキシ樹脂I: 5.6ないし5.7当量/kgのエポキ
シ含量と50℃における4500ないし5900mPa
・sの粘度を持つビスフェノールAジグリシジルエーテ
ル。エポキシ樹脂II: 7.5ないし8.5当量/kgのエポキ
シ含量と50℃における10000ないし17000m
Pa・sの粘度を持つN,N,N′,N′−テトラグリ
シジル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン。エポキシ樹脂III : 9.35ないし10.53当量/kg
のエポキシ含量と25℃における550ないし850m
Pa・sの粘度を持つN,N,O−トリグリシジル−p
−アミノフェノール。エポキシ樹脂IV: 5.55ないし5.95当量/kgの
エポキシ含量と25℃における3000ないし1000
0mPa・sの粘度を持つビスフェノールFジグリシジ
ルエーテル。エポキシ樹脂V: 9.3ないし10.0当量/kgのエポ
キシ含量と86ないし96℃の融解範囲を持つトリグリ
シジルイソシアヌレート。エポキシ樹脂VI: 5.1ないし5.4当量/kgのエポ
キシ含量と65ないし85℃のコフラーによる軟化点を
持つポリフェノールAテトラグリシジルエーテル(テト
ラ(p−グリシジルオキシフェニル)エタン)。
【0123】エポキシ樹脂VII:2.15ないし2.2
2当量/kgのエポキシ含量と50℃のコフラーによる軟
化点を持つ固体ビスフェノールAジグリシジルエーテル
樹脂。 エポキシ樹脂VIII : 4.6当量/kgのエポキシ含量を
持つo,o’−ジアリルビスフェノールAジグリシジル
エーテル。エポキシ樹脂IX: 8.7ないし9.1当量/kgのエポ
キシ含量と50℃における4000ないし6000mP
a・sの粘度を持つN,N,N′,N′−テトラグリシ
ジル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン。エポキシ樹脂X: 5.3当量/kgのエポキシ含量を持つ
ビスフェノールSジグリシジルエーテル。エポキシ樹脂XI: 5.6ないし5.8当量/kgのエポ
キシ含量と50℃における1100ないし1700mP
a・sの粘度を持つフェノールノボラックエポキシ樹
脂。エポキシ樹脂XII: 7.0ないし7.5当量/kgのエポ
キシ含量と25℃における450ないし520mPa・
sの粘度を持つ3,4−エポキシシクロヘキシルメチル
−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート。
2当量/kgのエポキシ含量と50℃のコフラーによる軟
化点を持つ固体ビスフェノールAジグリシジルエーテル
樹脂。 エポキシ樹脂VIII : 4.6当量/kgのエポキシ含量を
持つo,o’−ジアリルビスフェノールAジグリシジル
エーテル。エポキシ樹脂IX: 8.7ないし9.1当量/kgのエポ
キシ含量と50℃における4000ないし6000mP
a・sの粘度を持つN,N,N′,N′−テトラグリシ
ジル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン。エポキシ樹脂X: 5.3当量/kgのエポキシ含量を持つ
ビスフェノールSジグリシジルエーテル。エポキシ樹脂XI: 5.6ないし5.8当量/kgのエポ
キシ含量と50℃における1100ないし1700mP
a・sの粘度を持つフェノールノボラックエポキシ樹
脂。エポキシ樹脂XII: 7.0ないし7.5当量/kgのエポ
キシ含量と25℃における450ないし520mPa・
sの粘度を持つ3,4−エポキシシクロヘキシルメチル
−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート。
【0124】下記の実施例では、PA−PIブロック共
重合体は下記の組成で、それ自体知られている方法に従
って製造される。PA−PIブロック共重合体A: 欧州特許公開公報EP
−A−0324315号の実施例1に従って、ポリイミ
ドブロックを、120.84g(0.375モル)の
3,3′,4,4′−ベンゾテトラカルボン酸二無水
物、38.88g(0.156モル)の4,4′−ジア
ミノジフェニルスルホンおよび38.88g(0.15
6モル)の3,3′−ジアミノジフェニルスルホンから
合成し;そしてポリアミドブロックを、44.48g
(0.2235モル)のイソフタル酸ジクロライド、3
1.1g(0.125モル)の4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホンおよび31.1g(0.125モル)の
3,3′−ジアミノジフェニルスルホンから合成する。
インヘレント粘度〔25℃におけるN−メチルピロリド
ン(NMP)中の0.5重量%重合体溶液〕は0.40
dl/gである。
重合体は下記の組成で、それ自体知られている方法に従
って製造される。PA−PIブロック共重合体A: 欧州特許公開公報EP
−A−0324315号の実施例1に従って、ポリイミ
ドブロックを、120.84g(0.375モル)の
3,3′,4,4′−ベンゾテトラカルボン酸二無水
物、38.88g(0.156モル)の4,4′−ジア
ミノジフェニルスルホンおよび38.88g(0.15
6モル)の3,3′−ジアミノジフェニルスルホンから
合成し;そしてポリアミドブロックを、44.48g
(0.2235モル)のイソフタル酸ジクロライド、3
1.1g(0.125モル)の4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルホンおよび31.1g(0.125モル)の
3,3′−ジアミノジフェニルスルホンから合成する。
インヘレント粘度〔25℃におけるN−メチルピロリド
ン(NMP)中の0.5重量%重合体溶液〕は0.40
dl/gである。
【0125】PA−PIブロック共重合体B:欧州特許
公開公報EP−A−0324315号の実施例1に従っ
て、ポリイミドブロックを、100.7g(0.312
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、32.4g(0.1303モル)
の4,4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび32.
4g(0.1303モル)の3,3′−ジアミノジフェ
ニルスルホンから合成し;そしてポリアミドブロック
を、96.12g(0.4693モル)のイソフタル酸
ジクロライド、64.80g(0.2606モル)の
4,4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび64.8
0g(0.2606モル)の3,3′−ジアミノジフェ
ニルスルホンから合成する。インヘレント粘度〔25℃
におけるN−メチルピロリドン(NMP)中の0.5重
量%重合体溶液〕は0.57dl/gである。
公開公報EP−A−0324315号の実施例1に従っ
て、ポリイミドブロックを、100.7g(0.312
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、32.4g(0.1303モル)
の4,4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび32.
4g(0.1303モル)の3,3′−ジアミノジフェ
ニルスルホンから合成し;そしてポリアミドブロック
を、96.12g(0.4693モル)のイソフタル酸
ジクロライド、64.80g(0.2606モル)の
4,4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび64.8
0g(0.2606モル)の3,3′−ジアミノジフェ
ニルスルホンから合成する。インヘレント粘度〔25℃
におけるN−メチルピロリドン(NMP)中の0.5重
量%重合体溶液〕は0.57dl/gである。
【0126】PA−PIブロック共重合体C: ポリアミド酸ブロック: 90.13g(0.3125モ
ル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物と500gのNMPを、防護気体連結
管、内部温度計、滴下ロートおよび攪拌機を付した二重
壁の反応容器に、窒素下秤量して入れる。反応容器を3
回真空にし窒素で充満する。−7℃に冷却するとけん濁
液が形成される。80分間にわたり、−7ないし−4℃
の温度で、156gのNMP中の30.57g(0.1
303モル)の4,4′−ジアミノジフェニルスルホン
と16.52g(0.1303モル)のm−キシリレン
ジアミンの溶液を滴下ロートから添加する。次いで、反
応混合物を室温になるのに任せ次いで2時間攪拌する。
ル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物と500gのNMPを、防護気体連結
管、内部温度計、滴下ロートおよび攪拌機を付した二重
壁の反応容器に、窒素下秤量して入れる。反応容器を3
回真空にし窒素で充満する。−7℃に冷却するとけん濁
液が形成される。80分間にわたり、−7ないし−4℃
の温度で、156gのNMP中の30.57g(0.1
303モル)の4,4′−ジアミノジフェニルスルホン
と16.52g(0.1303モル)のm−キシリレン
ジアミンの溶液を滴下ロートから添加する。次いで、反
応混合物を室温になるのに任せ次いで2時間攪拌する。
【0127】ポリアミド−ポリアミド酸ブロック共重合
体:透明な上記の反応液を再度冷却する(−7℃)。次
いで、300gのNMP中の125.21g(0.52
10モル)の4,4′−ジアミノジフェニルスルホンを
滴下ロートにより150分間にわたり滴下する。次い
で、90.68g(0.4693モル)のイソフタル酸
ジクロライドを内部の温度が0℃を超えないようにして
分けて添加する。これに約150分間を要し、溶液は次
第に粘性を増す。次いで、重合体溶液を室温で50分間
攪拌する。更に0.51g(0.0025モル)のイソ
フタル酸ジクロライドを添加し、反応混合物を重縮合反
応を完結させるために3時間攪拌する。次いで、34.
00g(0.4725モル)のブチレンジオキシドを2
0分間にわたり滴下ロートから添加し(内温20−25
℃)、0.64dl/gのインヘレント粘度(25℃におけ
るNMP中の0.5重量%固体溶液)を持つポリアミド
−ポリアミド酸ブロック共重合体の溶液を得る。
体:透明な上記の反応液を再度冷却する(−7℃)。次
いで、300gのNMP中の125.21g(0.52
10モル)の4,4′−ジアミノジフェニルスルホンを
滴下ロートにより150分間にわたり滴下する。次い
で、90.68g(0.4693モル)のイソフタル酸
ジクロライドを内部の温度が0℃を超えないようにして
分けて添加する。これに約150分間を要し、溶液は次
第に粘性を増す。次いで、重合体溶液を室温で50分間
攪拌する。更に0.51g(0.0025モル)のイソ
フタル酸ジクロライドを添加し、反応混合物を重縮合反
応を完結させるために3時間攪拌する。次いで、34.
00g(0.4725モル)のブチレンジオキシドを2
0分間にわたり滴下ロートから添加し(内温20−25
℃)、0.64dl/gのインヘレント粘度(25℃におけ
るNMP中の0.5重量%固体溶液)を持つポリアミド
−ポリアミド酸ブロック共重合体の溶液を得る。
【0128】環化:次いで、この得られたポリアミド−
ポリアミド酸ブロック共重合体溶液を、ポリアミド−ポ
リイミドブロック共重合体を形成するために化学的に環
化せしめる。この目的のために、20ないし25℃で、
滴下ロートを使用して、第一に79.69g(0.78
75モル)のトリエチルアミンを45分間かけて添加
し、次に80.40g(0.7875モル)の無水酢酸
を40分間にわたり添加する。次いで、反応混合物を室
温で更に6時間攪拌する。上述の溶液の一部分を同量の
NMPで希釈し、10倍量のイソプロパノール中で沈澱
し、72時間かけて温度を240℃に上げながら真空乾
燥箱内で乾燥する。この方法で製造したポリアミド−ポ
リイミドブロック共重合体のインヘレント粘度(25℃
におけるNMP中の0.5重量%固体溶液)は、0.6
9dl/gである。
ポリアミド酸ブロック共重合体溶液を、ポリアミド−ポ
リイミドブロック共重合体を形成するために化学的に環
化せしめる。この目的のために、20ないし25℃で、
滴下ロートを使用して、第一に79.69g(0.78
75モル)のトリエチルアミンを45分間かけて添加
し、次に80.40g(0.7875モル)の無水酢酸
を40分間にわたり添加する。次いで、反応混合物を室
温で更に6時間攪拌する。上述の溶液の一部分を同量の
NMPで希釈し、10倍量のイソプロパノール中で沈澱
し、72時間かけて温度を240℃に上げながら真空乾
燥箱内で乾燥する。この方法で製造したポリアミド−ポ
リイミドブロック共重合体のインヘレント粘度(25℃
におけるNMP中の0.5重量%固体溶液)は、0.6
9dl/gである。
【0129】PA−PIブロック共重合体D:欧州特許
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、120.84g(0.37
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物と66.12gのジアミン混合物Z
(下記参照)から合成し;そしてポリアミドブロック
を、57.76g(0.238モル)のイソフタル酸ジ
クロライドと87.0gのジアミン混合物Zから合成す
る。インヘレント粘度(25℃におけるNMP中の0.
5重量%重合体溶液)は0.52dl/gである。
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、120.84g(0.37
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物と66.12gのジアミン混合物Z
(下記参照)から合成し;そしてポリアミドブロック
を、57.76g(0.238モル)のイソフタル酸ジ
クロライドと87.0gのジアミン混合物Zから合成す
る。インヘレント粘度(25℃におけるNMP中の0.
5重量%重合体溶液)は0.52dl/gである。
【0130】ジアミン混合物Zは、4,4′−ジアミノ
ジフェニルメタン、3−エチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタンおよび3,3′−ジエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルメタンから成る工業製品であり、置
換したジアミノジフェニルメタンの比率は80重量%よ
り大である。
ジフェニルメタン、3−エチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタンおよび3,3′−ジエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルメタンから成る工業製品であり、置
換したジアミノジフェニルメタンの比率は80重量%よ
り大である。
【0131】PA−PIブロック共重合体E:欧州特許
公開公報EP−A−0381620の実施例1に従い、
ポリイミドブロックを、120.84g(0.375モ
ル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物と66.12gのジアミン混合物Zから
合成し;そしてポリアミドブロックを、56.46g
(0.278モル)のイソフタル酸ジクロライドと8
7.00gのジアミン混合物Zから合成する。インヘレ
ント粘度(25℃におけるNMP中の0.5重量%重合
体溶液)は0.48dl/gである。
公開公報EP−A−0381620の実施例1に従い、
ポリイミドブロックを、120.84g(0.375モ
ル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物と66.12gのジアミン混合物Zから
合成し;そしてポリアミドブロックを、56.46g
(0.278モル)のイソフタル酸ジクロライドと8
7.00gのジアミン混合物Zから合成する。インヘレ
ント粘度(25℃におけるNMP中の0.5重量%重合
体溶液)は0.48dl/gである。
【0132】PA−PIブロック共重合体F:欧州特許
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、120.84g(0.37
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物と71.48g(0.281モル)
のジアミン混合物Zから合成し;そしてポリアミドブロ
ックを、57.65g(0.284モル)のイソフタル
酸ジクロライドと95.65g(0.375モル)の
3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルメ
タンから合成する。インヘレント粘度(25℃における
NMP中の0.5重量%重合体溶液)は0.61dl/gで
ある。
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、120.84g(0.37
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物と71.48g(0.281モル)
のジアミン混合物Zから合成し;そしてポリアミドブロ
ックを、57.65g(0.284モル)のイソフタル
酸ジクロライドと95.65g(0.375モル)の
3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルメ
タンから合成する。インヘレント粘度(25℃における
NMP中の0.5重量%重合体溶液)は0.61dl/gで
ある。
【0133】PA−PIブロック共重合体G:欧州特許
公開公報EP−A−0381621号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、100.70g(0.31
25モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、7.10g(0.0521モ
ル)のm−キシリレンジアミン、25.92g(0.1
042モル)の3,3′−ジアミノジフェニルスルホン
および25.92g(0.1042モル)の4,4′−
ジアミノジフェニルスルホンから合成し;そしてポリア
ミドブロックを、32.02g(0.1579モル)の
イソフタル酸ジクロライド、25.92g(0.104
2モル)の3,3′−ジアミノジフェニルスルホンと2
5.92g(0.1042モル)の4,4′−ジアミノ
ジフェニルスルホンから合成する。インヘレント粘度
(25℃におけるNMP中の0.5重量%重合体溶液)
は0.66dl/gである。
公開公報EP−A−0381621号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、100.70g(0.31
25モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、7.10g(0.0521モ
ル)のm−キシリレンジアミン、25.92g(0.1
042モル)の3,3′−ジアミノジフェニルスルホン
および25.92g(0.1042モル)の4,4′−
ジアミノジフェニルスルホンから合成し;そしてポリア
ミドブロックを、32.02g(0.1579モル)の
イソフタル酸ジクロライド、25.92g(0.104
2モル)の3,3′−ジアミノジフェニルスルホンと2
5.92g(0.1042モル)の4,4′−ジアミノ
ジフェニルスルホンから合成する。インヘレント粘度
(25℃におけるNMP中の0.5重量%重合体溶液)
は0.66dl/gである。
【0134】PA−PIブロック共重合体H:欧州特許
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、120.84g(0.37
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物と71.48g(0.281モル)
の3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニル
メタンから合成し;そしてポリアミドブロックを、5
7.65g(0.284モル)のイソフタル酸ジクロラ
イドと95.61g(0.375モル)の3,3′−ジ
エチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタンから合成
する。インヘレント粘度(25℃におけるNMP中の
0.5重量%重合体溶液)は0.60dl/gである。
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、120.84g(0.37
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物と71.48g(0.281モル)
の3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニル
メタンから合成し;そしてポリアミドブロックを、5
7.65g(0.284モル)のイソフタル酸ジクロラ
イドと95.61g(0.375モル)の3,3′−ジ
エチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタンから合成
する。インヘレント粘度(25℃におけるNMP中の
0.5重量%重合体溶液)は0.60dl/gである。
【0135】PA−PIブロック共重合体I:欧州特許
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、73.52g(0.25モ
ル)の3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物と43.50gのジアミン混合物Zから合成
し;そしてポリアミドブロックを、39.89g(0.
1895モル)のトリメリト酸一無水物一クロライドと
58.00gのジアミン混合物Zから合成する。インヘ
レント粘度(25℃におけるNMP中の0.5重量%重
合体溶液)は0.80dl/gである。
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、73.52g(0.25モ
ル)の3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物と43.50gのジアミン混合物Zから合成
し;そしてポリアミドブロックを、39.89g(0.
1895モル)のトリメリト酸一無水物一クロライドと
58.00gのジアミン混合物Zから合成する。インヘ
レント粘度(25℃におけるNMP中の0.5重量%重
合体溶液)は0.80dl/gである。
【0136】PA−PIブロック共重合体J:欧州特許
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、73.64g(0.337
5モル)のピロメリト酸二無水物、33.11g(0.
1125モル)の3,3′,4,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物と97.19gのジアミン混合物
Zから合成し;そしてポリアミドブロックを、15.2
g(0.0946モル)のイソフタル酸ジクロライドと
28.32gのジアミン混合物Zから合成する。インヘ
レント粘度(25℃におけるNMP中の0.5重量%重
合体溶液)は0.63dl/gである。
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、73.64g(0.337
5モル)のピロメリト酸二無水物、33.11g(0.
1125モル)の3,3′,4,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物と97.19gのジアミン混合物
Zから合成し;そしてポリアミドブロックを、15.2
g(0.0946モル)のイソフタル酸ジクロライドと
28.32gのジアミン混合物Zから合成する。インヘ
レント粘度(25℃におけるNMP中の0.5重量%重
合体溶液)は0.63dl/gである。
【0137】PA−PIブロック共重合体K:欧州特許
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、80.56g(0.25モ
ル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、21.57g(0.0695モル)の
3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、17.28g(0.0695モ
ル)の3,3′−ジアミノジフェニルスルホンおよび1
7.28g(0.0695モル)の4,4′−ジアミノ
ジフェニルスルホンから合成し;そしてポリアミドブロ
ックを、76.90g(0.379モル)のイソフタル
酸ジクロライド、43.04g(0.1389モル)の
3,3′,5,5′−テトラメチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、34.56g(0.1389モ
ル)の4,4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび3
4.56g(0.1389モル)の3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルホンから合成する。インヘレント粘度
(25℃におけるNMP中の0.5重量%重合体溶液)
は0.45dl/gである。
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、80.56g(0.25モ
ル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、21.57g(0.0695モル)の
3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、17.28g(0.0695モ
ル)の3,3′−ジアミノジフェニルスルホンおよび1
7.28g(0.0695モル)の4,4′−ジアミノ
ジフェニルスルホンから合成し;そしてポリアミドブロ
ックを、76.90g(0.379モル)のイソフタル
酸ジクロライド、43.04g(0.1389モル)の
3,3′,5,5′−テトラメチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルメタン、34.56g(0.1389モ
ル)の4,4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび3
4.56g(0.1389モル)の3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルホンから合成する。インヘレント粘度
(25℃におけるNMP中の0.5重量%重合体溶液)
は0.45dl/gである。
【0138】PA−PIブロック共重合体L:欧州特許
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、120.84g(0.37
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、38.88g(0.156モル)
の4,4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび38.
88g(0.156モル)の3,3′−ジアミノジフェ
ニルスルホンから合成し;そしてポリアミドブロック
を、38.56g(0.1877モル)のイソフタル酸
ジクロライド、31.10g(0.125モル)の4,
4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび31.10g
(0.125モル)の3,3′−ジアミノジフェニルス
ルホンから合成する。インヘレント粘度(25℃におけ
るNMP中の0.5重量%重合体溶液)は0.46dl/g
である。
公開公報EP−A−0381620号の実施例1に従
い、ポリイミドブロックを、120.84g(0.37
5モル)の3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、38.88g(0.156モル)
の4,4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび38.
88g(0.156モル)の3,3′−ジアミノジフェ
ニルスルホンから合成し;そしてポリアミドブロック
を、38.56g(0.1877モル)のイソフタル酸
ジクロライド、31.10g(0.125モル)の4,
4′−ジアミノジフェニルスルホンおよび31.10g
(0.125モル)の3,3′−ジアミノジフェニルス
ルホンから合成する。インヘレント粘度(25℃におけ
るNMP中の0.5重量%重合体溶液)は0.46dl/g
である。
【0139】実施例1ないし65:PA−PIブロック
共重合体/エポキシ樹脂組成物から製造した2層の積層
物の製造と特性 問題のPA−PIブロック共重合体をNMPに溶解し、
これが完全に溶解した時、問題のエポキシ樹脂を決めた
比率で添加し、NMP中25重量%の溶液にする。この
溶液を塗布ロール系を使用して200μmの厚みで35
μmの銅箔に塗布し、IR(赤外線)照射しながら循環
空気−塗布表面乾燥箱中で乾燥する〔条件:循環空気の
温度:180℃、45分間、IR灯:ヘラエウス(Herae
us) 製、型MMS 1200〕。塗布した箔の部分を1
cm幅の帯に切断し、「屈曲亀裂寿命」を測定する
〔「屈曲亀裂寿命」=積層物に亀裂が生じる迄折り曲げ
られる回数、224gの引張強度と2mmのマンドレル
を持つ曲延性試験機(ユニバーサルモデル2FDF)を
使用して測定する。〕。溶媒に対する安定性は、積層物
の別の部分を1時間と2時間にわたり、20℃で、NM
Pに浸漬して測定される。下記の表1は本発明の積層物
の性質を示している。
共重合体/エポキシ樹脂組成物から製造した2層の積層
物の製造と特性 問題のPA−PIブロック共重合体をNMPに溶解し、
これが完全に溶解した時、問題のエポキシ樹脂を決めた
比率で添加し、NMP中25重量%の溶液にする。この
溶液を塗布ロール系を使用して200μmの厚みで35
μmの銅箔に塗布し、IR(赤外線)照射しながら循環
空気−塗布表面乾燥箱中で乾燥する〔条件:循環空気の
温度:180℃、45分間、IR灯:ヘラエウス(Herae
us) 製、型MMS 1200〕。塗布した箔の部分を1
cm幅の帯に切断し、「屈曲亀裂寿命」を測定する
〔「屈曲亀裂寿命」=積層物に亀裂が生じる迄折り曲げ
られる回数、224gの引張強度と2mmのマンドレル
を持つ曲延性試験機(ユニバーサルモデル2FDF)を
使用して測定する。〕。溶媒に対する安定性は、積層物
の別の部分を1時間と2時間にわたり、20℃で、NM
Pに浸漬して測定される。下記の表1は本発明の積層物
の性質を示している。
【0140】
【表6】
【0141】
【表7】
【0142】
【表8】
【0143】
【表9】
【0144】* ) 混合物は、流れ調整剤として(登録商
標名)BYKS706を、PA−PIブロック共重合体
/エポキシ樹脂の全量に基づいて、1重量%含有する。** ) 乾燥:循環空気温度=240℃;IR照射=45分*** ) 乾燥:循環空気温度=180℃;IR照射=60
分
標名)BYKS706を、PA−PIブロック共重合体
/エポキシ樹脂の全量に基づいて、1重量%含有する。** ) 乾燥:循環空気温度=240℃;IR照射=45分*** ) 乾燥:循環空気温度=180℃;IR照射=60
分
【0145】実施例66:PA−PIブロック共重合体
/エポキシ樹脂組成物から製造した3層の積層物の製造
と特性 25gのPA−PIブロック共重合体D(NMP中の2
0重量%溶液)を、ビーカーに秤量して入れ、120な
いし140℃に油浴中加熱する。溶液がその温度に到達
した時に、0.5gのエポキシ樹脂Iを添加し、エポキ
シ樹脂が完全に溶解する迄攪拌する。
/エポキシ樹脂組成物から製造した3層の積層物の製造
と特性 25gのPA−PIブロック共重合体D(NMP中の2
0重量%溶液)を、ビーカーに秤量して入れ、120な
いし140℃に油浴中加熱する。溶液がその温度に到達
した時に、0.5gのエポキシ樹脂Iを添加し、エポキ
シ樹脂が完全に溶解する迄攪拌する。
【0146】メッスルス ゴックェル社(ミュンヘン所
在)(Messrs Gockel, Munich) 提供の装置(標準刃付テ
ーブル)を使用して、50ないし60℃に冷却した上述
の150μ塗膜を35μ銅箔に塗布する。
在)(Messrs Gockel, Munich) 提供の装置(標準刃付テ
ーブル)を使用して、50ないし60℃に冷却した上述
の150μ塗膜を35μ銅箔に塗布する。
【0147】未だ湿潤の間に、塗布した箔を角部分で固
定し、180℃に加熱した循環空気乾燥箱に30分間放
置する。その乾燥期間後、樹脂を塗布した箔を室温で冷
却する。25−30μ樹脂層が銅箔上にできる。
定し、180℃に加熱した循環空気乾燥箱に30分間放
置する。その乾燥期間後、樹脂を塗布した箔を室温で冷
却する。25−30μ樹脂層が銅箔上にできる。
【0148】紙切断機を使用して、樹脂を塗布した銅箔
を16×16cm片に切断する。切断、塗布した箔の樹
脂側を一緒に合わせて、箔を、40.8バールの加圧下
240ないし260℃の温度で圧縮成型に処する。6分
後に、圧縮成型の温度で成型品を取り出す。冷却後、柔
軟性の積層物の特性測定に使用できる。
を16×16cm片に切断する。切断、塗布した箔の樹
脂側を一緒に合わせて、箔を、40.8バールの加圧下
240ないし260℃の温度で圧縮成型に処する。6分
後に、圧縮成型の温度で成型品を取り出す。冷却後、柔
軟性の積層物の特性測定に使用できる。
【0149】電気的特性を測定するために、銅箔を上端
と下端で腐蝕槽に入れて腐蝕して除く。残存しているプ
ラスチック層を蒸留水中で何回か洗浄し、その重量が一
定になるまで真空炉中で乾燥する。その箔について、測
定される電気的性質を下記する:
と下端で腐蝕槽に入れて腐蝕して除く。残存しているプ
ラスチック層を蒸留水中で何回か洗浄し、その重量が一
定になるまで真空炉中で乾燥する。その箔について、測
定される電気的性質を下記する:
【0150】破損強度(50Hz)=150kV/mm
tel quel 体積抵抗率Ω(DIN53482) 3.8×1015オーム×cm tel quel 3.8×1015オーム×cm 煮沸水中に1時間保存後 誘電損係数:tanδ そして 誘電率:ε(DIN
53483)
tel quel 体積抵抗率Ω(DIN53482) 3.8×1015オーム×cm tel quel 3.8×1015オーム×cm 煮沸水中に1時間保存後 誘電損係数:tanδ そして 誘電率:ε(DIN
53483)
【0151】 Hz tanδ エプシロン(ε) ─────── ─────── ───────────── 50 0.02 4 tel quel 100 0.016 4 tel quel 1000 0.011 3.9 tel quel 10000 0.012 3.9 tel quel 100000 0.024 3.8 tel quel 50 0.017 6.7 煮沸水1時間 100 0.017 6.7 煮沸水1時間 1000 0.017 6.6 煮沸水1時間 10000 0.013 6.5 煮沸水1時間 100000 0.031 6.3 煮沸水1時間 ─────── ─────── ─────────────
【0152】実施例67:銅箔−35μED銅−を下記
の組成物の湿潤200μ層で、処理面を塗布する:PA
−PIブロック共重合体K−NMP中22重量%溶液、
エポキシ樹脂VI−10重量%(PA−PIブロック共
重合体に基づく)、および(登録商標名)BYK S7
06−0.15重量%(全溶液に基づく)。
の組成物の湿潤200μ層で、処理面を塗布する:PA
−PIブロック共重合体K−NMP中22重量%溶液、
エポキシ樹脂VI−10重量%(PA−PIブロック共
重合体に基づく)、および(登録商標名)BYK S7
06−0.15重量%(全溶液に基づく)。
【0153】2ないし3分間室温で溶媒を蒸発した後、
塗膜を100℃で10分間および220℃で30分間乾
燥する。
塗膜を100℃で10分間および220℃で30分間乾
燥する。
【0154】その方法で塗布した2枚の銅箔を、樹脂層
を合わせて、39.23ないし49.04バールの加圧
下、280℃で、2分間にわたり、圧縮成型し、次いで
加圧下室温に冷却する。
を合わせて、39.23ないし49.04バールの加圧
下、280℃で、2分間にわたり、圧縮成型し、次いで
加圧下室温に冷却する。
【0155】銅箔の接着力について測定され下記の価が
得られる:室温では=16.9N/cm、150℃では
=16.9N/cmそして250℃では7.7N/c
m。
得られる:室温では=16.9N/cm、150℃では
=16.9N/cmそして250℃では7.7N/c
m。
【0156】実施例68:実施例66と同様にして、エ
ポキシ樹脂の1gをPA−PIブロック共重合体L(N
MP中25重量%溶液)の50gに添加する。
ポキシ樹脂の1gをPA−PIブロック共重合体L(N
MP中25重量%溶液)の50gに添加する。
【0157】樹脂を塗布した銅箔を、6分間にわたり3
9.23バールの加圧下、220ないし240℃の温度
で成型すると、下記の測定値が得られる。 破損強度(50Hz)=143kV/mm(tel quel) 体積抵抗率 IEC93=5.3×1015オーム×cm
(tel quel)
9.23バールの加圧下、220ないし240℃の温度
で成型すると、下記の測定値が得られる。 破損強度(50Hz)=143kV/mm(tel quel) 体積抵抗率 IEC93=5.3×1015オーム×cm
(tel quel)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス カインミューラー ドイツ連邦共和国,6145 リンデンフェル ス 1,アム キュメルベルク 1 (72)発明者 ヘルマン ジーテルム スイス国,1735 ジッファース,グロッテ ンヴェーク(番地表示なし) (72)発明者 ウォルフガング シャルフ ドイツ連邦共和国,7889 グレンツアッハ −ヴューレン,レーツラー リング 11 ツェー (72)発明者 テオバルト ハウク スイス国,4402 フレンケンドルフ,ウン ター フリューハッカーシュトラーセ 12
Claims (14)
- 【請求項1】(a)分子中に少なくとも2個のエポキシ
基を有するエポキシ樹脂;および (b)極性非プロトン性溶媒に可溶性のポリアミド−ポ
リイミド(PA−PI)ブロック共重合体を; 1:1ないし1:200のa:bの重量比で含有する混
合物。 - 【請求項2】a:bの重量比が1:4ないし1:10
0、特に1:5ないし1:50である請求項1記載の混
合物。 - 【請求項3】エポキシ樹脂(a)として、フェノールま
たはノボラックのポリグリシジルエーテル、トリグリシ
ジルイソシアヌレート、N,N,O−トリグリシジル−
p−アミノフェノール、芳香族アミンのポリ(N−グリ
シジル)誘導体、または環式脂肪族エポキシ樹脂を含有
する請求項1記載の混合物。 - 【請求項4】エポキシ樹脂(a)として、ビスフェノー
ルまたはノボラックのジグリシジルエーテル、o,o′
−ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテル、ト
リグリシジルイソシアヌレート、N,N,O−トリグリ
シジル−p−アミノフェノール、ビス[4−(ジグリシ
ジルアミノ)−フェニル]メタン、テトラ(p−グリシ
ジルオキシフェニル)エタンまたは3,4−エポキシシ
クロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサン
カルボキシレートを含有する請求項1記載の混合物。 - 【請求項5】式II: 【化1】 {式中、PAは、300ないし20000の数平均分子
量Mn を持つポリアミドブロックであって、少なくとも
式III : 【化2】 〔式中、R1 は、式:−CnH2n−、 【化3】 【化4】 の基を表し;そしてR2 は式:−CnH2n−、 【化5】 (式中、Qは直接結合、−CH2 −、−CH2 CH
2 −、−CH(CH3 )−、−C(CH3 )2 −、−C
(CF3 )2 −、−O−、−S−、−SO2 −または−
CO−を表し;nは2ないし12を表し;そしてYa 、
Y b、Yc およびYd は各々が互いに他と独立して水素
原子、ハロゲン原子または炭素原子数1ないし4のアル
キル基を表す。)の基を表す。〕の少なくとも一個の
(反復)単位を包含し;そしてPIは、300ないし2
0000の数平均分子量Mn を持つポリイミドブロック
であって、式IV: 【化6】 (式中、R3 は 【化7】 を表し;QとR2 は上述と同じに定義され;但し、全て
の橋員R2 の25ないし100モル%は 【化8】 を表し;そして(環状)脂肪族橋員であるR2 の比率は
10モル%を越えない。)の少なくとも一個の(反復)
単位を包含する。}の反復単位を包含する1000ない
し50000の数平均分子量Mn を持つPA−PIブロ
ック共重合体を包含する請求項1記載の混合物。 - 【請求項6】1000ないし50000の数平均分子量
Mn と式II: 【化9】 (式中、ポリアミドブロックPA中とポリイミドブロッ
クPI中のイミド基に対するアミド基の比率は約4:1
ないし1:4であり且つポリイミドブロックにおけるブ
ロック共重合体は、ブロック共重合体中の全てのカルボ
ン酸基の含有量を基準にして、式: 【化10】 の基の少なくとも2モル%の含有量を持つ。)の反復構
造単位を持つPA−PIブロックポリマーを包含する請
求項1記載の混合物。 - 【請求項7】式:XbおよびIXaおよび/もしくはI
Xcのまたは式:IXbおよびXaおよび/もしくはX
c 【化11】 【化12】 〔式中、係数e、fおよびgの各々は互いに他と独立し
て1ないし100の整数を表し; R1 は、式:−CnH2n−、 【化13】 【化14】 の基を表し; そしてR2 は、式:−CnH2n−、 【化15】 (式中、Qは直接結合、−CH2 −、−CH2 CH
2 −、−CH(CH3 )−、−C(CH3 )2 −、−C
(CF3 )2 −、−O−、−S−、−SO2 −または−
CO−を表し;そしてnは2ないし12を表し;そして
Ya 、Y b、Yc およびYd は各々が互いに他と独立し
て水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数1ないし4
のアルキル基を表す。)の基を表し;R3 は式: 【化16】 (式中、Qは直接結合を表すか、または−CH2 −、−
CH2 CH2 −、−CH(CH3 )−、−C(CH3 )
2 −、−C(CF3 )2 −、−O−、−S−、−SO2
−または−CO−を表す。)の基を表し;R5 は式: 【化17】 の基を表し;そしてR4 とR6 の各々は他と独立してR
2 の定義の一つを持ち;但し、全ての基R3 の25ない
し100モル%は式: 【化18】 を持つ。〕のブロックの組合わせを含有するPA−PI
ブロック共重合体を包含する請求項6記載の混合物。 - 【請求項8】式:IXaおよびXbおよび/もしくはX
cのまたは式:IXbおよびXaおよび/もしくはXc
のまたは式:IXcおよびXaおよび/もしくはXbの
ブロックの組合わせを含有し;但し、R2 、R4 および
R6 の全ての基の、これらの基の全量に基づく10ない
し100モル%は、好ましくは25ないし100モル
%、特に50ないし100モル%は、式: 【化19】 (式中、pは1または2を表し、そしてqは零、1また
は2を表し;そしてR7 とR8 の各々は炭素原子数1な
いし8のアルキル基を表すか;または式中、互いにオル
ト位の関係にあるR7 とR8 の対は一緒になってアルキ
レン基を形成する。)を持つという異なる前提で、PA
−PIブロック共重合体を含有する請求項7記載の混合
物。 - 【請求項9】式:IXaおよびXbおよび/もしくはX
cのまたは式:IXbおよびXaおよび/もしくはXc
のまたは式:IXcおよびXaおよび/もしくはXbの
ブロックの組合わせを含有し;但し、R2 、R4 および
R6 の全ての基の、これらの基の全量に基づく25ない
し100モル%は、式: 【化20】 (式中、Yは炭素原子数1ないし8のアルキル基または
ハロゲン原子を表し;mは0ないし4の数を表す。)を
持つという異なる前提で、PA−PIブロック共重合体
を含有する請求項7記載の混合物。 - 【請求項10】追加して流れ調整剤を含有する請求項1
記載の混合物。 - 【請求項11】極性非プロトン性溶媒に溶解した請求項
1記載の混合物を含有する有機溶液。 - 【請求項12】塗膜として請求項1記載の混合物を含有
している;単層塗膜(single coating)を持つ積層物、好
ましくは金属積層物そして特に銅積層物。 - 【請求項13】結合材料が、請求項1記載の、エポキシ
樹脂(a)と可溶性のPA−PIブロック共重合体
(b)を含有する混合物から成る積層物、好ましくは金
属積層物そして特に銅積層物。 - 【請求項14】請求項1記載の混合物でその片側を塗布
してある2枚の金属箔を塗布面を一緒にして、加圧およ
び加熱下、圧縮成型してある請求項13記載の積層物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1639/90-8 | 1990-05-15 | ||
CH163990 | 1990-05-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05171009A true JPH05171009A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=4215169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3181518A Pending JPH05171009A (ja) | 1990-05-15 | 1991-05-15 | 高分子混合物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0457722A2 (ja) |
JP (1) | JPH05171009A (ja) |
KR (1) | KR910020103A (ja) |
CA (1) | CA2042459A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014524512A (ja) * | 2011-08-19 | 2014-09-22 | アクロン ポリマー システムズ,インコーポレイテッド | 耐熱性低複屈折ポリイミド共重合体膜 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW398165B (en) * | 1997-03-03 | 2000-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Circuit boards using heat resistant resin for adhesive layers |
-
1991
- 1991-05-07 EP EP91810347A patent/EP0457722A2/de not_active Withdrawn
- 1991-05-13 CA CA002042459A patent/CA2042459A1/en not_active Abandoned
- 1991-05-14 KR KR1019910007792A patent/KR910020103A/ko not_active Application Discontinuation
- 1991-05-15 JP JP3181518A patent/JPH05171009A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014524512A (ja) * | 2011-08-19 | 2014-09-22 | アクロン ポリマー システムズ,インコーポレイテッド | 耐熱性低複屈折ポリイミド共重合体膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910020103A (ko) | 1991-12-19 |
EP0457722A2 (de) | 1991-11-21 |
CA2042459A1 (en) | 1991-11-16 |
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