JPH05170733A - 4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体の製造法 - Google Patents
4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPH05170733A JPH05170733A JP3338673A JP33867391A JPH05170733A JP H05170733 A JPH05170733 A JP H05170733A JP 3338673 A JP3338673 A JP 3338673A JP 33867391 A JP33867391 A JP 33867391A JP H05170733 A JPH05170733 A JP H05170733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- derivative
- compound
- azetidin
- mmol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式(1)
【化1】
で表される化合物を脱エステル及び脱炭酸せしめ、アミ
ノ基の保護基が存在する場合には脱保護せしめることを
特徴とする一般式(2) 【化2】 で表される4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン
−2−オン誘導体の製造法。 【効果】 1β−アルキルカルバペネム系抗菌剤の合成
中間体として有用な4−(1−カルボキシアルキル)ア
ゼチジン−2−オン誘導体を効率よく製造することがで
きる。
ノ基の保護基が存在する場合には脱保護せしめることを
特徴とする一般式(2) 【化2】 で表される4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン
−2−オン誘導体の製造法。 【効果】 1β−アルキルカルバペネム系抗菌剤の合成
中間体として有用な4−(1−カルボキシアルキル)ア
ゼチジン−2−オン誘導体を効率よく製造することがで
きる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、種々の1β−アルキル
カルバペネム系抗菌剤の合成中間体として有用な4−
(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導
体の製造法に関する。
カルバペネム系抗菌剤の合成中間体として有用な4−
(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導
体の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】カルバ
ペネム系抗菌剤は、グラム陽性菌から緑膿菌を含むグラ
ム陰性菌にわたる広範囲の細菌に対して強い抗菌力を有
する優れた抗菌剤であるため、近年、活発に開発がなさ
れている。式(3)
ペネム系抗菌剤は、グラム陽性菌から緑膿菌を含むグラ
ム陰性菌にわたる広範囲の細菌に対して強い抗菌力を有
する優れた抗菌剤であるため、近年、活発に開発がなさ
れている。式(3)
【0003】
【化3】
【0004】で表されるチエナマイシンなどカルバペネ
ム骨格の1位に置換基を有していないカルバペネム類は
高濃度では化学的に不安定であり、しかも腎デヒドロペ
プチダーゼにより容易に代謝されてしまうという欠点を
有するが、1位にβ−配置のアルキル基を導入すると安
定性が増し、腎デヒドロペプチダーゼ阻害剤を配合する
ことなく単独使用が可能となる。このため、現在では1
β−アルキルカルバペネム系抗菌剤の開発に力が入れら
れており、その合成中間体となる一般式(2β)
ム骨格の1位に置換基を有していないカルバペネム類は
高濃度では化学的に不安定であり、しかも腎デヒドロペ
プチダーゼにより容易に代謝されてしまうという欠点を
有するが、1位にβ−配置のアルキル基を導入すると安
定性が増し、腎デヒドロペプチダーゼ阻害剤を配合する
ことなく単独使用が可能となる。このため、現在では1
β−アルキルカルバペネム系抗菌剤の開発に力が入れら
れており、その合成中間体となる一般式(2β)
【0005】
【化4】
【0006】(式中、R3は低級アルキル基を示し、R4
は水素原子又は水酸基の保護基を示す)で表される4−
〔(R)−1−カルボキシアルキル〕アゼチジン−2−
オン誘導体の合成法の開発も盛んに行われている。
は水素原子又は水酸基の保護基を示す)で表される4−
〔(R)−1−カルボキシアルキル〕アゼチジン−2−
オン誘導体の合成法の開発も盛んに行われている。
【0007】この化合物(2β)の合成法としては、多
くの報告がなされているが、特に一般式(4)
くの報告がなされているが、特に一般式(4)
【0008】
【化5】
【0009】(式中、R4は前記と同じ意味を示し、A
cはアセチル基を示す)で表される4−アセトキシアゼ
チジン−2−オン誘導体の4位を、種々の求核剤により
アルキル化することにより、側鎖を導入する方法が最も
期待されており、プロピオン酸エステルエノラートによ
るアルキル化〔C.U.Kimら;Tetrahedr
on Lett.,28(5)507−510(198
7)、T.Chibaら;Chem.Lett.,13
43−1346(1985)、T.Shibataら;
Tetrahedron Lett.,26(39)4
739−4742(1985)〕、プロピオン酸イミド
のエノラートによるアルキル化〔Y.Nagaoら;
J.Am.Chem.Soc.,108,4673−4
675(1986)、長尾善光;化学,42(3)19
0−196(1987)、L.M.Fuentesら;
J.Am.Chem.Soc.,108,4675−4
676(1986)、R.Dezielら;Tetra
hedron Lett.,27(47)5687−5
690(1986)、Y.Itoら;Tetrahed
ron Lett.,28(52)6625−6628
(1987)、プロピオン酸チオールエステルエノラー
トによるアルキル化〔M.Endoら;Can.J.C
hem.,65,2140−2145(1987)、
C.U.Kimら;Tetrahedron Let
t.,28(5)507−510(1987)、A.M
artelら;Can.J.Chem.,66,153
7−1539(1988)〕などが報告されている。化
合物(2β)のその他の合成法としては、例えば化合物
(5)
cはアセチル基を示す)で表される4−アセトキシアゼ
チジン−2−オン誘導体の4位を、種々の求核剤により
アルキル化することにより、側鎖を導入する方法が最も
期待されており、プロピオン酸エステルエノラートによ
るアルキル化〔C.U.Kimら;Tetrahedr
on Lett.,28(5)507−510(198
7)、T.Chibaら;Chem.Lett.,13
43−1346(1985)、T.Shibataら;
Tetrahedron Lett.,26(39)4
739−4742(1985)〕、プロピオン酸イミド
のエノラートによるアルキル化〔Y.Nagaoら;
J.Am.Chem.Soc.,108,4673−4
675(1986)、長尾善光;化学,42(3)19
0−196(1987)、L.M.Fuentesら;
J.Am.Chem.Soc.,108,4675−4
676(1986)、R.Dezielら;Tetra
hedron Lett.,27(47)5687−5
690(1986)、Y.Itoら;Tetrahed
ron Lett.,28(52)6625−6628
(1987)、プロピオン酸チオールエステルエノラー
トによるアルキル化〔M.Endoら;Can.J.C
hem.,65,2140−2145(1987)、
C.U.Kimら;Tetrahedron Let
t.,28(5)507−510(1987)、A.M
artelら;Can.J.Chem.,66,153
7−1539(1988)〕などが報告されている。化
合物(2β)のその他の合成法としては、例えば化合物
(5)
【0010】
【化6】
【0011】(式中、R4は前記と同じ意味を示す)を
リチウムジイソプロピルアミドによりアルキル化する方
法〔D.H.Shihら;Heterocycles,
21(1)29−40(1984)、化合物(6)
リチウムジイソプロピルアミドによりアルキル化する方
法〔D.H.Shihら;Heterocycles,
21(1)29−40(1984)、化合物(6)
【0012】
【化7】
【0013】(式中、R4は前記と同じ意味を示し、R5
は水素原子又はアミノ基の保護基を示し、R6はアルキ
ル基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基を示
す)のエキソメチレン基を接触還元又は特定の触媒によ
り不斉還元する方法〔特開昭58−26887号公報、
C.U.Kimら;Tetrahedron Let
t.,28(5)507−510(1987)、T.O
htaら;J.Org.Chem.,52,3176−
3178(1987)、T.Iimoriら;Tetr
ahedron Lett.,27(19)2149−
2152(1986)〕などがあり、総説〔伊藤芳雄
ら;有機合成化学、47(7)606−618(198
9)〕に報告されている。
は水素原子又はアミノ基の保護基を示し、R6はアルキ
ル基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基を示
す)のエキソメチレン基を接触還元又は特定の触媒によ
り不斉還元する方法〔特開昭58−26887号公報、
C.U.Kimら;Tetrahedron Let
t.,28(5)507−510(1987)、T.O
htaら;J.Org.Chem.,52,3176−
3178(1987)、T.Iimoriら;Tetr
ahedron Lett.,27(19)2149−
2152(1986)〕などがあり、総説〔伊藤芳雄
ら;有機合成化学、47(7)606−618(198
9)〕に報告されている。
【0014】これらの方法で得られる化合物(2β)
は、ほとんどの場合、その立体異性体である化合物(2
α)
は、ほとんどの場合、その立体異性体である化合物(2
α)
【0015】
【化8】
【0016】(式中、R3及びR4は前記と同じ意味を示
す)と特定の割合で混合した化合物(2)
す)と特定の割合で混合した化合物(2)
【0017】
【化9】
【0018】(式中、R3及びR4は前記と同じ意味を示
す)として得られるが、このα−配置のアルキル基を有
する化合物(2α)は、例えば、D.H.Shihら;
Heterocycles,21(1)29−40(1
984)に記載されている方法により異性化を行えば、
目的とするβ−配置のアルキル基を有する化合物(2
β)とすることができる。
す)として得られるが、このα−配置のアルキル基を有
する化合物(2α)は、例えば、D.H.Shihら;
Heterocycles,21(1)29−40(1
984)に記載されている方法により異性化を行えば、
目的とするβ−配置のアルキル基を有する化合物(2
β)とすることができる。
【0019】しかしながら、前記した化合物(2)及び
化合物(2β)の合成法は、特殊で高価な試薬を用いた
り、反応温度が極めて低かったり、高価な金属や毒性の
ある金属を触媒として使用するなど、大量に合成するの
に適した方法ではなく、実際に工業的規模では製造され
ていないのが現状であった。
化合物(2β)の合成法は、特殊で高価な試薬を用いた
り、反応温度が極めて低かったり、高価な金属や毒性の
ある金属を触媒として使用するなど、大量に合成するの
に適した方法ではなく、実際に工業的規模では製造され
ていないのが現状であった。
【0020】従って、化合物(2)、特に、1β−アル
キルカルバペネム系抗菌剤の合成中間体としてより利用
価値の高い、β−配置のアルキル基を有する化合物(2
β)を効率よく製造する方法の開発が望まれていた。
キルカルバペネム系抗菌剤の合成中間体としてより利用
価値の高い、β−配置のアルキル基を有する化合物(2
β)を効率よく製造する方法の開発が望まれていた。
【0021】
【課題を解決するための手段】かかる実情において、本
発明者らは鋭意研究を行った結果、アゼチジン−2−オ
ン骨格の4位にマロン酸誘導体が結合した4−(1,1
−ジアルコキシカルボニルアルキル)アゼチジン−2−
オン誘導体を原料として用い、これを脱エステル及び脱
炭酸せしめ、アミノ基の保護基が存在する場合には脱保
護せしめれば、4−(1−カルボキシアルキル)アゼチ
ジン−2−オン誘導体を効率よく製造することができる
ことを見出し、本発明を完成した。
発明者らは鋭意研究を行った結果、アゼチジン−2−オ
ン骨格の4位にマロン酸誘導体が結合した4−(1,1
−ジアルコキシカルボニルアルキル)アゼチジン−2−
オン誘導体を原料として用い、これを脱エステル及び脱
炭酸せしめ、アミノ基の保護基が存在する場合には脱保
護せしめれば、4−(1−カルボキシアルキル)アゼチ
ジン−2−オン誘導体を効率よく製造することができる
ことを見出し、本発明を完成した。
【0022】すなわち、本発明は、一般式(1)
【0023】
【化10】
【0024】(式中、R1及びR2は同一又は異なって、
それぞれアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を
示し、R3は低級アルキル基を示し、R4は水素原子又は
水酸基の保護基を示し、R5は水素原子又はアミノ基の
保護基を示す)で表される4−(1,1−ジアルコキシ
カルボニルアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体を脱
エステル及び脱炭酸せしめ、アミノ基の保護基が存在す
る場合には脱保護せしめることを特徴とする一般式
(2)
それぞれアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を
示し、R3は低級アルキル基を示し、R4は水素原子又は
水酸基の保護基を示し、R5は水素原子又はアミノ基の
保護基を示す)で表される4−(1,1−ジアルコキシ
カルボニルアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体を脱
エステル及び脱炭酸せしめ、アミノ基の保護基が存在す
る場合には脱保護せしめることを特徴とする一般式
(2)
【0025】
【化11】
【0026】(式中、R3及びR4は前記と同じ意味を示
す)で表される4−(1−カルボキシアルキル)アゼチ
ジン−2−オン誘導体の製造法を提供するものである。
す)で表される4−(1−カルボキシアルキル)アゼチ
ジン−2−オン誘導体の製造法を提供するものである。
【0027】本発明において、原料として用いられる4
−(1,1−ジアルコキシカルボニルアルキル)アゼチ
ジン−2−オン誘導体は前記一般式(1)で表されるも
のであり、式中、R1及びR2で示されるアルキル基とし
ては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イ
ソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基のよ
うな直鎖又は分岐鎖のアルキル基;シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、メンチル基、フェンチル基、ボルニ
ル基のような単環又は多環のアルキル基が挙げられ、ア
ルケニル基としては、例えばビニル基、アリル基、2−
ブテニル基、2−メチル−2−プロペニル基のような直
鎖又は分岐鎖のアルケニル基が挙げられ、アラルキル基
としては、例えばベンジル基、ベンズヒドリル基等が挙
げられる。また、R3で示される低級アルキル基として
は、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基等が挙
げられ、R4で示される水酸基の保護基としては、例え
ばトリメチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリ
ル基のような三置換シリル基;アセチル基のようなアシ
ル基;ベンジル基のようなアラルキル基等が挙げられ、
R5で示されるアミノ基の保護基としては、例えばトリ
メチルシリル基、トリエチルシリル基、tert−ブチ
ルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基のよう
な三置換シリル基;ベンジル基、p−メトキシベンジル
基、p−tert−ブチルベンジル基、3,4−ジメチ
ルベンジル基、フェネチル基、ベンズヒドリル基のよう
な芳香環上の置換基を有していてもよいアラルキル基;
テトラヒドロピラニル基、メトキシメチル基のようなア
ルコキシアルキル基等が挙げられる。
−(1,1−ジアルコキシカルボニルアルキル)アゼチ
ジン−2−オン誘導体は前記一般式(1)で表されるも
のであり、式中、R1及びR2で示されるアルキル基とし
ては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イ
ソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基のよ
うな直鎖又は分岐鎖のアルキル基;シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、メンチル基、フェンチル基、ボルニ
ル基のような単環又は多環のアルキル基が挙げられ、ア
ルケニル基としては、例えばビニル基、アリル基、2−
ブテニル基、2−メチル−2−プロペニル基のような直
鎖又は分岐鎖のアルケニル基が挙げられ、アラルキル基
としては、例えばベンジル基、ベンズヒドリル基等が挙
げられる。また、R3で示される低級アルキル基として
は、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基等が挙
げられ、R4で示される水酸基の保護基としては、例え
ばトリメチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリ
ル基のような三置換シリル基;アセチル基のようなアシ
ル基;ベンジル基のようなアラルキル基等が挙げられ、
R5で示されるアミノ基の保護基としては、例えばトリ
メチルシリル基、トリエチルシリル基、tert−ブチ
ルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基のよう
な三置換シリル基;ベンジル基、p−メトキシベンジル
基、p−tert−ブチルベンジル基、3,4−ジメチ
ルベンジル基、フェネチル基、ベンズヒドリル基のよう
な芳香環上の置換基を有していてもよいアラルキル基;
テトラヒドロピラニル基、メトキシメチル基のようなア
ルコキシアルキル基等が挙げられる。
【0028】これらの原料化合物(1)は、一般式
(1)においてR5が水素原子である場合(以下、「ア
ゼチジン−2−オン誘導体(1a)」と記載する)は、
例えばR.Joyeauらの方法〔J.Chem.So
c.,Perkin Trans.I,1899−19
07(1987)、Tetrahedron Let
t.,30(3)337−340(1989)〕に準
じ、下記式に従って4−アセトキシアゼチジン−2−オ
ン誘導体(4)に、マロン酸誘導体(7)を反応させる
ことにより製造される。
(1)においてR5が水素原子である場合(以下、「ア
ゼチジン−2−オン誘導体(1a)」と記載する)は、
例えばR.Joyeauらの方法〔J.Chem.So
c.,Perkin Trans.I,1899−19
07(1987)、Tetrahedron Let
t.,30(3)337−340(1989)〕に準
じ、下記式に従って4−アセトキシアゼチジン−2−オ
ン誘導体(4)に、マロン酸誘導体(7)を反応させる
ことにより製造される。
【0029】
【化12】
【0030】(式中、R1、R2、R3、R4及びAcは前
記と同じ意味を示す)
記と同じ意味を示す)
【0031】すなわち、金属カリウム、金属ナトリウ
ム、金属リチウムのようなアルカリ金属;水素化ナトリ
ウムのようなアルカリ金属水素化物;ブチルリチウムの
ようなアルカリ金属アルキル化物;カリウム−tert
−ブチラート、ナトリウムエチラート、ナトリウムメチ
ラートのようなアルカリ金属アルコキシド;水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウムのようなアルカリ金属水酸化
物;炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩等で活性
化したマロン酸誘導体(7)溶液に、4−アセトキシア
ゼチジン−2−オン誘導体(4)を加え、−60〜40
℃、特に好ましくは室温で0.5〜15時間反応させる
ことにより製造される。ここで用いられる溶媒として
は、例えば水;メタノール、エタノールのようなアルコ
ール類;ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロ
フランのようなエーテル類;アセトン;ジメチルホルム
アミド;あるいは水とこれらの有機溶媒との混合溶媒等
が挙げられるが、特に好ましくはテトラヒドロフランが
用いられる。反応化合物の比率は、4−アセトキシアゼ
チジン−2−オン誘導体(4)1モルに対し、マロン酸
誘導体(7)約1〜1.3モルとするのがよい。得られ
た4−(1,1−ジアルコキシカルボニルアルキル)ア
ゼチジン−2−オン誘導体(1a)は、通常の方法によ
り抽出、洗浄、脱水等をした後、再結晶、カラムクロマ
トグラフィー等により精製することができる。
ム、金属リチウムのようなアルカリ金属;水素化ナトリ
ウムのようなアルカリ金属水素化物;ブチルリチウムの
ようなアルカリ金属アルキル化物;カリウム−tert
−ブチラート、ナトリウムエチラート、ナトリウムメチ
ラートのようなアルカリ金属アルコキシド;水酸化カリ
ウム、水酸化ナトリウムのようなアルカリ金属水酸化
物;炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩等で活性
化したマロン酸誘導体(7)溶液に、4−アセトキシア
ゼチジン−2−オン誘導体(4)を加え、−60〜40
℃、特に好ましくは室温で0.5〜15時間反応させる
ことにより製造される。ここで用いられる溶媒として
は、例えば水;メタノール、エタノールのようなアルコ
ール類;ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロ
フランのようなエーテル類;アセトン;ジメチルホルム
アミド;あるいは水とこれらの有機溶媒との混合溶媒等
が挙げられるが、特に好ましくはテトラヒドロフランが
用いられる。反応化合物の比率は、4−アセトキシアゼ
チジン−2−オン誘導体(4)1モルに対し、マロン酸
誘導体(7)約1〜1.3モルとするのがよい。得られ
た4−(1,1−ジアルコキシカルボニルアルキル)ア
ゼチジン−2−オン誘導体(1a)は、通常の方法によ
り抽出、洗浄、脱水等をした後、再結晶、カラムクロマ
トグラフィー等により精製することができる。
【0032】一般式(1)においてR5がアミノ基の保
護基である場合(以下、「アゼチジン−2−オン誘導体
(1b)」と記載する)は、前記した方法でR5が水素
原子であるアゼチジン−2−オン誘導体(1a)を得た
後、通常の方法によりアミノ基の保護基を導入すること
により製造される。
護基である場合(以下、「アゼチジン−2−オン誘導体
(1b)」と記載する)は、前記した方法でR5が水素
原子であるアゼチジン−2−オン誘導体(1a)を得た
後、通常の方法によりアミノ基の保護基を導入すること
により製造される。
【0033】本発明においては、このようにして得られ
る化合物(1)を、通常の方法により脱エステル及び脱
炭酸することにより、目的とする4−(1−カルボキシ
アルキル)アゼチジン−2−オン誘導体(2)を得るこ
とができる。
る化合物(1)を、通常の方法により脱エステル及び脱
炭酸することにより、目的とする4−(1−カルボキシ
アルキル)アゼチジン−2−オン誘導体(2)を得るこ
とができる。
【0034】
【化13】
【0035】(式中、R1、R2、R3、R4及びR5は前
記と同じ意味を示す)
記と同じ意味を示す)
【0036】この脱エステル及び脱炭酸反応は、例えば
通常の加水分解及び加熱反応によって行うことができ
る。すなわち、化合物(1)を水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム等の塩基の存在下で加水分
解し、次いで80〜120℃に加熱することにより脱炭
酸を行えばよい。
通常の加水分解及び加熱反応によって行うことができ
る。すなわち、化合物(1)を水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム等の塩基の存在下で加水分
解し、次いで80〜120℃に加熱することにより脱炭
酸を行えばよい。
【0037】R1及びR2が2−アルケニル基である化合
物(1)を原料として用いる場合には、当該脱エステル
及び脱炭酸反応は、前述の方法により行うこともできる
が、例えばJ.Tsujiらの方法〔Tetrahed
ron Lett.,(7)613−616(197
9)〕を応用して、化合物(1)にパラジウム化合物の
存在下、ギ酸又はギ酸のアミン塩を反応させることによ
り行えば、脱エステル及び脱炭酸を一段階で行うことが
でき、好ましい。ここで用いられるパラジウム化合物
は、活性種であるO価のパラジウムを反応系内で生成さ
せ得るものであればよく、具体的には酢酸パラジウム、
塩化パラジウム、パラジウムアセチルアセトナートのよ
うな2価のパラジウム化合物;トリベンジリデンジパラ
ジウム、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム
のようなO価のパラジウム化合物等が挙げられ、更に、
配位子として、トリエチルホスフィン、トリブチルホス
フィンのようなトリアルキルホスフィン;トリフェニル
ホスフィン、トリトリルホスフィンのようなトリアリー
ルホスフィン等を混在させることにより、反応系中で錯
体を形成し、触媒として作用して反応を進行せしめる。
この反応は、例えば1,4−ジオキサン、テトラヒドロ
フランのようなエーテル類;トルエン;ベンゼン等の溶
媒を用いて、1〜5時間加熱還流せしめることにより行
われる。反応化合物の比率は、アゼチジン−2−オン
(1)1モルに対し、パラジウム化合物約0.01〜
0.1モル、ギ酸又はギ酸のアミン塩約3〜15モルと
するのがよい。
物(1)を原料として用いる場合には、当該脱エステル
及び脱炭酸反応は、前述の方法により行うこともできる
が、例えばJ.Tsujiらの方法〔Tetrahed
ron Lett.,(7)613−616(197
9)〕を応用して、化合物(1)にパラジウム化合物の
存在下、ギ酸又はギ酸のアミン塩を反応させることによ
り行えば、脱エステル及び脱炭酸を一段階で行うことが
でき、好ましい。ここで用いられるパラジウム化合物
は、活性種であるO価のパラジウムを反応系内で生成さ
せ得るものであればよく、具体的には酢酸パラジウム、
塩化パラジウム、パラジウムアセチルアセトナートのよ
うな2価のパラジウム化合物;トリベンジリデンジパラ
ジウム、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム
のようなO価のパラジウム化合物等が挙げられ、更に、
配位子として、トリエチルホスフィン、トリブチルホス
フィンのようなトリアルキルホスフィン;トリフェニル
ホスフィン、トリトリルホスフィンのようなトリアリー
ルホスフィン等を混在させることにより、反応系中で錯
体を形成し、触媒として作用して反応を進行せしめる。
この反応は、例えば1,4−ジオキサン、テトラヒドロ
フランのようなエーテル類;トルエン;ベンゼン等の溶
媒を用いて、1〜5時間加熱還流せしめることにより行
われる。反応化合物の比率は、アゼチジン−2−オン
(1)1モルに対し、パラジウム化合物約0.01〜
0.1モル、ギ酸又はギ酸のアミン塩約3〜15モルと
するのがよい。
【0038】原料化合物が、一般式(1)においてR5
が水素原子であるアゼチジン−2−オン誘導体(1a)
である場合には、これらの脱エステル・脱炭酸反応によ
り得られる化合物(2)は、α−アルキル体(2α)が
選択的に得られる。最終目的物であるカルバペネム骨格
の1位のアルキル基の立体配置はβ−配置であるが、得
られたα−アルキル体(3α)は前記した公知の方法に
より異性化を行い、β−アルキル体(3β)とすること
ができる。
が水素原子であるアゼチジン−2−オン誘導体(1a)
である場合には、これらの脱エステル・脱炭酸反応によ
り得られる化合物(2)は、α−アルキル体(2α)が
選択的に得られる。最終目的物であるカルバペネム骨格
の1位のアルキル基の立体配置はβ−配置であるが、得
られたα−アルキル体(3α)は前記した公知の方法に
より異性化を行い、β−アルキル体(3β)とすること
ができる。
【0039】一方、原料化合物が、一般式(1)におい
てR5がアミノ基の保護基である場合(以下、「アゼチ
ジン−2−オン誘導体(1b)」と記載する)には、前
記した脱エステル及び脱炭酸反応を行った後、当該アミ
ノ基の保護基を脱離せしめることにより、目的とする化
合物(2)を得ることができ、この場合は得られる化合
物(2)は、β−アルキル体(2β)が優先的に得られ
るので工業的利用価値が高く、好ましい。当該アミノ基
の保護基の脱離反応は、保護基の種類によって異なる
が、例えば保護基が三置換シリル基の場合には、希塩酸
のような弱酸を反応させればよい。また保護基が置換基
を有していてもよいベンジル基、フェネチル基、ベンズ
ヒドリル基等の場合には、バーチの還元により液体アン
モニア中で金属ナトリウムと反応させればよい。
てR5がアミノ基の保護基である場合(以下、「アゼチ
ジン−2−オン誘導体(1b)」と記載する)には、前
記した脱エステル及び脱炭酸反応を行った後、当該アミ
ノ基の保護基を脱離せしめることにより、目的とする化
合物(2)を得ることができ、この場合は得られる化合
物(2)は、β−アルキル体(2β)が優先的に得られ
るので工業的利用価値が高く、好ましい。当該アミノ基
の保護基の脱離反応は、保護基の種類によって異なる
が、例えば保護基が三置換シリル基の場合には、希塩酸
のような弱酸を反応させればよい。また保護基が置換基
を有していてもよいベンジル基、フェネチル基、ベンズ
ヒドリル基等の場合には、バーチの還元により液体アン
モニア中で金属ナトリウムと反応させればよい。
【0040】
【実施例】次に参考例及び実施例を挙げて、本発明を更
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。なお、以下の測定には次の機器を用いた。 融点:MP−S3型(柳本商事株式会社製) 質量スペクトル(MS):M−80B質量分析計(イオ
ン化電圧:20eV)(株式会社日立製作所製) 赤外吸収スペクトル(IR):IR−810型(日本分
光工業株式会社製)1 H核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR):AM−40
0型(400MHz)(ブルッカー社製) 内部標準物質:テトラメチルシラン
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。なお、以下の測定には次の機器を用いた。 融点:MP−S3型(柳本商事株式会社製) 質量スペクトル(MS):M−80B質量分析計(イオ
ン化電圧:20eV)(株式会社日立製作所製) 赤外吸収スペクトル(IR):IR−810型(日本分
光工業株式会社製)1 H核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR):AM−40
0型(400MHz)(ブルッカー社製) 内部標準物質:テトラメチルシラン
【0041】参考例1
【0042】
【化14】
【0043】(式中、Acは前記と同じ意味を示し、T
BDMSはtert−ブチルジメチルシリル基を示す。
以下同様) テトラヒドロフラン50mlに60%水素化ナトリウム
2.52g(62.9mmol)を懸濁させ、室温で撹拌し
ながら、メチルマロン酸ジアリル(7−1)11.88
g(60.0mmol)をテトラヒドロフラン20mlに溶解
した溶液を20分かけて滴下した。さらに、2.5時間
撹拌した後、4−アセトキシアゼチジン−2−オン誘導
体(4−1)14.35g(50.0mmol)をテトラヒ
ドロフラン30mlに溶解した溶液を15分かけて滴下
し、室温で15時間反応を続けた。反応液に飽和塩化ア
ンモニウム水溶液30mlを加え撹拌、分液した後、得ら
れたテトラヒドロフラン層を飽和食塩水で洗浄、無水硫
酸マグネシウムで脱水し、溶媒を留去して粗結晶23.
5gを得た。ヘキサンを用いて再結晶を行い、白色結晶
のアゼチジン−2−オン誘導体(1a−1)18.03
g(収率85%)を得た。 融点;82-82.5℃ MS(m/e):426(M++1),410,368 IR(KBr)cm-1:1765,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,6H),0.88(s,9H),1.14(d,J=6.
3Hz,3H),1.50(s,3H),3.03(m,1H),4.19(d,J=2.1,1H),4.2
1(m,1H),4.64(m,4H),5.27(m,2H),5.34(m,2H),5.88(m,2
H),5.96(broad s,1H)
BDMSはtert−ブチルジメチルシリル基を示す。
以下同様) テトラヒドロフラン50mlに60%水素化ナトリウム
2.52g(62.9mmol)を懸濁させ、室温で撹拌し
ながら、メチルマロン酸ジアリル(7−1)11.88
g(60.0mmol)をテトラヒドロフラン20mlに溶解
した溶液を20分かけて滴下した。さらに、2.5時間
撹拌した後、4−アセトキシアゼチジン−2−オン誘導
体(4−1)14.35g(50.0mmol)をテトラヒ
ドロフラン30mlに溶解した溶液を15分かけて滴下
し、室温で15時間反応を続けた。反応液に飽和塩化ア
ンモニウム水溶液30mlを加え撹拌、分液した後、得ら
れたテトラヒドロフラン層を飽和食塩水で洗浄、無水硫
酸マグネシウムで脱水し、溶媒を留去して粗結晶23.
5gを得た。ヘキサンを用いて再結晶を行い、白色結晶
のアゼチジン−2−オン誘導体(1a−1)18.03
g(収率85%)を得た。 融点;82-82.5℃ MS(m/e):426(M++1),410,368 IR(KBr)cm-1:1765,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,6H),0.88(s,9H),1.14(d,J=6.
3Hz,3H),1.50(s,3H),3.03(m,1H),4.19(d,J=2.1,1H),4.2
1(m,1H),4.64(m,4H),5.27(m,2H),5.34(m,2H),5.88(m,2
H),5.96(broad s,1H)
【0044】参考例2
【0045】
【化15】
【0046】60%水素化ナトリウム1.12g(2
8.0mmol)にヘキサン5mlを加え撹拌した後、傾斜法
によりヘキサンを除去した。この手順を数回繰り返すこ
とにより洗浄した後、テトラヒドロフラン20mlを加
え、室温で撹拌しながら、メチルマロン酸ジエチル(7
−2)4.52g(26.0mmol)をテトラヒドロフラ
ン20mlに溶解した溶液を15分かけて滴下した。さら
に、30分間撹拌した後、4−アセトキシアゼチジン−
2−オン誘導体(4−1)5.74g(20.0mmol)
をテトラヒドロフラン20mlに溶解した溶液を10分か
けて滴下し、室温で1時間反応を続けた。反応液に飽和
塩化アンモニウム水溶液25mlを加え撹拌、分液した
後、得られたテトラヒドロフラン層を飽和食塩水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒を留去して粗
結晶を得た。ヘキサンを用いて再結晶を行い、白色結晶
のアゼチジン−2−オン誘導体(1a−2)6.17g
(収率77%)を得た。 融点;100.5-101℃ MS(m/e):402(M++1),386,344 IR(KBr)cm-1:1770,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,6H),0.88(s,9H),1.14(d,J=6.
3Hz,3H),1.26,1.28(2overlapping t,J=7.1Hz,6H),1.46
(s,3H),3.01(m,1H),4.15(d,J=2.2Hz,1H),4.21(m,5H),5.
98(broad s,1H)
8.0mmol)にヘキサン5mlを加え撹拌した後、傾斜法
によりヘキサンを除去した。この手順を数回繰り返すこ
とにより洗浄した後、テトラヒドロフラン20mlを加
え、室温で撹拌しながら、メチルマロン酸ジエチル(7
−2)4.52g(26.0mmol)をテトラヒドロフラ
ン20mlに溶解した溶液を15分かけて滴下した。さら
に、30分間撹拌した後、4−アセトキシアゼチジン−
2−オン誘導体(4−1)5.74g(20.0mmol)
をテトラヒドロフラン20mlに溶解した溶液を10分か
けて滴下し、室温で1時間反応を続けた。反応液に飽和
塩化アンモニウム水溶液25mlを加え撹拌、分液した
後、得られたテトラヒドロフラン層を飽和食塩水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒を留去して粗
結晶を得た。ヘキサンを用いて再結晶を行い、白色結晶
のアゼチジン−2−オン誘導体(1a−2)6.17g
(収率77%)を得た。 融点;100.5-101℃ MS(m/e):402(M++1),386,344 IR(KBr)cm-1:1770,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,6H),0.88(s,9H),1.14(d,J=6.
3Hz,3H),1.26,1.28(2overlapping t,J=7.1Hz,6H),1.46
(s,3H),3.01(m,1H),4.15(d,J=2.2Hz,1H),4.21(m,5H),5.
98(broad s,1H)
【0047】参考例3
【0048】
【化16】
【0049】(式中、Phはフェニル基を示す。以下同
様) テトラヒドロフラン5mlに60%水素化ナトリウム0.
43g(10.8mmol)を懸濁させ、室温で撹拌しなが
ら、メチルマロン酸ジベンジル(7−3)3.13g
(10.5mmol)をテトラヒドロフラン3mlに溶解した
溶液を20分かけて滴下した。さらに、室温で30分間
撹拌した後、4−アセトキシアゼチジン−2−オン誘導
体(4−1)2.87g(10.0mmol)をテトラヒド
ロフラン5mlに溶解した溶液を15分かけて滴下し、室
温で1.5時間反応を続けた。反応液に飽和塩化アンモ
ニウム水溶液15mlを加え撹拌した後、酢酸エチル20
mlを用いて抽出を行った。得られた酢酸エチル層を水洗
した後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、次いで濃縮を
行って油状物を得た。これをシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=4:
1)により精製して、白色結晶のアゼチジン−2−オン
誘導体(1a−3)4.28g(収率82%)を得た。 融点:93-93.5 ℃ MS(m/e):526(M++1),510,468 IR(KBr)cm-1:1770,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.06(s,6H),0.87(s,9H),1.09(d,J=6.
4Hz,3H),1.50(s,3H),3.03(m,1H),4.19(m,1H),4.20(d,J=
2.1Hz,1H),5.11(m,4H),5.89(broad s,1H),7.23(m,4H),
7.32(m,6H)
様) テトラヒドロフラン5mlに60%水素化ナトリウム0.
43g(10.8mmol)を懸濁させ、室温で撹拌しなが
ら、メチルマロン酸ジベンジル(7−3)3.13g
(10.5mmol)をテトラヒドロフラン3mlに溶解した
溶液を20分かけて滴下した。さらに、室温で30分間
撹拌した後、4−アセトキシアゼチジン−2−オン誘導
体(4−1)2.87g(10.0mmol)をテトラヒド
ロフラン5mlに溶解した溶液を15分かけて滴下し、室
温で1.5時間反応を続けた。反応液に飽和塩化アンモ
ニウム水溶液15mlを加え撹拌した後、酢酸エチル20
mlを用いて抽出を行った。得られた酢酸エチル層を水洗
した後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、次いで濃縮を
行って油状物を得た。これをシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=4:
1)により精製して、白色結晶のアゼチジン−2−オン
誘導体(1a−3)4.28g(収率82%)を得た。 融点:93-93.5 ℃ MS(m/e):526(M++1),510,468 IR(KBr)cm-1:1770,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.06(s,6H),0.87(s,9H),1.09(d,J=6.
4Hz,3H),1.50(s,3H),3.03(m,1H),4.19(m,1H),4.20(d,J=
2.1Hz,1H),5.11(m,4H),5.89(broad s,1H),7.23(m,4H),
7.32(m,6H)
【0050】参考例4
【0051】
【化17】
【0052】テトラヒドロフラン15mlに60%水素化
ナトリウム2.17g(54.3mmol)を懸濁させ、室
温で撹拌しながら、メチルマロン酸tert−ブチルエ
チル(7−4)10.9g(54.0mmol)をテトラヒ
ドロフラン20mlに溶解した溶液を1時間かけて滴下し
た。さらに、室温で30分間撹拌した後、4−アセトキ
シアゼチジン−2−オン誘導体(4−1)14.1g
(49.1mmol)をテトラヒドロフラン30mlに溶解し
た溶液を20分かけて滴下し、室温で一晩反応を続け
た。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液50mlを加え
撹拌した後、酢酸エチル50mlを用いて抽出を行った。
得られた酢酸エチル層を飽和食塩水25mlで2回洗浄し
た後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、次いで濾過、濃
縮を行って粗生成物を得た。これをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=
4:1)により精製して、白色結晶のアゼチジン−2−
オン誘導体(1a−4)及び(1a−5)の異性体混合
物〔混合比(1a−4):(1a−5)=77:23〕
14.2g(収率67%)を得た。 融点:73-74℃ MS(m/e):414,372 IR(KBr)cm-1:1765,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.89(s,9H)
1.15(d,J=6.4Hz,3H×23/100),1.20(d,J=6.3Hz,3H×77/1
00),1.27(d,J=7.1Hz,3H×77/100),1.29(d,J=7.1Hz,3H×
23/100),1.41(s,3H×23/100),1.42(s,3H×77/100),1.45
(s,9H×23/100),1.47(s,9H×77/100),2.98(m,1H×23/10
0),3.02(m,1H×77/100),4.04(d,J=2.1Hz,1H×77/100),
4.09(d,J=2.2Hz,1H×23/100),4.20(m,3H),5.97(broad
s,1H)
ナトリウム2.17g(54.3mmol)を懸濁させ、室
温で撹拌しながら、メチルマロン酸tert−ブチルエ
チル(7−4)10.9g(54.0mmol)をテトラヒ
ドロフラン20mlに溶解した溶液を1時間かけて滴下し
た。さらに、室温で30分間撹拌した後、4−アセトキ
シアゼチジン−2−オン誘導体(4−1)14.1g
(49.1mmol)をテトラヒドロフラン30mlに溶解し
た溶液を20分かけて滴下し、室温で一晩反応を続け
た。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液50mlを加え
撹拌した後、酢酸エチル50mlを用いて抽出を行った。
得られた酢酸エチル層を飽和食塩水25mlで2回洗浄し
た後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、次いで濾過、濃
縮を行って粗生成物を得た。これをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=
4:1)により精製して、白色結晶のアゼチジン−2−
オン誘導体(1a−4)及び(1a−5)の異性体混合
物〔混合比(1a−4):(1a−5)=77:23〕
14.2g(収率67%)を得た。 融点:73-74℃ MS(m/e):414,372 IR(KBr)cm-1:1765,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.89(s,9H)
1.15(d,J=6.4Hz,3H×23/100),1.20(d,J=6.3Hz,3H×77/1
00),1.27(d,J=7.1Hz,3H×77/100),1.29(d,J=7.1Hz,3H×
23/100),1.41(s,3H×23/100),1.42(s,3H×77/100),1.45
(s,9H×23/100),1.47(s,9H×77/100),2.98(m,1H×23/10
0),3.02(m,1H×77/100),4.04(d,J=2.1Hz,1H×77/100),
4.09(d,J=2.2Hz,1H×23/100),4.20(m,3H),5.97(broad
s,1H)
【0053】参考例5
【0054】
【化18】
【0055】60%水素化ナトリウム0.30g(7.
5mmol)にヘキサン3mlを加え撹拌した後、傾斜法によ
りヘキサンを除去した。これにテトラヒドロフラン3.
5mlを加え、室温で撹拌しながら、メチルマロン酸ジ−
(1)−メンチル(7−5)2.96g(7.5mmol)
をテトラヒドロフラン5mlに溶解した溶液を15分かけ
て滴下した。さらに、室温で30分間撹拌した後、4−
アセトキシアゼチジン−2−オン誘導体(4−1)2.
01g(7.0mmol)をテトラヒドロフラン5mlに溶解
した溶液を10分かけて滴下し、室温で1時間反応を続
けた。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液10mlを加
え撹拌、分液した後、テトラヒドロフラン層を飽和食塩
水で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶
媒を留去して粗生成物を得た。これをシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル
=8:1)により精製して、無色油状のアゼチジン−2
−オン誘導体(1a−6)2.94g(収率68%)を
得た。 MS(m/e):622(M++1),564 IR(neat)cm-1:1770,1740,17201 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.72(d,J=7.
0Hz,3H),0.77(d,J=7.0Hz,3H),0.88(s,9H),0.91(d,J=6.7
Hz,6H),0.92(d,J=6.5Hz,6H),0.95(m,6H),1.22(d,J=6.3H
z,3H),1.42(m,4H),1.45(s,3H),1.70(m,4H),1.86(m,2H),
2.03(m,2H),3.10(m,1H),4.06(d,J=2.2Hz,1H),4.22(m,1
H),4.73(m,2H),5.91(s,1H)
5mmol)にヘキサン3mlを加え撹拌した後、傾斜法によ
りヘキサンを除去した。これにテトラヒドロフラン3.
5mlを加え、室温で撹拌しながら、メチルマロン酸ジ−
(1)−メンチル(7−5)2.96g(7.5mmol)
をテトラヒドロフラン5mlに溶解した溶液を15分かけ
て滴下した。さらに、室温で30分間撹拌した後、4−
アセトキシアゼチジン−2−オン誘導体(4−1)2.
01g(7.0mmol)をテトラヒドロフラン5mlに溶解
した溶液を10分かけて滴下し、室温で1時間反応を続
けた。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液10mlを加
え撹拌、分液した後、テトラヒドロフラン層を飽和食塩
水で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶
媒を留去して粗生成物を得た。これをシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル
=8:1)により精製して、無色油状のアゼチジン−2
−オン誘導体(1a−6)2.94g(収率68%)を
得た。 MS(m/e):622(M++1),564 IR(neat)cm-1:1770,1740,17201 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.72(d,J=7.
0Hz,3H),0.77(d,J=7.0Hz,3H),0.88(s,9H),0.91(d,J=6.7
Hz,6H),0.92(d,J=6.5Hz,6H),0.95(m,6H),1.22(d,J=6.3H
z,3H),1.42(m,4H),1.45(s,3H),1.70(m,4H),1.86(m,2H),
2.03(m,2H),3.10(m,1H),4.06(d,J=2.2Hz,1H),4.22(m,1
H),4.73(m,2H),5.91(s,1H)
【0056】参考例6
【0057】
【化19】
【0058】テトラヒドロフラン50mlに60%水素化
ナトリウム2.92g(73.0mmol)を懸濁させ、室
温で攪拌しながら、n−プロピルマロン酸ジアリル(7
−6)33.07g(73.0mmol)をテトラヒドロフ
ラン50mlに溶解した溶液を滴下した。2.5時間攪拌
した後、4−アセトキシアゼチジン−2−オン誘導体
(4−1)20.10g(70.0mmol)をテトラヒド
ロフラン50mlに溶解した溶液を30分かけて滴下し、
室温で15時間反応を続けた。反応液に飽和塩化アンモ
ニウム水溶液60mlを加え攪拌、分液した後、得られた
テトラヒドロフラン層を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マ
グネシウムで脱水し、溶媒を留去して粗生成物を得た。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶
媒;ヘキサン:酢酸エチル=10:1)により精製し
て、白色結晶のアゼチジン−2−オン誘導体(1a−
7)26.32g(収率83%)を得た。 融点:47-48℃ MS(m/e):438,396 IR(KBr)cm-1:1770,17301 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,6H),0.88(s,9H),0.94(t,J=7.
3Hz,3H),1.17(d,J=6.4Hz,3H),1.25(m,1H),1.47(m,1H),
1.80(ddd,J=4.4,12.5,14.0Hz,1H),1.97(ddd,J=4.6,12.
7,14.0Hz,1H),3.08(m,1H),4.25(m,2H),4.65(m,4H),5.30
(m,4H),5.88(m,3H)
ナトリウム2.92g(73.0mmol)を懸濁させ、室
温で攪拌しながら、n−プロピルマロン酸ジアリル(7
−6)33.07g(73.0mmol)をテトラヒドロフ
ラン50mlに溶解した溶液を滴下した。2.5時間攪拌
した後、4−アセトキシアゼチジン−2−オン誘導体
(4−1)20.10g(70.0mmol)をテトラヒド
ロフラン50mlに溶解した溶液を30分かけて滴下し、
室温で15時間反応を続けた。反応液に飽和塩化アンモ
ニウム水溶液60mlを加え攪拌、分液した後、得られた
テトラヒドロフラン層を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マ
グネシウムで脱水し、溶媒を留去して粗生成物を得た。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶
媒;ヘキサン:酢酸エチル=10:1)により精製し
て、白色結晶のアゼチジン−2−オン誘導体(1a−
7)26.32g(収率83%)を得た。 融点:47-48℃ MS(m/e):438,396 IR(KBr)cm-1:1770,17301 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,6H),0.88(s,9H),0.94(t,J=7.
3Hz,3H),1.17(d,J=6.4Hz,3H),1.25(m,1H),1.47(m,1H),
1.80(ddd,J=4.4,12.5,14.0Hz,1H),1.97(ddd,J=4.6,12.
7,14.0Hz,1H),3.08(m,1H),4.25(m,2H),4.65(m,4H),5.30
(m,4H),5.88(m,3H)
【0059】参考例7
【0060】
【化20】
【0061】N,N−ジメチルホルムアミド20mlに参
考例1で得られたアゼチジン−2−オン誘導体(1a−
1)8.50g(20.0mmol)及びtert−ブチル
ジメチルシリルクロライド6.04g(40.0mmol)
を溶解し、トリエチルアミン6.06g(60.0mmo
l)をN,N−ジメチルホルムアミド5mlに溶解した溶
液を室温で15分かけて滴下した。さらに4時間撹拌し
た後、4−N,N−ジメチルアミノピリジン0.12g
(1.0mmol)を加えて室温で6日間反応させた。反応
液を減圧濃縮した後、水40mlを加えジエチルエーテル
200mlを用いて抽出を行った。得られたジエチルエー
テル層を飽和食塩水30mlで洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで脱水し、次いで溶媒を留去して粗生成物を得
た。これをアルミナカムラクロマトグラフィー(展開溶
媒;ヘキサン:酢酸エチル=9:1〜8:2)により精
製して、無色油状のアゼチジン−2−オン誘導体(1b
−1)8.02g(収率74%)を得た。 MS(m/e):540(M++1),524,482 IR(neat)cm-1:1760,17401 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.11(s,3H),
0.29(s,3H),0.89(s,9H),0.96(s,9H),1.22(d,J=6.2Hz,3
H),1.50(s,3H),3.07(dd,J=2.6,6.8Hz,1H),4.09(m,1H),
4.35(d,J=2.6Hz,1H),4.64(m,4H),5.30(m,4H),5.90(m,2
H)
考例1で得られたアゼチジン−2−オン誘導体(1a−
1)8.50g(20.0mmol)及びtert−ブチル
ジメチルシリルクロライド6.04g(40.0mmol)
を溶解し、トリエチルアミン6.06g(60.0mmo
l)をN,N−ジメチルホルムアミド5mlに溶解した溶
液を室温で15分かけて滴下した。さらに4時間撹拌し
た後、4−N,N−ジメチルアミノピリジン0.12g
(1.0mmol)を加えて室温で6日間反応させた。反応
液を減圧濃縮した後、水40mlを加えジエチルエーテル
200mlを用いて抽出を行った。得られたジエチルエー
テル層を飽和食塩水30mlで洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで脱水し、次いで溶媒を留去して粗生成物を得
た。これをアルミナカムラクロマトグラフィー(展開溶
媒;ヘキサン:酢酸エチル=9:1〜8:2)により精
製して、無色油状のアゼチジン−2−オン誘導体(1b
−1)8.02g(収率74%)を得た。 MS(m/e):540(M++1),524,482 IR(neat)cm-1:1760,17401 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.11(s,3H),
0.29(s,3H),0.89(s,9H),0.96(s,9H),1.22(d,J=6.2Hz,3
H),1.50(s,3H),3.07(dd,J=2.6,6.8Hz,1H),4.09(m,1H),
4.35(d,J=2.6Hz,1H),4.64(m,4H),5.30(m,4H),5.90(m,2
H)
【0062】参考例8
【0063】
【化21】
【0064】N,N−ジメチルホルムアミド5mlに60
%水素化ナトリウム0.19g(4.8mmol)を懸濁さ
せ、0℃に冷却し、参考例1で得られたアゼチジン−2
−オン誘導体(1a−1)1.93g(4.5mmol)を
N,N−ジメチルホルムアミド5mlに溶解した溶液を1
0分かけて滴下した。さらに、30分間撹拌した後、室
温に戻し、塩化ベンジル0.58g(4.6mmol)を滴
下し、4時間反応を続けた。反応液に飽和塩化アンモニ
ウム水溶液5mlを加え、ジエチルエーテル50mlで抽出
した。得られたジエチルエーテル層を無水硫酸マグネシ
ウムで脱水した後、溶媒を留去して粗生成物を得た。こ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒;
ヘキサン:酢酸エチル=4:1)により精製して、無色
油状のアゼチジン−2−オン誘導体(1b−2)1.5
7g(収率68%)を得た。 MS(m/e):516(M++1),500,458 IR(neat)cm-1:1760,17401 H-NMR δ(CDCl3):-0.01(s,3H),0.05(s,3H),0.85(s,9
H),1.13(d,J=6.3Hz,3H),1.31(s,3H),2.99(m,1H),4.18
(m,1H),4.23(d,J=15.4Hz,1H),4.38(d,J=2.1Hz,1H),4.57
(m,5H),5.28(m,4H),5.83(m,2H),7.31(m,5H)
%水素化ナトリウム0.19g(4.8mmol)を懸濁さ
せ、0℃に冷却し、参考例1で得られたアゼチジン−2
−オン誘導体(1a−1)1.93g(4.5mmol)を
N,N−ジメチルホルムアミド5mlに溶解した溶液を1
0分かけて滴下した。さらに、30分間撹拌した後、室
温に戻し、塩化ベンジル0.58g(4.6mmol)を滴
下し、4時間反応を続けた。反応液に飽和塩化アンモニ
ウム水溶液5mlを加え、ジエチルエーテル50mlで抽出
した。得られたジエチルエーテル層を無水硫酸マグネシ
ウムで脱水した後、溶媒を留去して粗生成物を得た。こ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒;
ヘキサン:酢酸エチル=4:1)により精製して、無色
油状のアゼチジン−2−オン誘導体(1b−2)1.5
7g(収率68%)を得た。 MS(m/e):516(M++1),500,458 IR(neat)cm-1:1760,17401 H-NMR δ(CDCl3):-0.01(s,3H),0.05(s,3H),0.85(s,9
H),1.13(d,J=6.3Hz,3H),1.31(s,3H),2.99(m,1H),4.18
(m,1H),4.23(d,J=15.4Hz,1H),4.38(d,J=2.1Hz,1H),4.57
(m,5H),5.28(m,4H),5.83(m,2H),7.31(m,5H)
【0065】参考例9
【0066】
【化22】
【0067】参考例1で得られたアゼチジン−2−オン
誘導体(1a−1)2.13g(5.0mmol)、60%
水素化ナトリウム0.24g(6.0mmol)及び塩化p
−メトキシベンジル0.94g(6.0mmol)を用い
て、前記参考例8に従ってN−ベンジル化を行い、無色
油状のアゼチジン−2−オン誘導体(1b−3)2.0
7g(収率76%)を得た。 MS(m/e):488 IR(neat)cm-1:1760,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.01(s,3H),0.05(s,3H),0.85(s,9H),
1.13(d,J=6.3Hz,3H),1.30(s,3H),2.98(dd,J=2.1,4.3Hz,
1H),3.79(s,3H),4.16(m,1H),4.18(d,J=15.2Hz,1H),4.37
(d,J=2.1Hz,1H),4.43(d,J=15.2Hz,1H),4.59(m,4H),5.28
(m,4H),5.82(m,2H),6.83(dd,J=2.1,6.3Hz,2H),7.27(dd,
J=2.1,6.3Hz,2H)
誘導体(1a−1)2.13g(5.0mmol)、60%
水素化ナトリウム0.24g(6.0mmol)及び塩化p
−メトキシベンジル0.94g(6.0mmol)を用い
て、前記参考例8に従ってN−ベンジル化を行い、無色
油状のアゼチジン−2−オン誘導体(1b−3)2.0
7g(収率76%)を得た。 MS(m/e):488 IR(neat)cm-1:1760,17351 H-NMR δ(CDCl3):0.01(s,3H),0.05(s,3H),0.85(s,9H),
1.13(d,J=6.3Hz,3H),1.30(s,3H),2.98(dd,J=2.1,4.3Hz,
1H),3.79(s,3H),4.16(m,1H),4.18(d,J=15.2Hz,1H),4.37
(d,J=2.1Hz,1H),4.43(d,J=15.2Hz,1H),4.59(m,4H),5.28
(m,4H),5.82(m,2H),6.83(dd,J=2.1,6.3Hz,2H),7.27(dd,
J=2.1,6.3Hz,2H)
【0068】参考例10
【0069】
【化23】
【0070】参考例2で得られたアゼチジン−2−オン
誘導体(1a−2)4.01g(10.0mmol)、60
%水素化ナトリウム0.40g(11.0mmol)及び塩
化ベンジル1.39g(6.0mmol)を用いて、前記参
考例8に従ってN−ベンジル化を行い、無色油状のアゼ
チジン−2−オン誘導体(1b−4)4.30g(収率
88%)を得た。 MS(m/e):476,434 IR(neat)cm-1:1760,17301 H-NMR δ(CDCl3):0.00(s,3H),0.06(s,3H),0.87(s,9H),
1.16(d,J=6.3Hz,3H),1.20,1.22(2overlapping t,J=7.3H
z,6H),1.30(s,3H),2.99(dd,J=2.1,4.5Hz,1H),4.17(m,6
H),4.36(d,J=2.1Hz,1H),4.55(d,J=15.3Hz,1H),7.31(m,5
H)
誘導体(1a−2)4.01g(10.0mmol)、60
%水素化ナトリウム0.40g(11.0mmol)及び塩
化ベンジル1.39g(6.0mmol)を用いて、前記参
考例8に従ってN−ベンジル化を行い、無色油状のアゼ
チジン−2−オン誘導体(1b−4)4.30g(収率
88%)を得た。 MS(m/e):476,434 IR(neat)cm-1:1760,17301 H-NMR δ(CDCl3):0.00(s,3H),0.06(s,3H),0.87(s,9H),
1.16(d,J=6.3Hz,3H),1.20,1.22(2overlapping t,J=7.3H
z,6H),1.30(s,3H),2.99(dd,J=2.1,4.5Hz,1H),4.17(m,6
H),4.36(d,J=2.1Hz,1H),4.55(d,J=15.3Hz,1H),7.31(m,5
H)
【0071】実施例1
【0072】
【化24】
【0073】アルゴン気流下、酢酸パラジウム4.8mg
(0.02mmol)を1,4−ジオキサン2mlに懸濁さ
せ、これにトリフェニルホスフィン52.0mg(0.2
mmol)を1,4−ジオキサン2mlに溶解した溶液を滴下
した後、加熱還流し、さらに参考例1で得られたアゼチ
ジン−2−オン誘導体(1a−1)0.85g(2.0
mmol)、ギ酸0.37g(7.9mmol)及びトリエチル
アミン0.81g(8.0mmol)を1,4−ジオキサン
6mlに溶解した溶液を滴下し、3時間反応させた。反応
液に5%水酸化ナトリウム水溶液10ml及び酢酸エチル
10mlを加えて分液し、水層を1N塩酸で酸性にした
後、酢酸エチル20mlで抽出した。得られた酢酸エチル
層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を留去し
て、白色結晶の目的化合物4−(1−カルボキシエチ
ル)−アゼチジン−2−オン誘導体(2−1)0.47
g(収率78%)を得た。なお、得られた化合物(2−
1)の式中波線のメチル基がα位である化合物(2α−
1)とβ位である化合物(2β−1)の生成比はα:β
=85:15であり、これらは高速液体クロマトグラフ
ィー(HPLC)(カラム;Inertsil OD
S、ジーエルサイエンス株式会社製、展開溶媒;アセト
ニトリル:水:酢酸=700:300:3)で分離し、
構造を決定した。 α体(2α−1) 融点:168-170℃ MS(m/e):286,244 IR(KBr)cm-1:17201 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.88(s,9H),
1.25(2overlapping d,J=6.2,7.3Hz,6H),2.56(qd,J=7.3,
9.8Hz,1H),2.80(dd,J=2.0,5.3Hz,1H),3.70(dd,J=2.0,9.
8Hz,1H),4.19(m,1H),6.67(broad s,1H) β体(2β−1) 融点:143.5-144.5℃ MS(m/e):286,244 IR(KBr)cm-1:17201 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.87(s,9H),
1.20(d,J=6.3Hz,3H),1.27(d,J=7.0Hz,3H),2.75(qd,J=5.
0,7.0Hz,1H),3.03(dd,J=2.2,4.3Hz,1H),3.94(dd,J=2.2,
5.0Hz,1H),4.20(qd,J=4.5,6.3Hz,1H),6.25(broad s,1H)
(0.02mmol)を1,4−ジオキサン2mlに懸濁さ
せ、これにトリフェニルホスフィン52.0mg(0.2
mmol)を1,4−ジオキサン2mlに溶解した溶液を滴下
した後、加熱還流し、さらに参考例1で得られたアゼチ
ジン−2−オン誘導体(1a−1)0.85g(2.0
mmol)、ギ酸0.37g(7.9mmol)及びトリエチル
アミン0.81g(8.0mmol)を1,4−ジオキサン
6mlに溶解した溶液を滴下し、3時間反応させた。反応
液に5%水酸化ナトリウム水溶液10ml及び酢酸エチル
10mlを加えて分液し、水層を1N塩酸で酸性にした
後、酢酸エチル20mlで抽出した。得られた酢酸エチル
層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を留去し
て、白色結晶の目的化合物4−(1−カルボキシエチ
ル)−アゼチジン−2−オン誘導体(2−1)0.47
g(収率78%)を得た。なお、得られた化合物(2−
1)の式中波線のメチル基がα位である化合物(2α−
1)とβ位である化合物(2β−1)の生成比はα:β
=85:15であり、これらは高速液体クロマトグラフ
ィー(HPLC)(カラム;Inertsil OD
S、ジーエルサイエンス株式会社製、展開溶媒;アセト
ニトリル:水:酢酸=700:300:3)で分離し、
構造を決定した。 α体(2α−1) 融点:168-170℃ MS(m/e):286,244 IR(KBr)cm-1:17201 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.88(s,9H),
1.25(2overlapping d,J=6.2,7.3Hz,6H),2.56(qd,J=7.3,
9.8Hz,1H),2.80(dd,J=2.0,5.3Hz,1H),3.70(dd,J=2.0,9.
8Hz,1H),4.19(m,1H),6.67(broad s,1H) β体(2β−1) 融点:143.5-144.5℃ MS(m/e):286,244 IR(KBr)cm-1:17201 H-NMR δ(CDCl3):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.87(s,9H),
1.20(d,J=6.3Hz,3H),1.27(d,J=7.0Hz,3H),2.75(qd,J=5.
0,7.0Hz,1H),3.03(dd,J=2.2,4.3Hz,1H),3.94(dd,J=2.2,
5.0Hz,1H),4.20(qd,J=4.5,6.3Hz,1H),6.25(broad s,1H)
【0074】実施例2
【0075】
【化25】
【0076】窒素雰囲気下、酢酸パラジウム9.0mg
(0.04mmol)及びトリフェニルホスフィン53.0
mg(0.20mmol)を1,4−ジオキサン8mlに溶解し
た溶液に、ギ酸746.0mg(16.22mmol)及びト
リエチルアミン1647.7mg(16.31mmol)を
1,4−ジオキサン10mlに溶解した溶液を加え、加熱
還流した。これに参考例6で得られたアゼチジン−2−
オン誘導体(1a−7)1815.4mg(4.01mmo
l)を1,4−ジオキサン5mlに溶解した溶液を40分
かけて滴下し、さらに5時間加熱還流を続けた。反応液
を室温まで冷却し、ジエチルエーテル15mlと5%水酸
化ナトリウム水溶液20mlで抽出した後、アルカリ層に
2N塩酸を加えてpH2とし、酢酸エチル35mlで2回抽
出を行った。得られた酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで脱水、次いで濾過、濃縮を
行って、白色結晶の目的化合物4−(1−カルボキシブ
チル)−アゼチジン−2−オン誘導体(2−2)98
5.8mg(収率75%)を得た。なお、得られた化合物
(2−2)の式中波線のn−プロピル基がα位である化
合物(2α−2)とβ位である化合物(2β−2)の生
成比はα:β=73:27であり、これらはHPLC
(カラム及び展開溶媒の条件は実施例1と同じ)で分離
し、構造を決定した。 α体(2α−2) 融点:173-174℃ MS(m/e):314,272 IR(KBr)cm-1:17201 H-NMR δ(CD3OD):0.08(s,3H),0.10(s,3H),0.90(s,9H),
0.94(t,J=7.2Hz,3H),1.23(d,J=6.3Hz,3H),1.40(m,2H),
1.60(m,2H),2.47(m,1H),2.88(dd,J=2.0,4.3Hz,1H),3.78
(dd,J=2.0,8.7Hz,1H),4.20(qd,J=4.3,6.3Hz,1H) β体(2β−2) 融点:164.5-166℃ MS(m/e):314,272 IR(KBr)cm-1:17201 H-NMR δ(CD3OD):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.89(s,9H),
0.95(t,J=7.2Hz,3H),1.16(d,J=6.4Hz,3H),1.45(m,3H),
1.64(m,1H),2.48(m,1H),3.01(dd,J=2.0,2.7Hz,1H),3.77
(dd,J=2.0,8.4Hz,1H),4.22(qd,J=2.7,6.4Hz,1H)
(0.04mmol)及びトリフェニルホスフィン53.0
mg(0.20mmol)を1,4−ジオキサン8mlに溶解し
た溶液に、ギ酸746.0mg(16.22mmol)及びト
リエチルアミン1647.7mg(16.31mmol)を
1,4−ジオキサン10mlに溶解した溶液を加え、加熱
還流した。これに参考例6で得られたアゼチジン−2−
オン誘導体(1a−7)1815.4mg(4.01mmo
l)を1,4−ジオキサン5mlに溶解した溶液を40分
かけて滴下し、さらに5時間加熱還流を続けた。反応液
を室温まで冷却し、ジエチルエーテル15mlと5%水酸
化ナトリウム水溶液20mlで抽出した後、アルカリ層に
2N塩酸を加えてpH2とし、酢酸エチル35mlで2回抽
出を行った。得られた酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで脱水、次いで濾過、濃縮を
行って、白色結晶の目的化合物4−(1−カルボキシブ
チル)−アゼチジン−2−オン誘導体(2−2)98
5.8mg(収率75%)を得た。なお、得られた化合物
(2−2)の式中波線のn−プロピル基がα位である化
合物(2α−2)とβ位である化合物(2β−2)の生
成比はα:β=73:27であり、これらはHPLC
(カラム及び展開溶媒の条件は実施例1と同じ)で分離
し、構造を決定した。 α体(2α−2) 融点:173-174℃ MS(m/e):314,272 IR(KBr)cm-1:17201 H-NMR δ(CD3OD):0.08(s,3H),0.10(s,3H),0.90(s,9H),
0.94(t,J=7.2Hz,3H),1.23(d,J=6.3Hz,3H),1.40(m,2H),
1.60(m,2H),2.47(m,1H),2.88(dd,J=2.0,4.3Hz,1H),3.78
(dd,J=2.0,8.7Hz,1H),4.20(qd,J=4.3,6.3Hz,1H) β体(2β−2) 融点:164.5-166℃ MS(m/e):314,272 IR(KBr)cm-1:17201 H-NMR δ(CD3OD):0.07(s,3H),0.08(s,3H),0.89(s,9H),
0.95(t,J=7.2Hz,3H),1.16(d,J=6.4Hz,3H),1.45(m,3H),
1.64(m,1H),2.48(m,1H),3.01(dd,J=2.0,2.7Hz,1H),3.77
(dd,J=2.0,8.4Hz,1H),4.22(qd,J=2.7,6.4Hz,1H)
【0077】実施例3
【0078】
【化26】
【0079】窒素雰囲気下、酢酸パラジウム4.5mg
(0.02mmol)及びトリフェニルホスフィン10.5
mg(0.04mmol)をトルエン2.5mlに溶解した溶液
に、ギ酸0.56g(12.0mmol)を加え70℃で加
熱撹拌した。この反応液に参考例7で得られたアゼチジ
ン−2−オン誘導体(1b−1)0.54g(1.0mm
ol)をトルエン2mlに溶解した溶液を15分かけて滴下
し、さらに70℃で3.5時間撹拌を続けた。反応液を
室温まで冷却し、ジエチルエーテル15ml及び2N塩酸
5mlを加え、20分間撹拌した後、分液を行った。ジエ
チルエーテル層を5%水酸化ナトリウム水溶液10mlで
3回抽出した後、水層に2N塩酸を加えてpH2とし、ジ
エチルエーテル20mlで2回抽出を行った。得られたジ
エチルエーテル層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで脱水、次いで濾過、濃縮を行って、目的とす
る化合物(2−1)0.23g(収率76%)を得た。
なお、得られた化合物(2−1)の異性体生成比は、
(2α−1):(2β−1)=6:94であった。
(0.02mmol)及びトリフェニルホスフィン10.5
mg(0.04mmol)をトルエン2.5mlに溶解した溶液
に、ギ酸0.56g(12.0mmol)を加え70℃で加
熱撹拌した。この反応液に参考例7で得られたアゼチジ
ン−2−オン誘導体(1b−1)0.54g(1.0mm
ol)をトルエン2mlに溶解した溶液を15分かけて滴下
し、さらに70℃で3.5時間撹拌を続けた。反応液を
室温まで冷却し、ジエチルエーテル15ml及び2N塩酸
5mlを加え、20分間撹拌した後、分液を行った。ジエ
チルエーテル層を5%水酸化ナトリウム水溶液10mlで
3回抽出した後、水層に2N塩酸を加えてpH2とし、ジ
エチルエーテル20mlで2回抽出を行った。得られたジ
エチルエーテル層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで脱水、次いで濾過、濃縮を行って、目的とす
る化合物(2−1)0.23g(収率76%)を得た。
なお、得られた化合物(2−1)の異性体生成比は、
(2α−1):(2β−1)=6:94であった。
【0080】実施例4
【0081】
【化27】
【0082】窒素雰囲気下、酢酸パラジウム24.8mg
(1.1mmol)及びトリフェニルホスフィン57.6mg
(2.2mmol)をテトラヒドロフラン15mlに溶解した
溶液に、ギ酸2.02g(44.0mmol)及びトリエチ
ルアミン5.55g(55.0mmol)をテトラヒドロフ
ラン15mlに溶解した溶液を加え加熱還流した。この反
応液に参考例8で得られたアゼチジン−2−オン誘導体
(1b−2)5.68g(11.0mmol)をテトラヒド
ロフラン20mlに溶解した溶液を30分かけて滴下し、
さらに1.5時間撹拌を続けた。反応液を室温まで冷却
し、ジエチルエーテル80mlを加え、飽和食塩水30ml
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を減圧
留去して粗生成物4.41gを得た。次いで、−60℃
に冷却した液体アンモニア100mlに金属ナトリウム
1.29g(56.0 mmol)を加え、ナトリウムが溶解
して液が濃青色となったところで、上記で得た粗生成物
4.41gをジエチルエーテル20mlに溶解して溶液を
30分かけて滴下した。反応容器の冷却を止め、反応液
の撹拌を続けながら、一晩かけて室温に戻した。ジエチ
ルエーテル50ml及び水50mlを加え撹拌、次いで分液
を行い、得られた水層に、ジエチルエーテル層を5%水
酸化ナトリウム水溶液20mlで抽出したものを合わせた
後、希塩酸を用いてpH2とした。これを、ジエチルエー
テル100mlで抽出し、飽和食塩水30mlで洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで脱水、次いで濾過、濃縮を
行って、目的とする化合物(2−1)2.60g(収率
77%)を得た。なお、得られた化合物(2−1)の異
性体生成比は、(2α−1):(2β−1)=31:6
9であった。
(1.1mmol)及びトリフェニルホスフィン57.6mg
(2.2mmol)をテトラヒドロフラン15mlに溶解した
溶液に、ギ酸2.02g(44.0mmol)及びトリエチ
ルアミン5.55g(55.0mmol)をテトラヒドロフ
ラン15mlに溶解した溶液を加え加熱還流した。この反
応液に参考例8で得られたアゼチジン−2−オン誘導体
(1b−2)5.68g(11.0mmol)をテトラヒド
ロフラン20mlに溶解した溶液を30分かけて滴下し、
さらに1.5時間撹拌を続けた。反応液を室温まで冷却
し、ジエチルエーテル80mlを加え、飽和食塩水30ml
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を減圧
留去して粗生成物4.41gを得た。次いで、−60℃
に冷却した液体アンモニア100mlに金属ナトリウム
1.29g(56.0 mmol)を加え、ナトリウムが溶解
して液が濃青色となったところで、上記で得た粗生成物
4.41gをジエチルエーテル20mlに溶解して溶液を
30分かけて滴下した。反応容器の冷却を止め、反応液
の撹拌を続けながら、一晩かけて室温に戻した。ジエチ
ルエーテル50ml及び水50mlを加え撹拌、次いで分液
を行い、得られた水層に、ジエチルエーテル層を5%水
酸化ナトリウム水溶液20mlで抽出したものを合わせた
後、希塩酸を用いてpH2とした。これを、ジエチルエー
テル100mlで抽出し、飽和食塩水30mlで洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで脱水、次いで濾過、濃縮を
行って、目的とする化合物(2−1)2.60g(収率
77%)を得た。なお、得られた化合物(2−1)の異
性体生成比は、(2α−1):(2β−1)=31:6
9であった。
【0083】実施例5
【0084】
【化28】
【0085】参考例9で得られたアゼチジン−2−オン
誘導体(1b−3)1.09g(2.0mmol)、酢酸パ
ラジウム9.0mg(0.04mmol)、トリフェニルホス
フィン21.0mg(0.08mmol)、ギ酸0.37g
(8.0mmol)及びトリエチルアミン0.91g(9.
0mmol)を用いて、前記参考例3に従って脱エステル、
脱炭酸反応を行った後、液体アンモニア30ml及び金属
ナトリウム0.24g(10.0mmol)を用いて脱ベン
ジル化反応を行い、目的とする化合物(2−1)0.4
8g(収率80%)を得た。なお、得られた化合物(2
−1)の異性体生成比は、(2α−1):(2β−1)
=39:61であった。
誘導体(1b−3)1.09g(2.0mmol)、酢酸パ
ラジウム9.0mg(0.04mmol)、トリフェニルホス
フィン21.0mg(0.08mmol)、ギ酸0.37g
(8.0mmol)及びトリエチルアミン0.91g(9.
0mmol)を用いて、前記参考例3に従って脱エステル、
脱炭酸反応を行った後、液体アンモニア30ml及び金属
ナトリウム0.24g(10.0mmol)を用いて脱ベン
ジル化反応を行い、目的とする化合物(2−1)0.4
8g(収率80%)を得た。なお、得られた化合物(2
−1)の異性体生成比は、(2α−1):(2β−1)
=39:61であった。
【0086】実施例6
【0087】
【化29】
【0088】参考例3で得られたアゼチジン−2−オン
誘導体(1a−3)1.58g(3.0mmol)、トリエ
チルアミン0.72g(7.1mmol)及び5%パラジウ
ム炭素0.3gをメタノール30mlに懸濁し、常圧で水
素添加を行った。濾過によりパラジウム炭素を除去した
後、メタノールを減圧留去し、残留物に飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液10ml及び酢酸エチル10mlを加えて撹
拌、分液を行った。水層を1N塩酸で酸性とし、生成し
た白色固体を濾別し、水洗後、減圧乾燥を行って、ジカ
ルボン酸化合物(8a)0.54g(収率52%)を得
た。 融点:110-111℃ MS(m/e):244,200 IR(KBr)cm-1:1755,17201 H-NMR δ(CD3OD):0.02(s,3H),0.04(s,3H),0.86(s,9H),
1.13(d,J=6.4Hz,3H),1.33(s,3H),3.01(dd,J=2.1,2.7Hz,
1H),4.19(d,J=2.1Hz,1H),4.20(m,1H)
誘導体(1a−3)1.58g(3.0mmol)、トリエ
チルアミン0.72g(7.1mmol)及び5%パラジウ
ム炭素0.3gをメタノール30mlに懸濁し、常圧で水
素添加を行った。濾過によりパラジウム炭素を除去した
後、メタノールを減圧留去し、残留物に飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液10ml及び酢酸エチル10mlを加えて撹
拌、分液を行った。水層を1N塩酸で酸性とし、生成し
た白色固体を濾別し、水洗後、減圧乾燥を行って、ジカ
ルボン酸化合物(8a)0.54g(収率52%)を得
た。 融点:110-111℃ MS(m/e):244,200 IR(KBr)cm-1:1755,17201 H-NMR δ(CD3OD):0.02(s,3H),0.04(s,3H),0.86(s,9H),
1.13(d,J=6.4Hz,3H),1.33(s,3H),3.01(dd,J=2.1,2.7Hz,
1H),4.19(d,J=2.1Hz,1H),4.20(m,1H)
【0089】実施例7
【0090】
【化30】
【0091】参考例2で得られたアゼチジン−2−オン
誘導体(1a−2)1.08g(2.7mmol)をエタノ
ール15ml及び水5mlに溶解し、これに、水酸化カリウ
ム0.99g(17.6mmol)を水3mlに溶解した溶液
を加えて、50℃に加熱し5時間撹拌を続けた。反応液
を室温まで冷却した後、水30mlに注ぎ、2N塩酸で酸
性とし、生成した白色固体を濾別し、水洗した後、減圧
乾燥を行って、ジカルボン酸化合物(8a)0.63g
(収率68%)を得た。
誘導体(1a−2)1.08g(2.7mmol)をエタノ
ール15ml及び水5mlに溶解し、これに、水酸化カリウ
ム0.99g(17.6mmol)を水3mlに溶解した溶液
を加えて、50℃に加熱し5時間撹拌を続けた。反応液
を室温まで冷却した後、水30mlに注ぎ、2N塩酸で酸
性とし、生成した白色固体を濾別し、水洗した後、減圧
乾燥を行って、ジカルボン酸化合物(8a)0.63g
(収率68%)を得た。
【0092】実施例8
【0093】
【化31】
【0094】参考例4で得たアゼチジン−2−オン誘導
体(1a−4)及び(1a−5)の異性体混合物0.4
0g(0.93mmol)をエタノール2mlに溶解し、これ
に、水酸化カリウム0.34g(6.1mmol)を水3ml
に溶解した溶液を加えて、50℃で2日間攪拌を続け
た。反応液を減圧濃縮した後、1N塩酸を加えてpH2と
してからさらに減圧濃縮を行った。得られた固体にジエ
チルエーテル10mlを加え、良く攪拌した後、濾過、濃
縮を行ってジカルボン酸化合物(8a)0.21g(収
率66%)を得た。 実施例9
体(1a−4)及び(1a−5)の異性体混合物0.4
0g(0.93mmol)をエタノール2mlに溶解し、これ
に、水酸化カリウム0.34g(6.1mmol)を水3ml
に溶解した溶液を加えて、50℃で2日間攪拌を続け
た。反応液を減圧濃縮した後、1N塩酸を加えてpH2と
してからさらに減圧濃縮を行った。得られた固体にジエ
チルエーテル10mlを加え、良く攪拌した後、濾過、濃
縮を行ってジカルボン酸化合物(8a)0.21g(収
率66%)を得た。 実施例9
【0095】
【化32】
【0096】参考例5で得たアゼチジン−2−オン誘導
体(1a−6)0.62g(1.0mmol)をエタノール
10ml及び水3mlに溶解し、これに、水酸化カリウム
0.38g(6.8mmol)を水3mlに溶解した溶液を加
えて、50℃で25時間攪拌を続けた。反応液を室温ま
で冷却した後、水30mlに注ぎ、ジエチルエーテル10
mlで2回抽出を行った。得られた水層を2N塩酸で酸性
とし、酢酸エチル15mlで2回抽出を行い、次いで、抽
出液を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、濾過、減圧
乾燥を行って、ジカルボン酸化合物(8a)0.18g
(収率52%)を得た。 実施例10
体(1a−6)0.62g(1.0mmol)をエタノール
10ml及び水3mlに溶解し、これに、水酸化カリウム
0.38g(6.8mmol)を水3mlに溶解した溶液を加
えて、50℃で25時間攪拌を続けた。反応液を室温ま
で冷却した後、水30mlに注ぎ、ジエチルエーテル10
mlで2回抽出を行った。得られた水層を2N塩酸で酸性
とし、酢酸エチル15mlで2回抽出を行い、次いで、抽
出液を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、濾過、減圧
乾燥を行って、ジカルボン酸化合物(8a)0.18g
(収率52%)を得た。 実施例10
【0097】
【化33】
【0098】参考例10で得られたアゼチジン−2−オ
ン誘導体(1b−4)2.40g(4.9mmol)にエタ
ノール5ml及び水10mlを加え、撹拌しながら、水酸化
カリウム1.10g(19.6mmol)を水5mlに溶解し
た溶液を加え、室温で一晩撹拌した。この反応液を水5
0mlに注ぎ、1N塩酸を加えてpH7とし、次いでジエチ
ルエーテル50mlを用いて抽出を行った。さらに、pH1
となるまで1N塩酸を加えた後、ジエチルエーテル50
mlを加え抽出を行い、得られたジエチルエーテル層を飽
和食塩水15mlで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
脱水、次いで濾過、濃縮を行って、ジカルボン酸化合物
(8b)1.50g(収率69%)を得た。 融点:128-129℃ MS(m/e):334,290 IR(KBr)cm-1:1750,17301 H-NMR δ(CD3OD):0.01(s,3H),0.07(s,3H),0.86(s,9H),
1.16(d,J=6.4Hz,3H),1.21(s,3H),3.04(m,1H),4.21(m,1
H),4.30(d,J=15.2Hz,1H),4.45(d,J=2.1Hz,1H),4.46(d,J
=15.2Hz,1H),7.30(m,5H)
ン誘導体(1b−4)2.40g(4.9mmol)にエタ
ノール5ml及び水10mlを加え、撹拌しながら、水酸化
カリウム1.10g(19.6mmol)を水5mlに溶解し
た溶液を加え、室温で一晩撹拌した。この反応液を水5
0mlに注ぎ、1N塩酸を加えてpH7とし、次いでジエチ
ルエーテル50mlを用いて抽出を行った。さらに、pH1
となるまで1N塩酸を加えた後、ジエチルエーテル50
mlを加え抽出を行い、得られたジエチルエーテル層を飽
和食塩水15mlで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
脱水、次いで濾過、濃縮を行って、ジカルボン酸化合物
(8b)1.50g(収率69%)を得た。 融点:128-129℃ MS(m/e):334,290 IR(KBr)cm-1:1750,17301 H-NMR δ(CD3OD):0.01(s,3H),0.07(s,3H),0.86(s,9H),
1.16(d,J=6.4Hz,3H),1.21(s,3H),3.04(m,1H),4.21(m,1
H),4.30(d,J=15.2Hz,1H),4.45(d,J=2.1Hz,1H),4.46(d,J
=15.2Hz,1H),7.30(m,5H)
【0099】実施例11
【0100】
【化34】
【0101】実施例6〜9で得られたジカルボン酸化合
物(8a)1.38g(4.0mmol)をジエチレングリ
コールジメチルエーテル15mlに溶解し、120℃で3
時間加熱した。反応液を室温まで冷却した後、ジエチル
エーテル20ml及び5%水酸化ナトリウム水溶液15ml
を用いて抽出を行い、水層をさらにジエチルエーテル1
0mlで洗浄した後、2N塩酸でpH2とし、ジエチルエー
テル30mlを用いて抽出を行った。得られたジエチルエ
ーテル層は、飽和食塩水10mlで洗浄した後、無水硫酸
マグネシウムで脱水、次いで濾過、濃縮を行って、目的
とする化合物(2−1)0.97g(収率80%)を得
た。なお、得られた化合物(2−1)の異性体生成比
は、(2α−1):(2β−1)=90:10であっ
た。
物(8a)1.38g(4.0mmol)をジエチレングリ
コールジメチルエーテル15mlに溶解し、120℃で3
時間加熱した。反応液を室温まで冷却した後、ジエチル
エーテル20ml及び5%水酸化ナトリウム水溶液15ml
を用いて抽出を行い、水層をさらにジエチルエーテル1
0mlで洗浄した後、2N塩酸でpH2とし、ジエチルエー
テル30mlを用いて抽出を行った。得られたジエチルエ
ーテル層は、飽和食塩水10mlで洗浄した後、無水硫酸
マグネシウムで脱水、次いで濾過、濃縮を行って、目的
とする化合物(2−1)0.97g(収率80%)を得
た。なお、得られた化合物(2−1)の異性体生成比
は、(2α−1):(2β−1)=90:10であっ
た。
【0102】実施例12
【0103】
【化35】
【0104】実施例10で得られたジカルボン酸化合物
(8b)0.87g(2.0mmol)を前記実施例11に
従って加熱脱炭酸反応を行った後、前記実施例4に従っ
て液体アンモニア及び金属ナトリウムを用いて脱ベンジ
ル化反応を行い、目的とする化合物(2−1)0.42
g(収率70%)を得た。なお、得られた化合物(2−
1)の異性体生成比は、(2α−1):(2β−1)=
28:72であった。
(8b)0.87g(2.0mmol)を前記実施例11に
従って加熱脱炭酸反応を行った後、前記実施例4に従っ
て液体アンモニア及び金属ナトリウムを用いて脱ベンジ
ル化反応を行い、目的とする化合物(2−1)0.42
g(収率70%)を得た。なお、得られた化合物(2−
1)の異性体生成比は、(2α−1):(2β−1)=
28:72であった。
【0105】
【発明の効果】本発明によれば、1β−アルキルカルバ
ペネム系抗菌剤の合成中間体として有用な4−(1−カ
ルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体を効率
よく製造することができる。
ペネム系抗菌剤の合成中間体として有用な4−(1−カ
ルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体を効率
よく製造することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年9月25日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】(式中、R4は前記と同じ意味を示し、A
cはアセチル基を示す)で表される4−アセトキシアゼ
チジン−2−オン誘導体の4位を、種々の求核剤により
アルキル化することにより、側鎖を導入する方法が最も
期待されており、プロピオン酸エステルエノラートによ
るアルキル化〔C.U.Kimら;Tetrahedr
on Lett.,28(5)507−510(198
7)、T.Chibaら;Chem.Lett.,13
43−1346(1985)、T.Shibataら;
Tetrahedron Lett.,26(39)4
739−4742(1985)〕、プロピオン酸イミド
のエノラートによるアルキル化〔Y.Nagaoら;
J.Am.Chem.Soc.,108,4673−4
675(1986)、長尾善光;化学,42(3)19
0−196(1987)、L.M.Fuentesら;
J.Am.Chem.Soc.,108,4675−4
676(1986)、R.Dezielら;Tetra
hedron Lett.,27(47)5687−5
690(1986)、Y.Itoら;Tetrahed
ron Lett.,28(52)6625−6628
(1987)、プロピオン酸チオールエステルエノラー
トによるアルキル化〔M.Endo;Can.J.Ch
em.,65,2140−2145(1987)、C.
U.Kimら;Tetrahedron Lett.,
28(5)507−510(1987)、A.Mart
elら;Can.J.Chem.,66,1537−1
539(1988)〕などが報告されている。化合物
(2β)のその他の合成法としては、例えば化合物
(5)
cはアセチル基を示す)で表される4−アセトキシアゼ
チジン−2−オン誘導体の4位を、種々の求核剤により
アルキル化することにより、側鎖を導入する方法が最も
期待されており、プロピオン酸エステルエノラートによ
るアルキル化〔C.U.Kimら;Tetrahedr
on Lett.,28(5)507−510(198
7)、T.Chibaら;Chem.Lett.,13
43−1346(1985)、T.Shibataら;
Tetrahedron Lett.,26(39)4
739−4742(1985)〕、プロピオン酸イミド
のエノラートによるアルキル化〔Y.Nagaoら;
J.Am.Chem.Soc.,108,4673−4
675(1986)、長尾善光;化学,42(3)19
0−196(1987)、L.M.Fuentesら;
J.Am.Chem.Soc.,108,4675−4
676(1986)、R.Dezielら;Tetra
hedron Lett.,27(47)5687−5
690(1986)、Y.Itoら;Tetrahed
ron Lett.,28(52)6625−6628
(1987)、プロピオン酸チオールエステルエノラー
トによるアルキル化〔M.Endo;Can.J.Ch
em.,65,2140−2145(1987)、C.
U.Kimら;Tetrahedron Lett.,
28(5)507−510(1987)、A.Mart
elら;Can.J.Chem.,66,1537−1
539(1988)〕などが報告されている。化合物
(2β)のその他の合成法としては、例えば化合物
(5)
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0036
【補正方法】変更
【補正内容】
【0036】この脱エステル及び脱炭酸反応は、例えば
通常の加水分解及び加熱反応によって行うことができ
る。すなわち、化合物(1)を水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム等の塩基の存在下で加水分
解し、次いで80〜120℃に加熱することにより脱炭
酸を行えばよい。また、R1びR2がアラルキル基であ
る場合には、アミンの存在下パラジウム炭素を用いた水
素添加によって脱エステル化を行うこともできる。
通常の加水分解及び加熱反応によって行うことができ
る。すなわち、化合物(1)を水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム等の塩基の存在下で加水分
解し、次いで80〜120℃に加熱することにより脱炭
酸を行えばよい。また、R1びR2がアラルキル基であ
る場合には、アミンの存在下パラジウム炭素を用いた水
素添加によって脱エステル化を行うこともできる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0038
【補正方法】変更
【補正内容】
【0038】原料化合物が、一般式(1)においてR5
が水素原子であるアゼチジン−2−オン誘導体(1a)
である場合には、これらの脱エステル・脱炭酸反応によ
り得られる化合物(2)は、α−アルキル体(2α)が
選択的に得られる。最終目的物であるカルバペネム骨格
の1位のアルキル基の立体配置はβ−配置であるが、得
られたα−アルキル体(2α)は前記した公知の方法に
より異性化を行い、β−アルキル体(2β)とすること
ができる。
が水素原子であるアゼチジン−2−オン誘導体(1a)
である場合には、これらの脱エステル・脱炭酸反応によ
り得られる化合物(2)は、α−アルキル体(2α)が
選択的に得られる。最終目的物であるカルバペネム骨格
の1位のアルキル基の立体配置はβ−配置であるが、得
られたα−アルキル体(2α)は前記した公知の方法に
より異性化を行い、β−アルキル体(2β)とすること
ができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0085
【補正方法】変更
【補正内容】
【0085】参考例9で得られたアゼチジン−2−オン
誘導体(1b−3)1.09g(2.0mmol)、酢
酸パラジウム9.0mg(0.04mmol)、トリフ
ェニルホスフィン21.0mg(0.08mmol)、
ギ酸0.37g(8.0mmol)及びトリエチルアミ
ン0.91g(9.0mmol)を用いて、前記参考例
4に従って脱エステル、脱炭酸反応を行った後、液体ア
ンモニア30ml及び金属ナトリウム0.24g(1
0.0mmol)を用いて脱ベンジル化反応を行い、目
的とする化合物(2−1)0.48g(収率80%)を
得た。なお、得られた化合物(2−1)の異性体生成比
は、(2α−1):(2β−1)=39:61であっ
た。
誘導体(1b−3)1.09g(2.0mmol)、酢
酸パラジウム9.0mg(0.04mmol)、トリフ
ェニルホスフィン21.0mg(0.08mmol)、
ギ酸0.37g(8.0mmol)及びトリエチルアミ
ン0.91g(9.0mmol)を用いて、前記参考例
4に従って脱エステル、脱炭酸反応を行った後、液体ア
ンモニア30ml及び金属ナトリウム0.24g(1
0.0mmol)を用いて脱ベンジル化反応を行い、目
的とする化合物(2−1)0.48g(収率80%)を
得た。なお、得られた化合物(2−1)の異性体生成比
は、(2α−1):(2β−1)=39:61であっ
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 東洋彦 東京都大田区蒲田5丁目36番31号 高砂香 料工業株式会社総合研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 (式中、R1及びR2は同一又は異なって、それぞれアル
キル基、アルケニル基又はアラルキル基を示し、R3は
低級アルキル基を示し、R4は水素原子又は水酸基の保
護基を示し、R5は水素原子又はアミノ基の保護基を示
す)で表される4−(1,1−ジアルコキシカルボニル
アルキル)アゼチジン−2−オン誘導体を脱エステル及
び脱炭酸せしめ、アミノ基の保護基が存在する場合には
脱保護せしめることを特徴とする一般式(2) 【化2】 (式中、R3及びR4は前記と同じ意味を示す)で表され
る4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オ
ン誘導体の製造法。 - 【請求項2】 一般式(1)において、R5がアミノ基
の保護基を示し、脱エステル及び脱炭酸反応後、当該ア
ミノ基の保護基を脱離せしめることを特徴とする請求項
1記載の製造法。 - 【請求項3】 一般式(1)において、R1及びR2が2
−アルケニル基であり、脱エステル及び脱炭酸反応が一
般式(1)で表されるアゼチジン−2−オン誘導体に、
パラジウム化合物の存在下、ギ酸又はギ酸のアミン塩を
反応させることにより行われるものである請求項1記載
の製造法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3338673A JP2958835B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体の製造法 |
DE69231883T DE69231883T2 (de) | 1991-12-09 | 1992-11-30 | 4-(1,1-Dialkoxycarbonyl-Alkyl)Azetidin-2-on-Derivate zur Herstellung von 4-(1-Carboxy-Alkyl)Azetidin-2-on-Derivaten |
EP92310901A EP0546742B1 (en) | 1991-12-09 | 1992-11-30 | 4-(1,1-Dialkoxycarbonyl-alkyl)azetidin-2-one derivatives and synthesis of 4-(1-carboxy-alkyl)azetidin-2-one derivatives therefrom |
US07/987,779 US5371214A (en) | 1991-12-09 | 1992-12-09 | 4-(1,1-dialkoxycarbonylalkyl)azetidin-2-one derivative and process for producing 4-(1-carboxyalkyl)azetidin-2-one derivative using the same |
US08/277,319 US5574152A (en) | 1991-12-09 | 1994-07-25 | 4-(1,1-dialkoxycarbonylalkyl) azetidin-2-one derivative and process for producing 4-(1-carboxyalkyl) azetidin-2-one derivative using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3338673A JP2958835B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05170733A true JPH05170733A (ja) | 1993-07-09 |
JP2958835B2 JP2958835B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=18320385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3338673A Expired - Lifetime JP2958835B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-20 | 4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2958835B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007145260A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Kaneka Corporation | アゼチジノンカルボン酸の改良された晶析方法 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3338673A patent/JP2958835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007145260A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Kaneka Corporation | アゼチジノンカルボン酸の改良された晶析方法 |
EP2030977A1 (en) * | 2006-06-16 | 2009-03-04 | Kaneka Corporation | Improved method for crystallization of azetidinonecarboxylic acid |
EP2030977A4 (en) * | 2006-06-16 | 2011-06-01 | Kaneka Corp | IMPROVED PROCESS FOR CRYSTALLIZING AZETIDINONECARBOXYLIC ACID |
US8232389B2 (en) | 2006-06-16 | 2012-07-31 | Kaneka Corporation | Method for crystallization of azetidinonecarboxylic acid |
JP5130208B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2013-01-30 | 株式会社カネカ | アゼチジノンカルボン酸の改良された晶析方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2958835B2 (ja) | 1999-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH06172256A (ja) | 3−ヒドロキシ酪酸誘導体の製造法 | |
EP0546742B1 (en) | 4-(1,1-Dialkoxycarbonyl-alkyl)azetidin-2-one derivatives and synthesis of 4-(1-carboxy-alkyl)azetidin-2-one derivatives therefrom | |
JP4303792B2 (ja) | キノロン誘導体の製造方法 | |
JP2958834B2 (ja) | アゼチジン−2−オン誘導体 | |
JP2958835B2 (ja) | 4−(1−カルボキシアルキル)アゼチジン−2−オン誘導体の製造法 | |
JP2003335756A (ja) | 芳香族アルデヒドおよびキラルジオールの製造法 | |
JPH083138A (ja) | オゾン開裂反応 | |
JPWO2005095322A1 (ja) | 1,2−シス−2−フルオロシクロプロパン−1−カルボン酸エステル類の製造法 | |
JP3880883B2 (ja) | ピリジン誘導体、その製造方法、及び除草剤中間体としての用途 | |
US4754029A (en) | 3-oxo-2-azabicyclohexane derivatives | |
JP2003528869A (ja) | シンバスタチンの製造方法 | |
JP2001122870A (ja) | イソクマリン誘導体およびそれらの製造方法 | |
JPH05221947A (ja) | シクロプロパン誘導体の製法 | |
KR100320772B1 (ko) | (s)-벤족사진 유도체의 제조방법 및 (r)-벤족사진 유도체의 라세미화 방법 | |
JPH06336480A (ja) | ピペリジン中間体の精製法 | |
JP2003137835A (ja) | (r)−3−ヒドロキシ−3−(2−フェニルエチル)ヘキサン酸の製造方法 | |
JPS6332351B2 (ja) | ||
JP2003137870A (ja) | 3,5−ジオキソ−6−ヘプテン酸誘導体類の製造方法及びその中間体 | |
JPH03261759A (ja) | ナナオマイシンa中間体及びその合成方法 | |
JPH08231469A (ja) | シクロペンタンカルボン酸誘導体及びその製造法 | |
WO2003033473A1 (fr) | Nouveau derive d'hydantoine a substitution en position 5 et son procede de production | |
KR20020073751A (ko) | 베타-치환-감마-부티로락톤 및 그의 제조방법 | |
JPH08283203A (ja) | 不斉シクロプロパンカルボン酸類の製造方法 | |
JPH0812658A (ja) | シドノン類の製造法 | |
JP2005330235A (ja) | 1,2−シス−2−フルオロシクロプロパン−1−カルボン酸エステル類の製法 |