JPH05166607A - 複合バリスタ - Google Patents
複合バリスタInfo
- Publication number
- JPH05166607A JPH05166607A JP3351971A JP35197191A JPH05166607A JP H05166607 A JPH05166607 A JP H05166607A JP 3351971 A JP3351971 A JP 3351971A JP 35197191 A JP35197191 A JP 35197191A JP H05166607 A JPH05166607 A JP H05166607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- sintered body
- composite
- capacitance
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非直線係数を低下させることなくバリスタ電
圧を低くしてノイズ吸収特性を向上できるとともに、バ
リスタ素子を小型化した場合の静電容量の低下を回避し
て周波数特性を向上できる複合バリスタを提供する。 【構成】 電圧非直線特性を有するセラミック焼結体２
にＣｏをＣｏＯに換算して0.01〜0.10mol ％含有させ、
かつ上記焼結体２にホウケイ酸亜鉛を0.1 〜1.5wt％拡
散させて複合バリスタ１を構成する。
圧を低くしてノイズ吸収特性を向上できるとともに、バ
リスタ素子を小型化した場合の静電容量の低下を回避し
て周波数特性を向上できる複合バリスタを提供する。 【構成】 電圧非直線特性を有するセラミック焼結体２
にＣｏをＣｏＯに換算して0.01〜0.10mol ％含有させ、
かつ上記焼結体２にホウケイ酸亜鉛を0.1 〜1.5wt％拡
散させて複合バリスタ１を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばノイズ吸収素子
として採用されるＳｒＴｉＯ3 系複合バリスタに関し、
特に非直線係数を小さくすることなくバリスタ電圧を低
くしてノイズ吸収特性を向上でき、しかも素子を小型化
した場合の静電容量の低下を回避して周波数特性を向上
できるように改善されたバリスタに関する。
として採用されるＳｒＴｉＯ3 系複合バリスタに関し、
特に非直線係数を小さくすることなくバリスタ電圧を低
くしてノイズ吸収特性を向上でき、しかも素子を小型化
した場合の静電容量の低下を回避して周波数特性を向上
できるように改善されたバリスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、印加電圧に応じて抵抗値が非
直線的に変化するＳｒＴｉＯ3 系バリスタは、静電容量
が大きいことから高周波ノイズ吸収特性に優れており、
電源やマイクロモータのノイズ吸収素子として広く用い
られている。このような複合バリスタとして、従来、リ
ングバリスタが知られており、これはリング状の焼結体
の一主面上に複数の電極を形成した構造となっている。
また、近年、マイクロモータ等における駆動電圧の低電
圧化に伴って、より小型化に対応できるとともに、非直
線係数及び周波数特性に優れた素子が要請されている。
直線的に変化するＳｒＴｉＯ3 系バリスタは、静電容量
が大きいことから高周波ノイズ吸収特性に優れており、
電源やマイクロモータのノイズ吸収素子として広く用い
られている。このような複合バリスタとして、従来、リ
ングバリスタが知られており、これはリング状の焼結体
の一主面上に複数の電極を形成した構造となっている。
また、近年、マイクロモータ等における駆動電圧の低電
圧化に伴って、より小型化に対応できるとともに、非直
線係数及び周波数特性に優れた素子が要請されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の複合バリスタでは、バリスタ電圧を低電圧化すると
非直線係数が小さくなることから、トランジェントノイ
ズの吸収特性が悪化するという問題点がある。また、バ
リスタ素子を小型化すると、それだけ電極面積が小さく
なることから、静電容量も小さくなるとともに、リング
バリスタでは直列抵抗成分が大きくなり、その結果容量
分散が大きくなって高周波数特性が悪化するという問題
点がある。
来の複合バリスタでは、バリスタ電圧を低電圧化すると
非直線係数が小さくなることから、トランジェントノイ
ズの吸収特性が悪化するという問題点がある。また、バ
リスタ素子を小型化すると、それだけ電極面積が小さく
なることから、静電容量も小さくなるとともに、リング
バリスタでは直列抵抗成分が大きくなり、その結果容量
分散が大きくなって高周波数特性が悪化するという問題
点がある。
【０００４】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、非直線係数を低下させることなく低電圧化を実
現できるとともに、素子を小型化する場合の静電容量の
低下を回避できる複合バリスタを提供することを目的と
している。
もので、非直線係数を低下させることなく低電圧化を実
現できるとともに、素子を小型化する場合の静電容量の
低下を回避できる複合バリスタを提供することを目的と
している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、半導体
セラミックからなる焼結体にＣｏをＣｏＯに換算して0.
01〜0.1mol％含有させ、かつ上記焼結体にホウケイ酸亜
鉛を0.1 〜1.5 wt％拡散させたことを特徴とする複合バ
リスタである。ここで、上記Ｃｏの含有量を0.01〜0.1m
ol％に限定したのは、これを0.01mol％以下にすると高
周波での静電容量が小さくなって周波数特性の改善効果
が得られなくなるからであり、また0.1mol％を越えると
静電容量は大きくなるものの、非直線係数が小さくなる
からである。また、上記ホウケイ酸亜鉛の拡散量を0.1
〜1.5 wt％の範囲としたのは、この範囲を外れると非直
線係数が小さくなり、ノイズ吸収特性の改善効果が得ら
れなくなるからである。
セラミックからなる焼結体にＣｏをＣｏＯに換算して0.
01〜0.1mol％含有させ、かつ上記焼結体にホウケイ酸亜
鉛を0.1 〜1.5 wt％拡散させたことを特徴とする複合バ
リスタである。ここで、上記Ｃｏの含有量を0.01〜0.1m
ol％に限定したのは、これを0.01mol％以下にすると高
周波での静電容量が小さくなって周波数特性の改善効果
が得られなくなるからであり、また0.1mol％を越えると
静電容量は大きくなるものの、非直線係数が小さくなる
からである。また、上記ホウケイ酸亜鉛の拡散量を0.1
〜1.5 wt％の範囲としたのは、この範囲を外れると非直
線係数が小さくなり、ノイズ吸収特性の改善効果が得ら
れなくなるからである。
【０００６】
【作用】本発明に係る複合バリスタによれば、焼結体に
ＣｏをＣｏＯに換算して0.01〜0.1 mol ％を含有させた
ので、バリスタ素子の小型化により電極面積が小さくな
っても静電容量を大きくでき、しかも高周波での容量の
分散を小さくできることから、小型化を可能にしながら
周波数特性を改善できる。また、上記焼結体にホウケイ
酸亜鉛を0.1 〜1.5 wt％拡散させたので、低電圧化した
場合の非直線係数を確保でき、それだけノイズ吸収特性
を向上できる。
ＣｏをＣｏＯに換算して0.01〜0.1 mol ％を含有させた
ので、バリスタ素子の小型化により電極面積が小さくな
っても静電容量を大きくでき、しかも高周波での容量の
分散を小さくできることから、小型化を可能にしながら
周波数特性を改善できる。また、上記焼結体にホウケイ
酸亜鉛を0.1 〜1.5 wt％拡散させたので、低電圧化した
場合の非直線係数を確保でき、それだけノイズ吸収特性
を向上できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１は、本発明の一実施例による複合バリスタを説
明するための図である。本実施例では、リングバリスタ
の一製造方法を説明し、これにより得られたバリスタの
効果を確認するために行った試験結果について説明す
る。まず、本実施例のリングバリスタの製造方法につい
て説明する。Ｓｒ0.9 Ｃａ0.1 Ｅｒ0.005 ＴｉＯ3 とな
るようＳｒＣＯ3,ＣａＣＯ3,Ｅｒ2Ｏ3,ＴｉＯ2 を配合
し、これに純水を加えボールミルで粉砕混合してスラリ
ーを形成する。このスラリーを脱水乾燥させた後、造粒
し、1200℃で２時間仮焼成した後、再び粉砕して仮焼成
粉を形成する。
る。図１は、本発明の一実施例による複合バリスタを説
明するための図である。本実施例では、リングバリスタ
の一製造方法を説明し、これにより得られたバリスタの
効果を確認するために行った試験結果について説明す
る。まず、本実施例のリングバリスタの製造方法につい
て説明する。Ｓｒ0.9 Ｃａ0.1 Ｅｒ0.005 ＴｉＯ3 とな
るようＳｒＣＯ3,ＣａＣＯ3,Ｅｒ2Ｏ3,ＴｉＯ2 を配合
し、これに純水を加えボールミルで粉砕混合してスラリ
ーを形成する。このスラリーを脱水乾燥させた後、造粒
し、1200℃で２時間仮焼成した後、再び粉砕して仮焼成
粉を形成する。
【０００８】次に、上記仮焼成粉に、ＣｏをＣｏＯ3 に
換算して0.01〜0.1 mol ％添加するとともに、ＳｉＯ2
を0.05wt％を添加する。これにバインダー及び純水を加
えてボールミルで粉砕混合し、これによりスラリーを形
成する。
換算して0.01〜0.1 mol ％添加するとともに、ＳｉＯ2
を0.05wt％を添加する。これにバインダー及び純水を加
えてボールミルで粉砕混合し、これによりスラリーを形
成する。
【０００９】上記スラリーをスプレー乾燥・造粒してセ
ラミック粉末を形成し、このセラミック粉末をプレスに
より圧力を加えて、外径10mmφ, 内径６mmφ, 厚さ0.8m
m のリング状の成形体に形成する。次いで、この成形体
を昇温加熱してバインダーを燃焼させた後、還元性雰囲
気中にて1400℃で３時間焼成する。これにより、図１に
示すようなリング状の焼結体２を得る。
ラミック粉末を形成し、このセラミック粉末をプレスに
より圧力を加えて、外径10mmφ, 内径６mmφ, 厚さ0.8m
m のリング状の成形体に形成する。次いで、この成形体
を昇温加熱してバインダーを燃焼させた後、還元性雰囲
気中にて1400℃で３時間焼成する。これにより、図１に
示すようなリング状の焼結体２を得る。
【００１０】このようにして得られた焼結体２に、これ
の重量に対して0.1 〜1.5 wt％のホウケイ酸亜鉛を塗布
し、これを850 ℃に加熱して30分熱処理する。これによ
り上記焼結体２の表面部分にホウケイ酸亜鉛が浸透拡散
することとなる。
の重量に対して0.1 〜1.5 wt％のホウケイ酸亜鉛を塗布
し、これを850 ℃に加熱して30分熱処理する。これによ
り上記焼結体２の表面部分にホウケイ酸亜鉛が浸透拡散
することとなる。
【００１１】最後に、上記焼結体２の一主面２ａ上に、
２mm程度のギャップｔを設けて３つの電極３を形成す
る。これにより本実施例のリングバリスタ１が製造され
る。
２mm程度のギャップｔを設けて３つの電極３を形成す
る。これにより本実施例のリングバリスタ１が製造され
る。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１は、上述の方法により製造されたリン
グバリスタ１の効果を確認するために行った試験結果を
示す。この試験は、表１に示すように、Ｃｏの添加量を
０〜0.5 mol ％の範囲で変化させて焼結体を形成し、こ
の焼結体のホウケイ酸亜鉛の塗布量を0.5 wt％とした場
合のバリスタ電圧Ｖ10mA，非直線係数α，及び静電容量
nFを測定した( 表中、NO. １〜NO. １０）。また、Ｃｏ
の添加量を0.05mol ％とし、ホウケイ酸亜鉛の塗布量を
0.1 〜2.0 wt％の範囲で変化させた場合の上記各電気的
特性を測定した( 表中、NO. １１〜NO. １８）。さら
に、モニターとして従来のリングバリスタについても同
様の試験を行った（表中、NO. １９，NO.２０）。
グバリスタ１の効果を確認するために行った試験結果を
示す。この試験は、表１に示すように、Ｃｏの添加量を
０〜0.5 mol ％の範囲で変化させて焼結体を形成し、こ
の焼結体のホウケイ酸亜鉛の塗布量を0.5 wt％とした場
合のバリスタ電圧Ｖ10mA，非直線係数α，及び静電容量
nFを測定した( 表中、NO. １〜NO. １０）。また、Ｃｏ
の添加量を0.05mol ％とし、ホウケイ酸亜鉛の塗布量を
0.1 〜2.0 wt％の範囲で変化させた場合の上記各電気的
特性を測定した( 表中、NO. １１〜NO. １８）。さら
に、モニターとして従来のリングバリスタについても同
様の試験を行った（表中、NO. １９，NO.２０）。
【００１４】表１からも明らかなように、Ｃｏ量を０〜
0.005 mol ％とした比較試料（NO.１〜NO. ４）の場合
は、１MHz の高周波での静電容量が64.7〜70.3ｎＦと小
さくなっており、従来試料（NO. １９，２０）と略同様
に周波数特性が低い。また、Ｃｏ量を0.3 〜0.5 mol ％
とした比較試料（NO. ９，NO. １０）の場合は、静電容
量は大きくなるものの、Ｖ10mAが1.1 〜1.3Vと上昇し難
く、かつ非直線係数も1.5 〜2.0 と小さくなっている。
これに対してＣｏ量が0.01〜0.1mol％の範囲内の本実施
例試料（NO. ５〜NO. ８）の場合は、Ｖ10mAが2.2 〜2.
9V、非直線係数が3.7 〜4.9 、静電容量が115.1 〜131.
7nF,96.4〜118.1nF と何れの特性も満足できる値が得ら
れていることがわかる。また、ホウケイ酸亜鉛の塗布量
を1.75〜2.0 wt％とした比較試料（NO. １７，NO. １
８）の場合は、Ｖ10mAが8.4 〜17.6Ｖと上昇し、これに
伴って非直線係数も1.9 〜2.3 と悪化している。これに
対してホウケイ酸亜鉛の塗布量を0.1 〜1.5 wt％の範囲
内とした本実施例試料（NO. １１〜NO. １６）の場合
は、Ｖ10mAが2.2 〜5.8Vと低い値でありながら、非直線
係数は3.4 〜5.0 と向上しており、ノイズ吸収特性が改
善できていることがわかる。
0.005 mol ％とした比較試料（NO.１〜NO. ４）の場合
は、１MHz の高周波での静電容量が64.7〜70.3ｎＦと小
さくなっており、従来試料（NO. １９，２０）と略同様
に周波数特性が低い。また、Ｃｏ量を0.3 〜0.5 mol ％
とした比較試料（NO. ９，NO. １０）の場合は、静電容
量は大きくなるものの、Ｖ10mAが1.1 〜1.3Vと上昇し難
く、かつ非直線係数も1.5 〜2.0 と小さくなっている。
これに対してＣｏ量が0.01〜0.1mol％の範囲内の本実施
例試料（NO. ５〜NO. ８）の場合は、Ｖ10mAが2.2 〜2.
9V、非直線係数が3.7 〜4.9 、静電容量が115.1 〜131.
7nF,96.4〜118.1nF と何れの特性も満足できる値が得ら
れていることがわかる。また、ホウケイ酸亜鉛の塗布量
を1.75〜2.0 wt％とした比較試料（NO. １７，NO. １
８）の場合は、Ｖ10mAが8.4 〜17.6Ｖと上昇し、これに
伴って非直線係数も1.9 〜2.3 と悪化している。これに
対してホウケイ酸亜鉛の塗布量を0.1 〜1.5 wt％の範囲
内とした本実施例試料（NO. １１〜NO. １６）の場合
は、Ｖ10mAが2.2 〜5.8Vと低い値でありながら、非直線
係数は3.4 〜5.0 と向上しており、ノイズ吸収特性が改
善できていることがわかる。
【００１５】また、図２は、１KHz 〜10MHz の周波数に
おける静電容量の変化率を示す特性図である。図中、破
線は本実施例試料、実線は従来試料を示す。同図からも
明らかなように、従来試料の場合は、高周波での容量分
散が大きいことから、例えば１MHz での静電容量の変化
率は−50％程度と大きくなっている。これに対して本実
施例試料の場合は、１MHz での静電容量の変化率は−10
％程度と小さく周波数特性が向上していることがわか
る。
おける静電容量の変化率を示す特性図である。図中、破
線は本実施例試料、実線は従来試料を示す。同図からも
明らかなように、従来試料の場合は、高周波での容量分
散が大きいことから、例えば１MHz での静電容量の変化
率は−50％程度と大きくなっている。これに対して本実
施例試料の場合は、１MHz での静電容量の変化率は−10
％程度と小さく周波数特性が向上していることがわか
る。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明に係る複合バリスタ
によれば、焼結体にＣｏをＣｏＯに換算して0.01〜0.1
mol ％添加するとともに、ホウケイ酸亜鉛を0.1 〜1.5
wt％拡散したので、非直線係数を小さくすることなくバ
リスタ電圧を低くしてノイズ吸収特性を向上できる効果
があり、さらにバリスタ素子を小型化した場合の静電容
量の低下を回避して周波数特性を向上できる効果があ
る。
によれば、焼結体にＣｏをＣｏＯに換算して0.01〜0.1
mol ％添加するとともに、ホウケイ酸亜鉛を0.1 〜1.5
wt％拡散したので、非直線係数を小さくすることなくバ
リスタ電圧を低くしてノイズ吸収特性を向上できる効果
があり、さらにバリスタ素子を小型化した場合の静電容
量の低下を回避して周波数特性を向上できる効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例による複合バリスタを説明す
るための斜視図である。
るための斜視図である。
【図２】上記実施例の効果を確認するために行った試験
結果を示す特性図である。
結果を示す特性図である。
１ リングバリスタ（複合バリスタ） ２ 焼結体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 康次 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 電圧非直線特性を有するセラミック焼結
体に、ＣｏをＣｏＯに換算して0.01〜0.10mol ％含有さ
せ、かつ上記焼結体にホウケイ酸亜鉛を0.1〜1.5wt％拡
散させたことを特徴とする複合バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35197191A JP3182825B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 複合バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35197191A JP3182825B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 複合バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166607A true JPH05166607A (ja) | 1993-07-02 |
| JP3182825B2 JP3182825B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=18420887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35197191A Expired - Fee Related JP3182825B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 複合バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3182825B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8146547B2 (en) | 2007-04-16 | 2012-04-03 | Scuderi Group, Llc | Variable valve actuator with a pneumatic booster |
| CN107039182A (zh) * | 2016-01-25 | 2017-08-11 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
| CN114914042A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-16 | 吉林昱丰电气科技有限公司 | 一种高能高残压比的非线性电阻片以及并联电路 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP35197191A patent/JP3182825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8146547B2 (en) | 2007-04-16 | 2012-04-03 | Scuderi Group, Llc | Variable valve actuator with a pneumatic booster |
| CN107039182A (zh) * | 2016-01-25 | 2017-08-11 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
| CN107039182B (zh) * | 2016-01-25 | 2020-03-03 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
| CN114914042A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-16 | 吉林昱丰电气科技有限公司 | 一种高能高残压比的非线性电阻片以及并联电路 |
| CN114914042B (zh) * | 2022-05-07 | 2024-02-02 | 吉林昱丰电气科技有限公司 | 一种高能高残压比的非线性电阻片以及并联电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3182825B2 (ja) | 2001-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4987107A (en) | Ceramic composition for reduction-reoxidation type semiconductive capacitor | |
| EP0157276B1 (en) | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition | |
| JP3319314B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JPH11297510A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JPH05166607A (ja) | 複合バリスタ | |
| JPH10229003A (ja) | バリスタ、チップ型バリスタ及びバリスタの製造方法 | |
| JP3030557B2 (ja) | 誘電体磁器材料を用いた電子部品 | |
| JP2004196650A (ja) | 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 | |
| JPS61193419A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 | |
| JPH0442855A (ja) | 磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6116131B2 (ja) | ||
| JPH0652718A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP3000847B2 (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2808777B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPH0785459B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
| JP2725405B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器及びその製造方法 | |
| JPS63289706A (ja) | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー | |
| JP2773309B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0684691A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPS5849661A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP2743448B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2646734B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2998586B2 (ja) | 半導体磁器組成物とその製造方法 | |
| JP2697123B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2924469B2 (ja) | 磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010327 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |