JPH0516197B2 - - Google Patents
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- JPH0516197B2 JPH0516197B2 JP59206080A JP20608084A JPH0516197B2 JP H0516197 B2 JPH0516197 B2 JP H0516197B2 JP 59206080 A JP59206080 A JP 59206080A JP 20608084 A JP20608084 A JP 20608084A JP H0516197 B2 JPH0516197 B2 JP H0516197B2
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- electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
この発明は、表示素子好ましくは液晶表示パネ
ルを設けることにより、マイクロコンピユータ、
ワードプロセツサまたはテレビ等の表示部の固体
化を図る固体表示装置、イメージセンサまたは液
晶プリンタに応用する非線型特性を有する半導体
装置に関するものである。
ルを設けることにより、マイクロコンピユータ、
ワードプロセツサまたはテレビ等の表示部の固体
化を図る固体表示装置、イメージセンサまたは液
晶プリンタに応用する非線型特性を有する半導体
装置に関するものである。
「従来の技術」
固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式
が大面積用として有効である。このようなアクテ
イブ素子を用いたパネルとして、アモルフアスシ
リコンをすべての画素と１：１に連結して用いる
NIN接合構造の非線型素子が知られている。し
かし、このNIN接合を用いんとしても、そのNI
またはIN接合界面がどのようになつているか不
明であり、十分なＶ−Ｉ特性における原点対称の
非線型特性を得るに至つていない。
が大面積用として有効である。このようなアクテ
イブ素子を用いたパネルとして、アモルフアスシ
リコンをすべての画素と１：１に連結して用いる
NIN接合構造の非線型素子が知られている。し
かし、このNIN接合を用いんとしても、そのNI
またはIN接合界面がどのようになつているか不
明であり、十分なＶ−Ｉ特性における原点対称の
非線型特性を得るに至つていない。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし非線型素子を用いんとして、基板上にＮ
層Ｉ層Ｎ層をプラズマCVD法により漸次積層し
ていつても、このNI界面ではＮ型不純物である
リンがＩ型半導体層内に混入する。またIN界面
ではＩ型半導体とＮ型層の混合N-層が界面領域
にできてしまう。このような界面での不純物およ
び構成成分のおたがいの混合が存在するならば、
そのＶ−Ｉ特性において対称性を有せしめること
がまつたく不可能であつた。
層Ｉ層Ｎ層をプラズマCVD法により漸次積層し
ていつても、このNI界面ではＮ型不純物である
リンがＩ型半導体層内に混入する。またIN界面
ではＩ型半導体とＮ型層の混合N-層が界面領域
にできてしまう。このような界面での不純物およ
び構成成分のおたがいの混合が存在するならば、
そのＶ−Ｉ特性において対称性を有せしめること
がまつたく不可能であつた。
「問題を解決するための手段」
本発明はかかる問題を解決するため、一対のガ
ラス基板とその内側に形成された一対の透明導電
性の複数の電極と、該複数の電極間に介在する液
晶とを有して、複数の画素を構成せしめ、前記画
素を構成する一対の電極の一方の電極に直列に連
結して逆向整流特性を有する非線型素子を設け、
該非線型素子は前記連結した電極、炭素を含有す
る層及び他方の電極とを有し、該他方の電極と前
記一対の電極の他方との間で複数の画素をマトリ
クス配列させて設けたことを特徴とする固体表示
装置における駆動素子である非線型素子におい
て、水素またはハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体よりなる非線型素子を用い、かつそのＩ
型半導体中には炭素を添加したSi−SixC1-X（０＜
Ｘ＜１）−Si構造を有せしめたことを主としてい
る。
ラス基板とその内側に形成された一対の透明導電
性の複数の電極と、該複数の電極間に介在する液
晶とを有して、複数の画素を構成せしめ、前記画
素を構成する一対の電極の一方の電極に直列に連
結して逆向整流特性を有する非線型素子を設け、
該非線型素子は前記連結した電極、炭素を含有す
る層及び他方の電極とを有し、該他方の電極と前
記一対の電極の他方との間で複数の画素をマトリ
クス配列させて設けたことを特徴とする固体表示
装置における駆動素子である非線型素子におい
て、水素またはハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体よりなる非線型素子を用い、かつそのＩ
型半導体中には炭素を添加したSi−SixC1-X（０＜
Ｘ＜１）−Si構造を有せしめたことを主としてい
る。
かかる本発明に用いる非線型素子は、１つの
PIN接合とその上下にコンタクトを有する電極よ
り構成されるダイオードを用いるのではなく、一
対の電極とはそれぞれオーム接触性を有するが、
逆向整流特性を構成する複合ダイオードを有する
素子よりなるもので、その代表例はＮ型半導体−
Ｉ型（以下真性または実質的に真性という）半導
体−Ｎ型半導体を積層して設けたNIN構造、即
ちNI接合とIN接合とが電気的に逆向きに連結さ
れ、かつ半導体として一体化したNIN接合を有
する半導体をはじめ、その変形であるNN−Ｎ、
NP−Ｎ、PIP、PP−ＰまたはPN−Ｐ構造を有
せしめた複合ダイオードである。
PIN接合とその上下にコンタクトを有する電極よ
り構成されるダイオードを用いるのではなく、一
対の電極とはそれぞれオーム接触性を有するが、
逆向整流特性を構成する複合ダイオードを有する
素子よりなるもので、その代表例はＮ型半導体−
Ｉ型（以下真性または実質的に真性という）半導
体−Ｎ型半導体を積層して設けたNIN構造、即
ちNI接合とIN接合とが電気的に逆向きに連結さ
れ、かつ半導体として一体化したNIN接合を有
する半導体をはじめ、その変形であるNN−Ｎ、
NP−Ｎ、PIP、PP−ＰまたはPN−Ｐ構造を有
せしめた複合ダイオードである。
かかる複合ダイオードのスレツシユホールド電
圧は、ダイオード特性を互いに逆向きに相対せし
め、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（しきい
値）はNI接合のＮ型半導体とＩ型半導体または
NI界面近傍での導電型を決める微量のリン等の
不純物と、エネルギバンド巾を決める炭素等の不
純物および添加物の濃度で決めることができる。
このため、製造プロセスを制御することにより、
所望の素子のしきい値電圧の値およびしきい値以
下での電流の流れにくさおよびしきい値以上での
電流の流れやすさを制御し得る。さらに絶縁膜−
半導体の界面物性を用いず、半導体−半導体接合
方式であるため、温度処理、Ｂ−Ｔ処理（バイア
ス−温度）処理に対し不安定性がないという特長
を有する。
圧は、ダイオード特性を互いに逆向きに相対せし
め、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（しきい
値）はNI接合のＮ型半導体とＩ型半導体または
NI界面近傍での導電型を決める微量のリン等の
不純物と、エネルギバンド巾を決める炭素等の不
純物および添加物の濃度で決めることができる。
このため、製造プロセスを制御することにより、
所望の素子のしきい値電圧の値およびしきい値以
下での電流の流れにくさおよびしきい値以上での
電流の流れやすさを制御し得る。さらに絶縁膜−
半導体の界面物性を用いず、半導体−半導体接合
方式であるため、温度処理、Ｂ−Ｔ処理（バイア
ス−温度）処理に対し不安定性がないという特長
を有する。
さらに本発明は、かかる複合ダイオードとマト
リツクスを構成するＸ配線またはＹ配線とが概略
同一形状を有する１つのマスク合わせで行うのみ
で完成させ得るため、一方の基板側に設けられる
液晶表示の一方の電極（第１の電極）と連結した
複合ダイオードおよびＸまたはＹ配線の形成に必
要なマスクの数は２枚のみでプロセスさせること
ができる。この構造の代表例を第１図及び第２図
に示してある。
リツクスを構成するＸ配線またはＹ配線とが概略
同一形状を有する１つのマスク合わせで行うのみ
で完成させ得るため、一方の基板側に設けられる
液晶表示の一方の電極（第１の電極）と連結した
複合ダイオードおよびＸまたはＹ配線の形成に必
要なマスクの数は２枚のみでプロセスさせること
ができる。この構造の代表例を第１図及び第２図
に示してある。
このため、固体表示素子である例えば液晶に対
し、交流バイアスを液晶の他方の電極（第４の電
極）、リードのレベルを制御することにより制御
し得、階調制御も可能であるという特徴を有す
る。
し、交流バイアスを液晶の他方の電極（第４の電
極）、リードのレベルを制御することにより制御
し得、階調制御も可能であるという特徴を有す
る。
「作用」
さらに、液晶の他方の電極を３分割し、それぞ
れの電極またはそれぞれのアクテイブ素子に対応
して赤（Ｒという）、緑（Ｇという）、青（Ｂとい
う）のフイルタを通すことにより、そのレベルに
対し独立に電圧をＹ軸として加えることができ
る。そのためＲ、Ｇ、Ｂに対する階調を行うこと
ができるという特徴を有する。
れの電極またはそれぞれのアクテイブ素子に対応
して赤（Ｒという）、緑（Ｇという）、青（Ｂとい
う）のフイルタを通すことにより、そのレベルに
対し独立に電圧をＹ軸として加えることができ
る。そのためＲ、Ｇ、Ｂに対する階調を行うこと
ができるという特徴を有する。
以下に実施例に従つて本発明を説明する。
実施例 １
第１図は本発明の固体表示装置を用いた回路図
を示す。
を示す。
図面において絵素１は複合ダイオード２の電極
２１（第１の電極）より液晶３の一方の電極２１
（第３の電極）に連結している。複合ダイオード
はクロツク信号を与えるＸ配線のアドレス線４，
５に第２の電極２２により連結している。他方、
液晶３の第４の電極２４はＹ配線のデータ線６，
７に連結している。このＸ配線は同一絶縁基板代
表的にはガラス基板（第７図Ｂ，Ｃ，Ｄにおける
２０）上に設けられ、液晶１０の他方の第４の電
極（第７図Ｂにおける２４）は対抗した他の透明
性絶縁基板代表的にはガラス基板（第７図Ｂ，Ｄ
における２０′）側に設けられている。
２１（第１の電極）より液晶３の一方の電極２１
（第３の電極）に連結している。複合ダイオード
はクロツク信号を与えるＸ配線のアドレス線４，
５に第２の電極２２により連結している。他方、
液晶３の第４の電極２４はＹ配線のデータ線６，
７に連結している。このＸ配線は同一絶縁基板代
表的にはガラス基板（第７図Ｂ，Ｃ，Ｄにおける
２０）上に設けられ、液晶１０の他方の第４の電
極（第７図Ｂにおける２４）は対抗した他の透明
性絶縁基板代表的にはガラス基板（第７図Ｂ，Ｄ
における２０′）側に設けられている。
かかる絵素をマトリツクス構成せしめ、図面で
は２×２とした。これはスケール・アツプした表
示装置例えば（画素640×200）としても同一技術
思想である。
は２×２とした。これはスケール・アツプした表
示装置例えば（画素640×200）としても同一技術
思想である。
かくの如き複合ダイオードを用いた非線形素子
およびその特性の例を第２図〜第６図に示してい
る。
およびその特性の例を第２図〜第６図に示してい
る。
この第２図を以下に略記する。
第２図Ａは実際の素子構造の縦断面図を示して
いる。
いる。
第２図Ａにおいて、透明性絶縁基板として無ア
ルカリガラス２０を用いた。この上面にスパツタ
法または電子ビーム蒸着法により導電膜である
ITOまたは酸化スズ膜を0.1〜0.5μの厚さに、さ
らにこの上面に遮光用クロムを300〜2500Åの厚
さに同様に積層形成した。この後、この導電膜に
パターニングを第１のマスクにより行い、不要
部を除去して電極を形成した。
ルカリガラス２０を用いた。この上面にスパツタ
法または電子ビーム蒸着法により導電膜である
ITOまたは酸化スズ膜を0.1〜0.5μの厚さに、さ
らにこの上面に遮光用クロムを300〜2500Åの厚
さに同様に積層形成した。この後、この導電膜に
パターニングを第１のマスクにより行い、不要
部を除去して電極を形成した。
この後、これらの全面にプラズマ気相反応法に
よりNIN構造を有する水素またはハロゲン元素
が添加された非単結晶半導体よりなる複合ダイオ
ードを形成した。即ち、Ｎ型半導体１２をシラン
を13.56MHzの高周波グロー放電を行うことによ
り、200〜250℃に保持された基板上の被形成面上
にアモルフアス構造を有する非単結晶半導体を作
る。その電気伝導度は10-5〜10-3（Ωcm）-1を有
し、50〜500Åの厚さとした。さらに次に10-6〜
10-7torrまで、十分真空引きをした。さらに、シ
ラン（SimH2n+2例えばｍ＝１のSiH4）にメチル
シラン（SiHn（CH3）4-nn＝１〜３）を混入させ
た。即ち、ｎ＝２では、H2Si（CH3）2／SiH4＝
１／10〜１／200例えば１／50（流量c.c.）とした。
この混合反応性気体をプラズマ反応炉内に導入
し、プラズマ反応をさせ、Ｉ型の水素またはハロ
ゲン元素が添加されたSixC1-X（０＜Ｘ＜１）で
示される非単結晶半導体１３を0.2〜1μの厚さに、
例えば0.4μの厚さＮ型半導体上に積層して形成し
た。さらに、10-6〜10-7torrまで十分真空引きを
した。再び、同様のＮ型半導体１４をアモルフア
ス構造として50〜500Åの厚さに積層してNIN接
合とした。
よりNIN構造を有する水素またはハロゲン元素
が添加された非単結晶半導体よりなる複合ダイオ
ードを形成した。即ち、Ｎ型半導体１２をシラン
を13.56MHzの高周波グロー放電を行うことによ
り、200〜250℃に保持された基板上の被形成面上
にアモルフアス構造を有する非単結晶半導体を作
る。その電気伝導度は10-5〜10-3（Ωcm）-1を有
し、50〜500Åの厚さとした。さらに次に10-6〜
10-7torrまで、十分真空引きをした。さらに、シ
ラン（SimH2n+2例えばｍ＝１のSiH4）にメチル
シラン（SiHn（CH3）4-nn＝１〜３）を混入させ
た。即ち、ｎ＝２では、H2Si（CH3）2／SiH4＝
１／10〜１／200例えば１／50（流量c.c.）とした。
この混合反応性気体をプラズマ反応炉内に導入
し、プラズマ反応をさせ、Ｉ型の水素またはハロ
ゲン元素が添加されたSixC1-X（０＜Ｘ＜１）で
示される非単結晶半導体１３を0.2〜1μの厚さに、
例えば0.4μの厚さＮ型半導体上に積層して形成し
た。さらに、10-6〜10-7torrまで十分真空引きを
した。再び、同様のＮ型半導体１４をアモルフア
ス構造として50〜500Åの厚さに積層してNIN接
合とした。
この後、この上面に、CTFとしてのSnO2また
はITOを500〜1500Åの厚さに、さらにリードお
よび電極となるクロムまたはアルミニユーム
（500〜1500Å）を電子ビーム蒸着法またはスパツ
タ法により積層した。さらに、電極２２、複合ダ
イオード２として設ける領域を除き、他部の第２
のフオトマスクを用いてフオトエツチング法に
より除去して第２の電極を構成した。
はITOを500〜1500Åの厚さに、さらにリードお
よび電極となるクロムまたはアルミニユーム
（500〜1500Å）を電子ビーム蒸着法またはスパツ
タ法により積層した。さらに、電極２２、複合ダ
イオード２として設ける領域を除き、他部の第２
のフオトマスクを用いてフオトエツチング法に
より除去して第２の電極を構成した。
即ち第２図Ａにおいて、ガラス基板２０上の透
光性導電膜１７、クロム電極１１よりなる第１の
電極２１，Ｎ１２，Ｉ１３，Ｎ１４半導体積層体
よりなるNIN接合型複合ダイオード２、CTF１
５、クロムまたはアルミニユーム１６よりなる第
２の電極２２よりなつている。このNIN構造の
記号が第２図Ｂに示されている。
光性導電膜１７、クロム電極１１よりなる第１の
電極２１，Ｎ１２，Ｉ１３，Ｎ１４半導体積層体
よりなるNIN接合型複合ダイオード２、CTF１
５、クロムまたはアルミニユーム１６よりなる第
２の電極２２よりなつている。このNIN構造の
記号が第２図Ｂに示されている。
第３図Ａ〜Ｄに従来より公知のNIN接合型の
非線型素子の動作原理の概要を示す。
非線型素子の動作原理の概要を示す。
第３図ＡはＮ１２，Ｉ１３，Ｎ１４構造を有す
る半導体２である。この場合はＮ，Ｉ，Ｎのすべ
ての半導体に水素を含む珪素の非単結晶半導体で
ある。
る半導体２である。この場合はＮ，Ｉ，Ｎのすべ
ての半導体に水素を含む珪素の非単結晶半導体で
ある。
その厚さはＮ１２700Å、Ｉ１３4000Å、Ｎ１
４700Åである。電圧が端子２１，２２間に印加
されていない場合のエネルギバンド図を第３図Ｂ
に示す。これに対して、もし基板側端子２１に比
べて２２に正の電圧Vaがかかると、第３図Ｃの
エネルギバンド構造となる。すると電子４３は障
壁４１が４１′にその高さを低くするに準じて順
方向の電流として流れる。
４700Åである。電圧が端子２１，２２間に印加
されていない場合のエネルギバンド図を第３図Ｂ
に示す。これに対して、もし基板側端子２１に比
べて２２に正の電圧Vaがかかると、第３図Ｃの
エネルギバンド構造となる。すると電子４３は障
壁４１が４１′にその高さを低くするに準じて順
方向の電流として流れる。
加えてNI界面３１はＮ型半導体層２１を構成
する不純物のリンの一部がＩ型半導体２３内にプ
ラズマCVDでの被膜形成の際混入してしまうた
め、界面近傍のＩ層がN-傾向に変成してしまう。
このためNI界面の＋Vaの印加によるバリアの障
壁が十分低くなり、結果として第５図５１の如く
１〜2Vの低いしきい値電流しか得られない電流
特性が得られた。
する不純物のリンの一部がＩ型半導体２３内にプ
ラズマCVDでの被膜形成の際混入してしまうた
め、界面近傍のＩ層がN-傾向に変成してしまう。
このためNI界面の＋Vaの印加によるバリアの障
壁が十分低くなり、結果として第５図５１の如く
１〜2Vの低いしきい値電流しか得られない電流
特性が得られた。
この時、他の障壁４２，３２（第２図Ｂ）は障
壁を構成せず、電流の流れに対しバリアを構成し
ない。
壁を構成せず、電流の流れに対しバリアを構成し
ない。
また、逆に端子２２に負の電圧（−Va）が加
わると（第３図Ｃ）障壁４２は４２′となり、そ
のＮ型半導体層１４の電子４３′が４２′より１３
へと流れる。かかる従来例の珪素のみでのプラズ
マCVD法により形成する場合は、Ｉ層１３の珪
素がＮ層１４に混入し、このＮ層１４の界面近傍
をN′化する傾向にするため、中間領域３２は広
く、かつ−Vaが変わつてもバリアの高さ４２′は
十分低くなり得ない。結果として第５図５１′の
ダイオードの逆流特性の如きＶ−Ｉ特性となる。
わると（第３図Ｃ）障壁４２は４２′となり、そ
のＮ型半導体層１４の電子４３′が４２′より１３
へと流れる。かかる従来例の珪素のみでのプラズ
マCVD法により形成する場合は、Ｉ層１３の珪
素がＮ層１４に混入し、このＮ層１４の界面近傍
をN′化する傾向にするため、中間領域３２は広
く、かつ−Vaが変わつてもバリアの高さ４２′は
十分低くなり得ない。結果として第５図５１′の
ダイオードの逆流特性の如きＶ−Ｉ特性となる。
結果として第５図曲線５１，５１′に示す如き、
NIN構造を形成させたPIN接合のダイオードの
如き非対称の特性を得ることになりがちである。
NIN構造を形成させたPIN接合のダイオードの
如き非対称の特性を得ることになりがちである。
かくの如き非対称のダイオード特性を排除し、
原点に対し対称性を与えることが本発明の目的で
ある。加えてＩ層内に炭素を加えることにより、
しきい値の大小の制御を行うことが他の目的であ
る。
原点に対し対称性を与えることが本発明の目的で
ある。加えてＩ層内に炭素を加えることにより、
しきい値の大小の制御を行うことが他の目的であ
る。
第５図に本実施例において作製した半導体装置
の電圧−電流特性を示した曲線５２，５２′を示
す。
の電圧−電流特性を示した曲線５２，５２′を示
す。
また比較のため本実施例におけるＩ型半導体層
の成膜時にH2Si（CH3）2を全く添加しない雰囲気
で成膜を行つた場合に作製される半導体装置
（H2Si（CH3）2を全く添加しない点以外において
は本実施例と同じ構成を有する半導体装置）の電
圧−電流特性（Ｖ−Ｉ特性）を曲線を５１，５
１′として示す。
の成膜時にH2Si（CH3）2を全く添加しない雰囲気
で成膜を行つた場合に作製される半導体装置
（H2Si（CH3）2を全く添加しない点以外において
は本実施例と同じ構成を有する半導体装置）の電
圧−電流特性（Ｖ−Ｉ特性）を曲線を５１，５
１′として示す。
この図の曲線５１より炭素がＩ層に添加されて
いない従来の半導体装置においてはそのしきい値
が１〜2V程度しかないことがわかる。
いない従来の半導体装置においてはそのしきい値
が１〜2V程度しかないことがわかる。
これに対して本実施例において作製された半導
体装置は10V以上のしきい値電圧が得られている
ことがわかる。
体装置は10V以上のしきい値電圧が得られている
ことがわかる。
また原点に対する対称性も曲線５２，５２′す
なわち本実施例のＶ−Ｉ特性の方がよいことがわ
かる。
なわち本実施例のＶ−Ｉ特性の方がよいことがわ
かる。
このように本実施例に示した半導体装置のＩ型
半導体層に炭素を添加した場合、同じ構成の炭素
を添加しない半導体装置に比べてそのしきい値電
圧は高く、Ｖ−Ｉ特性の対称性も向上することが
わかる。
半導体層に炭素を添加した場合、同じ構成の炭素
を添加しない半導体装置に比べてそのしきい値電
圧は高く、Ｖ−Ｉ特性の対称性も向上することが
わかる。
上記に記した２点が本発明の構成をとつた場合
に実験的に得られる顕著な効果であるが、以下に
本発明の動作原理の概要を示した第４図Ａ〜Ｄ、
本発明の実施例におけるＶ−Ｉ特性を示した第５
図を用いて本発明の動作原理および効果について
説明する。
に実験的に得られる顕著な効果であるが、以下に
本発明の動作原理の概要を示した第４図Ａ〜Ｄ、
本発明の実施例におけるＶ−Ｉ特性を示した第５
図を用いて本発明の動作原理および効果について
説明する。
第４図Ａは水素が添加された非晶質珪素よりな
るＮ型半導体（厚さ500Å以下好ましくは100〜
200Å）の第１の半導体Ｎ１２、水素が添加され
たSixC1-X（０＜Ｘ＜１）で示される真性または
実質的に真性の非晶質半導体よりなる第２の半導
体Ｉ１３、第１の半導体と同一特性を有する第３
の半導体Ｎ１４構造を有する半導体２である。そ
の厚さはＮ１２は100〜200Å、Ｉ１３は2000〜
4000Å、Ｎ１４は100〜200Åである。この場合の
電圧が基板側端子２１を基準として２２に印加さ
れていない場合におけるエネルギバンド図を、第
４図Ｂに示す。この図面において、NI界面３１、
IN界面３２は概略同一曲線性３１，３２を有し
ている。
るＮ型半導体（厚さ500Å以下好ましくは100〜
200Å）の第１の半導体Ｎ１２、水素が添加され
たSixC1-X（０＜Ｘ＜１）で示される真性または
実質的に真性の非晶質半導体よりなる第２の半導
体Ｉ１３、第１の半導体と同一特性を有する第３
の半導体Ｎ１４構造を有する半導体２である。そ
の厚さはＮ１２は100〜200Å、Ｉ１３は2000〜
4000Å、Ｎ１４は100〜200Åである。この場合の
電圧が基板側端子２１を基準として２２に印加さ
れていない場合におけるエネルギバンド図を、第
４図Ｂに示す。この図面において、NI界面３１、
IN界面３２は概略同一曲線性３１，３２を有し
ている。
これは上記に記した本実施例である半導体装置
の電気的特性として得られたＶ−Ｉ特性より説明
される。
の電気的特性として得られたＶ−Ｉ特性より説明
される。
本実施例の構成においてはIN界面が２ケ所あ
るが、もしIN界面における珪素のＮ層への混合、
あるいはＮ層からのリンの混入にがあると、一般
にこの２ケ所のIN界面において同じような構成
成分の混合あるいは不純物の拡散が起こることは
有り得ない。例えば、一般に気相化学反応法によ
つて第１のＮ型半導体層、Ｉ型半導体層、第２の
Ｎ型半導体層と順に積層していく場合において、
第１のＮ型半導体層を成膜した後Ｉ型半導体層を
成膜する際、前に成膜した第１のＮ型半導体層は
Ｉ型半導体層を形成するための活性化した反応ガ
スに表面が曝されることになる。この結果第１の
Ｎ型半導体層の表面はＩ型半導体層を形成するた
めの反応ガスの反応エネルギーによつて活性化
し、Ｉ型半導体層を形成するための反応ガスと反
応してしまう。この結果第１のＮ型半導体層の表
面付近において、Ｉ型半導体層を構成する元素す
なわち珪素が混合してしまう。
るが、もしIN界面における珪素のＮ層への混合、
あるいはＮ層からのリンの混入にがあると、一般
にこの２ケ所のIN界面において同じような構成
成分の混合あるいは不純物の拡散が起こることは
有り得ない。例えば、一般に気相化学反応法によ
つて第１のＮ型半導体層、Ｉ型半導体層、第２の
Ｎ型半導体層と順に積層していく場合において、
第１のＮ型半導体層を成膜した後Ｉ型半導体層を
成膜する際、前に成膜した第１のＮ型半導体層は
Ｉ型半導体層を形成するための活性化した反応ガ
スに表面が曝されることになる。この結果第１の
Ｎ型半導体層の表面はＩ型半導体層を形成するた
めの反応ガスの反応エネルギーによつて活性化
し、Ｉ型半導体層を形成するための反応ガスと反
応してしまう。この結果第１のＮ型半導体層の表
面付近において、Ｉ型半導体層を構成する元素す
なわち珪素が混合してしまう。
また、Ｉ型半導体層を成膜した後、第２のＮ型
半導体層を成膜する際において、今度はＩ型半導
体層表面が第２のＮ型半導体層を成膜するための
反応ガスの反応エネルギによつて活性化されるの
でＩ型半導体層表面付近に第２のＮ型半導体層に
添加される不純物元素例えばリンが混入拡散して
しまう。
半導体層を成膜する際において、今度はＩ型半導
体層表面が第２のＮ型半導体層を成膜するための
反応ガスの反応エネルギによつて活性化されるの
でＩ型半導体層表面付近に第２のＮ型半導体層に
添加される不純物元素例えばリンが混入拡散して
しまう。
この結果二つのIN界面における不純物および
構成成分の現在の状態が違つてしまう。
構成成分の現在の状態が違つてしまう。
したがつて一般に二ケ所のIN界面における構
成成分の混合あるいは不純物の拡散の状態はアン
バランスであるのが現実である。
成成分の混合あるいは不純物の拡散の状態はアン
バランスであるのが現実である。
この結果、構成成分の現在比、あるいはリン等
の一導電型を付与する不純物の濃度は、この二ケ
所のIN界面近傍において異なつていると認識す
るのが自然である。
の一導電型を付与する不純物の濃度は、この二ケ
所のIN界面近傍において異なつていると認識す
るのが自然である。
このような異なつた構成成分の現在比、あるい
は一導電型を付与する不純物であるリンの濃度を
有する二つのIN界面近傍のエネルギーバンド図
の状態は当然異なつていると考えられる。
は一導電型を付与する不純物であるリンの濃度を
有する二つのIN界面近傍のエネルギーバンド図
の状態は当然異なつていると考えられる。
二つのNI界面近傍のエネルギーバンド図の状
態が異なつていれば、この半導体装置のＶ−Ｉ特
性は、原点に対する対称性が二つのNI界面近傍
のエネルギーバンド図の状態の違いに応じて崩れ
るはずである。
態が異なつていれば、この半導体装置のＶ−Ｉ特
性は、原点に対する対称性が二つのNI界面近傍
のエネルギーバンド図の状態の違いに応じて崩れ
るはずである。
しかるに従来の炭素がＩ層に添加されていない
半導体装置においては実測されたＶ−Ｉ特性の原
点に対する対称性が著しく崩れていた。これは第
４図５１，５１′を見れば明らかである。
半導体装置においては実測されたＶ−Ｉ特性の原
点に対する対称性が著しく崩れていた。これは第
４図５１，５１′を見れば明らかである。
それに対して本発明の構成である炭素をＩ層に
添加した本実施例においては明らかに原点にたい
する対称性を持つたＶ−Ｉ特性が得られていると
がわかる。これは第４図５２，５２′を見れば明
らかである。
添加した本実施例においては明らかに原点にたい
する対称性を持つたＶ−Ｉ特性が得られていると
がわかる。これは第４図５２，５２′を見れば明
らかである。
ここで、Ｖ−Ｉ特性の原点に対する対称性の崩
れる原因を構成成分の混合あるいは不純物の拡散
にあると認識するならば、本実施例における第１
のはＶ−Ｉ特性の原点に対する対称性のよさは、
構成成分の混合あるいは不純物の拡散が起こらな
いためであると結論できる。
れる原因を構成成分の混合あるいは不純物の拡散
にあると認識するならば、本実施例における第１
のはＶ−Ｉ特性の原点に対する対称性のよさは、
構成成分の混合あるいは不純物の拡散が起こらな
いためであると結論できる。
以上のことにより一般的に考えて実験的に得ら
れるデータであるＶ−Ｉ特性の原点に対する対称
性のよさは、炭素を添加することによつて不純物
および構成成分の混合を防止できたためであると
考えらのが自然である。
れるデータであるＶ−Ｉ特性の原点に対する対称
性のよさは、炭素を添加することによつて不純物
および構成成分の混合を防止できたためであると
考えらのが自然である。
こうして炭素を添加することによつて、第３図
Ｂのエネルギバンド図で示される電気的特性を本
実施例が有していることがわかる。
Ｂのエネルギバンド図で示される電気的特性を本
実施例が有していることがわかる。
この場合のＩ層内へのDMS（ジメチルシラン）
の添加はＩ層内で一定とした。即ち第２図Ｃに示
す如くＩ層形成の際、DMS／SiH4＝１／50とし
た。
の添加はＩ層内で一定とした。即ち第２図Ｃに示
す如くＩ層形成の際、DMS／SiH4＝１／50とし
た。
第４図Ｃにおいて、基板２１に比べて２２に正
の電圧（＋Va）を印加すると、第４図Ｃのエネ
ルギバンド構造となる。すると電子４３は、障壁
４１が４１′にその高さを低くするに準じて順方
向の電流として流れる。そして第５図曲線５２を
得る。
の電圧（＋Va）を印加すると、第４図Ｃのエネ
ルギバンド構造となる。すると電子４３は、障壁
４１が４１′にその高さを低くするに準じて順方
向の電流として流れる。そして第５図曲線５２を
得る。
また、逆に、端子２２に負の電圧（−Va）が
加わると、Ｄに示される如く、障壁４２が４２′
と低くなり、そのＮ型半導体層１４の電子４３′
が１４より１３へと流れて、第５図曲線５２′を
得る。
加わると、Ｄに示される如く、障壁４２が４２′
と低くなり、そのＮ型半導体層１４の電子４３′
が１４より１３へと流れて、第５図曲線５２′を
得る。
結果として、第５図に示す如き非線型特性５
２，５２′を第４図Ｃ，Ｄに対応して有せしめる
ことができる。
２，５２′を第４図Ｃ，Ｄに対応して有せしめる
ことができる。
またＩ層の炭素を添加したため、＋Vaにおいて
は、しきい値を１〜2Vよりより高く、例えば
10V以上にし得る。加えてこのＩ層中の炭素が
SixC1-Xと珪素と十分結合するため、IN界面３２
における珪素のＮ層への混合を防ぎ、逆方向側
（−Va側）も５１′より５２′としきい値を低く、
かつ５２と原点に対し対称性を有せしめ得る。
は、しきい値を１〜2Vよりより高く、例えば
10V以上にし得る。加えてこのＩ層中の炭素が
SixC1-Xと珪素と十分結合するため、IN界面３２
における珪素のＮ層への混合を防ぎ、逆方向側
（−Va側）も５１′より５２′としきい値を低く、
かつ５２と原点に対し対称性を有せしめ得る。
即ち、このNIN接合にあつては、立ち上がり
電圧（しきい値）電圧100、100′はこの第４図に
おける障壁の高さ４１，４２および巾３１，３２
により決められる。
電圧（しきい値）電圧100、100′はこの第４図に
おける障壁の高さ４１，４２および巾３１，３２
により決められる。
実施例 ２
本発明においては、実施例１におけるＩ層側の
NI界面、IN界面をより急唆とするため、第２図
Ｄに示すごとくに炭素の添加量を界面近傍に増加
させた。即ち、第２の半導体を形成する初期工程
において、メチルシラン／シランの比を多くし
て、プラズマ気相法で５〜30Åのきわめて薄い厚
さにバリア３４を形成させた。すると、このしき
い値100、100′がさらに急唆となり、第５図の曲
線５３，５３′を得ることができた。
NI界面、IN界面をより急唆とするため、第２図
Ｄに示すごとくに炭素の添加量を界面近傍に増加
させた。即ち、第２の半導体を形成する初期工程
において、メチルシラン／シランの比を多くし
て、プラズマ気相法で５〜30Åのきわめて薄い厚
さにバリア３４を形成させた。すると、このしき
い値100、100′がさらに急唆となり、第５図の曲
線５３，５３′を得ることができた。
加えて、このNI界面、IN界面の双方に対して
５〜30Åのトンネル電流を流しえる障壁（バリ
ア））３４，３５を作り、第２図Ｅの構成とする
と、Ｖ−Ｉ特性と第５図曲線５４，５４′を得る
ことができた。
５〜30Åのトンネル電流を流しえる障壁（バリ
ア））３４，３５を作り、第２図Ｅの構成とする
と、Ｖ−Ｉ特性と第５図曲線５４，５４′を得る
ことができた。
この第５図のＶ−Ｉ特性を縦軸に対しログスケ
ールとして第６図に対応して示す。すると、第２
図Ｄ，Ｅに示す如き界面に炭素を高濃度とし、不
純物、構成物のそれぞれの層での混合を防止する
バリアを構成させると、しきい値が＋Vaと−Va
において対称特性をより有するに加えて、第６図
での低電流領域である発生領域６１，６１′は、
より平坦になり、大電流領域である６２，６２′
の拡散電流領域はより急唆に立ち上がるため、
「ON」、「OFF」の境界を示すしきい値100、
100′をより明確にすることができ得る。
ールとして第６図に対応して示す。すると、第２
図Ｄ，Ｅに示す如き界面に炭素を高濃度とし、不
純物、構成物のそれぞれの層での混合を防止する
バリアを構成させると、しきい値が＋Vaと−Va
において対称特性をより有するに加えて、第６図
での低電流領域である発生領域６１，６１′は、
より平坦になり、大電流領域である６２，６２′
の拡散電流領域はより急唆に立ち上がるため、
「ON」、「OFF」の境界を示すしきい値100、
100′をより明確にすることができ得る。
実施例 ３
本実例は、一対のガラス基板とその内側に形成
された一対の透明導電性の複数の電極と、該複数
の電極間に介在する液晶とを有して、複数の画素
を構成せしめ、前記画素を構成する一対の電極の
一方の電極に直列に連結して逆向整流特性を有す
る非線型素子を設け、該非線型素子は前記連結し
た電極、炭素を含有する層及び他方の電極とを有
し、該他方の電極と前記一対の電極の他方との間
で複数の画素をマトリクス配列させて設けたこと
を特徴とする固体表示装置の実施例である。
された一対の透明導電性の複数の電極と、該複数
の電極間に介在する液晶とを有して、複数の画素
を構成せしめ、前記画素を構成する一対の電極の
一方の電極に直列に連結して逆向整流特性を有す
る非線型素子を設け、該非線型素子は前記連結し
た電極、炭素を含有する層及び他方の電極とを有
し、該他方の電極と前記一対の電極の他方との間
で複数の画素をマトリクス配列させて設けたこと
を特徴とする固体表示装置の実施例である。
この実施例は第７図に第１図における１，１で
の平面図Ａ及び縦断面図Ｂ，Ｃ，Ｄが示されてい
る。
の平面図Ａ及び縦断面図Ｂ，Ｃ，Ｄが示されてい
る。
さらに第７図Ｂ，ＣはＡにおけるそれぞれＢ−
B′，Ａ−A′での縦断面図を記す。加えて、第７
図ＤはＡにおけるＣ−C′の縦断面図を示してい
る。
B′，Ａ−A′での縦断面図を記す。加えて、第７
図ＤはＡにおけるＣ−C′の縦断面図を示してい
る。
この素子の製造方法は実施例１と同様である。
即ち、第１のマスクにより第３の電極２３および
第１の電極２１を構成せしめる。さらに、Ｎ１
２，Ｉ１３，Ｎ１４を実施例１または２により構
成する。さらに上側電極１５，１６を形成する。
次に第７図に示す如く、リード４、第２の電極２
２をCCl4を用いてクロムまたはアルミニユーム
をプラズマエツチングした。さらにSnO2１５、
半導体２をエツチングして除去し、さらに第１の
電極上の不要部を除去した。
即ち、第１のマスクにより第３の電極２３および
第１の電極２１を構成せしめる。さらに、Ｎ１
２，Ｉ１３，Ｎ１４を実施例１または２により構
成する。さらに上側電極１５，１６を形成する。
次に第７図に示す如く、リード４、第２の電極２
２をCCl4を用いてクロムまたはアルミニユーム
をプラズマエツチングした。さらにSnO2１５、
半導体２をエツチングして除去し、さらに第１の
電極上の不要部を除去した。
かくして１回の重ね合わせプロセスを行う第２
のマスクにより、概略同一形状にＸ方向のリー
ド４、第２の電極２２、半導体２、複合ダイオー
ドの下側電極（第１の電極）２２を形成させるこ
とができた。加えてこの複合ダイオードはその上
下面もともに遮光用のクロムで余分のマスク工程
を用いることなしに覆うことができ、複合ダイオ
ード特性を有せしめることができた。
のマスクにより、概略同一形状にＸ方向のリー
ド４、第２の電極２２、半導体２、複合ダイオー
ドの下側電極（第１の電極）２２を形成させるこ
とができた。加えてこの複合ダイオードはその上
下面もともに遮光用のクロムで余分のマスク工程
を用いることなしに覆うことができ、複合ダイオ
ード特性を有せしめることができた。
さらに相対する液晶の他方の第４の電極２４、
リード６は他の第１のマスクによりＹ方向の配
線として形成させた。
リード６は他の第１のマスクによりＹ方向の配
線として形成させた。
以上のことより、この面に１つのアクテイブ絵
素を形成するのに３種類のマスクを用いるのみで
Ｘ方向およびＹ方向の配線を設け、非線型素子に
より絵素すなわち画素を駆動するといういわゆる
アクテイブ画素をマトリツクス配列させることが
できた。
素を形成するのに３種類のマスクを用いるのみで
Ｘ方向およびＹ方向の配線を設け、非線型素子に
より絵素すなわち画素を駆動するといういわゆる
アクテイブ画素をマトリツクス配列させることが
できた。
特にその場合、重合わせマスクは２枚（１回）
のみでよいという特長を有する。
のみでよいという特長を有する。
表示パネルとしては、この後第１図に示す周辺
回路８，９をハイブリツド構成として基板上に単
結晶ICをボンデイングして作製した。さらに、
対抗する他の絶縁基板１８を約６〜10μの巾に離
間させ、その〓間を真空引きをした後、公知の液
晶１０を封入した。
回路８，９をハイブリツド構成として基板上に単
結晶ICをボンデイングして作製した。さらに、
対抗する他の絶縁基板１８を約６〜10μの巾に離
間させ、その〓間を真空引きをした後、公知の液
晶１０を封入した。
かくして３枚のみのマスクでアクテイブ素子型
のパネルをパターニングさせることが可能となつ
た。
のパネルをパターニングさせることが可能となつ
た。
「効果」
本発明は以上に示す如く、対称型のＶ−Ｉ特性
を有する複合ダイオードを構成せしめるため、Ｉ
層内に炭素を添加したものである。さらにこの非
線型素子はその応用である表示素子に用いる液晶
およびＳ／Ｎ比に適したしきい値を、Ｉ層への炭
素の添加量の制御を行うことにより成就できた。
さらに加えて、NI、IN接合界面に炭素を内部に
比べ多量に添加することにより、しきい値以下の
電圧での電流を平坦にし、このしきい値以上の電
圧での電流を急唆にせしめる特性用のプロセス制
御を行うことができる。
を有する複合ダイオードを構成せしめるため、Ｉ
層内に炭素を添加したものである。さらにこの非
線型素子はその応用である表示素子に用いる液晶
およびＳ／Ｎ比に適したしきい値を、Ｉ層への炭
素の添加量の制御を行うことにより成就できた。
さらに加えて、NI、IN接合界面に炭素を内部に
比べ多量に添加することにより、しきい値以下の
電圧での電流を平坦にし、このしきい値以上の電
圧での電流を急唆にせしめる特性用のプロセス制
御を行うことができる。
さらにダイオードと電極リードとが一体化して
いるため、きわめて少ないマスク（３枚）（重合
わせは１回）でパターニングを行うことができ、
製造歩溜りを向上させることができる。
いるため、きわめて少ないマスク（３枚）（重合
わせは１回）でパターニングを行うことができ、
製造歩溜りを向上させることができる。
複合ダイオードのNIN接合またはPIP接合特性
を用いるため、プロセス上のバラツキが少ない。
を用いるため、プロセス上のバラツキが少ない。
交流駆動方式であり、特にそのダイオードのし
きい値を気相反応法を用いた半導体層の積層時に
おけるプロセス条件により制御し得るため、階調
制御がしやすいという特徴を有する。
きい値を気相反応法を用いた半導体層の積層時に
おけるプロセス条件により制御し得るため、階調
制御がしやすいという特徴を有する。
本発明において、Ｉ層内に炭素を添加した。し
かし炭素ではなく、酸素または窒素としてもよ
い。しかしこれらは絶縁物化しやすいため、その
添加量の制御がより微妙であり、製造のしやすさ
では炭素に比べて困難さを有している。
かし炭素ではなく、酸素または窒素としてもよ
い。しかしこれらは絶縁物化しやすいため、その
添加量の制御がより微妙であり、製造のしやすさ
では炭素に比べて困難さを有している。
第１図は本発明の液晶表示パネルを回路図を示
す。第２図は本発明の複合ダイオードの縦断面図
Ａ，ＢおよびＩ層への炭素添加の濃度分布Ｃ，Ｄ
を示す。第３図は従来より公知のアモルスアスシ
リコンのみを用いたNIN接合の動作特性を示す。
第４図は本発明のＩ層内に炭素を添加したNIN
接合型複合ダイオードの非線型素子の動作原理を
示す。第５図、第６図は従来の特性５１，５１′
および本発明の特性５２，５２′，５３，５３′，
５４，５４′を示す。第７図は本発明の表示パネ
ルの１絵素の構造を示す。
す。第２図は本発明の複合ダイオードの縦断面図
Ａ，ＢおよびＩ層への炭素添加の濃度分布Ｃ，Ｄ
を示す。第３図は従来より公知のアモルスアスシ
リコンのみを用いたNIN接合の動作特性を示す。
第４図は本発明のＩ層内に炭素を添加したNIN
接合型複合ダイオードの非線型素子の動作原理を
示す。第５図、第６図は従来の特性５１，５１′
および本発明の特性５２，５２′，５３，５３′，
５４，５４′を示す。第７図は本発明の表示パネ
ルの１絵素の構造を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対のガラス基板とその内側に形成された一
対の透明導電性の複数の電極と、該複数の電極間
に介在する液晶とを有して、複数の画素を構成せ
しめ、前記画素を構成する一対の電極の一方の電
極に直列に連結して非線型特性を有する非線型素
子を設け、該非線型素子は一導電型を有する第１
の非単結晶珪素半導体層、炭素を含有する真性ま
たは実質的に真性な第２の非単結晶珪素半導体
層、前記第１の非単結晶珪素半導体層と同一導電
型を有する第３の非単結晶珪素半導体層を有し、
該第３の非単結晶珪素半導体層と前記一対の電極
の他方との間で複数の画素をマトリクス配列させ
て設けたことを特徴とする固体表示装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、非線型素子
はSiXC1-X（０＜ｘ＜１）を有しかつ水素またはハ
ロゲン元素を含有することを特徴とする固体表示
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206080A JPS6184069A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 固体表示装置 |
| US07/000,155 US4744862A (en) | 1984-10-01 | 1987-01-02 | Manufacturing methods for nonlinear semiconductor element and liquid crystal display panel using the same |
| US07/203,641 US4855805A (en) | 1984-10-01 | 1988-06-03 | Nonlinear semiconductor element, liquid crystal display panel using the same and their manufacturing methods |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206080A JPS6184069A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 固体表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184069A JPS6184069A (ja) | 1986-04-28 |
| JPH0516197B2 true JPH0516197B2 (ja) | 1993-03-03 |
Family
ID=16517491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59206080A Granted JPS6184069A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 固体表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184069A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285471A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜ダイオ−ド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102076A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Seiko Epson Corp | Switching element |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP59206080A patent/JPS6184069A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102076A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Seiko Epson Corp | Switching element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6184069A (ja) | 1986-04-28 |
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