JPH05160502A - 面発光型半導体レーザ装置 - Google Patents
面発光型半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05160502A JPH05160502A JP32041591A JP32041591A JPH05160502A JP H05160502 A JPH05160502 A JP H05160502A JP 32041591 A JP32041591 A JP 32041591A JP 32041591 A JP32041591 A JP 32041591A JP H05160502 A JPH05160502 A JP H05160502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser device
- semiconductor laser
- type
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は単一の直線偏光のレーザ光を安定に
発振する量子井戸構造の面発光型半導体レーザ装置を提
供することが目的である。 【構成】 量子井戸構造の活性層４を構成する井戸層４
ａは、せん亜鉛鉱型結晶構造またはダイヤモンド型結晶
構造の材料から形成され、且つその上面及び下面を（１
１０）面とした構成で、引っ張り歪みを有している。
発振する量子井戸構造の面発光型半導体レーザ装置を提
供することが目的である。 【構成】 量子井戸構造の活性層４を構成する井戸層４
ａは、せん亜鉛鉱型結晶構造またはダイヤモンド型結晶
構造の材料から形成され、且つその上面及び下面を（１
１０）面とした構成で、引っ張り歪みを有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、量子井戸構造の面発光
型半導体レーザ装置に関する。
型半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】量子井戸構造の活性層をもつ半導体レー
ザ装置は、バルク構造の活性層をもつ半導体レーザ装置
に比較して閾値電流が低減できると考えられており、活
発に研究が行われている。
ザ装置は、バルク構造の活性層をもつ半導体レーザ装置
に比較して閾値電流が低減できると考えられており、活
発に研究が行われている。
【０００３】従来、（００１）基板面上にIII−Ｖ族半
導体からなる量子井戸構造の活性層を有する面発光型半
導体レーザ装置が主に研究されてきたが、近年、（１１
１）または（１１０）基板面上に前記活性層を有する半
導体レーザ装置も良好な特性をもつことが報告されてい
る。例えば、Japanese Journal of Applied PhysicsVol
30,P1944〜P1945において、（１１０）基板面上に歪み
のない量子井戸構造の活性層をもつ面発光型半導体レー
ザ装置について記載されている。
導体からなる量子井戸構造の活性層を有する面発光型半
導体レーザ装置が主に研究されてきたが、近年、（１１
１）または（１１０）基板面上に前記活性層を有する半
導体レーザ装置も良好な特性をもつことが報告されてい
る。例えば、Japanese Journal of Applied PhysicsVol
30,P1944〜P1945において、（１１０）基板面上に歪み
のない量子井戸構造の活性層をもつ面発光型半導体レー
ザ装置について記載されている。
【０００４】斯る半導体レーザ装置は、その活性層が例
えばＧａＡｓからなる井戸層とＡｌ 0.3Ｇａ0.7Ａｓから
なる障壁層とから構成される多重量子井戸構造の場合、
活性層がＧａＡｓバルクの場合に比べて、閾値電流が低
減できると共に［１−１０］、及び［００１］軸方向の
直線偏光に対する振動子強度がそれぞれ１．６３倍、
１．３８倍となり、光出力特性も改善されるものであ
る。
えばＧａＡｓからなる井戸層とＡｌ 0.3Ｇａ0.7Ａｓから
なる障壁層とから構成される多重量子井戸構造の場合、
活性層がＧａＡｓバルクの場合に比べて、閾値電流が低
減できると共に［１−１０］、及び［００１］軸方向の
直線偏光に対する振動子強度がそれぞれ１．６３倍、
１．３８倍となり、光出力特性も改善されるものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、斯る半
導体レーザ装置は、［１−１０］軸方向の直線偏光の振
動子強度と、［００１］軸方向の直線偏光に対する振動
子強度とは、振動子強度の比が１．１６倍である上記例
でも示すように、これら振動子強度の差が小さい。この
ため、レーザ光出力閾値付近でレーザ装置を駆動する
際、［１−１０］または［００１］軸方向の直線偏光の
光（偏波モード）のどちらか一方に固定されて出力され
ず、偏波モード間を揺らぐため偏波モードが不安定とな
る。又、高速変調時における駆動電流の変化によって偏
波モードが不安定になるといった問題があった。
導体レーザ装置は、［１−１０］軸方向の直線偏光の振
動子強度と、［００１］軸方向の直線偏光に対する振動
子強度とは、振動子強度の比が１．１６倍である上記例
でも示すように、これら振動子強度の差が小さい。この
ため、レーザ光出力閾値付近でレーザ装置を駆動する
際、［１−１０］または［００１］軸方向の直線偏光の
光（偏波モード）のどちらか一方に固定されて出力され
ず、偏波モード間を揺らぐため偏波モードが不安定とな
る。又、高速変調時における駆動電流の変化によって偏
波モードが不安定になるといった問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の基板上面に井戸
層と障壁層からなる量子井戸構造の活性層を含む半導体
層を有する半導体レーザ装置は、該活性層はせん亜鉛鉱
型結晶構造またはダイヤモンド型結晶構造の材料からな
り、且つ該井戸層の上面及び下面が（１１０）面であ
り、且つ該井戸層は引っ張り歪みを有することを特徴と
し、特に、前記基板がせん亜鉛鉱型結晶構造またはダイ
ヤモンド型結晶構造の材料からなり、該基板上面が（１
１０）面であることを特徴とする。
層と障壁層からなる量子井戸構造の活性層を含む半導体
層を有する半導体レーザ装置は、該活性層はせん亜鉛鉱
型結晶構造またはダイヤモンド型結晶構造の材料からな
り、且つ該井戸層の上面及び下面が（１１０）面であ
り、且つ該井戸層は引っ張り歪みを有することを特徴と
し、特に、前記基板がせん亜鉛鉱型結晶構造またはダイ
ヤモンド型結晶構造の材料からなり、該基板上面が（１
１０）面であることを特徴とする。
【０００７】
【作用】せん亜鉛鉱型結晶構造またはダイヤモンド型結
晶構造の材料からなり、引っ張り歪をもつ井戸層の上面
及び下面を（１１０）面とすると、［１−１０］軸方向
の直線偏光の振動子強度と、［００１］軸方向の直線偏
光の振動子強度との差が大きくなる。
晶構造の材料からなり、引っ張り歪をもつ井戸層の上面
及び下面を（１１０）面とすると、［１−１０］軸方向
の直線偏光の振動子強度と、［００１］軸方向の直線偏
光の振動子強度との差が大きくなる。
【０００８】特に、基板がせん亜鉛鉱型結晶構造または
ダイヤモンド型結晶構造の材料からなり、該基板上面が
（１１０）面であると、上面及び下面が（１１０）面で
あり、且つ引っ張り歪みをもつ井戸層を容易に形成でき
る。
ダイヤモンド型結晶構造の材料からなり、該基板上面が
（１１０）面であると、上面及び下面が（１１０）面で
あり、且つ引っ張り歪みをもつ井戸層を容易に形成でき
る。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しつつ
説明する。図１は本実施例の面発光型半導体レーザ装置
を示す断面図である。
説明する。図１は本実施例の面発光型半導体レーザ装置
を示す断面図である。
【００１０】１はｎ型ＩｎＰからなる基板である。この
基板１の（１１０）面上には、ｎ型Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａ
ｓ膜とＩｎＰ膜との２５ペアからなる３μｍ厚の反射層
２、０．５μｍ厚のｎ型Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓクラッド
層３がこの順次に形成されている。この反射層２、及び
ｎ型クラッド層３を構成するｎ型、及びｐ型ＡｌUＩｎ
1-UＡｓは基板１との格子定数が一致するように組成比
Ｕが０．４８に設定されている。従って、前記基板１、
反射層２、及びｎ型クラッド層３を構成する材料の格子
定数は一致しているのである。
基板１の（１１０）面上には、ｎ型Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａ
ｓ膜とＩｎＰ膜との２５ペアからなる３μｍ厚の反射層
２、０．５μｍ厚のｎ型Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓクラッド
層３がこの順次に形成されている。この反射層２、及び
ｎ型クラッド層３を構成するｎ型、及びｐ型ＡｌUＩｎ
1-UＡｓは基板１との格子定数が一致するように組成比
Ｕが０．４８に設定されている。従って、前記基板１、
反射層２、及びｎ型クラッド層３を構成する材料の格子
定数は一致しているのである。
【００１１】図２に示すように前記ｎ型クラッド層３上
には、ＧａXＩｎ1-XＡｓからなる上面及び下面が（１１
０）面であり、且つ引っ張り歪みをもつ６．５ｎｍ厚の
井戸層４ａとＡｌ0.48IＩｎ0.52Ａｓからなる１０ｎｍ
厚の上面及び下面が（１１０）面である障壁層４ｂが交
互に積層されて井戸層４ａが障壁層４ｂ間に構成される
多重井戸構造をもつ全厚１μｍ厚の活性層４が形成され
ている。ここで、障壁層４ｂの格子定数も前記基板１等
と一致している。
には、ＧａXＩｎ1-XＡｓからなる上面及び下面が（１１
０）面であり、且つ引っ張り歪みをもつ６．５ｎｍ厚の
井戸層４ａとＡｌ0.48IＩｎ0.52Ａｓからなる１０ｎｍ
厚の上面及び下面が（１１０）面である障壁層４ｂが交
互に積層されて井戸層４ａが障壁層４ｂ間に構成される
多重井戸構造をもつ全厚１μｍ厚の活性層４が形成され
ている。ここで、障壁層４ｂの格子定数も前記基板１等
と一致している。
【００１２】前記活性層４上には、中心部に突出部を有
するｐ型Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓからなるクラッド層５が
形成されており、該突出部は例えば０．７μｍ厚であ
り、突出部以外の部分は例えば０．２μｍ厚である。前
記ｐ型クラッド層５の突出部上には、ｐ型ＩｎＰからな
る０．５μｍのキャップ層６が形成されている。
するｐ型Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓからなるクラッド層５が
形成されており、該突出部は例えば０．７μｍ厚であ
り、突出部以外の部分は例えば０．２μｍ厚である。前
記ｐ型クラッド層５の突出部上には、ｐ型ＩｎＰからな
る０．５μｍのキャップ層６が形成されている。
【００１３】前記ｐ型クラッド層５の突出部及びキャッ
プ層６を囲む態様で、該ｐ型クラッド層５上にｎ型Ｉｎ
Ｐからなる電流狭窄層７、ｐ型ＩｎＰからなる電流狭窄
層８がこの順に形成されている。
プ層６を囲む態様で、該ｐ型クラッド層５上にｎ型Ｉｎ
Ｐからなる電流狭窄層７、ｐ型ＩｎＰからなる電流狭窄
層８がこの順に形成されている。
【００１４】尚、本実施例では、基板１、又ｎ型クラッ
ド層３、ｐ型クラッド層５、活性層４、・・・電流狭窄
層８の半導体層の材料はせん亜鉛鉱型結晶構造である。
ド層３、ｐ型クラッド層５、活性層４、・・・電流狭窄
層８の半導体層の材料はせん亜鉛鉱型結晶構造である。
【００１５】前記ＧａXＩｎ1-XＡｓは、その組成比Ｘを
Ｘ＞０．４７とする場合に、その格子定数がＡｌ0.48Ｉ
ｎ0.52Ａｓの格子定数より小さくなる。このＧａXＩｎ
1-XＡｓ（Ｘ＞０．４７）からなる井戸層とＡｌ0.48Ｉ
ｎ0.52Ａｓからなる障壁層を上述のように交互に格子整
合させて活性層を形成すると、ＧａXＩｎ1-XＡｓ（Ｘ＞
０．４７）からなる井戸層に引っ張り歪みが発生して、
図３に示すように井戸層４ａ中の振動子強度が偏光方向
に関して異なるようになるのである。尚、この図で示さ
れる振動子強度は活性層がバルクである場合で規格化さ
れている。
Ｘ＞０．４７とする場合に、その格子定数がＡｌ0.48Ｉ
ｎ0.52Ａｓの格子定数より小さくなる。このＧａXＩｎ
1-XＡｓ（Ｘ＞０．４７）からなる井戸層とＡｌ0.48Ｉ
ｎ0.52Ａｓからなる障壁層を上述のように交互に格子整
合させて活性層を形成すると、ＧａXＩｎ1-XＡｓ（Ｘ＞
０．４７）からなる井戸層に引っ張り歪みが発生して、
図３に示すように井戸層４ａ中の振動子強度が偏光方向
に関して異なるようになるのである。尚、この図で示さ
れる振動子強度は活性層がバルクである場合で規格化さ
れている。
【００１６】この図３から、特にＸ＝０．７５の場合、
［００１］軸方向に直線偏光した光に対する光学遷移の
振動子強度は［１−１０］軸方向に直線偏光した光に対
する光学遷移の振動子強度の約４倍となり、Ｘ＝０．７
７の場合、約５００倍となることが判る。
［００１］軸方向に直線偏光した光に対する光学遷移の
振動子強度は［１−１０］軸方向に直線偏光した光に対
する光学遷移の振動子強度の約４倍となり、Ｘ＝０．７
７の場合、約５００倍となることが判る。
【００１７】この現象は、せん亜鉛鉱型結晶構造の材料
からなり、上面及び下面が（１１０）面となる井戸層に
引っ張り歪みが発生することにより、重い正孔バンドエ
ネルギー準位と軽い正孔バンドエネルギー準位の混合、
即ちＪZ＝３／２の準位とＪZ＝−１／２の準位の混合、
及びＪZ＝−３／２の準位とＪZ＝１／２の準位の混合が
大きくなることに起因する。更に詳しく述べると、この
系のハミルトニアンに対する対角項の大きさを前記引っ
張り歪み量を変化させて小さくすることに対応するので
ある。
からなり、上面及び下面が（１１０）面となる井戸層に
引っ張り歪みが発生することにより、重い正孔バンドエ
ネルギー準位と軽い正孔バンドエネルギー準位の混合、
即ちＪZ＝３／２の準位とＪZ＝−１／２の準位の混合、
及びＪZ＝−３／２の準位とＪZ＝１／２の準位の混合が
大きくなることに起因する。更に詳しく述べると、この
系のハミルトニアンに対する対角項の大きさを前記引っ
張り歪み量を変化させて小さくすることに対応するので
ある。
【００１８】斯る半導体レーザ装置は、井戸層４ａを構
成するＧａXＩｎ1-XＡｓの組成比ＸをＸ＞０．７１程度
にすることにより、活性層が引っ張り歪みのない量子井
戸構造である場合に比べて、［００１］軸方向に直線偏
光した光に対する光学遷移の振動子強度を［１−１０］
軸方向に直線偏光した光に対する光学遷移の振動子強度
よりも大きくできるので、偏波モードが安定する。特
に、Ｘ≧０．７５、望ましくはＸ＝０．７７近傍の場合
に偏波モードが安定し、［００１］軸方向に直線偏光し
た光のみが安定して発振する。尚、Ｘ＞０．７５程度の
場合も偏波モードが安定するが、０．７１＜Ｘ≦０．７
７程度の場合には振動子強度が大きく、レーザ光出力も
大きくなるので望ましい。
成するＧａXＩｎ1-XＡｓの組成比ＸをＸ＞０．７１程度
にすることにより、活性層が引っ張り歪みのない量子井
戸構造である場合に比べて、［００１］軸方向に直線偏
光した光に対する光学遷移の振動子強度を［１−１０］
軸方向に直線偏光した光に対する光学遷移の振動子強度
よりも大きくできるので、偏波モードが安定する。特
に、Ｘ≧０．７５、望ましくはＸ＝０．７７近傍の場合
に偏波モードが安定し、［００１］軸方向に直線偏光し
た光のみが安定して発振する。尚、Ｘ＞０．７５程度の
場合も偏波モードが安定するが、０．７１＜Ｘ≦０．７
７程度の場合には振動子強度が大きく、レーザ光出力も
大きくなるので望ましい。
【００１９】又、上記井戸層の厚みを小さくすると、上
記より大きなＸの値で偏波モードが安定するので、井戸
層の厚み等によってＸの値を設定する必要がある。
記より大きなＸの値で偏波モードが安定するので、井戸
層の厚み等によってＸの値を設定する必要がある。
【００２０】次に、斯る半導体レーザ装置の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２１】最初に、有機金属気相エピタキシー法また
は有機金属分子線エピタキシー法により、ｎ型ＩｎＰか
らなる基板１上にｎ型Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓ層とＩｎＰ
層を交互に積層して２５ペアからなる３μｍ厚の反射層
２、０．５μｍ厚のｎ型Ａｌ 0.48Ｉｎ0.52Ａｓクラッド
層３、１０ｎｍ厚のＡｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓ障壁層４ｂと
６．５ｎｍ厚のＧａXＩｎ1-XＡｓ井戸層（０．７１＜
Ｘ）４ａを交互に積層してなる１μｍ厚の量子井戸構造
の活性層４、０．７μｍ厚のｐ型Ａｌ0.48Ｉｎ0. 52Ａｓ
クラッド層５、及び０．５μｍ厚のｐ型ＩｎＰキャップ
層６をこの順に形成する。
は有機金属分子線エピタキシー法により、ｎ型ＩｎＰか
らなる基板１上にｎ型Ａｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓ層とＩｎＰ
層を交互に積層して２５ペアからなる３μｍ厚の反射層
２、０．５μｍ厚のｎ型Ａｌ 0.48Ｉｎ0.52Ａｓクラッド
層３、１０ｎｍ厚のＡｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓ障壁層４ｂと
６．５ｎｍ厚のＧａXＩｎ1-XＡｓ井戸層（０．７１＜
Ｘ）４ａを交互に積層してなる１μｍ厚の量子井戸構造
の活性層４、０．７μｍ厚のｐ型Ａｌ0.48Ｉｎ0. 52Ａｓ
クラッド層５、及び０．５μｍ厚のｐ型ＩｎＰキャップ
層６をこの順に形成する。
【００２２】次に、前記ｐ型キャップ層６上に直径７μ
ｍのＳｉＯ2マスクをスパッタリング法、電子ビーム蒸
着法、又は熱ＣＶＤ法とエッチング技術を用いて形成し
た後、このマスクを施した状態で反応性エッチングによ
りｐ型キャップ層６、及び活性層４が露出しない程度
に、例えば０．５μｍだけｐクラッド層５をエッチング
して、ｐ型クラッド層５に突出部を形成する。
ｍのＳｉＯ2マスクをスパッタリング法、電子ビーム蒸
着法、又は熱ＣＶＤ法とエッチング技術を用いて形成し
た後、このマスクを施した状態で反応性エッチングによ
りｐ型キャップ層６、及び活性層４が露出しない程度
に、例えば０．５μｍだけｐクラッド層５をエッチング
して、ｐ型クラッド層５に突出部を形成する。
【００２３】続いて、前記突出部を囲むように０．７μ
ｍのｎ型ＩｎＰ電流ブロック層７、０．３μｍのｐ型Ｉ
ｎＰ電流ブロック層８を選択成長する。
ｍのｎ型ＩｎＰ電流ブロック層７、０．３μｍのｐ型Ｉ
ｎＰ電流ブロック層８を選択成長する。
【００２４】本製造方法では、（１１０）基板上に半導
体材料からなる層（半導体層）をエピタキシー成長する
ので、クラッド層、障壁層、・・・等を基板と同じ格子
定数をもつ結晶構造及びそれらの層の上面及び下面を
（１１０）面にでき、この結果、井戸層の上面及び下面
を（１１０）面に容易にすることができる。更に前記井
戸層に引っ張り歪みを容易に発生させることがきる。
体材料からなる層（半導体層）をエピタキシー成長する
ので、クラッド層、障壁層、・・・等を基板と同じ格子
定数をもつ結晶構造及びそれらの層の上面及び下面を
（１１０）面にでき、この結果、井戸層の上面及び下面
を（１１０）面に容易にすることができる。更に前記井
戸層に引っ張り歪みを容易に発生させることがきる。
【００２５】本発明の半導体レーザ装置に係る半導体材
料に上記実施例に限定されず、例えばＧａＡｓ基板（１
１０）面上にＧａＩｎＰからなる井戸層とＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる障壁層の多重量子井戸構造の活性層を含むる
半導体層を構成するようにしてもよく、またＧａＩｎＡ
ｓＰ系を用いてもよく、更には井戸層がせん亜鉛鉱型結
晶構造またはダイヤモンド型結晶構造の半導体材料から
なり、その上面及び下面が（１１０）面であれば、前記
井戸層材料の組成比を適宜選択して引っ張り歪みを発生
させることにより、［００１］と［１−１０］軸方向の
直線偏光方向に対する振動子強度の差を大きくできるの
で、偏波モードの安定化が図れる。尚、基板、井戸層以
外の半導体層、例えば障壁層が歪みを有していてもよ
く、またその上面及び下面が（１１０）面でなくともよ
く、適宜変更可能である。
料に上記実施例に限定されず、例えばＧａＡｓ基板（１
１０）面上にＧａＩｎＰからなる井戸層とＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる障壁層の多重量子井戸構造の活性層を含むる
半導体層を構成するようにしてもよく、またＧａＩｎＡ
ｓＰ系を用いてもよく、更には井戸層がせん亜鉛鉱型結
晶構造またはダイヤモンド型結晶構造の半導体材料から
なり、その上面及び下面が（１１０）面であれば、前記
井戸層材料の組成比を適宜選択して引っ張り歪みを発生
させることにより、［００１］と［１−１０］軸方向の
直線偏光方向に対する振動子強度の差を大きくできるの
で、偏波モードの安定化が図れる。尚、基板、井戸層以
外の半導体層、例えば障壁層が歪みを有していてもよ
く、またその上面及び下面が（１１０）面でなくともよ
く、適宜変更可能である。
【００２６】本発明の面発光型半導体レーザ装置は、せ
ん亜鉛鉱型結晶構造、またはダイヤモンド型結晶構造か
らなり、引っ張り歪みを有する井戸層の上面及び下面を
（１１０）面と構成するので、偏波モードが安定する
ん亜鉛鉱型結晶構造、またはダイヤモンド型結晶構造か
らなり、引っ張り歪みを有する井戸層の上面及び下面を
（１１０）面と構成するので、偏波モードが安定する
【００２７】
【発明の効果】本発明の面発光型半導体レーザ装置は、
せん亜鉛鉱型結晶構造、またはダイヤモンド型結晶構造
からなり、引っ張り歪みを有する井戸層の上面及び下面
を（１１０）面を構成するので、単一の直線偏光のレー
ザ光を安定に発振でき、偏波モードを安定化することが
できる。
せん亜鉛鉱型結晶構造、またはダイヤモンド型結晶構造
からなり、引っ張り歪みを有する井戸層の上面及び下面
を（１１０）面を構成するので、単一の直線偏光のレー
ザ光を安定に発振でき、偏波モードを安定化することが
できる。
【００２８】また、基板がせん亜鉛鉱型結晶構造、また
はダイヤモンド型結晶構造からなり、その上面が（１１
０）面であると、井戸層の上面及び下面を容易に（１１
０）面とすることができ、また井戸層に引っ張り歪みを
容易に導入できる。
はダイヤモンド型結晶構造からなり、その上面が（１１
０）面であると、井戸層の上面及び下面を容易に（１１
０）面とすることができ、また井戸層に引っ張り歪みを
容易に導入できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の断
面図である。
面図である。
【図２】上記半導体レーザ装置の活性層の断面図であ
る。
る。
【図３】振動子強度とＧａXＩｎ1-XＡｓの組成比Ｘの関
係を示す図である。
係を示す図である。
１ 基板 ４ 活性層 ４ａ 井戸層 ４ｂ 障壁層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上面に、井戸層と障壁層からなる量
子井戸構造の活性層を含む半導体層を有する面発光型半
導体レーザ装置において、該井戸層はせん亜鉛鉱型結晶
構造またはダイヤモンド型結晶構造の材料からなり、且
つ該井戸層の上面及び下面が（１１０）面であり、且つ
該井戸層は引っ張り歪みを有することを特徴とする面発
光型半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記基板がせん亜鉛鉱型結晶構造または
ダイヤモンド型結晶構造の材料からなり、該基板上面が
（１１０）面であることを特徴とする請求項１記載の面
発光型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32041591A JPH05160502A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32041591A JPH05160502A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160502A true JPH05160502A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18121202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32041591A Pending JPH05160502A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5778018A (en) * | 1994-10-13 | 1998-07-07 | Nec Corporation | VCSELs (vertical-cavity surface emitting lasers) and VCSEL-based devices |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP32041591A patent/JPH05160502A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5778018A (en) * | 1994-10-13 | 1998-07-07 | Nec Corporation | VCSELs (vertical-cavity surface emitting lasers) and VCSEL-based devices |
| US6154479A (en) * | 1994-10-13 | 2000-11-28 | Nec Corporation | VCSELs (vertical-cavity surface emitting lasers) and VCSEL-based devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3504742B2 (ja) | レーザダイオード | |
| EP0579244B1 (en) | A semiconductor laser and a method for producing the same | |
| JP2558744B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| EP0545262B1 (en) | Strained quantum well laser diode | |
| US5469458A (en) | Surface-emitting semiconductor device | |
| KR910001161B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
| US5852625A (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
| US5644587A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH02130988A (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 | |
| JPH0211027B2 (ja) | ||
| JPH05160502A (ja) | 面発光型半導体レーザ装置 | |
| EP0528439B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP2000223776A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH1084170A (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 | |
| JPH07111367A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH02239680A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH0878773A (ja) | 面発光半導体レーザ | |
| JP2556270B2 (ja) | 歪量子井戸型半導体レーザ | |
| JPH09275239A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3033717B2 (ja) | 面発光半導体レーザ素子 | |
| JPH0278290A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH06104534A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH05308173A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05175601A (ja) | 多重量子井戸半導体レーザ | |
| JPH047594B2 (ja) |