JPH05160069A - 半導体装置のコンタクト及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置のコンタクト及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05160069A JPH05160069A JP32310391A JP32310391A JPH05160069A JP H05160069 A JPH05160069 A JP H05160069A JP 32310391 A JP32310391 A JP 32310391A JP 32310391 A JP32310391 A JP 32310391A JP H05160069 A JPH05160069 A JP H05160069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilicon
- contact
- substrate
- refractory metal
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 シリコン基板１上にＴi３を堆積させるステ
ップと、シラン系ガスを含む雰囲気中でシリコン基板１
に熱処理を行うことによりＴiＳix４を形成するステッ
プと、ＴiＳix４上にポリシリコン５を堆積させるステ
ップとを備えたことを特徴としている。 【効果】 シリコン基板１とポリシリコン５との間に形
成される安定な構造を有しかつ低抵抗の半導体装置のコ
ンタクトの製造方法が得られる効果がある。
ップと、シラン系ガスを含む雰囲気中でシリコン基板１
に熱処理を行うことによりＴiＳix４を形成するステッ
プと、ＴiＳix４上にポリシリコン５を堆積させるステ
ップとを備えたことを特徴としている。 【効果】 シリコン基板１とポリシリコン５との間に形
成される安定な構造を有しかつ低抵抗の半導体装置のコ
ンタクトの製造方法が得られる効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、安定な構造を有しか
つ低抵抗の半導体装置のコンタクト及びその製造方法に
関するものである。
つ低抵抗の半導体装置のコンタクト及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の高集積化に伴う構
成素子の縮小化が進むにつれ、半導体装置の電気特性の
高性能化が要求されてきている。しかしながら、半導体
装置のコンタクト径の縮小化によるコンタクト抵抗の増
加、配線長の増加による配線抵抗の増加、複雑化した素
子を形成する材料の耐熱性の問題等があり、半導体装置
の電気特性の高性能化の要求を満たすことは困難になり
つつある。これらの問題のうち材料の耐熱性の問題を解
決するものとして、シリコン系デバイスとの整合性の良
さ、耐熱性を有するポリシリコン（多結晶シリコン）が
挙げられるが、ポリシリコンを多用しても材料の耐熱性
の問題は簡単には解決されない。それは、ポリシリコン
の形成方法に以下に説明するような問題があるからであ
る。
成素子の縮小化が進むにつれ、半導体装置の電気特性の
高性能化が要求されてきている。しかしながら、半導体
装置のコンタクト径の縮小化によるコンタクト抵抗の増
加、配線長の増加による配線抵抗の増加、複雑化した素
子を形成する材料の耐熱性の問題等があり、半導体装置
の電気特性の高性能化の要求を満たすことは困難になり
つつある。これらの問題のうち材料の耐熱性の問題を解
決するものとして、シリコン系デバイスとの整合性の良
さ、耐熱性を有するポリシリコン（多結晶シリコン）が
挙げられるが、ポリシリコンを多用しても材料の耐熱性
の問題は簡単には解決されない。それは、ポリシリコン
の形成方法に以下に説明するような問題があるからであ
る。
【０００３】シリコン基板にポリシリコンを堆積させる
ことによりコンタクトを形成するプロセスの主流は、Ｌ
ＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）
による成膜である。ＬＰＣＶＤにおいては、バッチ式で
大容量のチャンバーを用いた処理が行われ、常に加熱さ
れた状態のチャンバー内に材料ガスを導入して成膜が行
われる（ホットウォール方式）。また、成膜されるシリ
コンウェハーを５００〜７００℃に加熱されたチャンバ
ー内に搬送する必要があり、この際、大気と接している
搬送口から大気中の酸素等をチャンバー内に巻き込んで
しまうという欠点がある。
ことによりコンタクトを形成するプロセスの主流は、Ｌ
ＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）
による成膜である。ＬＰＣＶＤにおいては、バッチ式で
大容量のチャンバーを用いた処理が行われ、常に加熱さ
れた状態のチャンバー内に材料ガスを導入して成膜が行
われる（ホットウォール方式）。また、成膜されるシリ
コンウェハーを５００〜７００℃に加熱されたチャンバ
ー内に搬送する必要があり、この際、大気と接している
搬送口から大気中の酸素等をチャンバー内に巻き込んで
しまうという欠点がある。
【０００４】このようにチャンバー内には酸素が存在す
るので、チャンバー内に導入されたシリコン上には熱の
作用によって薄い酸化膜が成長するようになる。この状
態でチャンバー内を減圧し、シラン（ＳiＨ4）系ガスを
導入してポリシリコンの堆積を行った結果、形成される
コンタクトの断面構造を図３に示す。図において、１は
シリコン基板であり半導体基板を構成する。２はシリコ
ン基板１上に形成された層間膜、Ｈは層間膜２の形成後
に形成されたコンタクトホール、７は上記のプロセスに
よって層間膜２上及びシリコン基盤１の露出面上に形成
されたポリシリコン、８はシリコン基板１とポリシリコ
ン７との界面に存在する酸化膜である。このように、上
記プロセスによって形成されるポリシリコン７は絶縁膜
である酸化膜８を介してシリコン基板１と接することと
なり、コンタクト抵抗は著しく高くなってしまう。
るので、チャンバー内に導入されたシリコン上には熱の
作用によって薄い酸化膜が成長するようになる。この状
態でチャンバー内を減圧し、シラン（ＳiＨ4）系ガスを
導入してポリシリコンの堆積を行った結果、形成される
コンタクトの断面構造を図３に示す。図において、１は
シリコン基板であり半導体基板を構成する。２はシリコ
ン基板１上に形成された層間膜、Ｈは層間膜２の形成後
に形成されたコンタクトホール、７は上記のプロセスに
よって層間膜２上及びシリコン基盤１の露出面上に形成
されたポリシリコン、８はシリコン基板１とポリシリコ
ン７との界面に存在する酸化膜である。このように、上
記プロセスによって形成されるポリシリコン７は絶縁膜
である酸化膜８を介してシリコン基板１と接することと
なり、コンタクト抵抗は著しく高くなってしまう。
【０００５】このようなコンタクト抵抗増加を防止する
ために、ＬＰＣＶＤを用いたプロセスには様々な改良の
試みがなされている。例えば、搬送時の温度を３００〜
４００℃という低温にして酸化膜の成長を抑制したり、
減圧時にチャンバー内でＨ2ベーク等を行うin-situクリ
ーニング等が試みられているが、自然酸化膜の成長は常
温でも十分に起こり、またＬＰＣＶＤで必要な大容量チ
ャンバー内を高真空かつ高清浄度に保つことは非常に困
難である。
ために、ＬＰＣＶＤを用いたプロセスには様々な改良の
試みがなされている。例えば、搬送時の温度を３００〜
４００℃という低温にして酸化膜の成長を抑制したり、
減圧時にチャンバー内でＨ2ベーク等を行うin-situクリ
ーニング等が試みられているが、自然酸化膜の成長は常
温でも十分に起こり、またＬＰＣＶＤで必要な大容量チ
ャンバー内を高真空かつ高清浄度に保つことは非常に困
難である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置のコ
ンタクト及びその製造方法は以上のように構成され、シ
リコン基板１とポリシリコン７との間に酸化膜８が存在
する構造になってしまうので、コンタクト抵抗が著しく
高くなり、しかも、酸化膜８の形成を防止するのは困難
であるという問題点があった。
ンタクト及びその製造方法は以上のように構成され、シ
リコン基板１とポリシリコン７との間に酸化膜８が存在
する構造になってしまうので、コンタクト抵抗が著しく
高くなり、しかも、酸化膜８の形成を防止するのは困難
であるという問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、半導体基板（シリコン基板）と
ポリシリコンとの間に形成される安定な構造を有しかつ
低抵抗の半導体装置のコンタクト及びその製造方法を得
ることを目的とする。
ためになされたもので、半導体基板（シリコン基板）と
ポリシリコンとの間に形成される安定な構造を有しかつ
低抵抗の半導体装置のコンタクト及びその製造方法を得
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置のコンタクトは、半導体基板と、半導体基板上に形成
された高融点金属化合物と、高融点金属化合物上に堆積
されたポリシリコンとを備えたものである。
置のコンタクトは、半導体基板と、半導体基板上に形成
された高融点金属化合物と、高融点金属化合物上に堆積
されたポリシリコンとを備えたものである。
【０００９】また、この発明に係る半導体装置のコンタ
クトの製造方法は、半導体基板上に高融点金属を堆積さ
せるステップと、シラン系ガスを含む雰囲気中で半導体
基板に熱処理を行うことにより高融点金属化合物を形成
するステップと、高融点金属化合物上にポリシリコンを
堆積させるステップとを備えたものである。
クトの製造方法は、半導体基板上に高融点金属を堆積さ
せるステップと、シラン系ガスを含む雰囲気中で半導体
基板に熱処理を行うことにより高融点金属化合物を形成
するステップと、高融点金属化合物上にポリシリコンを
堆積させるステップとを備えたものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、半導体基板上に高融点金
属を堆積させ、シラン系ガスを含む雰囲気中で半導体基
板に熱処理を行うことにより高融点金属化合物を形成
し、さらに、高融点金属化合物上にポリシリコンを堆積
させる。
属を堆積させ、シラン系ガスを含む雰囲気中で半導体基
板に熱処理を行うことにより高融点金属化合物を形成
し、さらに、高融点金属化合物上にポリシリコンを堆積
させる。
【００１１】
【実施例】実施例１．図１はこの発明の実施例１の製造
工程を説明するための側断面図であり、１、２、Ｈは前
述と同様のものである。３は高融点金属を構成するＴ
i、４はＴi３と雰囲気中のシリコンとの反応により形成
されるＴiＳix、５はＴiＳix４上に堆積されるポリシリ
コン、６はＴiＳix４が変化して形成されるＴiＳi2であ
る。ＴiＳix４及びＴiＳi2６は高融点金属化合物を構成
する。
工程を説明するための側断面図であり、１、２、Ｈは前
述と同様のものである。３は高融点金属を構成するＴ
i、４はＴi３と雰囲気中のシリコンとの反応により形成
されるＴiＳix、５はＴiＳix４上に堆積されるポリシリ
コン、６はＴiＳix４が変化して形成されるＴiＳi2であ
る。ＴiＳix４及びＴiＳi2６は高融点金属化合物を構成
する。
【００１２】次に、図１に示したこの発明の実施例１に
ついて説明する。まず、前述と同様にシリコン基板１上
に層間膜２を形成し、さらにコンタクトホールＨを形成
する（図１(ａ)）。続いて、図１(ａ)の状態のシリコン
基板１全体にＴi３をスパッタ法により堆積させる（図
１(ｂ)）。さらに、図１(ｂ)の状態のシリコン基板１を
ＲＴＣＶＴ（Rapid Thermal Chemical Vapor Depositio
n）装置（後述する）に搬入し、チャンバー内を高真空
まで排気後、シラン雰囲気中で６００〜６５０℃の熱処
理を行う。これにより、シリコン基板１及び層間膜２上
のＴi３は、雰囲気中のシリコンと反応してＴiＳix４を
形成する（図１(ｃ)）。このとき、シリコン基板１とＴ
i３との間には自然酸化膜が存在し得るが、この自然酸
化膜はＴiＳix４の膜中に取り込まれてしまう。
ついて説明する。まず、前述と同様にシリコン基板１上
に層間膜２を形成し、さらにコンタクトホールＨを形成
する（図１(ａ)）。続いて、図１(ａ)の状態のシリコン
基板１全体にＴi３をスパッタ法により堆積させる（図
１(ｂ)）。さらに、図１(ｂ)の状態のシリコン基板１を
ＲＴＣＶＴ（Rapid Thermal Chemical Vapor Depositio
n）装置（後述する）に搬入し、チャンバー内を高真空
まで排気後、シラン雰囲気中で６００〜６５０℃の熱処
理を行う。これにより、シリコン基板１及び層間膜２上
のＴi３は、雰囲気中のシリコンと反応してＴiＳix４を
形成する（図１(ｃ)）。このとき、シリコン基板１とＴ
i３との間には自然酸化膜が存在し得るが、この自然酸
化膜はＴiＳix４の膜中に取り込まれてしまう。
【００１３】またさらに、シラン雰囲気のままで、チャ
ンバー内の加熱温度を６５０〜７５０℃程度に上昇さ
せ、ＴiＳix４上にポリシリコン５を堆積させる（図１
(ｄ)）。最後に、加熱温度を８００℃以上にし、雰囲気
を窒素又は不活性ガスに切換えてアニールを行う。この
処理により、ＴiＳix４は低抵抗でしかも結晶的に安定
なＴiＳi2６に変化し、ＴiＳi2６を介してシリコン基板
１とポリシリコン５との間に低抵抗で安定なコンタクト
が得られることになる。
ンバー内の加熱温度を６５０〜７５０℃程度に上昇さ
せ、ＴiＳix４上にポリシリコン５を堆積させる（図１
(ｄ)）。最後に、加熱温度を８００℃以上にし、雰囲気
を窒素又は不活性ガスに切換えてアニールを行う。この
処理により、ＴiＳix４は低抵抗でしかも結晶的に安定
なＴiＳi2６に変化し、ＴiＳi2６を介してシリコン基板
１とポリシリコン５との間に低抵抗で安定なコンタクト
が得られることになる。
【００１４】ここで、ＲＴＣＶＤ装置について補足す
る。ＲＴＣＶＤ装置はチャンバー内を高真空に保持する
ことができ、常温からの急速加熱、加熱温度やガス雰囲
気等の条件を簡易に変化させられるという特長を有して
いる。図２はＲＴＣＶＤ装置の概観図であり、ＳＵＳチ
ャンバー９内に置かれたシリコンウェハー１０は、ラン
プ１１が発する熱線を反射鏡１２及び石英板１３を介し
て受けることにより加熱される。また、排気システム１
４、温度計測用装置１５及びガス導入管１６が備えられ
ている。
る。ＲＴＣＶＤ装置はチャンバー内を高真空に保持する
ことができ、常温からの急速加熱、加熱温度やガス雰囲
気等の条件を簡易に変化させられるという特長を有して
いる。図２はＲＴＣＶＤ装置の概観図であり、ＳＵＳチ
ャンバー９内に置かれたシリコンウェハー１０は、ラン
プ１１が発する熱線を反射鏡１２及び石英板１３を介し
て受けることにより加熱される。また、排気システム１
４、温度計測用装置１５及びガス導入管１６が備えられ
ている。
【００１５】シリコンウェハー１０が搬送された後、Ｓ
ＵＳチャンバー９内の十分なパージ、排気が行われ、ベ
ース圧力は１０-7torr台にされる。さらに、シラン、水
素、窒素等のガスがガス導入管１６から導入され、成膜
条件が設定された後、ランプ１１によって急速に加熱を
行うことにより成膜が行われる。成膜は数十秒単位で行
われるため、冷却時間を短くすることができマルチステ
ップの処理が可能である。
ＵＳチャンバー９内の十分なパージ、排気が行われ、ベ
ース圧力は１０-7torr台にされる。さらに、シラン、水
素、窒素等のガスがガス導入管１６から導入され、成膜
条件が設定された後、ランプ１１によって急速に加熱を
行うことにより成膜が行われる。成膜は数十秒単位で行
われるため、冷却時間を短くすることができマルチステ
ップの処理が可能である。
【００１６】なお、実施例１ではシリコンと反応して高
融点金属化合物となる高融点金属としてＴiを用いた
が、他の高融点金属、例えばＣo（コバルト）、Ｎi（ニ
ッケル）、Ｔa（タンタル）等を用いても同様の効果を
奏する。また、実施例１では、ポリシリコンを堆積させ
るためにシランを用いたが、ドーピング用ガス、例えば
ホスフィン（ＰＨ3）、アルニン（ＡsＨ3）、ジボラン
（Ｂ2Ｈ6）等とシランとの混合ガスを用いてもよい。こ
の場合に形成されるポリシリコンは、ドーピングされた
ものになる。
融点金属化合物となる高融点金属としてＴiを用いた
が、他の高融点金属、例えばＣo（コバルト）、Ｎi（ニ
ッケル）、Ｔa（タンタル）等を用いても同様の効果を
奏する。また、実施例１では、ポリシリコンを堆積させ
るためにシランを用いたが、ドーピング用ガス、例えば
ホスフィン（ＰＨ3）、アルニン（ＡsＨ3）、ジボラン
（Ｂ2Ｈ6）等とシランとの混合ガスを用いてもよい。こ
の場合に形成されるポリシリコンは、ドーピングされた
ものになる。
【００１７】
【発明の効果】以上のようにこの発明の請求項１に係る
発明によれば、半導体基板と、半導体基板上に形成され
た高融点金属化合物と、高融点金属化合物上に堆積され
たポリシリコンとを備えたので、半導体基板とポリシリ
コンとの間に形成される安定な構造を有しかつ低抵抗の
半導体装置のコンタクトが得られる効果がある。
発明によれば、半導体基板と、半導体基板上に形成され
た高融点金属化合物と、高融点金属化合物上に堆積され
たポリシリコンとを備えたので、半導体基板とポリシリ
コンとの間に形成される安定な構造を有しかつ低抵抗の
半導体装置のコンタクトが得られる効果がある。
【００１８】また、この発明の請求項２に係る発明によ
れば、半導体基板上に高融点金属を堆積させるステップ
と、シラン系ガスを含む雰囲気中で半導体基板に熱処理
を行うことにより高融点金属化合物を形成するステップ
と、高融点金属化合物上にポリシリコンを堆積させるス
テップとを備えたので、半導体基板とポリシリコンとの
間に形成される安定な構造を有しかつ低抵抗の半導体装
置のコンタクトの製造方法が得られる効果がある。
れば、半導体基板上に高融点金属を堆積させるステップ
と、シラン系ガスを含む雰囲気中で半導体基板に熱処理
を行うことにより高融点金属化合物を形成するステップ
と、高融点金属化合物上にポリシリコンを堆積させるス
テップとを備えたので、半導体基板とポリシリコンとの
間に形成される安定な構造を有しかつ低抵抗の半導体装
置のコンタクトの製造方法が得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１の製造工程を説明するため
の側断面図である。
の側断面図である。
【図２】この発明の実施例１に用いられるＲＴＣＶＤ装
置の概観図である。
置の概観図である。
【図３】従来の半導体装置のコンタクトを示す側断面図
である。
である。
１ シリコン基板（半導体基板） ３ Ｔi（高融点金属） ４ ＴiＳix（高融点金属化合物） ５ ポリシリコン ６ ＴiＳi2（高融点金属化合物）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年６月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の高集積化に伴う構
成素子の縮小化が進むにつれ、半導体装置の電気特性の
高性能化が要求されてきている。しかしながら、半導体
装置のコンタクト径の縮小化によるコンタクト抵抗の増
加、配線長の増加による配線抵抗の増加、複雑化した素
子を形成する材料の耐熱性の問題等があり、半導体装置
の電気特性の高性能化の要求を満たすことは困難になり
つつある。これらの問題のうち材料の耐熱性の問題を解
決するものとして、シリコン系デバイスとの整合性の良
さ、耐熱性を有するポリシリコン（多結晶シリコン）が
挙げられるが、ポリシリコンを多用しても半導体装置を
高性能化する際の問題は簡単には解決されない。それ
は、ポリシリコンの形成方法に以下に説明するような問
題があるからである。
成素子の縮小化が進むにつれ、半導体装置の電気特性の
高性能化が要求されてきている。しかしながら、半導体
装置のコンタクト径の縮小化によるコンタクト抵抗の増
加、配線長の増加による配線抵抗の増加、複雑化した素
子を形成する材料の耐熱性の問題等があり、半導体装置
の電気特性の高性能化の要求を満たすことは困難になり
つつある。これらの問題のうち材料の耐熱性の問題を解
決するものとして、シリコン系デバイスとの整合性の良
さ、耐熱性を有するポリシリコン（多結晶シリコン）が
挙げられるが、ポリシリコンを多用しても半導体装置を
高性能化する際の問題は簡単には解決されない。それ
は、ポリシリコンの形成方法に以下に説明するような問
題があるからである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】シリコン基板にポリシリコンを堆積させる
ことによりコンタクトを形成するプロセスの主流は、Ｌ
ＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）
による成膜である。ＬＰＣＶＤにおいては、バッチ式で
大容量のチャンバーを用いた処理が行われ、常に加熱さ
れた状態のチャンバー内に材料ガスを導入して成膜が行
われる（ホットウォール方式）。そのとき、成膜される
シリコンウェハーを５００〜７００℃に加熱されたチャ
ンバー内に搬送する必要があり、この際、大気と接して
いる搬送口から大気中の酸素等をチャンバー内に巻き込
んでしまうという欠点がある。
ことによりコンタクトを形成するプロセスの主流は、Ｌ
ＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）
による成膜である。ＬＰＣＶＤにおいては、バッチ式で
大容量のチャンバーを用いた処理が行われ、常に加熱さ
れた状態のチャンバー内に材料ガスを導入して成膜が行
われる（ホットウォール方式）。そのとき、成膜される
シリコンウェハーを５００〜７００℃に加熱されたチャ
ンバー内に搬送する必要があり、この際、大気と接して
いる搬送口から大気中の酸素等をチャンバー内に巻き込
んでしまうという欠点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】なお、実施例１ではシリコンと反応して高
融点金属化合物となる高融点金属としてＴiを用いた
が、他の高融点金属、例えばＣo（コバルト）、Ｎi（ニ
ッケル）、Ｔa（タンタル）等を用いても同様の効果を
奏する。また、実施例１では、ポリシリコンを堆積させ
るためにシランを用いたが、ドーピング用ガス、例えば
ホスフィン（ＰＨ3）、アルシン（ＡsＨ3）、ジボラン
（Ｂ2Ｈ6）等とシランとの混合ガスを用いてもよい。こ
の場合に形成されるポリシリコンは、ドーピングされた
ものになる。
融点金属化合物となる高融点金属としてＴiを用いた
が、他の高融点金属、例えばＣo（コバルト）、Ｎi（ニ
ッケル）、Ｔa（タンタル）等を用いても同様の効果を
奏する。また、実施例１では、ポリシリコンを堆積させ
るためにシランを用いたが、ドーピング用ガス、例えば
ホスフィン（ＰＨ3）、アルシン（ＡsＨ3）、ジボラン
（Ｂ2Ｈ6）等とシランとの混合ガスを用いてもよい。こ
の場合に形成されるポリシリコンは、ドーピングされた
ものになる。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成
された高融点金属化合物と、前記高融点金属化合物上に
堆積されたポリシリコンとを備えたことを特徴とする半
導体装置のコンタクト。 - 【請求項２】 半導体基板上に高融点金属を堆積させる
ステップと、 シラン系ガスを含む雰囲気中で前記半導体基板に熱処理
を行うことにより高融点金属化合物を形成するステップ
と、 前記高融点金属化合物上にポリシリコンを堆積させるス
テップとを備えたことを特徴とする半導体装置のコンタ
クトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32310391A JPH05160069A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体装置のコンタクト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32310391A JPH05160069A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体装置のコンタクト及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160069A true JPH05160069A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18151114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32310391A Pending JPH05160069A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体装置のコンタクト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160069A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100358058B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 베리어 메탈층 형성방법 |
| KR100459235B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자에서금속배선의장벽금속층형성방법 |
| KR100526452B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2007-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 콘택 전극 형성방법 |
-
1991
- 1991-12-06 JP JP32310391A patent/JPH05160069A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100526452B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2007-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 콘택 전극 형성방법 |
| KR100459235B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자에서금속배선의장벽금속층형성방법 |
| KR100358058B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 베리어 메탈층 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4579609A (en) | Growth of epitaxial films by chemical vapor deposition utilizing a surface cleaning step immediately before deposition | |
| KR100236500B1 (ko) | 전기 전도성 장벽층과 전도성 비아를 형성하는 방법 및 장치 | |
| US6091152A (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| US7524769B2 (en) | Method and system for removing an oxide from a substrate | |
| KR20030027392A (ko) | 티타늄 실리사이드 박막 형성방법 | |
| KR100777321B1 (ko) | 동일 챔버에서의 산화물층 및 실리콘층의 성장 | |
| JPH03224223A (ja) | 選択ｃｖｄ法 | |
| JP3667038B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 | |
| US5677235A (en) | Method for forming silicon film | |
| JP3432601B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPWO2005088688A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH05160069A (ja) | 半導体装置のコンタクト及びその製造方法 | |
| JPS621565B2 (ja) | ||
| RU2113034C1 (ru) | Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ | |
| CN101131932A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| JP3422345B2 (ja) | タングステン膜の形成方法 | |
| US20080081112A1 (en) | Batch reaction chamber employing separate zones for radiant heating and resistive heating | |
| US6919102B2 (en) | Method of stabilizing material layer | |
| US20240222116A1 (en) | Method, system and apparatus for forming epitaxial template layer | |
| JP2004193573A (ja) | キャパシタの作製方法 | |
| KR100331964B1 (ko) | 원자층 증착 설비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법 | |
| KR940010412B1 (ko) | 박막형성방법 | |
| JP2657305B2 (ja) | 金属シリサイド膜の形成方法 | |
| KR20220138805A (ko) | 아몰퍼스 실리콘막의 결정화 방법 및 성막 장치 | |
| JPH0461324A (ja) | 選択気相成長法 |