JPH05159998A - 基板露光装置におけるギャップ制御方法 - Google Patents
基板露光装置におけるギャップ制御方法Info
- Publication number
- JPH05159998A JPH05159998A JP3348388A JP34838891A JPH05159998A JP H05159998 A JPH05159998 A JP H05159998A JP 3348388 A JP3348388 A JP 3348388A JP 34838891 A JP34838891 A JP 34838891A JP H05159998 A JPH05159998 A JP H05159998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- chuck
- substrate
- glass substrate
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板露光装置におけるギャップ制御方法にお
いて、大型サイズのガラス基板であってもその全面にわ
たって正しいギャップ量を保証する。 【構成】 マスクチャック２及び基板チャック４の平面
度を測定してそれぞれを平均化した擬似平面ｚ1，ｚ2を
求め、基板チャックの擬似平面ｚ2をマスクチャックの
擬似平面ｚ1の下方に平行で且つ所定のギャップｇをあ
けたところに設定し、位置合わせ用の複数の光学系Ｆ，
Ｒ，Ｃで実測したマスク１の下面とマスクチャックの擬
似平面ｚ1との差及び上記複数の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃの位
置における基板チャック４の実平面とその擬似平面ｚ2
との差を求め、この求めた二つの差を上記複数の光学系
の位置におけるオフセット値として上記所定のギャップ
量に対し加減算して上記各光学系のフォーカス位置を設
定し、このフォーカス位置にガラス基板３の上面が位置
するように基板チャック４を上昇させる。これにより、
マスク１の下面とガラス基板３の上面との間に平均した
ギャップを設定できる。
いて、大型サイズのガラス基板であってもその全面にわ
たって正しいギャップ量を保証する。 【構成】 マスクチャック２及び基板チャック４の平面
度を測定してそれぞれを平均化した擬似平面ｚ1，ｚ2を
求め、基板チャックの擬似平面ｚ2をマスクチャックの
擬似平面ｚ1の下方に平行で且つ所定のギャップｇをあ
けたところに設定し、位置合わせ用の複数の光学系Ｆ，
Ｒ，Ｃで実測したマスク１の下面とマスクチャックの擬
似平面ｚ1との差及び上記複数の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃの位
置における基板チャック４の実平面とその擬似平面ｚ2
との差を求め、この求めた二つの差を上記複数の光学系
の位置におけるオフセット値として上記所定のギャップ
量に対し加減算して上記各光学系のフォーカス位置を設
定し、このフォーカス位置にガラス基板３の上面が位置
するように基板チャック４を上昇させる。これにより、
マスク１の下面とガラス基板３の上面との間に平均した
ギャップを設定できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板にマスクに
形成された配線パターンを焼き付ける基板露光装置にお
いて上記マスクとガラス基板との間のギャップを設定す
るギャップ制御方法に関し、特に大型サイズのガラス基
板であってもその全面にわたって正しいギャップ量を保
証することができるギャップ制御方法に関する。
形成された配線パターンを焼き付ける基板露光装置にお
いて上記マスクとガラス基板との間のギャップを設定す
るギャップ制御方法に関し、特に大型サイズのガラス基
板であってもその全面にわたって正しいギャップ量を保
証することができるギャップ制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板露光装置は、図２に示すように、配
線パターンが形成されたマスク１をマスクチャック２で
支持し、このマスク１の下方にはガラス基板３を基板チ
ャック４の上面に載せて保持すると共に、その基板チャ
ック４を上昇させて上記ガラス基板３の上面とマスク１
下面との間に所定のギャップｇをあけて位置合わせを
し、上記マスク１の上方から露光用の光を照射して該マ
スク１に形成された配線パターンを上記ガラス基板３に
焼き付けるようになっている。なお、図２において、符
号５ａ，５ｂ，５ｃは上記基板チャック４の傾きを調整
するチルト機構を示し、符号６は上記チルト機構５ａ〜
５ｃを支持して上昇下降する支持部材を示している。
線パターンが形成されたマスク１をマスクチャック２で
支持し、このマスク１の下方にはガラス基板３を基板チ
ャック４の上面に載せて保持すると共に、その基板チャ
ック４を上昇させて上記ガラス基板３の上面とマスク１
下面との間に所定のギャップｇをあけて位置合わせを
し、上記マスク１の上方から露光用の光を照射して該マ
スク１に形成された配線パターンを上記ガラス基板３に
焼き付けるようになっている。なお、図２において、符
号５ａ，５ｂ，５ｃは上記基板チャック４の傾きを調整
するチルト機構を示し、符号６は上記チルト機構５ａ〜
５ｃを支持して上昇下降する支持部材を示している。
【０００３】そして、このような基板露光装置におい
て、上記マスク１とガラス基板３との間のギャップｇを
所定の値に設定する（このギャップを「プロキシミティ
ギャップ」という）には、ガラス基板３の位置合わせ用
の光学系でマスク１の上方から見ていて、まず、上記マ
スク１の下面にピントを合わせる。次に、このマスク１
の下面から例えば100μmのギャップｇをあけてガラス基
板３をセットするとし、上記マスク１の下面から100μm
の位置にピントを合わせる。この状態で、ガラス基板３
の上面に平行出し用の縞パターンを照射して、基板チャ
ック４を３本のチルト機構５ａ〜５ｃで上昇させる。そ
して、上記３本のチルト機構５ａ〜５ｃの上昇量を加減
しながら、上記縞パターンが正しい形に見えるように調
節することにより、ガラス基板３のマスク１に対する平
行出しをすると共に、ギャップｇを例えば100μmに設定
していた。
て、上記マスク１とガラス基板３との間のギャップｇを
所定の値に設定する（このギャップを「プロキシミティ
ギャップ」という）には、ガラス基板３の位置合わせ用
の光学系でマスク１の上方から見ていて、まず、上記マ
スク１の下面にピントを合わせる。次に、このマスク１
の下面から例えば100μmのギャップｇをあけてガラス基
板３をセットするとし、上記マスク１の下面から100μm
の位置にピントを合わせる。この状態で、ガラス基板３
の上面に平行出し用の縞パターンを照射して、基板チャ
ック４を３本のチルト機構５ａ〜５ｃで上昇させる。そ
して、上記３本のチルト機構５ａ〜５ｃの上昇量を加減
しながら、上記縞パターンが正しい形に見えるように調
節することにより、ガラス基板３のマスク１に対する平
行出しをすると共に、ギャップｇを例えば100μmに設定
していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のギャップ制御の方法においては、図３に示すよう
に、マスクチャック２の上方例えば３箇所に設けられた
位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃで直接マスク１の下面
及びガラス基板３の上面にフォーカス位置を合わせ、そ
れぞれの光学系Ｆ，Ｒ，Ｃの位置におけるマスク１とガ
ラス基板３との間のギャップｇを設定していたので、上
記各位置Ｆ，Ｒ，Ｃにおけるギャップｇは正しい値に保
証できるが、それ以外の位置におけるギャップｇは保証
できないものであった。
従来のギャップ制御の方法においては、図３に示すよう
に、マスクチャック２の上方例えば３箇所に設けられた
位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃで直接マスク１の下面
及びガラス基板３の上面にフォーカス位置を合わせ、そ
れぞれの光学系Ｆ，Ｒ，Ｃの位置におけるマスク１とガ
ラス基板３との間のギャップｇを設定していたので、上
記各位置Ｆ，Ｒ，Ｃにおけるギャップｇは正しい値に保
証できるが、それ以外の位置におけるギャップｇは保証
できないものであった。
【０００５】例えば、図３に示すように、マスクチャッ
ク２又は基板チャック４の支持面が歪んでいるときは、
それぞれに保持されたマスク１又はガラス基板３も歪
み、正しい平面度は得られない。このような状態で、上
記３箇所に設けられた位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃ
を用いてギャップ制御をしても、これらの光学系Ｆ，
Ｒ，Ｃから平面内で離れた位置においては必ずしも正し
いギャップｇには設定されず、それ以外のギャップ量
ｇ′となってしまうものであった。すなわち、マスク１
とガラス基板３とが平行に保たれず、それらの平面内で
両者間のギャップ量がばらつくこととなるものであっ
た。従って、図２に示すように、マスク１の上方から露
光用の光を照射しても、ガラス基板３の平面内で配線パ
ターンの焼付けの解像度にむらが生じることがあった。
このことから、上記ガラス基板３から製造する製品の品
質が劣化すると共に、歩留まりも低下するものであっ
た。
ク２又は基板チャック４の支持面が歪んでいるときは、
それぞれに保持されたマスク１又はガラス基板３も歪
み、正しい平面度は得られない。このような状態で、上
記３箇所に設けられた位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃ
を用いてギャップ制御をしても、これらの光学系Ｆ，
Ｒ，Ｃから平面内で離れた位置においては必ずしも正し
いギャップｇには設定されず、それ以外のギャップ量
ｇ′となってしまうものであった。すなわち、マスク１
とガラス基板３とが平行に保たれず、それらの平面内で
両者間のギャップ量がばらつくこととなるものであっ
た。従って、図２に示すように、マスク１の上方から露
光用の光を照射しても、ガラス基板３の平面内で配線パ
ターンの焼付けの解像度にむらが生じることがあった。
このことから、上記ガラス基板３から製造する製品の品
質が劣化すると共に、歩留まりも低下するものであっ
た。
【０００６】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、大型サイズのガラス基板であってもその全面にわ
たって正しいギャップ量を保証することができるギャッ
プ制御方法を提供することを目的とする。
処し、大型サイズのガラス基板であってもその全面にわ
たって正しいギャップ量を保証することができるギャッ
プ制御方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による基板露光装置におけるギャップ制御方
法は、配線パターンが形成されたマスクをマスクチャッ
クで支持し、このマスクの下方にはガラス基板を基板チ
ャックに載せて保持すると共に上記マスク下面とガラス
基板の上面との間に所定のギャップをあけて位置合わせ
をし、上記マスクの上方から露光用の光を照射して該マ
スクに形成された配線パターンを上記ガラス基板に焼き
付ける基板露光装置において、上記マスクチャック及び
基板チャックの平面度を測定してそれぞれを平均化した
擬似平面を求め、基板チャックの擬似平面をマスクチャ
ックの擬似平面の下方に平行で且つ所定のギャップをあ
けたところに設定し、位置合わせ用の複数の光学系で実
測したマスク下面とマスクチャックの擬似平面との差及
び上記複数の光学系の位置における基板チャックの実平
面とその擬似平面との差を求め、この求めた二つの差を
上記複数の光学系の位置におけるオフセット値として上
記所定のギャップ量に対し加減算して上記各光学系のフ
ォーカス位置を設定し、このフォーカス位置にガラス基
板の上面が位置するように基板チャックを上昇させるこ
とにより、マスク下面とガラス基板の上面との間に平均
したギャップを設定するものである。
に、本発明による基板露光装置におけるギャップ制御方
法は、配線パターンが形成されたマスクをマスクチャッ
クで支持し、このマスクの下方にはガラス基板を基板チ
ャックに載せて保持すると共に上記マスク下面とガラス
基板の上面との間に所定のギャップをあけて位置合わせ
をし、上記マスクの上方から露光用の光を照射して該マ
スクに形成された配線パターンを上記ガラス基板に焼き
付ける基板露光装置において、上記マスクチャック及び
基板チャックの平面度を測定してそれぞれを平均化した
擬似平面を求め、基板チャックの擬似平面をマスクチャ
ックの擬似平面の下方に平行で且つ所定のギャップをあ
けたところに設定し、位置合わせ用の複数の光学系で実
測したマスク下面とマスクチャックの擬似平面との差及
び上記複数の光学系の位置における基板チャックの実平
面とその擬似平面との差を求め、この求めた二つの差を
上記複数の光学系の位置におけるオフセット値として上
記所定のギャップ量に対し加減算して上記各光学系のフ
ォーカス位置を設定し、このフォーカス位置にガラス基
板の上面が位置するように基板チャックを上昇させるこ
とにより、マスク下面とガラス基板の上面との間に平均
したギャップを設定するものである。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面を参照して
詳細に説明する。図１は本発明による基板露光装置にお
けるギャップ制御方法を示す説明図であり、図２は本発
明のギャップ制御方法が適用される基板露光装置を示す
断面説明図である。
詳細に説明する。図１は本発明による基板露光装置にお
けるギャップ制御方法を示す説明図であり、図２は本発
明のギャップ制御方法が適用される基板露光装置を示す
断面説明図である。
【０００９】まず、基板露光装置は、図２に示すように
構成されており、図において、基板チャック４は、その
上面に大型（例えば400mm×400mm程度）のガラス基板３
を載せて保持するもので、上昇下降可能とされた支持部
材６の上面に設けられた例えば３本のチルト機構５ａ，
５ｂ，５ｃによって傾きが調整されるようになってい
る。そして、この基板チャック４の上面には、例えば電
子回路の回路基板を構成する大型のガラス基板３が真空
吸着等により保持される。
構成されており、図において、基板チャック４は、その
上面に大型（例えば400mm×400mm程度）のガラス基板３
を載せて保持するもので、上昇下降可能とされた支持部
材６の上面に設けられた例えば３本のチルト機構５ａ，
５ｂ，５ｃによって傾きが調整されるようになってい
る。そして、この基板チャック４の上面には、例えば電
子回路の回路基板を構成する大型のガラス基板３が真空
吸着等により保持される。
【００１０】上記基板チャック４の上方には、マスクチ
ャック２が設けられている。このマスクチャック２は、
その上面に大型（例えば400mm×400mm以上）のマスク１
を支持するもので、例えば矩形状に形成されると共に、
その中央部のマスク支持部には光透過用の例えば矩形状
の切欠窓７が穿設されている。そして、このマスクチャ
ック２の上面には、上記ガラス基板３に焼き付ける配線
パターンが形成された大型のマスク１が、上記切欠窓７
の縁部にその外周縁を載せて支持される。
ャック２が設けられている。このマスクチャック２は、
その上面に大型（例えば400mm×400mm以上）のマスク１
を支持するもので、例えば矩形状に形成されると共に、
その中央部のマスク支持部には光透過用の例えば矩形状
の切欠窓７が穿設されている。そして、このマスクチャ
ック２の上面には、上記ガラス基板３に焼き付ける配線
パターンが形成された大型のマスク１が、上記切欠窓７
の縁部にその外周縁を載せて支持される。
【００１１】次に、このような基板露光装置におけるギ
ャップ制御方法について、図１を参照して説明する。ま
ず、予めマスクチャック２及び基板チャック４につい
て、例えば三次元測定器によりそれぞれの平面度を測定
し、その測定結果を平均化した擬似平面を求める。この
擬似平面の平面式は、水平面内の直交２軸方向の座標を
ｘ，ｙとし、この水平面から垂直に立ち上がる座標軸を
ｚとし、定数をａ，ｂ，ｃとすると、次式で表される。 ｚ＝ａｘ＋ｂｙ＋ｃ この擬似平面は、歪みのあるマスクチャック２及び基板
チャック４の平面をならして平均的な平面に擬制したも
ので、図１においては、マスクチャック２の擬似平面を
一点鎖線で示すｚ1で表し、基板チャック４の擬似平面
を破線で示すｚ2で表している。
ャップ制御方法について、図１を参照して説明する。ま
ず、予めマスクチャック２及び基板チャック４につい
て、例えば三次元測定器によりそれぞれの平面度を測定
し、その測定結果を平均化した擬似平面を求める。この
擬似平面の平面式は、水平面内の直交２軸方向の座標を
ｘ，ｙとし、この水平面から垂直に立ち上がる座標軸を
ｚとし、定数をａ，ｂ，ｃとすると、次式で表される。 ｚ＝ａｘ＋ｂｙ＋ｃ この擬似平面は、歪みのあるマスクチャック２及び基板
チャック４の平面をならして平均的な平面に擬制したも
ので、図１においては、マスクチャック２の擬似平面を
一点鎖線で示すｚ1で表し、基板チャック４の擬似平面
を破線で示すｚ2で表している。
【００１２】次に、マスクチャック２の上方例えば３箇
所に設けられた位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃで、マ
スク１の上方から見てその下面にピントを合わせその位
置を測定する。そして、このように実測した各位値Ｆ，
Ｒ，Ｃにおけるマスク１の下面と、マスクチャック２の
擬似平面ｚ1との差ｄを求める。例えば、光学系Ｃの位
置におけるマスク下面は擬似平面ｚ1の高さと一致して
いたとすると、その差はｄ1＝０となる。また、光学系
Ｆの位置におけるマスク下面が擬似平面ｚ1より例えば2
0μmだけ下がっていたとすると、その差はｄ2＝20とな
る。なお、図１では光学系Ｒの位置におけるマスク下面
の断面は表示していないので、光学系Ｒの位置における
差演算については説明を省略する。
所に設けられた位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃで、マ
スク１の上方から見てその下面にピントを合わせその位
置を測定する。そして、このように実測した各位値Ｆ，
Ｒ，Ｃにおけるマスク１の下面と、マスクチャック２の
擬似平面ｚ1との差ｄを求める。例えば、光学系Ｃの位
置におけるマスク下面は擬似平面ｚ1の高さと一致して
いたとすると、その差はｄ1＝０となる。また、光学系
Ｆの位置におけるマスク下面が擬似平面ｚ1より例えば2
0μmだけ下がっていたとすると、その差はｄ2＝20とな
る。なお、図１では光学系Ｒの位置におけるマスク下面
の断面は表示していないので、光学系Ｒの位置における
差演算については説明を省略する。
【００１３】次に、基板チャック４の擬似平面ｚ2を上
記マスクチャック２の擬似平面ｚ1の下方に所定のギャ
ップ（プロキシミティギャップ）ｇ、例えば100μmだけ
あけた位置に設定する。そして、上記の位置合わせ用の
光学系Ｆ，Ｒ，Ｃで、マスク１の上方から見て基板チャ
ック４上のガラス基板３の上面にピントを合わせその位
置を測定する。その後、このように実測した各位値Ｆ，
Ｒ，Ｃにおけるガラス基板３の上面と、基板チャック４
の擬似平面ｚ2との差ｄを求める。例えば光学系Ｃの位
置におけるガラス基板上面が擬似平面ｚ2より10μmだけ
下がっていたとすると、その差はｄ3＝10となる。ま
た、光学系Ｆの位置におけるガラス基板上面は擬似平面
ｚ2より例えば40μmだけ上がっていたとすると、その差
はｄ4＝40となる。
記マスクチャック２の擬似平面ｚ1の下方に所定のギャ
ップ（プロキシミティギャップ）ｇ、例えば100μmだけ
あけた位置に設定する。そして、上記の位置合わせ用の
光学系Ｆ，Ｒ，Ｃで、マスク１の上方から見て基板チャ
ック４上のガラス基板３の上面にピントを合わせその位
置を測定する。その後、このように実測した各位値Ｆ，
Ｒ，Ｃにおけるガラス基板３の上面と、基板チャック４
の擬似平面ｚ2との差ｄを求める。例えば光学系Ｃの位
置におけるガラス基板上面が擬似平面ｚ2より10μmだけ
下がっていたとすると、その差はｄ3＝10となる。ま
た、光学系Ｆの位置におけるガラス基板上面は擬似平面
ｚ2より例えば40μmだけ上がっていたとすると、その差
はｄ4＝40となる。
【００１４】次に、上記のようにして求めたそれぞれの
擬似平面ｚ1，ｚ2との差ｄを、位置合わせ用の光学系
Ｆ，Ｒ，Ｃの位置におけるオフセット値として上記所定
のギャップ量ｇに対し加減算して、上記各光学系Ｆ，
Ｒ，Ｃのフォーカス位置を設定する。すなわち、光学系
Ｃの位置においては、上記の差ｄ1＝０はオフセット値
“０”として、差ｄ3＝10はオフセット値“＋10”とし
て作用するので、これらを所定のギャップ量ｇ＝100μm
に加減算して、この場合のフォーカス位置は、ｆ＝100
＋０＋10＝110（μm）となる。従って、光学系Ｃの対物
レンズは、その位置でマスク１の下面を測定した当初位
置から110μmだけ下降させる。
擬似平面ｚ1，ｚ2との差ｄを、位置合わせ用の光学系
Ｆ，Ｒ，Ｃの位置におけるオフセット値として上記所定
のギャップ量ｇに対し加減算して、上記各光学系Ｆ，
Ｒ，Ｃのフォーカス位置を設定する。すなわち、光学系
Ｃの位置においては、上記の差ｄ1＝０はオフセット値
“０”として、差ｄ3＝10はオフセット値“＋10”とし
て作用するので、これらを所定のギャップ量ｇ＝100μm
に加減算して、この場合のフォーカス位置は、ｆ＝100
＋０＋10＝110（μm）となる。従って、光学系Ｃの対物
レンズは、その位置でマスク１の下面を測定した当初位
置から110μmだけ下降させる。
【００１５】また、光学系Ｆの位置においては、上記の
差ｄ2＝20はオフセット値“−20”として、差ｄ4＝40は
オフセット値“−40”として作用するので、これらを所
定のギャップ量ｇ＝100μmに加減算して、この場合のフ
ォーカス位置は、ｆ＝100−20−40＝40（μm）となる。
従って、光学系Ｆの対物レンズは、その位置での当初位
置から40μmだけ下降させる。
差ｄ2＝20はオフセット値“−20”として、差ｄ4＝40は
オフセット値“−40”として作用するので、これらを所
定のギャップ量ｇ＝100μmに加減算して、この場合のフ
ォーカス位置は、ｆ＝100−20−40＝40（μm）となる。
従って、光学系Ｆの対物レンズは、その位置での当初位
置から40μmだけ下降させる。
【００１６】このようにして、Ｆ，Ｒ，Ｃの３箇所の光
学系の対物レンズの下降量を決定して下降させた後に、
上記各光学系Ｆ，Ｒ，Ｃのフォーカス位置にガラス基板
３の上面が位置するように基板チャック４を３本のチル
ト機構５ａ〜５ｃで上昇させる。これにより、基板チャ
ック４の擬似平面ｚ2をマスクチャック２の擬似平面ｚ1
に対して平行とすることができると共に、両擬似平面ｚ
1，ｚ2間を所定のギャップｇ（＝100μm）に設定するこ
とができる。従って、図１に示すように、マスク１の下
面とガラス基板３の上面との間に平均したギャップを設
定することができる。
学系の対物レンズの下降量を決定して下降させた後に、
上記各光学系Ｆ，Ｒ，Ｃのフォーカス位置にガラス基板
３の上面が位置するように基板チャック４を３本のチル
ト機構５ａ〜５ｃで上昇させる。これにより、基板チャ
ック４の擬似平面ｚ2をマスクチャック２の擬似平面ｚ1
に対して平行とすることができると共に、両擬似平面ｚ
1，ｚ2間を所定のギャップｇ（＝100μm）に設定するこ
とができる。従って、図１に示すように、マスク１の下
面とガラス基板３の上面との間に平均したギャップを設
定することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されたので、
マスクチャック２の擬似平面ｚ1と基板チャック４の擬
似平面ｚ2との間を平行かつ所定のギャップｇに設定す
ることにより、マスク１の下面とガラス基板３の上面と
の間に平均したギャップを設定することができる。従っ
て、従来のようにマスクチャック２又は基板チャック４
の歪みにより、それらによって支持されたマスク１とガ
ラス基板３とがそれらの平面内で両者間のギャップ量が
ばらつくのを防止することができる。このことから、マ
スク１の上方から露光用の光を照射した場合、ガラス基
板３の平面内で配線パターンの焼付けの解像度には大き
なむらは生じず、平均した良好な解像度が得られる。従
って、特に大型サイズのガラス基板３であってもその全
面にわたって正しいギャップ量を保証できる。これによ
り、ガラス基板３から製造する製品の品質を向上できる
と共に、歩留まりも向上することができる。
マスクチャック２の擬似平面ｚ1と基板チャック４の擬
似平面ｚ2との間を平行かつ所定のギャップｇに設定す
ることにより、マスク１の下面とガラス基板３の上面と
の間に平均したギャップを設定することができる。従っ
て、従来のようにマスクチャック２又は基板チャック４
の歪みにより、それらによって支持されたマスク１とガ
ラス基板３とがそれらの平面内で両者間のギャップ量が
ばらつくのを防止することができる。このことから、マ
スク１の上方から露光用の光を照射した場合、ガラス基
板３の平面内で配線パターンの焼付けの解像度には大き
なむらは生じず、平均した良好な解像度が得られる。従
って、特に大型サイズのガラス基板３であってもその全
面にわたって正しいギャップ量を保証できる。これによ
り、ガラス基板３から製造する製品の品質を向上できる
と共に、歩留まりも向上することができる。
【図１】 本発明による基板露光装置におけるギャップ
制御方法を説明するための断面図、
制御方法を説明するための断面図、
【図２】 上記ギャップ制御方法が適用される基板露光
装置を示す断面説明図、
装置を示す断面説明図、
【図３】 従来のギャップ制御方法を説明するための断
面図。
面図。
１…マスク、 ２…マスクチャック、 ３…ガラス基
板、 ４…基板チャック、 Ｆ，Ｒ，Ｃ…位置合わせ用
の光学系、 ｚ1…マスクチャックの擬似平面、 ｚ2…
基板チャックの擬似平面、 ｇ…所定のギャップ。
板、 ４…基板チャック、 Ｆ，Ｒ，Ｃ…位置合わせ用
の光学系、 ｚ1…マスクチャックの擬似平面、 ｚ2…
基板チャックの擬似平面、 ｇ…所定のギャップ。
Claims (1)
- 【請求項１】 配線パターンが形成されたマスクをマス
クチャックで支持し、このマスクの下方にはガラス基板
を基板チャックに載せて保持すると共に上記マスク下面
とガラス基板の上面との間に所定のギャップをあけて位
置合わせをし、上記マスクの上方から露光用の光を照射
して該マスクに形成された配線パターンを上記ガラス基
板に焼き付ける基板露光装置において、上記マスクチャ
ック及び基板チャックの平面度を測定してそれぞれを平
均化した擬似平面を求め、基板チャックの擬似平面をマ
スクチャックの擬似平面の下方に平行で且つ所定のギャ
ップをあけたところに設定し、位置合わせ用の複数の光
学系で実測したマスク下面とマスクチャックの擬似平面
との差及び上記複数の光学系の位置における基板チャッ
クの実平面とその擬似平面との差を求め、この求めた二
つの差を上記複数の光学系の位置におけるオフセット値
として上記所定のギャップ量に対し加減算して上記各光
学系のフォーカス位置を設定し、このフォーカス位置に
ガラス基板の上面が位置するように基板チャックを上昇
させることにより、マスク下面とガラス基板の上面との
間に平均したギャップを設定することを特徴とする基板
露光装置におけるギャップ制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3348388A JPH05159998A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 基板露光装置におけるギャップ制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3348388A JPH05159998A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 基板露光装置におけるギャップ制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159998A true JPH05159998A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18396692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3348388A Pending JPH05159998A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 基板露光装置におけるギャップ制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05159998A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172624A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Infineon Technologies Ag | 露光を実行する装置において基板を位置調整する方法 |
| JP2006235019A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP3348388A patent/JPH05159998A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172624A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Infineon Technologies Ag | 露光を実行する装置において基板を位置調整する方法 |
| US7248365B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-07-24 | Infineon Technologies Ag | Method for adjusting a substrate in an appliance for carrying out exposure |
| JP2006235019A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JP4679172B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表示用パネル基板の露光装置、表示用パネル基板の露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100808701B1 (ko) | 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 장치 및 그 패턴 생성장치 | |
| JP2023027281A (ja) | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置の制御方法 | |
| JPS62122215A (ja) | 投影露光装置 | |
| KR20140062600A (ko) | 마스크리스 노광장비 및 이의 왜곡차 측정 및 매칭방법 | |
| JPH05159998A (ja) | 基板露光装置におけるギャップ制御方法 | |
| JPH037138B2 (ja) | ||
| JP2879709B2 (ja) | 大型基板露光装置 | |
| JP2000329523A (ja) | アライメントスコープの位置校正装置及びその方法 | |
| JP3959265B2 (ja) | プロキシミティ露光装置及びその装置におけるプロキシミティギャップ制御方法 | |
| JP2720202B2 (ja) | 基板露光装置におけるギャップ制御方法 | |
| JPS62159425A (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| JP3205811B2 (ja) | 基板露光装置における穴あきマスク及びそれを使用したギャップ制御方法 | |
| US5217833A (en) | Method of producing crt fluorescent screen | |
| KR102282153B1 (ko) | 리소그래피 장치, 리소그래피 장치의 수직 제어 방법 및 노광방법 | |
| JPH05332761A (ja) | パターン位置測定装置 | |
| JP5331622B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2850061B2 (ja) | 基板露光装置 | |
| KR101721189B1 (ko) | 광각 보정 장치와 이를 사용하는 노광 장치 및 광각 보정 방법 | |
| JPH02199815A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
| US7248365B2 (en) | Method for adjusting a substrate in an appliance for carrying out exposure | |
| JPH03120712A (ja) | 露光装置 | |
| JP2001015420A (ja) | 半導体ウエハのパターン露光方法およびパターン露光装置 | |
| JP2016156976A (ja) | プロキシミティ方式の露光装置 | |
| JPH04307550A (ja) | ガラス基板露光装置におけるギャップ制御方法 | |
| JP2013197568A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |