JP2879709B2 - 大型基板露光装置 - Google Patents
大型基板露光装置Info
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- JP2879709B2 JP2879709B2 JP2273451A JP27345190A JP2879709B2 JP 2879709 B2 JP2879709 B2 JP 2879709B2 JP 2273451 A JP2273451 A JP 2273451A JP 27345190 A JP27345190 A JP 27345190A JP 2879709 B2 JP2879709 B2 JP 2879709B2
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- Japan
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- substrate
- mask
- chuck
- gap
- exposure apparatus
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主として大型サイズの基板にマスクに形成
された配線パターンを焼き付ける大型基板露光装置に関
し、特に基板の大型化に伴いサイズが大型化したマスク
の自重によるたわみがあっても上記基板とマスクとの間
のギャップを均一化することができる大型基板露光装置
に関する。
された配線パターンを焼き付ける大型基板露光装置に関
し、特に基板の大型化に伴いサイズが大型化したマスク
の自重によるたわみがあっても上記基板とマスクとの間
のギャップを均一化することができる大型基板露光装置
に関する。
従来のこの種の基板露光装置は、第２図に示すよう
に、チャック１の上面に基板２を保持すると共に、この
基板２の上面との間に所定のギャップをあけてマスク３
をマスクベース４で支持し、このマスク３の上方から露
光用の光を照射して該マスク３に形成された配線パター
ンを上記基板２に焼き付けるようになっていた。なお、
第２図において、符号6a,6b,6cは上記チャック１の傾き
を調整するチルト機構を示し、符号７は上記チルト機構
6a〜6cを支持して上昇下降する支持部材を示している。
に、チャック１の上面に基板２を保持すると共に、この
基板２の上面との間に所定のギャップをあけてマスク３
をマスクベース４で支持し、このマスク３の上方から露
光用の光を照射して該マスク３に形成された配線パター
ンを上記基板２に焼き付けるようになっていた。なお、
第２図において、符号6a,6b,6cは上記チャック１の傾き
を調整するチルト機構を示し、符号７は上記チルト機構
6a〜6cを支持して上昇下降する支持部材を示している。
ここで、上記マスクベース４は、第３図に示すよう
に、例えば矩形状に形成されると共に、その中央部のマ
スク支持部には光透過用の例えば矩形状の切欠窓５が穿
設されており、この切欠窓５の緑部に上記マスク３の外
周縁を載せて支持するようになっていた。従って、基板
２の大型化に伴って上記マスク３のサイズが大型化（例
えば400mm×400mm以上）してくると、第２図に示すよう
に、そのマスク３の中央部が自重（厚さ5mm程度）によ
り下方に湾曲状にたわむものであった。
に、例えば矩形状に形成されると共に、その中央部のマ
スク支持部には光透過用の例えば矩形状の切欠窓５が穿
設されており、この切欠窓５の緑部に上記マスク３の外
周縁を載せて支持するようになっていた。従って、基板
２の大型化に伴って上記マスク３のサイズが大型化（例
えば400mm×400mm以上）してくると、第２図に示すよう
に、そのマスク３の中央部が自重（厚さ5mm程度）によ
り下方に湾曲状にたわむものであった。
しかし、このような従来の基板露光装置においては、
上記チャック１の上面は滑らかな平坦に仕上げられてい
るので、その上面に保持された基板２は平坦な状態とな
っており、この基板２の上面と上記マスク３の下面との
間のギャップは不均一となるものであった。すなわち、
上記マスク３の中央部のたわみ量は大きく、周辺部のた
わみ量は小さいので、中央部におけるギャップg1は小さ
く、周辺部におけるギャップg2,g3はそれよりも大きく
なる。従って、基板２の中央部におけるギャップg1が所
定の値になるように位置決めしても、周辺部のギャップ
g2,g3はそれよりも大きな値となり、上記基板２の平面
内の位置によりマスク３とのギャップが不均一となる。
このような状態で上記マスク３の上方から露光用の光を
照射すると、基板２に焼き付けられる配線パターンの解
像度は、該基板２上の位置によりばらつくものであっ
た。従って、上記基板２上には配線パターンが正しく焼
き付けられず、製品としての品質が低下すると共に歩留
まりも低下するものであった。
上記チャック１の上面は滑らかな平坦に仕上げられてい
るので、その上面に保持された基板２は平坦な状態とな
っており、この基板２の上面と上記マスク３の下面との
間のギャップは不均一となるものであった。すなわち、
上記マスク３の中央部のたわみ量は大きく、周辺部のた
わみ量は小さいので、中央部におけるギャップg1は小さ
く、周辺部におけるギャップg2,g3はそれよりも大きく
なる。従って、基板２の中央部におけるギャップg1が所
定の値になるように位置決めしても、周辺部のギャップ
g2,g3はそれよりも大きな値となり、上記基板２の平面
内の位置によりマスク３とのギャップが不均一となる。
このような状態で上記マスク３の上方から露光用の光を
照射すると、基板２に焼き付けられる配線パターンの解
像度は、該基板２上の位置によりばらつくものであっ
た。従って、上記基板２上には配線パターンが正しく焼
き付けられず、製品としての品質が低下すると共に歩留
まりも低下するものであった。
そこで、本発明は、このような問題点を解決し、基板
の大型化に伴いサイズが大型化したマスクの自重による
たわみがあっても上記基板とマスクとの間のギャップを
均一化することができる大型基板露光装置を提供するこ
とを目的とする。
の大型化に伴いサイズが大型化したマスクの自重による
たわみがあっても上記基板とマスクとの間のギャップを
均一化することができる大型基板露光装置を提供するこ
とを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による大型基板露
光装置は、チャックの上面に大型の基板を保持すると共
に、この基板の上面との間に所定のギャップをあけてマ
スクをマスクベースで支持し、このマスクの上方から露
光用の光を照射して該マスクに形成された配線パターン
を上記基板に焼き付ける大型基板露光装置において、上
記チャックの上面を、マスクベースで支持された状態の
マスクの下方へのたわみ量に応じて凹面状に形成したも
のである。
光装置は、チャックの上面に大型の基板を保持すると共
に、この基板の上面との間に所定のギャップをあけてマ
スクをマスクベースで支持し、このマスクの上方から露
光用の光を照射して該マスクに形成された配線パターン
を上記基板に焼き付ける大型基板露光装置において、上
記チャックの上面を、マスクベースで支持された状態の
マスクの下方へのたわみ量に応じて凹面状に形成したも
のである。
このように構成された大型基板露光装置は、チャック
の上面を、マスクベースで支持された状態のマスクの下
方へのたわみ量に応じて凹面状に形成したことにより、
そのチャックの上面に保持される大型の基板は、その形
状にならって凹面状にたわむこととなる。これにより、
基板とマスクとの間のギャップは、中央部においても周
辺部においても等しくなり、全体的に均一化を図ること
ができる。
の上面を、マスクベースで支持された状態のマスクの下
方へのたわみ量に応じて凹面状に形成したことにより、
そのチャックの上面に保持される大型の基板は、その形
状にならって凹面状にたわむこととなる。これにより、
基板とマスクとの間のギャップは、中央部においても周
辺部においても等しくなり、全体的に均一化を図ること
ができる。
〔実施例〕 以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明による大型基板露光装置の実施例を示
す断面説明図である。図において、チャック１は、その
上面に大型（例えば400mm×400mm程度）の基板２を載せ
て保持するもので、上昇下降可能とされた支持部材７の
上面に設けられた例えば３本のチルト機構6a,6b,6cによ
って傾きが調整されるようになっている。そして、この
チャック１の上面には、例えば電子回路の回路基板を構
成するガラス製などの大型の基板２が真空吸着等により
保持される。
す断面説明図である。図において、チャック１は、その
上面に大型（例えば400mm×400mm程度）の基板２を載せ
て保持するもので、上昇下降可能とされた支持部材７の
上面に設けられた例えば３本のチルト機構6a,6b,6cによ
って傾きが調整されるようになっている。そして、この
チャック１の上面には、例えば電子回路の回路基板を構
成するガラス製などの大型の基板２が真空吸着等により
保持される。
上記チャック１の上方には、マスクベース４が設けら
れている。このマスクベース４は、その上面に大型（例
えば400mm×400mm以上）のマスク３を支持するもので、
第３図に示すと同様に、例えば矩形状に形成されると共
に、その中央部のマスク支持部には光透過用の例えば矩
形状の切欠窓５が穿設されている。そして、このマスク
ベース４の上面には、上記基板２に焼き付ける配線パタ
ーンが形成された大型のマスク３が、上記切欠窓５の緑
部にその外周縁を載せて支持される。
れている。このマスクベース４は、その上面に大型（例
えば400mm×400mm以上）のマスク３を支持するもので、
第３図に示すと同様に、例えば矩形状に形成されると共
に、その中央部のマスク支持部には光透過用の例えば矩
形状の切欠窓５が穿設されている。そして、このマスク
ベース４の上面には、上記基板２に焼き付ける配線パタ
ーンが形成された大型のマスク３が、上記切欠窓５の緑
部にその外周縁を載せて支持される。
ここで、本発明においては、上記チャック１の上面
は、前記マスクベース４で支持された状態のマスク３の
下方へのたわみ量に応じて凹面状に形成されている。す
なわち、上記基板２の大型化に伴ってマスク３のサイズ
が大型化してくると、そのマスク３の中央部が自重によ
り下方に湾曲状にたわむので、そのたわみ量と位置を例
えば三次元測定器等で計測し、そのたわみ状態に対応し
て上記チャック１の上面を凹面状に研削加工すると共
に、滑らかな凹曲面に仕上げればよい。
は、前記マスクベース４で支持された状態のマスク３の
下方へのたわみ量に応じて凹面状に形成されている。す
なわち、上記基板２の大型化に伴ってマスク３のサイズ
が大型化してくると、そのマスク３の中央部が自重によ
り下方に湾曲状にたわむので、そのたわみ量と位置を例
えば三次元測定器等で計測し、そのたわみ状態に対応し
て上記チャック１の上面を凹面状に研削加工すると共
に、滑らかな凹曲面に仕上げればよい。
このように形成されたチャック１の上面に大型の基板
２を真空吸着等により保持すると、上記基板２は厚さ1m
m程度で比較的薄いので、上記チャック１の上面の形状
にならって凹面状にたわむこととなる。従って、第１図
に示すように、マスクベース４に大型のマスク３を支持
した状態で、チャック１の上面に大型の基板２を保持し
て、支持部材７を上昇させると共に３本のチルト機構6a
〜6cで傾きを適宜調整することにより、基板２とマスク
３との間のギャップが所定の値になるように位置決めす
ることができる。このとき、上記基板２は、マスク３の
下方へのたわみ量に応じて凹面状にたわんでいるので、
基板２の中央部におけるギャップg1と周辺部におけるギ
ャップg2,g3は等しくなる。そして、この状態でマスク
３の上方から露光用の光（例えば紫外線）を照射するこ
とにより、該マスク３に形成された配線パターンが上記
基板２に焼き付けられる。
２を真空吸着等により保持すると、上記基板２は厚さ1m
m程度で比較的薄いので、上記チャック１の上面の形状
にならって凹面状にたわむこととなる。従って、第１図
に示すように、マスクベース４に大型のマスク３を支持
した状態で、チャック１の上面に大型の基板２を保持し
て、支持部材７を上昇させると共に３本のチルト機構6a
〜6cで傾きを適宜調整することにより、基板２とマスク
３との間のギャップが所定の値になるように位置決めす
ることができる。このとき、上記基板２は、マスク３の
下方へのたわみ量に応じて凹面状にたわんでいるので、
基板２の中央部におけるギャップg1と周辺部におけるギ
ャップg2,g3は等しくなる。そして、この状態でマスク
３の上方から露光用の光（例えば紫外線）を照射するこ
とにより、該マスク３に形成された配線パターンが上記
基板２に焼き付けられる。
本発明は以上のように構成されたので、チャック１の
上面を、マスクベース４で支持された状態のマスク３の
下方へのたわみ量に応じて凹面状に形成したことによ
り、そのチャック１の上面に保持される大型の基板２
は、その形状にならって凹面状にたわむこととなる。従
って、上記基板２とマスク３との間のギャップは、中央
部においても（g1）周辺部においても（g2,g3）等しく
なり、全体的に均一化を図ることができる。このことか
ら、基板２に焼き付けられるマスク３の配線パターンの
解像度は、該基板２の全面において一定となる。従っ
て、上記基板２上には配線パターンが正しく焼き付けら
れ、製品としての品質を向上することができると共に歩
留まりも向上することができる。
上面を、マスクベース４で支持された状態のマスク３の
下方へのたわみ量に応じて凹面状に形成したことによ
り、そのチャック１の上面に保持される大型の基板２
は、その形状にならって凹面状にたわむこととなる。従
って、上記基板２とマスク３との間のギャップは、中央
部においても（g1）周辺部においても（g2,g3）等しく
なり、全体的に均一化を図ることができる。このことか
ら、基板２に焼き付けられるマスク３の配線パターンの
解像度は、該基板２の全面において一定となる。従っ
て、上記基板２上には配線パターンが正しく焼き付けら
れ、製品としての品質を向上することができると共に歩
留まりも向上することができる。
第１図は本発明による大型基板露光装置の実施例を示す
断面説明図、第２図は従来の基板露光装置を示す断面説
明図、第３図はチャック及びマスクベースを示す斜視説
明図である。 １……チャック、２……基板、３……マスク、４……マ
スクベース、５……切欠窓、6a〜6c……チルト機構、
g1,g2,g3……ギャップ。
断面説明図、第２図は従来の基板露光装置を示す断面説
明図、第３図はチャック及びマスクベースを示す斜視説
明図である。 １……チャック、２……基板、３……マスク、４……マ
スクベース、５……切欠窓、6a〜6c……チルト機構、
g1,g2,g3……ギャップ。
Claims (1)
- 【請求項１】チャックの上面に大型の基板を保持すると
共に、この基板の上面との間に所定のギャップをあけて
マスクをマスクベースで支持し、このマスクの上方から
露光用の光を照射して該マスクに形成された配線パター
ンを上記基板に焼き付ける大型基板露光装置において、
上記チャックの上面を、マスクベースで支持された状態
のマスクの下方へのたわみ量に応じて凹面状に形成した
ことを特徴とする大型基板露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273451A JP2879709B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 大型基板露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2273451A JP2879709B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 大型基板露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04149555A JPH04149555A (ja) | 1992-05-22 |
| JP2879709B2 true JP2879709B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=17528100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2273451A Expired - Fee Related JP2879709B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 大型基板露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879709B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160033840A (ko) * | 2014-09-18 | 2016-03-29 | 주식회사 필옵틱스 | 노광장치와 이것의 워크 테이블 |
| US11550230B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-01-10 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | Substrate deforming device for proximity exposure, and substrate deforming method for proximity exposure using same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4679172B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表示用パネル基板の露光装置、表示用パネル基板の露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| CN103885298B (zh) * | 2014-03-06 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光装置及曝光系统 |
| KR102455415B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-10-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 접합 장치 및 이를 이용한 기판의 접합 방법 |
| CN109581828A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曝光装置及曝光方法 |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP2273451A patent/JP2879709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160033840A (ko) * | 2014-09-18 | 2016-03-29 | 주식회사 필옵틱스 | 노광장치와 이것의 워크 테이블 |
| KR101652985B1 (ko) * | 2014-09-18 | 2016-09-02 | 주식회사 필옵틱스 | 노광장치와 이것의 워크 테이블 |
| US11550230B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-01-10 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | Substrate deforming device for proximity exposure, and substrate deforming method for proximity exposure using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04149555A (ja) | 1992-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |