JP3205811B2 - 基板露光装置における穴あきマスク及びそれを使用したギャップ制御方法 - Google Patents
基板露光装置における穴あきマスク及びそれを使用したギャップ制御方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板にパターン
マスクに形成された配線パターンを焼き付ける基板露光
装置において上記パターンマスクとガラス基板との間の
ギャップを略全面にわたって正確に測定するのに用いる
穴あきマスク及びこの穴あきマスクを使用してパターン
マスクとガラス基板との間のギャップを正しく設定する
ことができるギャップ制御方法に関する。
マスクに形成された配線パターンを焼き付ける基板露光
装置において上記パターンマスクとガラス基板との間の
ギャップを略全面にわたって正確に測定するのに用いる
穴あきマスク及びこの穴あきマスクを使用してパターン
マスクとガラス基板との間のギャップを正しく設定する
ことができるギャップ制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板露光装置は、図４に示すように、配
線パターンが形成されたパターンマスク１をマスクチャ
ック２で支持し、このパターンマスク１の下方にはガラ
ス基板３を基板チャック４の上面に載せて保持すると共
に、その基板チャック４を上昇させて上記ガラス基板３
の上面とパターンマスク１下面との間に所定のギャップ
ｇをあけて位置合わせをし、上記パターンマスク１の上
方から露光用の光を照射して該パターンマスク１に形成
された配線パターンを上記ガラス基板３に焼き付けるよ
うになっている。なお、図４において、符号５ａ，５
ｂ，５ｃは上記基板チャック４の傾きを調整するチルト
機構を示し、符号６は上記チルト機構５ａ〜５ｃを支持
して上昇下降する支持部材を示している。
線パターンが形成されたパターンマスク１をマスクチャ
ック２で支持し、このパターンマスク１の下方にはガラ
ス基板３を基板チャック４の上面に載せて保持すると共
に、その基板チャック４を上昇させて上記ガラス基板３
の上面とパターンマスク１下面との間に所定のギャップ
ｇをあけて位置合わせをし、上記パターンマスク１の上
方から露光用の光を照射して該パターンマスク１に形成
された配線パターンを上記ガラス基板３に焼き付けるよ
うになっている。なお、図４において、符号５ａ，５
ｂ，５ｃは上記基板チャック４の傾きを調整するチルト
機構を示し、符号６は上記チルト機構５ａ〜５ｃを支持
して上昇下降する支持部材を示している。
【０００３】そして、このような基板露光装置におい
て、上記パターンマスク１とガラス基板３との間のギャ
ップｇを所定の値に設定する（このギャップを「プロキ
シミティギャップ」という）には、ガラス基板３の位置
合わせ用の光学系でパターンマスク１の上方から見てい
て、まず、上記パターンマスク１の下面にピントを合わ
せる。次に、このパターンマスク１の下面から例えば10
0μmのギャップｇをあけてガラス基板３をセットすると
し、上記パターンマスク１の下面から100μmの位置にピ
ントを合わせる。この状態で、ガラス基板３の上面に平
行出し用の縞パターンを照射して、基板チャック４を３
本のチルト機構５ａ〜５ｃで上昇させる。そして、上記
３本のチルト機構５ａ〜５ｃの上昇量を加減しながら、
上記縞パターンが正しい形に見えるように調節すること
により、ガラス基板３のパターンマスク１に対する平行
出しをすると共に、ギャップｇを例えば100μmに設定し
ていた。
て、上記パターンマスク１とガラス基板３との間のギャ
ップｇを所定の値に設定する（このギャップを「プロキ
シミティギャップ」という）には、ガラス基板３の位置
合わせ用の光学系でパターンマスク１の上方から見てい
て、まず、上記パターンマスク１の下面にピントを合わ
せる。次に、このパターンマスク１の下面から例えば10
0μmのギャップｇをあけてガラス基板３をセットすると
し、上記パターンマスク１の下面から100μmの位置にピ
ントを合わせる。この状態で、ガラス基板３の上面に平
行出し用の縞パターンを照射して、基板チャック４を３
本のチルト機構５ａ〜５ｃで上昇させる。そして、上記
３本のチルト機構５ａ〜５ｃの上昇量を加減しながら、
上記縞パターンが正しい形に見えるように調節すること
により、ガラス基板３のパターンマスク１に対する平行
出しをすると共に、ギャップｇを例えば100μmに設定し
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のギャップ制御の方法においては、図４に示すよう
に、マスクチャック２の上方例えば３箇所に設けられた
位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃでパターンマスク１の
下面及びガラス基板３の上面にフォーカス位置を合わ
せ、それぞれの光学系Ｆ，Ｒ，Ｃの位置のみにおいてパ
ターンマスク１とガラス基板３との間のギャップｇを設
定していたので、上記各位置Ｆ，Ｒ，Ｃにおけるギャッ
プｇは正しい値に設定できるが、それ以外の位置におい
ては必ずしも正しいギャップｇには設定できないことが
あった。すなわち、パターンマスク１とガラス基板３と
が平行に保たれておらず、それらの平面内で両者間のギ
ャップ量がばらつくことがあった。従って、図４に示す
ように、パターンマスク１の上方から露光用の光を照射
しても、ガラス基板３の平面内で配線パターンの焼付け
の解像度にむらが生じることがあった。このことから、
上記ガラス基板３から製造する製品の品質が劣化すると
共に、歩留まりも低下するものであった。
従来のギャップ制御の方法においては、図４に示すよう
に、マスクチャック２の上方例えば３箇所に設けられた
位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃでパターンマスク１の
下面及びガラス基板３の上面にフォーカス位置を合わ
せ、それぞれの光学系Ｆ，Ｒ，Ｃの位置のみにおいてパ
ターンマスク１とガラス基板３との間のギャップｇを設
定していたので、上記各位置Ｆ，Ｒ，Ｃにおけるギャッ
プｇは正しい値に設定できるが、それ以外の位置におい
ては必ずしも正しいギャップｇには設定できないことが
あった。すなわち、パターンマスク１とガラス基板３と
が平行に保たれておらず、それらの平面内で両者間のギ
ャップ量がばらつくことがあった。従って、図４に示す
ように、パターンマスク１の上方から露光用の光を照射
しても、ガラス基板３の平面内で配線パターンの焼付け
の解像度にむらが生じることがあった。このことから、
上記ガラス基板３から製造する製品の品質が劣化すると
共に、歩留まりも低下するものであった。
【０００５】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、パターンマスクとガラス基板との間のギャップを
略全面にわたって正確に測定するのに用いる穴あきマス
ク及びこの穴あきマスクを使用してパターンマスクとガ
ラス基板との間のギャップを正しく設定することができ
るギャップ制御方法を提供することを目的とする。
処し、パターンマスクとガラス基板との間のギャップを
略全面にわたって正確に測定するのに用いる穴あきマス
ク及びこの穴あきマスクを使用してパターンマスクとガ
ラス基板との間のギャップを正しく設定することができ
るギャップ制御方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による基板露光装置における穴あきマスク
は、基板に焼き付ける配線パターンが形成されたパター
ンマスクと同一サイズ及び同一材質で作られた板材に、
精密変位測定器の測定軸部が貫通する複数個の測定用穴
を所定の間隔をあけて複数行複数列で略全面にわたって
穿設して成り、上記パターンマスクの代りにマスクチャ
ックに支持し、上記測定用穴に精密変位測定器の測定軸
部を貫通してセットし、下方に位置する基板チャックに
支持された基板の上面との間のギャップを直接測定する
のに用いるようにしたものである。
に、本発明による基板露光装置における穴あきマスク
は、基板に焼き付ける配線パターンが形成されたパター
ンマスクと同一サイズ及び同一材質で作られた板材に、
精密変位測定器の測定軸部が貫通する複数個の測定用穴
を所定の間隔をあけて複数行複数列で略全面にわたって
穿設して成り、上記パターンマスクの代りにマスクチャ
ックに支持し、上記測定用穴に精密変位測定器の測定軸
部を貫通してセットし、下方に位置する基板チャックに
支持された基板の上面との間のギャップを直接測定する
のに用いるようにしたものである。
【０００７】また、上記穴あきマスクを使用したギャッ
プ制御方法は、マスクチャックの上面に上記のように構
成された穴あきマスクを支持し、上記マスクチャックの
上方に設けられた位置合わせ用の複数の光学系を用いて
上記穴あきマスクの下面に対し基板チャックに支持され
た基板の上面を所定のギャップをあけたところに設定
し、その後精密変位測定器の測定軸部を上記穴あきマス
クの測定用穴に貫通して該穴あきマスク下面から基板上
面までのギャップを直接測定し、上記所定のギャップと
の差をそれぞれ求めると共にこの差を上記複数の光学系
の位置におけるオフセット値とし、このオフセット値を
上記所定のギャップ量に対し加減算して上記各光学系の
フォーカス位置を設定し、このフォーカス位置に基板の
上面が位置するように基板チャックを移動させることに
より、最終的にパターンマスク下面と基板上面との間に
所定のギャップを設定するものである。
プ制御方法は、マスクチャックの上面に上記のように構
成された穴あきマスクを支持し、上記マスクチャックの
上方に設けられた位置合わせ用の複数の光学系を用いて
上記穴あきマスクの下面に対し基板チャックに支持され
た基板の上面を所定のギャップをあけたところに設定
し、その後精密変位測定器の測定軸部を上記穴あきマス
クの測定用穴に貫通して該穴あきマスク下面から基板上
面までのギャップを直接測定し、上記所定のギャップと
の差をそれぞれ求めると共にこの差を上記複数の光学系
の位置におけるオフセット値とし、このオフセット値を
上記所定のギャップ量に対し加減算して上記各光学系の
フォーカス位置を設定し、このフォーカス位置に基板の
上面が位置するように基板チャックを移動させることに
より、最終的にパターンマスク下面と基板上面との間に
所定のギャップを設定するものである。
【０００８】
【作用】このように構成された穴あきマスクは、基板に
焼き付ける配線パターンが形成されたパターンマスクの
代りにマスクチャックに支持し、板材に複数行複数列で
略全面にわたって穿設された測定用穴に精密変位測定器
の測定軸部を貫通してセットし、下方に位置する基板チ
ャックに支持された基板の上面との間のギャップを直接
測定するのに用いる。これにより、基板露光装置におい
てパターンマスクと基板との間のギャップを略全面にわ
たって正確に測定することができる。
焼き付ける配線パターンが形成されたパターンマスクの
代りにマスクチャックに支持し、板材に複数行複数列で
略全面にわたって穿設された測定用穴に精密変位測定器
の測定軸部を貫通してセットし、下方に位置する基板チ
ャックに支持された基板の上面との間のギャップを直接
測定するのに用いる。これにより、基板露光装置におい
てパターンマスクと基板との間のギャップを略全面にわ
たって正確に測定することができる。
【０００９】また、上記穴あきマスクを使用したギャッ
プ制御方法は、該穴あきマスクの下面に対し所定のギャ
ップに設定した基板の上面までのギャップを精密変位測
定器を用いて直接測定し、上記所定のギャップとの差を
求めると共にこの差を複数の光学系の位置におけるオフ
セット値とする。そして、このオフセット値を上記所定
のギャップ量に対し加減算して上記各光学系のフォーカ
ス位置を設定し、このフォーカス位置に基板の上面が位
置するように基板チャックを移動させる。これにより、
最終的にパターンマスク下面と基板上面との間に所定の
ギャップを正しく設定することができる。
プ制御方法は、該穴あきマスクの下面に対し所定のギャ
ップに設定した基板の上面までのギャップを精密変位測
定器を用いて直接測定し、上記所定のギャップとの差を
求めると共にこの差を複数の光学系の位置におけるオフ
セット値とする。そして、このオフセット値を上記所定
のギャップ量に対し加減算して上記各光学系のフォーカ
ス位置を設定し、このフォーカス位置に基板の上面が位
置するように基板チャックを移動させる。これにより、
最終的にパターンマスク下面と基板上面との間に所定の
ギャップを正しく設定することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明による基板露光装置にお
ける穴あきマスクを示す平面図であり、図４は上記穴あ
きマスクを適用する基板露光装置を示す断面説明図であ
る。
詳細に説明する。図１は本発明による基板露光装置にお
ける穴あきマスクを示す平面図であり、図４は上記穴あ
きマスクを適用する基板露光装置を示す断面説明図であ
る。
【００１１】まず、基板露光装置は、図４に示すように
構成されており、図において、基板チャック４は、その
上面に大型（例えば400mm×400mm程度）のガラス基板３
を載せて保持するもので、上昇下降可能とされた支持部
材６の上面に設けられた例えば３本のチルト機構５ａ，
５ｂ，５ｃによって傾きが調整されるようになってい
る。そして、この基板チャック４の上面には、例えば電
子回路の回路基板を構成する大型のガラス基板３が真空
吸着等により保持される。
構成されており、図において、基板チャック４は、その
上面に大型（例えば400mm×400mm程度）のガラス基板３
を載せて保持するもので、上昇下降可能とされた支持部
材６の上面に設けられた例えば３本のチルト機構５ａ，
５ｂ，５ｃによって傾きが調整されるようになってい
る。そして、この基板チャック４の上面には、例えば電
子回路の回路基板を構成する大型のガラス基板３が真空
吸着等により保持される。
【００１２】上記基板チャック４の上方には、マスクチ
ャック２が設けられている。このマスクチャック２は、
その上面に大型（例えば400mm×400mm以上）のパターン
マスク１を支持するもので、例えば矩形状に形成される
と共に、その中央部のマスク支持部には光透過用の例え
ば矩形状の切欠窓７が穿設されている。そして、このマ
スクチャック２の上面には、上記ガラス基板３に焼き付
ける配線パターンが形成された大型のパターンマスク１
が上記切欠窓７の縁部にその外周縁を載せて支持され
る。
ャック２が設けられている。このマスクチャック２は、
その上面に大型（例えば400mm×400mm以上）のパターン
マスク１を支持するもので、例えば矩形状に形成される
と共に、その中央部のマスク支持部には光透過用の例え
ば矩形状の切欠窓７が穿設されている。そして、このマ
スクチャック２の上面には、上記ガラス基板３に焼き付
ける配線パターンが形成された大型のパターンマスク１
が上記切欠窓７の縁部にその外周縁を載せて支持され
る。
【００１３】次に、このような基板露光装置において使
用する穴あきマスクについて、図１を参照して説明す
る。この穴あきマスク１０は、図４に示す基板露光装置
において最終的にパターンマスク１の下面とガラス基板
３の上面との間のギャップを測定するもので、配線パタ
ーンが形成されたパターンマスク１と同一サイズ及び同
一材質で作られた板材１１（例えば熱膨張率の小さいガ
ラス板）の板面に、図２に示すダイヤルゲージ１２など
の精密変位測定器の測定軸部１３が貫通する複数個の測
定用穴１４，１４，…を所定の間隔をあけて略全面にわ
たって散点状に穿設して構成されている。上記測定用穴
１４は、例えば直径５mm程度とされ、図１においては板
面の略全体に行きわたるように例えば３行３列で合計９
個設けられている。
用する穴あきマスクについて、図１を参照して説明す
る。この穴あきマスク１０は、図４に示す基板露光装置
において最終的にパターンマスク１の下面とガラス基板
３の上面との間のギャップを測定するもので、配線パタ
ーンが形成されたパターンマスク１と同一サイズ及び同
一材質で作られた板材１１（例えば熱膨張率の小さいガ
ラス板）の板面に、図２に示すダイヤルゲージ１２など
の精密変位測定器の測定軸部１３が貫通する複数個の測
定用穴１４，１４，…を所定の間隔をあけて略全面にわ
たって散点状に穿設して構成されている。上記測定用穴
１４は、例えば直径５mm程度とされ、図１においては板
面の略全体に行きわたるように例えば３行３列で合計９
個設けられている。
【００１４】そして、上記のように構成された穴あきマ
スク１０を使用してギャップを測定するには、まず、上
記穴あきマスク１０を精密な平面度を有する定盤（図示
せず）の上に載せ、測定用穴１４のところにダイヤルゲ
ージ１２をセットしてその測定軸部１３を穴内に挿入
し、上記測定軸部１３の先端を定盤の上面に当接してこ
のときの目盛をゼロに調節する。この目盛は上記穴あき
マスク１０の下面位置を示し、これにより上記ダイヤル
ゲージ１２のゼロ点設定が行われる。
スク１０を使用してギャップを測定するには、まず、上
記穴あきマスク１０を精密な平面度を有する定盤（図示
せず）の上に載せ、測定用穴１４のところにダイヤルゲ
ージ１２をセットしてその測定軸部１３を穴内に挿入
し、上記測定軸部１３の先端を定盤の上面に当接してこ
のときの目盛をゼロに調節する。この目盛は上記穴あき
マスク１０の下面位置を示し、これにより上記ダイヤル
ゲージ１２のゼロ点設定が行われる。
【００１５】次に、図２に示すように、基板露光装置に
おいて、通常のパターンマスク１の代りに図１に示す穴
あきマスク１０をマスクチャック２の上面に載せて支持
する。この状態で、マスクチャック２の上方例えば３箇
所に設けられた位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃで、穴
あきマスク１０の上方から見てその下面にピントを合わ
せその位置を測定する。次に、上記穴あきマスク１０の
下面から例えば100μmのギャップ（プロキシミティギャ
ップ）ｇをあけてガラス基板３をセットするとし、上記
各光学系Ｆ，Ｒ，Ｃのフォーカス位置を穴あきマスク１
０の下面から100μmのところに設定する。その後、ガラ
ス基板３の上面に平行出し用の縞パターンを照射して基
板チャック４を上昇させ、上記縞パターンが正しい形に
見えるように調節することにより、上記ガラス基板３の
平行出しをすると共に所定のギャップｇ（＝100μm）に
設定する。
おいて、通常のパターンマスク１の代りに図１に示す穴
あきマスク１０をマスクチャック２の上面に載せて支持
する。この状態で、マスクチャック２の上方例えば３箇
所に設けられた位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃで、穴
あきマスク１０の上方から見てその下面にピントを合わ
せその位置を測定する。次に、上記穴あきマスク１０の
下面から例えば100μmのギャップ（プロキシミティギャ
ップ）ｇをあけてガラス基板３をセットするとし、上記
各光学系Ｆ，Ｒ，Ｃのフォーカス位置を穴あきマスク１
０の下面から100μmのところに設定する。その後、ガラ
ス基板３の上面に平行出し用の縞パターンを照射して基
板チャック４を上昇させ、上記縞パターンが正しい形に
見えるように調節することにより、上記ガラス基板３の
平行出しをすると共に所定のギャップｇ（＝100μm）に
設定する。
【００１６】この状態で、図２に示すように、穴あきマ
スク１０のいずれかの測定用穴１４のところにダイヤル
ゲージ１２をセットしてその測定軸部１３を穴内に挿入
し、上記測定軸部１３の先端をガラス基板３の上面に当
接する。このときのダイヤルゲージ１２の目盛は、上記
穴あきマスク１０の下面からガラス基板３の上面までの
距離を示しており、これにより穴あきマスク１０の下面
とガラス基板３の上面との間のギャップを直接正確に測
定することができる。
スク１０のいずれかの測定用穴１４のところにダイヤル
ゲージ１２をセットしてその測定軸部１３を穴内に挿入
し、上記測定軸部１３の先端をガラス基板３の上面に当
接する。このときのダイヤルゲージ１２の目盛は、上記
穴あきマスク１０の下面からガラス基板３の上面までの
距離を示しており、これにより穴あきマスク１０の下面
とガラス基板３の上面との間のギャップを直接正確に測
定することができる。
【００１７】このようにして、図２に示す穴あきマスク
１０の総ての測定用穴１４にダイヤルゲージ１２をセッ
トして、それぞれの位置における穴あきマスク１０とガ
ラス基板３との間のギャップを直接測定する。この場
合、上記穴あきマスク１０は、図４に示すパターンマス
ク１と同一サイズ及び同一材質で形成されているので、
上記の測定によりパターンマスク１とガラス基板３との
間のギャップを測定したこととなる。これにより、上記
パターンマスク１とガラス基板３との間のギャップが、
全面にわたって設定しようとする所定のギャップｇにな
っているかどうかを正確に測定することができる。
１０の総ての測定用穴１４にダイヤルゲージ１２をセッ
トして、それぞれの位置における穴あきマスク１０とガ
ラス基板３との間のギャップを直接測定する。この場
合、上記穴あきマスク１０は、図４に示すパターンマス
ク１と同一サイズ及び同一材質で形成されているので、
上記の測定によりパターンマスク１とガラス基板３との
間のギャップを測定したこととなる。これにより、上記
パターンマスク１とガラス基板３との間のギャップが、
全面にわたって設定しようとする所定のギャップｇにな
っているかどうかを正確に測定することができる。
【００１８】図３は基板露光装置において上記穴あきマ
スク１０を使用したギャップ制御方法を示す断面説明図
である。まず初めに、図２を参照して説明したように、
通常のパターンマスク１の代りに穴あきマスク１０をマ
スクチャック２の上面に載せて支持し、この状態で例え
ば３箇所に設けられた位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃ
で穴あきマスク１０の下面及びその下方例えば100μmの
位置にそれぞれフォーカス位置を合わせ、基板チャック
４に支持されたガラス基板３の上面の平行出しをすると
共に所定のギャップｇ（＝100μm）に設定する。
スク１０を使用したギャップ制御方法を示す断面説明図
である。まず初めに、図２を参照して説明したように、
通常のパターンマスク１の代りに穴あきマスク１０をマ
スクチャック２の上面に載せて支持し、この状態で例え
ば３箇所に設けられた位置合わせ用の光学系Ｆ，Ｒ，Ｃ
で穴あきマスク１０の下面及びその下方例えば100μmの
位置にそれぞれフォーカス位置を合わせ、基板チャック
４に支持されたガラス基板３の上面の平行出しをすると
共に所定のギャップｇ（＝100μm）に設定する。
【００１９】次に、図２で説明したと同様にして、ダイ
ヤルゲージ１２の測定軸部１３を上記穴あきマスク１０
の各測定用穴１４，１４′，１４″，…に貫通して該穴
あきマスク１０の下面からガラス基板３の上面までのギ
ャップをそれぞれ直接測定する。このとき、光学系Ｃの
位置近傍の穴１４の点における実測のギャップｇは設定
すべき所定のギャップｇに等しく、他の光学系Ｒの位置
近傍の穴１４′の点における実測のギャップｇ1は所定
のギャップｇよりも小さく、さらに他の光学系Ｆの位置
近傍の穴１４″の点における実測のギャップｇ2は所定
のギャップｇよりも大きいとする。そこで、各光学系
Ｃ，Ｒ，Ｆの位置における実測のギャップｇ，ｇ1，ｇ2
と所定のギャップｇとの差をそれぞれ計算し、この差を
上記各光学系Ｃ，Ｒ，Ｆの位置におけるオフセット値と
する。
ヤルゲージ１２の測定軸部１３を上記穴あきマスク１０
の各測定用穴１４，１４′，１４″，…に貫通して該穴
あきマスク１０の下面からガラス基板３の上面までのギ
ャップをそれぞれ直接測定する。このとき、光学系Ｃの
位置近傍の穴１４の点における実測のギャップｇは設定
すべき所定のギャップｇに等しく、他の光学系Ｒの位置
近傍の穴１４′の点における実測のギャップｇ1は所定
のギャップｇよりも小さく、さらに他の光学系Ｆの位置
近傍の穴１４″の点における実測のギャップｇ2は所定
のギャップｇよりも大きいとする。そこで、各光学系
Ｃ，Ｒ，Ｆの位置における実測のギャップｇ，ｇ1，ｇ2
と所定のギャップｇとの差をそれぞれ計算し、この差を
上記各光学系Ｃ，Ｒ，Ｆの位置におけるオフセット値と
する。
【００２０】上記オフセット値は、光学系Ｃの位置では
ｇ−ｇ＝０であり、光学系Ｒの位置では例えばｇ−ｇ1
＝１０（μm）であり、光学系Ｆの位置では例えばｇ−
ｇ2＝−１０（μm）であるとする。次に、これらのオフ
セット値を上記所定のギャップｇ（＝100μm）に対して
加減算し、上記各光学系Ｃ，Ｒ，Ｆのフォーカス位置を
設定する。すなわち、光学系Ｃのフォーカス位置は、ｆ
＝100＋0＝100（μm）となる。また、光学系Ｒのフォー
カス位置は、ｆ＝100＋10＝110（μm）となる。さら
に、光学系Ｆのフォーカス位置は、ｆ＝100−10＝90
（μm）となる。
ｇ−ｇ＝０であり、光学系Ｒの位置では例えばｇ−ｇ1
＝１０（μm）であり、光学系Ｆの位置では例えばｇ−
ｇ2＝−１０（μm）であるとする。次に、これらのオフ
セット値を上記所定のギャップｇ（＝100μm）に対して
加減算し、上記各光学系Ｃ，Ｒ，Ｆのフォーカス位置を
設定する。すなわち、光学系Ｃのフォーカス位置は、ｆ
＝100＋0＝100（μm）となる。また、光学系Ｒのフォー
カス位置は、ｆ＝100＋10＝110（μm）となる。さら
に、光学系Ｆのフォーカス位置は、ｆ＝100−10＝90
（μm）となる。
【００２１】このようにして、各光学系Ｆ，Ｒ，Ｃのフ
ォーカス位置を求めたところで、図３において、マスク
チャック２の上面に図４に示すパターンマスク１を支持
し、このパターンマスク１の下面位置を測定した後、上
記求めたフォーカス位置となるように各光学系Ｆ，Ｒ，
Ｃの対物レンズを下降させ、その後上記各光学系Ｆ，
Ｒ，Ｃのフォーカス位置にガラス基板３の上面が位置す
るように基板チャック４を３本のチルト機構５ａ〜５ｃ
で上昇させる。これにより、最終的にパターンマスク１
の下面とガラス基板３の上面との間に、所定のギャップ
ｇを正しく設定することができる。
ォーカス位置を求めたところで、図３において、マスク
チャック２の上面に図４に示すパターンマスク１を支持
し、このパターンマスク１の下面位置を測定した後、上
記求めたフォーカス位置となるように各光学系Ｆ，Ｒ，
Ｃの対物レンズを下降させ、その後上記各光学系Ｆ，
Ｒ，Ｃのフォーカス位置にガラス基板３の上面が位置す
るように基板チャック４を３本のチルト機構５ａ〜５ｃ
で上昇させる。これにより、最終的にパターンマスク１
の下面とガラス基板３の上面との間に、所定のギャップ
ｇを正しく設定することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明による穴あきマスクは以上のよう
に構成されたので、基板に焼き付ける配線パターンが形
成されたパターンマスクの代りにマスクチャックに支持
し、板材に複数行複数列で略全面にわたって穿設された
測定用穴に精密変位測定器の測定軸部を貫通してセット
し、下方に位置する基板チャックに支持された基板の上
面との間のギャップを直接測定するのに用いることがで
きる。これにより、基板露光装置においてパターンマス
クと基板との間のギャップを略全面にわたって正確に測
定することができる。
に構成されたので、基板に焼き付ける配線パターンが形
成されたパターンマスクの代りにマスクチャックに支持
し、板材に複数行複数列で略全面にわたって穿設された
測定用穴に精密変位測定器の測定軸部を貫通してセット
し、下方に位置する基板チャックに支持された基板の上
面との間のギャップを直接測定するのに用いることがで
きる。これにより、基板露光装置においてパターンマス
クと基板との間のギャップを略全面にわたって正確に測
定することができる。
【００２３】また、上記穴あきマスクを使用したギャッ
プ制御方法は以上のように構成されたので、パターンマ
スクと基板との間のギャップを略全面にわたって正確に
測定し、設定すべき所定のギャップとの差を求めて複数
の光学系の位置におけるオフセット値とし、このオフセ
ット値を上記所定のギャップ量に対し加減算して上記各
光学系のフォーカス位置を設定することにより、このフ
ォーカス位置に基板の上面が位置するように基板チャッ
クを移動させることができる。これにより、最終的にパ
ターンマスクの下面と基板の上面との間に所定のギャッ
プを正しく設定することができる。従って、上記両者間
のギャップ量がばらつくのを除去することができ、基板
の平面内で配線パターンの焼付けの解像度にむらが生じ
ないようにすることができる。このことから、上記基板
から製造する製品の品質を向上できると共に、歩留まり
も向上することができる。
プ制御方法は以上のように構成されたので、パターンマ
スクと基板との間のギャップを略全面にわたって正確に
測定し、設定すべき所定のギャップとの差を求めて複数
の光学系の位置におけるオフセット値とし、このオフセ
ット値を上記所定のギャップ量に対し加減算して上記各
光学系のフォーカス位置を設定することにより、このフ
ォーカス位置に基板の上面が位置するように基板チャッ
クを移動させることができる。これにより、最終的にパ
ターンマスクの下面と基板の上面との間に所定のギャッ
プを正しく設定することができる。従って、上記両者間
のギャップ量がばらつくのを除去することができ、基板
の平面内で配線パターンの焼付けの解像度にむらが生じ
ないようにすることができる。このことから、上記基板
から製造する製品の品質を向上できると共に、歩留まり
も向上することができる。
【図１】 本発明による基板露光装置における穴あきマ
スクを示す平面図、
スクを示す平面図、
【図２】 上記穴あきマスクの使用状態を示す断面説明
図、
図、
【図３】 基板露光装置において上記穴あきマスクを使
用したギャップ制御方法を示す断面説明図、
用したギャップ制御方法を示す断面説明図、
【図４】 基板露光装置を示す断面説明図。
１…パターンマスク、 ２…マスクチャック、 ３…ガ
ラス基板、 ４…基板チャック、 １０…穴あきマス
ク、 １１…板材、 １２…ダイヤルゲージ、１３…測
定軸部、 １４，１４′，１４″…測定用穴、 ｇ…所
定のギャップ。
ラス基板、 ４…基板チャック、 １０…穴あきマス
ク、 １１…板材、 １２…ダイヤルゲージ、１３…測
定軸部、 １４，１４′，１４″…測定用穴、 ｇ…所
定のギャップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊 藤 康 弘 東京都千代田区大手町２丁目６番２号 日立電子エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−7931（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−71025（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−82731（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 9/00 G03F 1/00 - 1/16
Claims (2)
- 【請求項１】基板に焼き付ける配線パターンが形成され
たパターンマスクと同一サイズ及び同一材質で作られた
板材に、精密変位測定器の測定軸部が貫通する複数個の
測定用穴を所定の間隔をあけて複数行複数列で略全面に
わたって穿設して成り、上記パターンマスクの代りにマ
スクチャックに支持し、上記測定用穴に精密変位測定器
の測定軸部を貫通してセットし、下方に位置する基板チ
ャックに支持された基板の上面との間のギャップを直接
測定するのに用いるようにしたことを特徴とする基板露
光装置における穴あきマスク。 - 【請求項２】マスクチャックの上面に請求項１記載の穴
あきマスクを支持し、上記マスクチャックの上方に設け
られた位置合わせ用の複数の光学系を用いて上記穴あき
マスクの下面に対し基板チャックに支持された基板の上
面を所定のギャップをあけたところに設定し、その後精
密変位測定器の測定軸部を上記穴あきマスクの測定用穴
に貫通して該穴あきマスク下面から基板上面までのギャ
ップを直接測定し、上記所定のギャップとの差をそれぞ
れ求めると共にこの差を上記複数の光学系の位置におけ
るオフセット値とし、このオフセット値を上記所定のギ
ャップ量に対し加減算して上記各光学系のフォーカス位
置を設定し、このフォーカス位置に基板の上面が位置す
るように基板チャックを移動させることにより、最終的
にパターンマスク下面と基板上面との間に所定のギャッ
プを設定することを特徴とする穴あきマスクを使用した
ギャップ制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35827691A JP3205811B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 基板露光装置における穴あきマスク及びそれを使用したギャップ制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35827691A JP3205811B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 基板露光装置における穴あきマスク及びそれを使用したギャップ制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182889A JPH05182889A (ja) | 1993-07-23 |
| JP3205811B2 true JP3205811B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=18458455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35827691A Expired - Fee Related JP3205811B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 基板露光装置における穴あきマスク及びそれを使用したギャップ制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3205811B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101326061B1 (ko) * | 2013-06-26 | 2013-11-07 | 주식회사 세미다린 | 마스크 레벨링수단을 구비한 노광장치 및 마스크 레벨링방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4679172B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表示用パネル基板の露光装置、表示用パネル基板の露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP35827691A patent/JP3205811B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101326061B1 (ko) * | 2013-06-26 | 2013-11-07 | 주식회사 세미다린 | 마스크 레벨링수단을 구비한 노광장치 및 마스크 레벨링방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05182889A (ja) | 1993-07-23 |
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|---|---|---|---|
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