JPH08285502A - 距離および段差の基準試料 - Google Patents
距離および段差の基準試料Info
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- JPH08285502A JPH08285502A JP7090800A JP9080095A JPH08285502A JP H08285502 A JPH08285502 A JP H08285502A JP 7090800 A JP7090800 A JP 7090800A JP 9080095 A JP9080095 A JP 9080095A JP H08285502 A JPH08285502 A JP H08285502A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、１μｍ以下の距離を校正できる基
準試料を得ることを目的とする。 【構成】 本発明では、母材４と、その母材表面に形成
され、１μｍ以下で一定の距離でもって周期的に段差を
有したピッチが刻まれた微細基準パターン１と、母材に
形成され、微細基準パターンの位置を示すため、目視で
きる程度の大きさに描かれた位置指示パターン２とを有
した。
準試料を得ることを目的とする。 【構成】 本発明では、母材４と、その母材表面に形成
され、１μｍ以下で一定の距離でもって周期的に段差を
有したピッチが刻まれた微細基準パターン１と、母材に
形成され、微細基準パターンの位置を示すため、目視で
きる程度の大きさに描かれた位置指示パターン２とを有
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１μｍ以下の微細な長
さを測定（測長）するときに有用な微細測長用の基準器
に関する。
さを測定（測長）するときに有用な微細測長用の基準器
に関する。
【０００２】
【従来の技術】長さの絶対値を高い精度で測定すること
は以外に難しい。一般に被測定物の長さを測定するに
は、光学的測長装置が使用される。しかし、装置に内蔵
するスケールは、校正する必要がある。そのため、従来
では校正用試料に、一定のピッチで周期的に凹凸を形成
し、その凹凸の段差を全て同じものにした基準試料が存
在している。この基準試料は３μｍ以上の距離を規定す
ることができる。これは、現在、半導体製造技術とし
て、最も使用されているフォトリソグラフィー法でパタ
ーンを形成している。
は以外に難しい。一般に被測定物の長さを測定するに
は、光学的測長装置が使用される。しかし、装置に内蔵
するスケールは、校正する必要がある。そのため、従来
では校正用試料に、一定のピッチで周期的に凹凸を形成
し、その凹凸の段差を全て同じものにした基準試料が存
在している。この基準試料は３μｍ以上の距離を規定す
ることができる。これは、現在、半導体製造技術とし
て、最も使用されているフォトリソグラフィー法でパタ
ーンを形成している。
【０００３】しかし、このフォトリソグラフィー法で
は、１μｍ以下の距離を規定するパターンを描くこと
は、大変困難であった。また、段差の計測には、触診式
段差測定器で測定している。しかしながら、段差測定器
では、探針の直径が１μｍよりも大きいものでしかなか
った。ところで、現在、プローブ顕微鏡は、微小な形状
を計測できるため、半導体集積回路の形状測定に使用さ
れつつある。特に、半導体集積回路は、時が経つにつれ
て、線幅が狭くなってきている。また、この様な半導体
集積回路の線幅の測定をこのプローブ顕微鏡で計測した
いという要望が多くなってきている。
は、１μｍ以下の距離を規定するパターンを描くこと
は、大変困難であった。また、段差の計測には、触診式
段差測定器で測定している。しかしながら、段差測定器
では、探針の直径が１μｍよりも大きいものでしかなか
った。ところで、現在、プローブ顕微鏡は、微小な形状
を計測できるため、半導体集積回路の形状測定に使用さ
れつつある。特に、半導体集積回路は、時が経つにつれ
て、線幅が狭くなってきている。また、この様な半導体
集積回路の線幅の測定をこのプローブ顕微鏡で計測した
いという要望が多くなってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、１μ
ｍ以下の距離について、プローブ顕微鏡から得られるス
ケール情報を校正するための基準試料が得られなかっ
た。また、１μｍ以下のピッチを有する基準試料を得る
ために、電子描画法でパターン形成することが適してい
るが、電子描画法で描くとパターンを描くために、多大
な時間が必要となった。
ｍ以下の距離について、プローブ顕微鏡から得られるス
ケール情報を校正するための基準試料が得られなかっ
た。また、１μｍ以下のピッチを有する基準試料を得る
ために、電子描画法でパターン形成することが適してい
るが、電子描画法で描くとパターンを描くために、多大
な時間が必要となった。
【０００５】よって、本発明では、１μｍ以下の距離を
校正できる基準試料を得ることを目的とする。
校正できる基準試料を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明では、母材と、その母材表面に形成され、
１μｍ以下で一定の距離でもって周期的に段差を有した
ピッチが刻まれた微細基準パターンと、母材に形成さ
れ、微細基準パターンの位置を示すため、目視できる程
度の大きさに描かれた位置指示パターンとを有した（請
求項１記載の発明）。また、更に、位置指示パターン
は、前記微細基準パターンの存在する方向を示すよう方
向指示する形状を有した（請求項２記載の発明）。ま
た、更に母材に形成され、その母材の基準面から一定の
高さを有した段差基準パターンを有した（請求項３記載
の発明）。また、更に本発明では、段差基準パターンに
ついては、少なくとも一方向に等距離に周期的に凹部と
凸部とを有した（請求項４記載の発明）。更に本発明で
は、微細基準パターンについては、同形状の凸部を複数
個配列し、隣合う前記凸部の形状の対応する距離が等し
く配列され、かつ、その隣合う凸部の形状の対応する距
離が異なるパターンを２種類以上設けたとした（請求項
５記載の発明）。
めに、本発明では、母材と、その母材表面に形成され、
１μｍ以下で一定の距離でもって周期的に段差を有した
ピッチが刻まれた微細基準パターンと、母材に形成さ
れ、微細基準パターンの位置を示すため、目視できる程
度の大きさに描かれた位置指示パターンとを有した（請
求項１記載の発明）。また、更に、位置指示パターン
は、前記微細基準パターンの存在する方向を示すよう方
向指示する形状を有した（請求項２記載の発明）。ま
た、更に母材に形成され、その母材の基準面から一定の
高さを有した段差基準パターンを有した（請求項３記載
の発明）。また、更に本発明では、段差基準パターンに
ついては、少なくとも一方向に等距離に周期的に凹部と
凸部とを有した（請求項４記載の発明）。更に本発明で
は、微細基準パターンについては、同形状の凸部を複数
個配列し、隣合う前記凸部の形状の対応する距離が等し
く配列され、かつ、その隣合う凸部の形状の対応する距
離が異なるパターンを２種類以上設けたとした（請求項
５記載の発明）。
【０００７】
【作用】本発明では、１μｍ以下のピッチを有して凸部
と凹部とを形成するため、電子描画法により、微細基準
パターンを形成した。この微細基準パターンは、同形状
の凸部を配列し、凸部のある位置から、ある位置に対応
する他の凸部の位置までを等距離に配置した。この距離
を１μｍ以下とした。この様にすることで、従来、校正
できなかったプローブ顕微鏡の１μｍ以下のスケールの
校正を行うことが出来た。
と凹部とを形成するため、電子描画法により、微細基準
パターンを形成した。この微細基準パターンは、同形状
の凸部を配列し、凸部のある位置から、ある位置に対応
する他の凸部の位置までを等距離に配置した。この距離
を１μｍ以下とした。この様にすることで、従来、校正
できなかったプローブ顕微鏡の１μｍ以下のスケールの
校正を行うことが出来た。
【０００８】この様な微細なパターンを形成するため
に、本発明では、電子描画法で形成した。しかし、電子
描画法では、パターンを描画する面積に比例して、描画
時間が増大してしまう。従って、基準試料の製作の歩留
まり等を考慮して、安価にパターンを作成するために
は、極力描画する面積を小さくすることが一番の解決策
である。しかし、描画する面積を小さくすると、微細基
準パターンが小さくなり、肉眼等で確認出来なくなる。
従って、本発明では、複数の方向から微細基準パターン
の位置を示す位置指示パターンを同一母材上に設けた。
この様にすることで、微細基準パターンが肉眼で確認出
来なくとも、位置指示パターンを肉眼で見える程度に大
きくパターン形成することで、容易に微細基準パターン
を形成することが出来るようになる。
に、本発明では、電子描画法で形成した。しかし、電子
描画法では、パターンを描画する面積に比例して、描画
時間が増大してしまう。従って、基準試料の製作の歩留
まり等を考慮して、安価にパターンを作成するために
は、極力描画する面積を小さくすることが一番の解決策
である。しかし、描画する面積を小さくすると、微細基
準パターンが小さくなり、肉眼等で確認出来なくなる。
従って、本発明では、複数の方向から微細基準パターン
の位置を示す位置指示パターンを同一母材上に設けた。
この様にすることで、微細基準パターンが肉眼で確認出
来なくとも、位置指示パターンを肉眼で見える程度に大
きくパターン形成することで、容易に微細基準パターン
を形成することが出来るようになる。
【０００９】次に、実施例でもって、本発明を更に詳細
に説明する。しかし、本発明は、この実施例だけに限定
されるものではない。
に説明する。しかし、本発明は、この実施例だけに限定
されるものではない。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明に係る一実施例である基準試
料の概略図である。本実施例の基準試料は、厚さ０．３
ｍｍのシリコン基板４上の中心に微細基準パターン１を
設け、その外周に位置指示パターン２を設けた。更に、
シリコン基板４上の任意の位置に、段差基準パターン３
を設けた。
料の概略図である。本実施例の基準試料は、厚さ０．３
ｍｍのシリコン基板４上の中心に微細基準パターン１を
設け、その外周に位置指示パターン２を設けた。更に、
シリコン基板４上の任意の位置に、段差基準パターン３
を設けた。
【００１１】この微細基準パターン１は、ほぼ２２．５
μｍ四方の面積を有しており、微細基準パターン１から
見て４方向に位置指示パターン２を放射状に配置してい
る。この位置指示パターン２は、微細基準パターン１の
存在する方向に矢印を設けた格好となっている。微細基
準パターン１は、２２．５μｍ四方の大きさしかないの
で、肉眼では確認できない。しかし、位置指示パターン
２は、肉眼で確認できる程度の大きさを有しているた
め、測定者は、この位置指示パターン２の示す方向を頼
りに、プローブ顕微鏡の探針を微細基準パターン１の有
る場所まで、本実施例の基準試料を移動し、探針を走査
する。この時は、測定者は、光学顕微鏡を覗きつつ、肉
眼で位置指示パターン２の矢印の方向を確認して行き、
探針を微細基準パターン１のあるところまで移動させ
る。
μｍ四方の面積を有しており、微細基準パターン１から
見て４方向に位置指示パターン２を放射状に配置してい
る。この位置指示パターン２は、微細基準パターン１の
存在する方向に矢印を設けた格好となっている。微細基
準パターン１は、２２．５μｍ四方の大きさしかないの
で、肉眼では確認できない。しかし、位置指示パターン
２は、肉眼で確認できる程度の大きさを有しているた
め、測定者は、この位置指示パターン２の示す方向を頼
りに、プローブ顕微鏡の探針を微細基準パターン１の有
る場所まで、本実施例の基準試料を移動し、探針を走査
する。この時は、測定者は、光学顕微鏡を覗きつつ、肉
眼で位置指示パターン２の矢印の方向を確認して行き、
探針を微細基準パターン１のあるところまで移動させ
る。
【００１２】ところで、対向する位置指示パターン２の
距離は０．５ｍｍとした。ところで、段差基準パターン
３は、本実施例では、幅１００μｍの凸部を設け、複数
の凸部をシリコン基板４からの高さを均一にして、シリ
コン基板４上に設けられている。その高さは、１μｍ以
下である。この段差基準パターン３の位置は、光学顕微
鏡で確認しながら、プローブ顕微鏡の探針へ本実施例の
段差基準パターン３を移動して探針を走査させる。探針
をこの段差基準パターン３で走査させることで、プロー
ブ顕微鏡のキャリブレーションを校正する。
距離は０．５ｍｍとした。ところで、段差基準パターン
３は、本実施例では、幅１００μｍの凸部を設け、複数
の凸部をシリコン基板４からの高さを均一にして、シリ
コン基板４上に設けられている。その高さは、１μｍ以
下である。この段差基準パターン３の位置は、光学顕微
鏡で確認しながら、プローブ顕微鏡の探針へ本実施例の
段差基準パターン３を移動して探針を走査させる。探針
をこの段差基準パターン３で走査させることで、プロー
ブ顕微鏡のキャリブレーションを校正する。
【００１３】ところで、この微細基準パターン１は、２
つのパターンを有している。この微細基準パターン１の
拡大図を図２に示す。図２（ａ）は、上方から見たとき
の概略図であり、図２（ｂ）は、その概略断面図であ
る。微細基準パターン１は、図２に示すように、スタン
ダードパターン１ａとスケーリングパターン１ｂとを有
している。スタンダードパターン１ａは、正方形の凸部
を縦に１８個、横に１８個設けている。それぞれの正方
形の凸部の隣合う間隔（ピッチ）は、０．６μｍであ
る。この正方形の凸部を全て縦方向および横方向に等間
隔に配置した。このスタンダードパターン１ａの大きさ
は、縦１０．５μｍ×横１０．５μｍである。
つのパターンを有している。この微細基準パターン１の
拡大図を図２に示す。図２（ａ）は、上方から見たとき
の概略図であり、図２（ｂ）は、その概略断面図であ
る。微細基準パターン１は、図２に示すように、スタン
ダードパターン１ａとスケーリングパターン１ｂとを有
している。スタンダードパターン１ａは、正方形の凸部
を縦に１８個、横に１８個設けている。それぞれの正方
形の凸部の隣合う間隔（ピッチ）は、０．６μｍであ
る。この正方形の凸部を全て縦方向および横方向に等間
隔に配置した。このスタンダードパターン１ａの大きさ
は、縦１０．５μｍ×横１０．５μｍである。
【００１４】次にスタンダードパターン１ａの外周部
に、スケーリングパターン１ｂを２組設けた。一組目の
スケーリングパターン１ｂは、縦１０μｍ（長手方向の
長さ）の寸法を有した直方形の凸部を、横方向（短手方
向）に３個平行に配列した。ピッチは４μｍで設けられ
ている。この一組目のスケーリングパターン１ｂの大き
さは、縦１０μｍ×横１０μｍである。
に、スケーリングパターン１ｂを２組設けた。一組目の
スケーリングパターン１ｂは、縦１０μｍ（長手方向の
長さ）の寸法を有した直方形の凸部を、横方向（短手方
向）に３個平行に配列した。ピッチは４μｍで設けられ
ている。この一組目のスケーリングパターン１ｂの大き
さは、縦１０μｍ×横１０μｍである。
【００１５】また、二組目のスケーリングパターン１
ｂ、横１０μｍ（長手方向の長さ）の寸法を有した直方
形の凸部を、縦方向（短手方向）に３個平行に配列し
た。ピッチは同じく４μｍで設けられている。二組目の
スケーリングパターン１ｂの大きさは、一組目の大きさ
と同じである。一組目のスケーリングパターン１ｂと二
組目のスケーリングパターン１ｂとの配列方向は、それ
ぞれ直交するようになっている。
ｂ、横１０μｍ（長手方向の長さ）の寸法を有した直方
形の凸部を、縦方向（短手方向）に３個平行に配列し
た。ピッチは同じく４μｍで設けられている。二組目の
スケーリングパターン１ｂの大きさは、一組目の大きさ
と同じである。一組目のスケーリングパターン１ｂと二
組目のスケーリングパターン１ｂとの配列方向は、それ
ぞれ直交するようになっている。
【００１６】この様にスタンダードパターン１ａとスケ
ーリングパターン１ｂとを設けることで、干渉計でスケ
ーリングパターン１ｂのピッチを測定し、電子（electo
ron）顕微鏡でスタンダードパターン１ａを走査する。
そして、観察画像を得る。ＳＥＭ画像上でスタンダード
パターン１ａとスケーリングパターン１ｂとのピッチの
比率を求める。この様に行うことで比率を求めること
は、プローブ顕微鏡にも応用することが出来、得た画像
の大きさを正確に算出することが出来る。
ーリングパターン１ｂとを設けることで、干渉計でスケ
ーリングパターン１ｂのピッチを測定し、電子（electo
ron）顕微鏡でスタンダードパターン１ａを走査する。
そして、観察画像を得る。ＳＥＭ画像上でスタンダード
パターン１ａとスケーリングパターン１ｂとのピッチの
比率を求める。この様に行うことで比率を求めること
は、プローブ顕微鏡にも応用することが出来、得た画像
の大きさを正確に算出することが出来る。
【００１７】また、スケーリングパターン１ｂを配列方
向が直交した二組を用意した。この理由は、それぞれの
スケーリングパターン１ｂを測定することで、基準試料
と平行な平面において、あらゆる方向における距離を計
測するためである。ところで、微細基準パターン１は、
先に説明した形状以外に、長方形の微細なパターンを複
数個並べたスケーリングパターンを２組設け、それぞれ
の組のパターンの配列方向は、直交するよう設けたスケ
ーリングパターンであっても構わない。その概略図を図
３に示す。図３（ａ）は、上方から見たときの概略図で
あり、図３（ｂ）は、その概略断面図である。
向が直交した二組を用意した。この理由は、それぞれの
スケーリングパターン１ｂを測定することで、基準試料
と平行な平面において、あらゆる方向における距離を計
測するためである。ところで、微細基準パターン１は、
先に説明した形状以外に、長方形の微細なパターンを複
数個並べたスケーリングパターンを２組設け、それぞれ
の組のパターンの配列方向は、直交するよう設けたスケ
ーリングパターンであっても構わない。その概略図を図
３に示す。図３（ａ）は、上方から見たときの概略図で
あり、図３（ｂ）は、その概略断面図である。
【００１８】このスケーリングパターン１ｃ1 は、複数
の長方形の凸部を複数個、平行に配列したものであり、
ピッチは０．４μｍである。また、スケーリングパター
ン１ｃ2 は、スケーリングパターン１ｃ1 と同様に複数
個の凸部を平行に配列したものであり、ピッチは０．４
μｍである。スケーリングパターン１ｃ1 と１ｃ2 との
配列方向は、互いに直交している。この様に互いに配列
方向が直交しているのは、スケーリングパターンを２組
設け、互いの配列方向が直交している理由と同じであ
る。
の長方形の凸部を複数個、平行に配列したものであり、
ピッチは０．４μｍである。また、スケーリングパター
ン１ｃ2 は、スケーリングパターン１ｃ1 と同様に複数
個の凸部を平行に配列したものであり、ピッチは０．４
μｍである。スケーリングパターン１ｃ1 と１ｃ2 との
配列方向は、互いに直交している。この様に互いに配列
方向が直交しているのは、スケーリングパターンを２組
設け、互いの配列方向が直交している理由と同じであ
る。
【００１９】この様にして、スケーリングパターン１ｃ
1 と１ｃ2 を設けても構わない。ところで、図３では、
便宜上、スケーリングパターン１ｃ1 と１ｃ2 の長方形
の凸部の数を減らしているが、本実施例におけるこの様
なスケーリングパターン１ｃ1 及び１ｃ2 の長方形の凸
部の本数は、それぞれ２５本ある。また、この長方形の
縦の長さは、１０μｍとなっており、スケーリングパタ
ーン１ｃ1 及びスケーリングパターン１ｃ2 は、それぞ
れ１０μｍ四方の大きさとなっている。
1 と１ｃ2 を設けても構わない。ところで、図３では、
便宜上、スケーリングパターン１ｃ1 と１ｃ2 の長方形
の凸部の数を減らしているが、本実施例におけるこの様
なスケーリングパターン１ｃ1 及び１ｃ2 の長方形の凸
部の本数は、それぞれ２５本ある。また、この長方形の
縦の長さは、１０μｍとなっており、スケーリングパタ
ーン１ｃ1 及びスケーリングパターン１ｃ2 は、それぞ
れ１０μｍ四方の大きさとなっている。
【００２０】ところで、この微細基準パターン１は、電
子ビームを用いた電子描画法によりパターンが描かれて
いる。この電子描画法では、パターンを描くのに、単位
面積当たりの時間が、多大に掛かる。従って、この微細
基準パターン１を極力小面積にしなければならない。し
かし、小面積にすると微細基準パターン１の位置が把握
できなくなる。よって、本実施例では、肉眼若しくは光
学顕微鏡で見える程度の大きさの位置指示パターン２を
複数設け、その位置指示パターン２であらゆる方向から
微細基準パターン１の位置を示すことで、微細基準パタ
ーン１を大きくしなくても、容易に微細基準パターン１
の位置を確認できるようにした。また、微細基準パター
ン１のパターン形成を早くすることも出来た。
子ビームを用いた電子描画法によりパターンが描かれて
いる。この電子描画法では、パターンを描くのに、単位
面積当たりの時間が、多大に掛かる。従って、この微細
基準パターン１を極力小面積にしなければならない。し
かし、小面積にすると微細基準パターン１の位置が把握
できなくなる。よって、本実施例では、肉眼若しくは光
学顕微鏡で見える程度の大きさの位置指示パターン２を
複数設け、その位置指示パターン２であらゆる方向から
微細基準パターン１の位置を示すことで、微細基準パタ
ーン１を大きくしなくても、容易に微細基準パターン１
の位置を確認できるようにした。また、微細基準パター
ン１のパターン形成を早くすることも出来た。
【００２１】更に、本実施例では、段差パターン３を設
けているので、同一試料で、更にプローブ顕微鏡の高さ
の校正をも可能にした。ところで、図１に記載された数
字は、寸法を示す数字である。単位は、位置指示パター
ン２の矢印の角度を示した数字以外については、ミリメ
ートル（ｍｍ）の単位である。また、図２に記載された
数字についても、寸法を示す数字である。単位は、全て
マイクロメートル（μｍ）である。
けているので、同一試料で、更にプローブ顕微鏡の高さ
の校正をも可能にした。ところで、図１に記載された数
字は、寸法を示す数字である。単位は、位置指示パター
ン２の矢印の角度を示した数字以外については、ミリメ
ートル（ｍｍ）の単位である。また、図２に記載された
数字についても、寸法を示す数字である。単位は、全て
マイクロメートル（μｍ）である。
【００２２】なお、本実施例での基準試料は、パターン
形成後、プラチナ膜でコートしても良い。プラチナ膜を
コートすると更に耐久性を増す基準試料となる。また、
この様にすることで、走査トンネル顕微鏡に十分適用で
きる試料が得られる。
形成後、プラチナ膜でコートしても良い。プラチナ膜を
コートすると更に耐久性を増す基準試料となる。また、
この様にすることで、走査トンネル顕微鏡に十分適用で
きる試料が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上の通り本発明によれば、１μｍ以下
の微細基準パターンを有した基準試料を得ることが出
来、表示された観察像のスケールの校正することが出来
る。また、更に微細基準パターンをあまり大きくするこ
となくとも、微細基準パターンをプローブ顕微鏡の探針
などを移動させること容易に出来るようになった。
の微細基準パターンを有した基準試料を得ることが出
来、表示された観察像のスケールの校正することが出来
る。また、更に微細基準パターンをあまり大きくするこ
となくとも、微細基準パターンをプローブ顕微鏡の探針
などを移動させること容易に出来るようになった。
【図１】：本発明に係る一実施例の基準試料の概略図で
ある。
ある。
【図２】：本実施例における微細基準パターンの拡大図
であり、（ａ）は、微細基準パターンを上方から見たと
きの概略図。そして（ｂ）は、その断面図である。
であり、（ａ）は、微細基準パターンを上方から見たと
きの概略図。そして（ｂ）は、その断面図である。
【図３】：本実施例における微細基準パターンのもう一
つの形態を示した拡大図であり、（ａ）は、微細基準パ
ターンを上方から見たときの概略図。そして、（ｂ）
は、その断面図である。
つの形態を示した拡大図であり、（ａ）は、微細基準パ
ターンを上方から見たときの概略図。そして、（ｂ）
は、その断面図である。
１ 微細基準パターン １ａ、１ｃ 微細基準パターンの一つのスタンダードパ
ターン １ｂ スケーリングパターン ２ 位置指示パターン ３ 段差パターン ４ シリコン基板
ターン １ｂ スケーリングパターン ２ 位置指示パターン ３ 段差パターン ４ シリコン基板
Claims (5)
- 【請求項１】 母材と、 前記母材表面に形成され、１μｍ以下で一定の距離でも
って周期的に段差を有したピッチが刻まれた微細基準パ
ターンと、 前記母材に形成され、目視できる程度の大きさに描かれ
た前記微細基準パターンの位置を示す位置指示パターン
とを有したことを特徴とする距離および段差の基準試
料。 - 【請求項２】 前記位置指示パターンは、前記微細基準
パターンの存在する方向を示すよう方向指示する形状を
有していることを特徴とする請求項１記載の距離および
段差の基準試料。 - 【請求項３】 前記母材に形成され、前記母材の基準面
から一定の高さを有した段差基準パターンを有したこと
を特徴とする請求項１または２記載の距離および段差の
基準試料。 - 【請求項４】 前記段差基準パターンは、少なくとも一
方向に等距離に周期的に凹部と凸部とを有したことを特
徴とする請求項３記載の距離および段差の基準試料。 - 【請求項５】 前記微細基準パターンは、同形状の凸部
を複数個配列し、隣合う前記凸部の形状の対応する距離
が等しく配列され、かつ、前記隣合う凸部の形状の対応
する距離が異なるパターンを２種類以上設けたことを特
徴とする請求項１記載の距離および段差の基準試料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7090800A JPH08285502A (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | 距離および段差の基準試料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7090800A JPH08285502A (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | 距離および段差の基準試料 |
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Family
ID=14008672
Family Applications (1)
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| JP7090800A Pending JPH08285502A (ja) | 1995-04-17 | 1995-04-17 | 距離および段差の基準試料 |
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| JP (1) | JPH08285502A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004074771A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Hitachi High-Technologies Corporation | 測長用標準部材およびその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム測長装置 |
| JP2006210171A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの走査幅校正方法及び荷電粒子ビームを用いた顕微装置並びに荷電粒子ビーム校正用試料 |
| JP2006318831A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム校正方法及び電子ビーム装置 |
| WO2012090465A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| US8263929B2 (en) | 2008-08-06 | 2012-09-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Standard member for correction, scanning electron microscope using same, and scanning electron microscope correction method |
| JP2013540286A (ja) * | 2010-09-29 | 2013-10-31 | アプライド プレシジョン インコーポレイテッド | 顕微鏡画像化用の較正目標 |
| ITUA20163703A1 (it) * | 2016-05-23 | 2017-11-23 | Istituto Naz Di Ricerca Metrologica | Dispositivo campione di riferimento per la calibrazione di misure di lunghezza e relativo procedimento di calibrazione |
| WO2018234558A1 (de) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kalibriernormal und verfahren zu seiner herstellung |
-
1995
- 1995-04-17 JP JP7090800A patent/JPH08285502A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7365306B2 (en) | 2003-02-19 | 2008-04-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Standard member for length measurement, method for producing the same, and electron beam length measuring device using the same |
| US7595482B2 (en) | 2003-02-19 | 2009-09-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Standard component for length measurement, method for producing the same, and electron beam metrology system using the same |
| WO2004074771A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Hitachi High-Technologies Corporation | 測長用標準部材およびその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム測長装置 |
| JP2006210171A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの走査幅校正方法及び荷電粒子ビームを用いた顕微装置並びに荷電粒子ビーム校正用試料 |
| JP4594116B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2010-12-08 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビームの走査幅校正方法及び荷電粒子ビームを用いた顕微装置並びに荷電粒子ビーム校正用試料 |
| JP2006318831A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム校正方法及び電子ビーム装置 |
| JP4708856B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム校正方法及び電子ビーム装置 |
| JP5439375B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材及びそれを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法 |
| US8263929B2 (en) | 2008-08-06 | 2012-09-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Standard member for correction, scanning electron microscope using same, and scanning electron microscope correction method |
| US10802261B2 (en) | 2010-09-29 | 2020-10-13 | Global Life Sciences Solutions Usa Llc | Calibration targets for microscope imaging |
| JP2013540286A (ja) * | 2010-09-29 | 2013-10-31 | アプライド プレシジョン インコーポレイテッド | 顕微鏡画像化用の較正目標 |
| JP2012137454A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| WO2012090465A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| ITUA20163703A1 (it) * | 2016-05-23 | 2017-11-23 | Istituto Naz Di Ricerca Metrologica | Dispositivo campione di riferimento per la calibrazione di misure di lunghezza e relativo procedimento di calibrazione |
| WO2017203406A1 (en) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | Istituto Nazionale Di Ricerca Metrologica | Reference-standard device for calibration of measurements of length, and corresponding calibration process |
| US11592289B2 (en) | 2016-05-23 | 2023-02-28 | Istituto Nazionale Di Ricerca Metrologica | Reference-standard device for calibration of measurements of length, and corresponding calibration process |
| WO2018234558A1 (de) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kalibriernormal und verfahren zu seiner herstellung |
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