JPH05159717A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
- Publication number
- JPH05159717A JPH05159717A JP32460291A JP32460291A JPH05159717A JP H05159717 A JPH05159717 A JP H05159717A JP 32460291 A JP32460291 A JP 32460291A JP 32460291 A JP32460291 A JP 32460291A JP H05159717 A JPH05159717 A JP H05159717A
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- JP
- Japan
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- phosphor
- phosphor screen
- electron beam
- screen
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 陰極線管の蛍光面の輝度、解像度の向上を図
る。 【構成】 パネル1の内面に蛍光面11を有する陰極線
管において、蛍光面11を電子線4の蛍光面への侵入距
離X1 の1/3〜2/3の粒径をもつ蛍光体12を用い
て形成する。
る。 【構成】 パネル1の内面に蛍光面11を有する陰極線
管において、蛍光面11を電子線4の蛍光面への侵入距
離X1 の1/3〜2/3の粒径をもつ蛍光体12を用い
て形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パネル内面に蛍光面を
有する陰極線管、特に蛍光面に使用される蛍光体に関す
る。
有する陰極線管、特に蛍光面に使用される蛍光体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、陰極線管においては、図4に示す
ように、パネル1の内面に平均粒径d 1 が4〜10μm
あるいはそれ以上へ蛍光体2を用いて蛍光面3が形成さ
れている。一方、電子銃に印加される加速電圧は最大の
投写管に於ても35kV程度である。
ように、パネル1の内面に平均粒径d 1 が4〜10μm
あるいはそれ以上へ蛍光体2を用いて蛍光面3が形成さ
れている。一方、電子銃に印加される加速電圧は最大の
投写管に於ても35kV程度である。
【0003】電子銃から照射される電子線の物質への侵
入距離Xは数1で表される。
入距離Xは数1で表される。
【0004】
【数1】 X=2.5×10-12ρ-1・Eo2cm 但し、 X:平均侵入距離 ρ:物質の密度 Eo:加速度電圧
【0005】カラー陰極線管に使用されている蛍光体、
例えばZnS系蛍光体の密度は約4.1である。従っ
て、電子銃に印加される加速電圧30〜35kVでは電
子線4の蛍光体即ち蛍光面3への侵入距離X1 が5〜8
μm程度となる。
例えばZnS系蛍光体の密度は約4.1である。従っ
て、電子銃に印加される加速電圧30〜35kVでは電
子線4の蛍光体即ち蛍光面3への侵入距離X1 が5〜8
μm程度となる。
【0006】一般に蛍光体2の充填密度をほぼ満足させ
て最大輝度を得るための蛍光面3の膜厚D1 は蛍光体粒
子2〜3層(図示の例は3層)からなる蛍光膜が最適と
されている。
て最大輝度を得るための蛍光面3の膜厚D1 は蛍光体粒
子2〜3層(図示の例は3層)からなる蛍光膜が最適と
されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した平
均粒径4〜10μmの蛍光体2を用いて、蛍光体粒子2
〜3層の蛍光面3を形成した場合、膜厚D1は8〜30
μmとなり、電子線4の侵入距離X1 =5〜8μmより
も大きくなる。
均粒径4〜10μmの蛍光体2を用いて、蛍光体粒子2
〜3層の蛍光面3を形成した場合、膜厚D1は8〜30
μmとなり、電子線4の侵入距離X1 =5〜8μmより
も大きくなる。
【0008】図4に示すと、電子線4で発光する蛍光体
2は斜線で示す例えば最上層の蛍光体2だけとなる。従
って、電子線4を照射して蛍光面3を発光させたとき、
発光した蛍光体2の光5は、蛍光体2の非発光層を通過
してパネル1の前面に出射されることになり、光の吸
収、散乱が生じ、輝度、解像度の点で不利になる。
2は斜線で示す例えば最上層の蛍光体2だけとなる。従
って、電子線4を照射して蛍光面3を発光させたとき、
発光した蛍光体2の光5は、蛍光体2の非発光層を通過
してパネル1の前面に出射されることになり、光の吸
収、散乱が生じ、輝度、解像度の点で不利になる。
【0009】本発明は、上述の点に鑑み、発光した蛍光
体の吸収、散乱による輝度低下、解像度低下を防止した
陰極線管を提供するものである。
体の吸収、散乱による輝度低下、解像度低下を防止した
陰極線管を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、パネル内面に
蛍光面を有する陰極線管において、蛍光面11を電子銃
からの電子線4の蛍光面11への侵入距離X1 の1/3
〜2/3の大きさの平均粒径d2 をもつ蛍光体12を用
いて形成する。
蛍光面を有する陰極線管において、蛍光面11を電子銃
からの電子線4の蛍光面11への侵入距離X1 の1/3
〜2/3の大きさの平均粒径d2 をもつ蛍光体12を用
いて形成する。
【0011】
【作用】本発明においては、電子線4の蛍光面11への
侵入距離X1 の1/3〜2/3の大きさの平均粒径をも
つ蛍光体12を用いることにより、蛍光体12の充填密
度をほぼ満足させて最大輝度を得るための最適膜厚、即
ち蛍光体粒子2〜3層の蛍光面11を形成したとき、蛍
光面11の膜厚D2 が、蛍光面への電子線4の侵入距離
X1 と同等又は之に近くなる。
侵入距離X1 の1/3〜2/3の大きさの平均粒径をも
つ蛍光体12を用いることにより、蛍光体12の充填密
度をほぼ満足させて最大輝度を得るための最適膜厚、即
ち蛍光体粒子2〜3層の蛍光面11を形成したとき、蛍
光面11の膜厚D2 が、蛍光面への電子線4の侵入距離
X1 と同等又は之に近くなる。
【0012】即ち電子線4を照射したときの蛍光体の発
光層と同等の厚みの蛍光面11が得られる。このため、
蛍光体の非発光層がなくなり、又は非常に少なくなり、
発光した蛍光体の光5の吸収、散乱が最小となり、輝
度、解像度の点で有利となる。
光層と同等の厚みの蛍光面11が得られる。このため、
蛍光体の非発光層がなくなり、又は非常に少なくなり、
発光した蛍光体の光5の吸収、散乱が最小となり、輝
度、解像度の点で有利となる。
【0013】
【実施例】以下、図1〜図3を参照して本発明による陰
極線管の実施例を説明する。
極線管の実施例を説明する。
【0014】図1において、1は陰極線管のパネル、1
1はパネル1の内面に形成された蛍光面を示す。蛍光面
11は、電子銃からの電子線4の蛍光体即ち蛍光面への
侵入距離X1 の1/3〜2/3の大きさの平均粒径をも
つ蛍光体12を用いて蛍光体粒子2〜3層(本例では3
層)とした最適膜厚D2 で形成される。
1はパネル1の内面に形成された蛍光面を示す。蛍光面
11は、電子銃からの電子線4の蛍光体即ち蛍光面への
侵入距離X1 の1/3〜2/3の大きさの平均粒径をも
つ蛍光体12を用いて蛍光体粒子2〜3層(本例では3
層)とした最適膜厚D2 で形成される。
【0015】図示の例では単色蛍光体層による蛍光面に
適用したが、その他、赤、緑、青の3色の蛍光体層にも
同様に電子線4の侵入距離X1 の1/3〜2/3の平均
粒径d2 をもつ蛍光体12を用いてカラー蛍光面を形成
するようになす。
適用したが、その他、赤、緑、青の3色の蛍光体層にも
同様に電子線4の侵入距離X1 の1/3〜2/3の平均
粒径d2 をもつ蛍光体12を用いてカラー蛍光面を形成
するようになす。
【0016】図1の構成によれば、電子線4の蛍光面へ
の侵入距離X1 の1/3〜2/3の大きさの平均粒径を
もつ蛍光体12を用いて蛍光面11を形成することによ
り、最大輝度を得るための蛍光体粒子2〜3層からなる
蛍光面11の膜厚D2 が電子線4の侵入距離X1 と同
等、従って電子線照射時の発光層の厚さと同等となる。
従って、蛍光面11において非発光層がなくなり、又は
非常に少なくなり、従来のような発光した蛍光体12の
光5の非発光層による吸収、散乱が最小となり、輝度低
下、解像度低下を防止することができる。
の侵入距離X1 の1/3〜2/3の大きさの平均粒径を
もつ蛍光体12を用いて蛍光面11を形成することによ
り、最大輝度を得るための蛍光体粒子2〜3層からなる
蛍光面11の膜厚D2 が電子線4の侵入距離X1 と同
等、従って電子線照射時の発光層の厚さと同等となる。
従って、蛍光面11において非発光層がなくなり、又は
非常に少なくなり、従来のような発光した蛍光体12の
光5の非発光層による吸収、散乱が最小となり、輝度低
下、解像度低下を防止することができる。
【0017】図2のグラフIは平均粒径2〜10μmの
蛍光体を用いて最大輝度となる膜厚所謂最適膜厚の蛍光
面を有する20インチ型陰極線管(加速電圧Hvが30
kV、カソード電流IK が200μA)を作製し、その
蛍光体の平均粒径と輝度の関係を測定した特性図であ
る。
蛍光体を用いて最大輝度となる膜厚所謂最適膜厚の蛍光
面を有する20インチ型陰極線管(加速電圧Hvが30
kV、カソード電流IK が200μA)を作製し、その
蛍光体の平均粒径と輝度の関係を測定した特性図であ
る。
【0018】図2から、平均粒径が2〜3μmの蛍光体
を用いた蛍光面が最大の輝度を示すことが判る。
を用いた蛍光面が最大の輝度を示すことが判る。
【0019】図3のグラフII は、蛍光体の平均粒径を
変化させ、最適膜厚の蛍光面を有する20インチ型陰極
線管での加速電圧Hv30kV、カソード電流IK 20
0μAでの走査線の幅(最大輝度の5%の輝度を示す
幅)を示す特性図である。
変化させ、最適膜厚の蛍光面を有する20インチ型陰極
線管での加速電圧Hv30kV、カソード電流IK 20
0μAでの走査線の幅(最大輝度の5%の輝度を示す
幅)を示す特性図である。
【0020】図3から、蛍光体の粒径が小さいほど、即
ち蛍光面の膜厚が小さいほど発光した蛍光体の光の散乱
による走査線幅の広がりが小さいことが判る。そして、
走査線幅が小さいことが解像度の向上につながる。
ち蛍光面の膜厚が小さいほど発光した蛍光体の光の散乱
による走査線幅の広がりが小さいことが判る。そして、
走査線幅が小さいことが解像度の向上につながる。
【0021】
【発明の効果】本発明によれば、蛍光面の膜厚が電子線
の侵入距離と同等、即ち発光層と同等の厚みとなるの
で、非発光層が可及的に少なくなり、発光の吸収、散乱
による輝度低下、解像度低下が回避され、相対的に輝
度、解像度を向上することができる。
の侵入距離と同等、即ち発光層と同等の厚みとなるの
で、非発光層が可及的に少なくなり、発光の吸収、散乱
による輝度低下、解像度低下が回避され、相対的に輝
度、解像度を向上することができる。
【0022】従って、本発明は、例えば高品位カラー陰
極線管、高精度管等に適用して好適ならしめる。
極線管、高精度管等に適用して好適ならしめる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る陰極線管の蛍光面の例を示す断面
図である。
図である。
【図2】本発明の説明に供する蛍光体の粒径と相対輝度
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図3】本発明の説明に供する蛍光体の粒径と走査線幅
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図4】従来の陰極線管の蛍光面の例を示す断面図であ
る。
る。
1 陰極線管のパネル 2,12 蛍光体 3,11 蛍光面 4 電子線 5 蛍光体の光 X1 電子線の蛍光面への侵入距離 d1 ,d2 蛍光体の粒径 D1 ,D2 蛍光面の膜厚
Claims (1)
- 【請求項1】 パネル内面に蛍光面を有する陰極線管に
おいて、上記蛍光面が電子線の蛍光面への侵入距離の1
/3〜2/3の大きさの平均粒径をもつ蛍光体を用いて
形成されて成る陰極線管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32460291A JP3154132B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32460291A JP3154132B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 陰極線管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05159717A true JPH05159717A (ja) | 1993-06-25 |
JP3154132B2 JP3154132B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=18167656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32460291A Expired - Fee Related JP3154132B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 陰極線管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3154132B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7518304B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-04-14 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display device |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP32460291A patent/JP3154132B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7518304B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-04-14 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3154132B2 (ja) | 2001-04-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080202 |
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