JPH05152587A - Ｍｉｓダイオード - Google Patents
ＭｉｓダイオードInfo
- Publication number
- JPH05152587A JPH05152587A JP31064891A JP31064891A JPH05152587A JP H05152587 A JPH05152587 A JP H05152587A JP 31064891 A JP31064891 A JP 31064891A JP 31064891 A JP31064891 A JP 31064891A JP H05152587 A JPH05152587 A JP H05152587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- shape
- mis diode
- electrode
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲート電極の特定の箇所に電界が集中せず、
しかも寄生抵抗の小さいＭＩＳダイオードを提供するこ
とである。 【構成】 １はシリコン基板、２はゲート絶縁層、３は
ＬＯＣＯＳ法で形成されたフィールド絶縁層、４はゲー
ト電極、５は不純物拡散層、６はゲート絶縁層２に設け
た開口部、７はシリコン基板１とのコンタクト用の基板
電極である。ゲート電極４の平面形状を長方形の角部を
除去した形状にしたため、ゲート電極の特定の箇所に電
界が集中せず、また、ゲート電極４の中心部から基板電
極７（不純物拡散層５）までの距離が“Ｌ”が短くなる
ため寄生抵抗が小さくなる。
しかも寄生抵抗の小さいＭＩＳダイオードを提供するこ
とである。 【構成】 １はシリコン基板、２はゲート絶縁層、３は
ＬＯＣＯＳ法で形成されたフィールド絶縁層、４はゲー
ト電極、５は不純物拡散層、６はゲート絶縁層２に設け
た開口部、７はシリコン基板１とのコンタクト用の基板
電極である。ゲート電極４の平面形状を長方形の角部を
除去した形状にしたため、ゲート電極の特定の箇所に電
界が集中せず、また、ゲート電極４の中心部から基板電
極７（不純物拡散層５）までの距離が“Ｌ”が短くなる
ため寄生抵抗が小さくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体基板やゲ
ート絶縁層の評価等に用いるＭＩＳダイオード、特にそ
のゲート電極の形状に関する。
ート絶縁層の評価等に用いるＭＩＳダイオード、特にそ
のゲート電極の形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のＭＩＳダイオードを示した
平面図であり、図６は図５のVI−VI線における断面図で
ある。１１はシリコン基板、１２はゲート絶縁層、１３
はＬＯＣＯＳ法で形成されたフィールド絶縁層、１４は
ゲート電極、１５は不純物拡散層、１６はゲート絶縁層
１２に設けた開口部、１７はシリコン基板１１とのコン
タクト用の基板電極である。すなわち、ゲート電極１４
の平面形状を正方形にしたものである。
平面図であり、図６は図５のVI−VI線における断面図で
ある。１１はシリコン基板、１２はゲート絶縁層、１３
はＬＯＣＯＳ法で形成されたフィールド絶縁層、１４は
ゲート電極、１５は不純物拡散層、１６はゲート絶縁層
１２に設けた開口部、１７はシリコン基板１１とのコン
タクト用の基板電極である。すなわち、ゲート電極１４
の平面形状を正方形にしたものである。
【０００３】図７および図８は、それぞれ他の従来例を
示した平面図である（ただし、開口部等については図示
省略）。図７はゲート電極１４の平面形状を長方形にし
たものであり、図８はゲート電極１４の平面形状を円形
にしたものである。
示した平面図である（ただし、開口部等については図示
省略）。図７はゲート電極１４の平面形状を長方形にし
たものであり、図８はゲート電極１４の平面形状を円形
にしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５および図６に示し
た従来例並びに図７に示した従来例では、ゲート電極１
４の角部１４ａに電界が集中するという問題点があっ
た。図５および図６に示した従来例並びに図８に示した
従来例では、ゲート電極１４の中心部から基板電極１７
（不純物拡散層１５）までの距離“Ｌ”が長くなるた
め、寄生抵抗が大きくなるという問題点があった。
た従来例並びに図７に示した従来例では、ゲート電極１
４の角部１４ａに電界が集中するという問題点があっ
た。図５および図６に示した従来例並びに図８に示した
従来例では、ゲート電極１４の中心部から基板電極１７
（不純物拡散層１５）までの距離“Ｌ”が長くなるた
め、寄生抵抗が大きくなるという問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、ゲート電極の特定の箇所
に電界が集中せず、しかも寄生抵抗の小さいＭＩＳダイ
オードを提供することである。
に電界が集中せず、しかも寄生抵抗の小さいＭＩＳダイ
オードを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明におけるＭＩＳダ
イオードは、ゲート電極の平面形状を、長方形の角部を
除去した平面形状、長方形の短辺が凸状の曲線となる平
面形状、または楕円状の平面形状にしたものである。
イオードは、ゲート電極の平面形状を、長方形の角部を
除去した平面形状、長方形の短辺が凸状の曲線となる平
面形状、または楕円状の平面形状にしたものである。
【０００７】
【実施例】図１は本発明におけるＭＩＳダイオードの第
１実施例を示した平面図であり、図２は図１のII−II線
における断面図である。
１実施例を示した平面図であり、図２は図１のII−II線
における断面図である。
【０００８】１はシリコン基板、２はゲート絶縁層（形
成材料は酸化シリコン）、３はＬＯＣＯＳ法で形成され
たフィールド絶縁層（形成材料は酸化シリコン）、４は
ゲート電極（形成材料はアルミニウム等の金属、ポリシ
リコン、シリサイド等）、５は不純物拡散層、６はゲー
ト絶縁層２に設けた開口部、７はシリコン基板１とのコ
ンタクト用の基板電極（形成材料はゲート電極４と同
様）である。
成材料は酸化シリコン）、３はＬＯＣＯＳ法で形成され
たフィールド絶縁層（形成材料は酸化シリコン）、４は
ゲート電極（形成材料はアルミニウム等の金属、ポリシ
リコン、シリサイド等）、５は不純物拡散層、６はゲー
ト絶縁層２に設けた開口部、７はシリコン基板１とのコ
ンタクト用の基板電極（形成材料はゲート電極４と同
様）である。
【０００９】本実施例は、ゲート電極４の平面形状を、
長方形の角部を除去した形状にしたものである。別の表
現をすれば、ゲート電極４の平面形状を、横長形状（縦
長形状）の角部を除去した形状にしたものである。ま
た、ゲート電極４の除去部４ａに対応して、開口部６に
除去部６ａおよび６ｂを、基板電極７に除去部７ａおよ
び７ｂを、それぞれ設けている。図１では、各除去部は
直線状になっているが、曲線状（外側に凸状の曲線が好
ましい。）でもよい。ゲート電極４をこのような平面形
状にしたことにより、ゲート電極４の特定の箇所に電界
が集中せず、また、ゲート電極４の中心部から基板電極
７（不純物拡散層５）までの距離“Ｌ”が短くなるため
寄生抵抗が小さくなる。
長方形の角部を除去した形状にしたものである。別の表
現をすれば、ゲート電極４の平面形状を、横長形状（縦
長形状）の角部を除去した形状にしたものである。ま
た、ゲート電極４の除去部４ａに対応して、開口部６に
除去部６ａおよび６ｂを、基板電極７に除去部７ａおよ
び７ｂを、それぞれ設けている。図１では、各除去部は
直線状になっているが、曲線状（外側に凸状の曲線が好
ましい。）でもよい。ゲート電極４をこのような平面形
状にしたことにより、ゲート電極４の特定の箇所に電界
が集中せず、また、ゲート電極４の中心部から基板電極
７（不純物拡散層５）までの距離“Ｌ”が短くなるため
寄生抵抗が小さくなる。
【００１０】図３は、本発明におけるＭＩＳダイオード
の第２実施例を示した平面図である。本実施例の各構成
要素は、ゲート電極４等の平面形状以外は第１実施例と
ほぼ同様であり、説明は省略する。本実施例は、ゲート
電極４の平面形状を、長方形（横長形状、縦長形状）の
短辺が凸状の曲線（例えば、円弧状の曲線）となる形状
にしたものである。ゲート電極４の凸状部４ｃに対応し
て、開口部（図示省略）および基板電極７にも凸状部を
設けている。なお、断面形状は図２の第１実施例とほぼ
同様である。ゲート電極４をこのような平面形状にした
ことにより、上記第１実施例と同様の効果を奏すること
ができる。
の第２実施例を示した平面図である。本実施例の各構成
要素は、ゲート電極４等の平面形状以外は第１実施例と
ほぼ同様であり、説明は省略する。本実施例は、ゲート
電極４の平面形状を、長方形（横長形状、縦長形状）の
短辺が凸状の曲線（例えば、円弧状の曲線）となる形状
にしたものである。ゲート電極４の凸状部４ｃに対応し
て、開口部（図示省略）および基板電極７にも凸状部を
設けている。なお、断面形状は図２の第１実施例とほぼ
同様である。ゲート電極４をこのような平面形状にした
ことにより、上記第１実施例と同様の効果を奏すること
ができる。
【００１１】図４は、本発明におけるＭＩＳダイオード
の第３実施例を示した平面図である。本実施例の各構成
要素も、ゲート電極４等の平面形状以外は第１実施例と
ほぼ同様であり、説明は省略する。本実施例は、ゲート
電極４の平面形状を楕円状にしたものである。ここでい
う楕円状とは、必ずしも数学的な意味での楕円ではな
く、全体的に丸みを持たせた横長形状（縦長形状）で社
会通念上楕円と認められるものであればよい。図４の例
では、ゲート電極４の外周と基板電極７の内周の形状を
相似形にしてあるため、両電極間の距離が各部で異なっ
ているが、両電極間の距離が各部で等しくなるように構
成してもよい。なお、断面形状は図２の第１実施例とほ
ぼ同様である。ゲート電極をこのような平面形状にした
ことにより、上記第１実施例と同様の効果を奏すること
ができる。
の第３実施例を示した平面図である。本実施例の各構成
要素も、ゲート電極４等の平面形状以外は第１実施例と
ほぼ同様であり、説明は省略する。本実施例は、ゲート
電極４の平面形状を楕円状にしたものである。ここでい
う楕円状とは、必ずしも数学的な意味での楕円ではな
く、全体的に丸みを持たせた横長形状（縦長形状）で社
会通念上楕円と認められるものであればよい。図４の例
では、ゲート電極４の外周と基板電極７の内周の形状を
相似形にしてあるため、両電極間の距離が各部で異なっ
ているが、両電極間の距離が各部で等しくなるように構
成してもよい。なお、断面形状は図２の第１実施例とほ
ぼ同様である。ゲート電極をこのような平面形状にした
ことにより、上記第１実施例と同様の効果を奏すること
ができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明では、ゲート電極の平面形状を改
善したことにより、ゲート電極の特定の箇所に電界が集
中せず、しかも寄生抵抗の小さいＭＩＳダイオードを形
成することができる。
善したことにより、ゲート電極の特定の箇所に電界が集
中せず、しかも寄生抵抗の小さいＭＩＳダイオードを形
成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるＭＩＳダイオードの第１実施例
を示した平面図である。
を示した平面図である。
【図２】図１のII−II線における断面図である。
【図３】本発明におけるＭＩＳダイオードの第２実施例
を示した平面図である。
を示した平面図である。
【図４】本発明におけるＭＩＳダイオードの第３実施例
を示した平面図である。
を示した平面図である。
【図５】従来のＭＩＳダイオードを示した平面図であ
る。
る。
【図６】図５のVI−VI線における断面図である。
【図７】他の従来例を示した平面図である。
【図８】他の従来例を示した平面図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 ゲート電極を長方形の角部を除去した平
面形状にしたＭＩＳダイオード。 - 【請求項２】 ゲート電極を長方形の短辺が凸状の曲線
となる平面形状にしたＭＩＳダイオード。 - 【請求項３】 ゲート電極を楕円状の平面形状にしたＭ
ＩＳダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31064891A JPH05152587A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Ｍｉｓダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31064891A JPH05152587A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Ｍｉｓダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152587A true JPH05152587A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18007781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31064891A Withdrawn JPH05152587A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Ｍｉｓダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152587A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507909A (ja) * | 2000-04-26 | 2004-03-11 | サイエンス アプリケーションズ インターナショナル コーポレイション | 保証されたシステム可用性を有する安全通信用のアジル・ネットワーク・プロトコルの改良 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP31064891A patent/JPH05152587A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507909A (ja) * | 2000-04-26 | 2004-03-11 | サイエンス アプリケーションズ インターナショナル コーポレイション | 保証されたシステム可用性を有する安全通信用のアジル・ネットワーク・プロトコルの改良 |
| JP4756811B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2011-08-24 | バーネットエックス インコーポレーティッド | 保証されたシステム可用性を有する安全通信用のアジル・ネットワーク・プロトコルの改良 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |