JPH0311761A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0311761A
JPH0311761A JP14771889A JP14771889A JPH0311761A JP H0311761 A JPH0311761 A JP H0311761A JP 14771889 A JP14771889 A JP 14771889A JP 14771889 A JP14771889 A JP 14771889A JP H0311761 A JPH0311761 A JP H0311761A
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JP
Japan
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semiconductor device
ferroelectric
insulating film
electrodes
semiconductor substrate
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Pending
Application number
JP14771889A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置に形成する強誘電体コンデンサーの
構造に関する。
［従来の技術］ 従来、半導体装置に形成された強誘電体コンデンサーは
、半導体基板上に絶縁膜上に第一の電極が形成され、該
第−のＩＥ極上に強＠電体膜が形成され、該強訴電体膜
上に第二の電極が形成されて［課題を解決するための手
段］ 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、目的を達成
するために、半導体装置に関し、半導体基板上の絶縁膜
表面に形成した二つの電極間に強訴電体を挾んで形成す
る手段を取る。
［実施例コ 以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図乃至第３図は本発明の実施例を示す半導体装置に
おける強誘電体コンデンサー要部の断面図である。
第１図では、半導体基板１の上に形成されたＳｉＯ□膜
等から成る絶縁膜２の表面に形成された二つの電極３，
３′のギャップ間にＴａｇ。
ＰｂＺｒＴｉＯ３、ＴｉＢａＯ，等から成る強誘電体４
が挾まれて形成されて成る。
第２図では、半導体基板１１の上に形成された絶縁膜１
２に形成された溝の側壁を含む表面に溝部でギャップを
形成した二つの電極１５．１５’のギャップ間に強誘電
体１４が形成されて成る。
第５図では、半導体基板２１の上に形成された二つの電
極２３．２３’のギャップ部を凸状となし、該凸状電極
ギャップ間に強誘電体２４が形成されて成る。
［発明の効果］ 本発明により、強誘電体コンデンサーの専有面積を小と
することができ、強誘電体コンデンサーを用いた半導体
装置の高集積化を計る事ができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は本発明の実施例を示す半導体装置に
おける強誘電体コンデンサー要部の断面図である。 １．１１，２１・・・・・・・・・半導体基板２．１２
，２２・・・・・・・・・絶縁膜３．１５，２５・・・
・・・・・・電　極４．１４，２４・・・・・・・・・
強誘電体以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上の絶縁膜表面に形成された二つの電極間に
    は強誘電体が挾まれて形成されて成る事を特徴とする半
    導体装置。
JP14771889A 1989-06-09 1989-06-09 半導体装置 Pending JPH0311761A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5313089A (en) * 1992-05-26 1994-05-17 Motorola, Inc. Capacitor and a memory cell formed therefrom
US5585998A (en) * 1995-12-22 1996-12-17 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor with dual dielectric
US5633781A (en) * 1995-12-22 1997-05-27 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode
US5712759A (en) * 1995-12-22 1998-01-27 International Business Machines Corporation Sidewall capacitor with L-shaped dielectric
US5914851A (en) * 1995-12-22 1999-06-22 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor
US8272820B2 (en) 2007-11-19 2012-09-25 Yukio Numata Rope fastening device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5313089A (en) * 1992-05-26 1994-05-17 Motorola, Inc. Capacitor and a memory cell formed therefrom
US5405796A (en) * 1992-05-26 1995-04-11 Motorola, Inc. Capacitor and method of formation and a memory cell formed therefrom
US5585998A (en) * 1995-12-22 1996-12-17 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor with dual dielectric
US5633781A (en) * 1995-12-22 1997-05-27 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode
US5701647A (en) * 1995-12-22 1997-12-30 International Business Machines Corporation Method for making an isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode
US5712759A (en) * 1995-12-22 1998-01-27 International Business Machines Corporation Sidewall capacitor with L-shaped dielectric
US5914851A (en) * 1995-12-22 1999-06-22 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor
US6027966A (en) * 1995-12-22 2000-02-22 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor
US8272820B2 (en) 2007-11-19 2012-09-25 Yukio Numata Rope fastening device

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