JPH0311761A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0311761A JPH0311761A JP14771889A JP14771889A JPH0311761A JP H0311761 A JPH0311761 A JP H0311761A JP 14771889 A JP14771889 A JP 14771889A JP 14771889 A JP14771889 A JP 14771889A JP H0311761 A JPH0311761 A JP H0311761A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- ferroelectric
- insulating film
- electrodes
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- -1 PbZrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910004160 TaO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910010059 TiBaO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- NQKXFODBPINZFK-UHFFFAOYSA-N dioxotantalum Chemical compound O=[Ta]=O NQKXFODBPINZFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
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- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体装置に形成する強誘電体コンデンサーの
構造に関する。
構造に関する。
[従来の技術]
従来、半導体装置に形成された強誘電体コンデンサーは
、半導体基板上に絶縁膜上に第一の電極が形成され、該
第−のIE極上に強@電体膜が形成され、該強訴電体膜
上に第二の電極が形成されて[課題を解決するための手
段] 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、目的を達成
するために、半導体装置に関し、半導体基板上の絶縁膜
表面に形成した二つの電極間に強訴電体を挾んで形成す
る手段を取る。
、半導体基板上に絶縁膜上に第一の電極が形成され、該
第−のIE極上に強@電体膜が形成され、該強訴電体膜
上に第二の電極が形成されて[課題を解決するための手
段] 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、目的を達成
するために、半導体装置に関し、半導体基板上の絶縁膜
表面に形成した二つの電極間に強訴電体を挾んで形成す
る手段を取る。
[実施例コ
以下、実施例により本発明を詳述する。
第1図乃至第3図は本発明の実施例を示す半導体装置に
おける強誘電体コンデンサー要部の断面図である。
おける強誘電体コンデンサー要部の断面図である。
第1図では、半導体基板1の上に形成されたSiO□膜
等から成る絶縁膜2の表面に形成された二つの電極3,
3′のギャップ間にTag。
等から成る絶縁膜2の表面に形成された二つの電極3,
3′のギャップ間にTag。
PbZrTiO3、TiBaO,等から成る強誘電体4
が挾まれて形成されて成る。
が挾まれて形成されて成る。
第2図では、半導体基板11の上に形成された絶縁膜1
2に形成された溝の側壁を含む表面に溝部でギャップを
形成した二つの電極15.15’のギャップ間に強誘電
体14が形成されて成る。
2に形成された溝の側壁を含む表面に溝部でギャップを
形成した二つの電極15.15’のギャップ間に強誘電
体14が形成されて成る。
第5図では、半導体基板21の上に形成された二つの電
極23.23’のギャップ部を凸状となし、該凸状電極
ギャップ間に強誘電体24が形成されて成る。
極23.23’のギャップ部を凸状となし、該凸状電極
ギャップ間に強誘電体24が形成されて成る。
[発明の効果]
本発明により、強誘電体コンデンサーの専有面積を小と
することができ、強誘電体コンデンサーを用いた半導体
装置の高集積化を計る事ができる効果がある。
することができ、強誘電体コンデンサーを用いた半導体
装置の高集積化を計る事ができる効果がある。
第1図乃至第3図は本発明の実施例を示す半導体装置に
おける強誘電体コンデンサー要部の断面図である。 1.11,21・・・・・・・・・半導体基板2.12
,22・・・・・・・・・絶縁膜3.15,25・・・
・・・・・・電 極4.14,24・・・・・・・・・
強誘電体以上
おける強誘電体コンデンサー要部の断面図である。 1.11,21・・・・・・・・・半導体基板2.12
,22・・・・・・・・・絶縁膜3.15,25・・・
・・・・・・電 極4.14,24・・・・・・・・・
強誘電体以上
Claims (1)
- 半導体基板上の絶縁膜表面に形成された二つの電極間に
は強誘電体が挾まれて形成されて成る事を特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14771889A JPH0311761A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14771889A JPH0311761A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0311761A true JPH0311761A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15436622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14771889A Pending JPH0311761A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0311761A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313089A (en) * | 1992-05-26 | 1994-05-17 | Motorola, Inc. | Capacitor and a memory cell formed therefrom |
US5585998A (en) * | 1995-12-22 | 1996-12-17 | International Business Machines Corporation | Isolated sidewall capacitor with dual dielectric |
US5633781A (en) * | 1995-12-22 | 1997-05-27 | International Business Machines Corporation | Isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode |
US5712759A (en) * | 1995-12-22 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Sidewall capacitor with L-shaped dielectric |
US5914851A (en) * | 1995-12-22 | 1999-06-22 | International Business Machines Corporation | Isolated sidewall capacitor |
US8272820B2 (en) | 2007-11-19 | 2012-09-25 | Yukio Numata | Rope fastening device |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14771889A patent/JPH0311761A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313089A (en) * | 1992-05-26 | 1994-05-17 | Motorola, Inc. | Capacitor and a memory cell formed therefrom |
US5405796A (en) * | 1992-05-26 | 1995-04-11 | Motorola, Inc. | Capacitor and method of formation and a memory cell formed therefrom |
US5585998A (en) * | 1995-12-22 | 1996-12-17 | International Business Machines Corporation | Isolated sidewall capacitor with dual dielectric |
US5633781A (en) * | 1995-12-22 | 1997-05-27 | International Business Machines Corporation | Isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode |
US5701647A (en) * | 1995-12-22 | 1997-12-30 | International Business Machines Corporation | Method for making an isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode |
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US5914851A (en) * | 1995-12-22 | 1999-06-22 | International Business Machines Corporation | Isolated sidewall capacitor |
US6027966A (en) * | 1995-12-22 | 2000-02-22 | International Business Machines Corporation | Isolated sidewall capacitor |
US8272820B2 (en) | 2007-11-19 | 2012-09-25 | Yukio Numata | Rope fastening device |
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