JPH05152555A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPH05152555A JPH05152555A JP3310664A JP31066491A JPH05152555A JP H05152555 A JPH05152555 A JP H05152555A JP 3310664 A JP3310664 A JP 3310664A JP 31066491 A JP31066491 A JP 31066491A JP H05152555 A JPH05152555 A JP H05152555A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 フローティングN+拡散層16を含む電荷検
出部を有する固体撮像素子の製造方法において、フィー
ルドSiO2膜14の形成後、フィールドイオン注入を
行い、フィールドイオン注入P+層15を形成する。そ
の後、N+イオン注入等によりフローティングN+拡散層
16を形成する。 【効果】 フィールドSiO2膜端部におけるP+/N+
接触を避けることができ、フローティングN+拡散層の
検出容量を小さくできるので、検出感度の向上とノイズ
の低減を図ることができる。また、耐圧を高くすること
ができるので、信頼性の向上とノイズの低減を図ること
ができる。
出部を有する固体撮像素子の製造方法において、フィー
ルドSiO2膜14の形成後、フィールドイオン注入を
行い、フィールドイオン注入P+層15を形成する。そ
の後、N+イオン注入等によりフローティングN+拡散層
16を形成する。 【効果】 フィールドSiO2膜端部におけるP+/N+
接触を避けることができ、フローティングN+拡散層の
検出容量を小さくできるので、検出感度の向上とノイズ
の低減を図ることができる。また、耐圧を高くすること
ができるので、信頼性の向上とノイズの低減を図ること
ができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオカメラ、電子ス
チルカメラなどに用いられる2次元固体撮像素子や、フ
ァクシミリ、電子黒板などに用いられる1次元固体撮像
素子の製造方法に関するものである。
チルカメラなどに用いられる2次元固体撮像素子や、フ
ァクシミリ、電子黒板などに用いられる1次元固体撮像
素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、2次元固体撮像素子は、図4に
示すように、垂直CCD部40と水平CCD部41とが
配置され、水平CCD部の最終段には、出力ゲート42
とリセットゲート43とに挟まれたフローティング拡散
層44が介在している。このフローティング拡散層は出
力トランジスタのゲートに接続されている。また、45
はリセット・ドレインである。
示すように、垂直CCD部40と水平CCD部41とが
配置され、水平CCD部の最終段には、出力ゲート42
とリセットゲート43とに挟まれたフローティング拡散
層44が介在している。このフローティング拡散層は出
力トランジスタのゲートに接続されている。また、45
はリセット・ドレインである。
【0003】図3は、図4におけるA−A′部の製造工
程断面図である。
程断面図である。
【0004】(a) N型Si基板30に形成されたP
ウェル31の表面を酸化し、SiO2膜32を形成し、
その後SiN膜33を堆積し、パターニング後、フィー
ルドイオン注入する。
ウェル31の表面を酸化し、SiO2膜32を形成し、
その後SiN膜33を堆積し、パターニング後、フィー
ルドイオン注入する。
【0005】(b) ロコス酸化を行い、フィールドS
iO2膜34を形成する。35はフィールドイオン注入
P+層(チャネルストップ領域)である。その後、Si
N膜33、SiO2膜32を除去する。
iO2膜34を形成する。35はフィールドイオン注入
P+層(チャネルストップ領域)である。その後、Si
N膜33、SiO2膜32を除去する。
【0006】(c) N+イオン注入等によりフローテ
ィングN+拡散層36を形成する。
ィングN+拡散層36を形成する。
【0007】(d) 酸化、コンタクト開口後、メタル
配線37を形成する。
配線37を形成する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の製造方法で作成された固体撮像素子には以下に示す
ような問題点があった。
来の製造方法で作成された固体撮像素子には以下に示す
ような問題点があった。
【0009】(1) フィールドSiO2膜下のフィー
ルドイオン注入P+層35とフローティングN+拡散層3
6とが接するため、接合容量が大きくなる。
ルドイオン注入P+層35とフローティングN+拡散層3
6とが接するため、接合容量が大きくなる。
【0010】(2) コンタクト回りのマージンを取る
必要上、フローティングN+拡散層36の面積を小さく
できないため、N+拡散層36とPウェル31の底面容
量が大きくなる。
必要上、フローティングN+拡散層36の面積を小さく
できないため、N+拡散層36とPウェル31の底面容
量が大きくなる。
【0011】(3) フィールドイオン注入P+層35
とフローティングN+拡散層36が接するため、耐圧が
低い。出力トランジスタ等の耐圧も低下する。
とフローティングN+拡散層36が接するため、耐圧が
低い。出力トランジスタ等の耐圧も低下する。
【0012】本発明は、特別の工程を設けることなく、
検出容量を小さくし、且つ耐圧を向上させる方法を提供
するものである。
検出容量を小さくし、且つ耐圧を向上させる方法を提供
するものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】フローティング拡散層を
含む電荷検出部を有する固体撮像素子の製造方法におい
て、フィールド酸化膜形成後、フィールドイオン注入を
行う構成とする。
含む電荷検出部を有する固体撮像素子の製造方法におい
て、フィールド酸化膜形成後、フィールドイオン注入を
行う構成とする。
【0014】
【作用】フィールド酸化膜端部におけるP+/N+接触を
避けることができる。
避けることができる。
【0015】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
する。
【0016】図1は、図3に対応する製造工程断面図で
ある。
ある。
【0017】(a) N型Si基板10に形成されたP
ウェル11の表面を酸化し、SiO2膜12を形成、そ
の後、SiN膜13を堆積し、パターニングを行う。
ウェル11の表面を酸化し、SiO2膜12を形成、そ
の後、SiN膜13を堆積し、パターニングを行う。
【0018】(b) ロコス酸化を行い、フィールドS
iO2膜14を形成後、該フィールドSiO2膜上から該
SiO2膜を通し、該SiO2膜下にP+注入されるよう
にフィールドイオン注入を行い、フィールドイオン注入
P+層15を形成する。フィールドSiO2膜の無い、フ
ローティングN+拡散層となる部分は、深いP+層が形成
される。
iO2膜14を形成後、該フィールドSiO2膜上から該
SiO2膜を通し、該SiO2膜下にP+注入されるよう
にフィールドイオン注入を行い、フィールドイオン注入
P+層15を形成する。フィールドSiO2膜の無い、フ
ローティングN+拡散層となる部分は、深いP+層が形成
される。
【0019】(c) N+イオン注入等により、フロー
ティングN+拡散層16を形成する。
ティングN+拡散層16を形成する。
【0020】(d) 酸化、コンタクト開口後、メタル
配線17を形成する。
配線17を形成する。
【0021】図より明らかな如く、フィールドSiO2
膜下P+層とフローティングN+拡散層とが接しなくなる
ので、接合容量を小さくできる。また、耐圧が高くな
る。
膜下P+層とフローティングN+拡散層とが接しなくなる
ので、接合容量を小さくできる。また、耐圧が高くな
る。
【0022】図2は、本発明の他の実施例に係る固体撮
像素子の断面図である。
像素子の断面図である。
【0023】フローティングN+拡散層26の幅が小さ
くなった場合、コンタクトサイズとN+拡散層サイズの
マージンが無くなり、従来の工程では、メタルの配線が
フィールドSiO2膜端部でP+層あるいはPウェルと直
接接続し、ショートしてしまう。しかし、本発明では、
コンタクトを取るべきN+拡散層26の周囲はP+層が無
く、低濃度のPウェルであるので、薄いN-を追加注入
することでショートを防ぐことができるので、N+拡散
層幅を小さくすることができる。そのため、接合容量を
小さくできる。セルフコンタクト可である。なお、図2
において、20はN型Si基板、21はPウェル、24
はフィールドSiO2膜、25はフィールドイオン注入
P+層、27はメタル配線、28はN-層である。
くなった場合、コンタクトサイズとN+拡散層サイズの
マージンが無くなり、従来の工程では、メタルの配線が
フィールドSiO2膜端部でP+層あるいはPウェルと直
接接続し、ショートしてしまう。しかし、本発明では、
コンタクトを取るべきN+拡散層26の周囲はP+層が無
く、低濃度のPウェルであるので、薄いN-を追加注入
することでショートを防ぐことができるので、N+拡散
層幅を小さくすることができる。そのため、接合容量を
小さくできる。セルフコンタクト可である。なお、図2
において、20はN型Si基板、21はPウェル、24
はフィールドSiO2膜、25はフィールドイオン注入
P+層、27はメタル配線、28はN-層である。
【0024】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、フローティング拡散層の検出容量を小さくでき、
検出感度の向上とノイズの低減を図ることができる。ま
た、耐圧を高くすることができ、信頼性の向上とノイズ
の低減を図ることができるものである。
れば、フローティング拡散層の検出容量を小さくでき、
検出感度の向上とノイズの低減を図ることができる。ま
た、耐圧を高くすることができ、信頼性の向上とノイズ
の低減を図ることができるものである。
【図1】本発明の一実施例の製造工程断面図である。
【図2】本発明の他の実施例に係る固体撮像素子の断面
図である。
図である。
【図3】従来の製造方法の製造工程断面図である。
【図4】固体撮像素子の構成図である。
【符号の説明】 10,20 N型Si基板 11,21 Pウェル 12 SiO2膜 13 SiN膜 14,24 フィールドSiO2膜 15,25 フィールドイオン注入P+層 16,26 フローティングN+拡散層 17,27 メタル配線 28 N-層
Claims (1)
- 【請求項1】 フローティング拡散層を含む電荷検出部
を有する固体撮像素子の製造方法において、フィールド
酸化膜形成後、フィールドイオン注入を行う構成とした
ことを特徴とする、固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3310664A JP2784111B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3310664A JP2784111B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05152555A true JPH05152555A (ja) | 1993-06-18 |
JP2784111B2 JP2784111B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=18007974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3310664A Expired - Fee Related JP2784111B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2784111B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030037655A (ko) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
CN111307913A (zh) * | 2020-03-29 | 2020-06-19 | 复旦大学 | 一种无参比电极半导体离子传感器及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56169365A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Fujitsu Ltd | Charge detector |
JP3101519U (ja) * | 2003-07-23 | 2004-06-17 | 有限会社ソレイラスカンパニー | リバーシブル・パンツ(表裏着用可能な下衣) |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP3310664A patent/JP2784111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56169365A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Fujitsu Ltd | Charge detector |
JP3101519U (ja) * | 2003-07-23 | 2004-06-17 | 有限会社ソレイラスカンパニー | リバーシブル・パンツ(表裏着用可能な下衣) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030037655A (ko) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
CN111307913A (zh) * | 2020-03-29 | 2020-06-19 | 复旦大学 | 一种无参比电极半导体离子传感器及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2784111B2 (ja) | 1998-08-06 |
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Legal Events
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