JPH05150130A - 石英系光導波路のドライエツチング方法 - Google Patents
石英系光導波路のドライエツチング方法Info
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- JPH05150130A JPH05150130A JP370391A JP370391A JPH05150130A JP H05150130 A JPH05150130 A JP H05150130A JP 370391 A JP370391 A JP 370391A JP 370391 A JP370391 A JP 370391A JP H05150130 A JPH05150130 A JP H05150130A
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- glass film
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ ドライエッチングプロセスの際のコアのサイ
ドエッチングを防止する。 ［構成］ 基板上１に低屈折率層２を介してコア用ガラ
ス膜１０を形成した後、コア用ガラス膜１０の上にメタ
ル膜４をパタ−ン形成し、メタル膜４をマスクにして上
記コア用ガラス膜１０をふっ素系ガスでドライエッチン
グして断面矩形状のコア１３を形成する方法において、
上記コア用ガラス膜１０にはそのふっ素化合物の蒸気圧
が被添加元素のふっ素化合物の蒸気圧よりも高蒸気圧で
ある少なくとも一種類の希土類元素がコア用ガラス膜の
厚み方向に所定の間隔を隔てて層状に添加される。希土
類元素が添加されている層１１の希土類元素添加濃度は
１０００ｐｐｍ以下である。
ドエッチングを防止する。 ［構成］ 基板上１に低屈折率層２を介してコア用ガラ
ス膜１０を形成した後、コア用ガラス膜１０の上にメタ
ル膜４をパタ−ン形成し、メタル膜４をマスクにして上
記コア用ガラス膜１０をふっ素系ガスでドライエッチン
グして断面矩形状のコア１３を形成する方法において、
上記コア用ガラス膜１０にはそのふっ素化合物の蒸気圧
が被添加元素のふっ素化合物の蒸気圧よりも高蒸気圧で
ある少なくとも一種類の希土類元素がコア用ガラス膜の
厚み方向に所定の間隔を隔てて層状に添加される。希土
類元素が添加されている層１１の希土類元素添加濃度は
１０００ｐｐｍ以下である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は石英系光導波路のドライ
エッチング方法に係り、特に均一なエッチング形状が得
られる石英系光導波路のドライエッチング方法に関する
ものである。
エッチング方法に係り、特に均一なエッチング形状が得
られる石英系光導波路のドライエッチング方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ或いは石英基板上に石英系光導波路
を形成し、光合分波器，方向性結合器，３ｄＢ光カプ
ラ，光フィルタ等の光回路を平面的に構成するいわゆる
光集積回路の研究が活発化している。光回路を構成する
際、石英系の単一モ−ド光ファイバとの整合性をよくす
るため、通常、光の伝搬するコアの厚み及び幅は１０μ
ｍ前後の値に設計される。
を形成し、光合分波器，方向性結合器，３ｄＢ光カプ
ラ，光フィルタ等の光回路を平面的に構成するいわゆる
光集積回路の研究が活発化している。光回路を構成する
際、石英系の単一モ−ド光ファイバとの整合性をよくす
るため、通常、光の伝搬するコアの厚み及び幅は１０μ
ｍ前後の値に設計される。
【０００３】図６に石英系光導波路の製造工程を示す。
【０００４】工程１ 基板１上に低屈折率層（バッファ
層）２を形成したのち、その上に厚さ約１０μｍのコア
用ガラス膜３を形成する（図６（ａ））。
層）２を形成したのち、その上に厚さ約１０μｍのコア
用ガラス膜３を形成する（図６（ａ））。
【０００５】工程２ コア用ガラス膜３上にメタル（Ｗ
Ｓｉ）膜４を形成する（図６（ｂ））。
Ｓｉ）膜４を形成する（図６（ｂ））。
【０００６】工程３ メタル膜４上にホトレジストを塗
布し、ホトリソグラフィによりホトレジスト膜５のパタ
−ニングを行う（図６（ｃ））。
布し、ホトリソグラフィによりホトレジスト膜５のパタ
−ニングを行う（図６（ｃ））。
【０００７】工程４ ホトレジスト膜５をマスクにして
ドライエッチングプロセスによりメタル膜４のパタ−ニ
ング（幅約１０μｍ）を行ったのち、さらにホトレジス
ト膜５とメタル膜４とをマスクにしてドライエッチング
プロセスによりコア用ガラス膜３のパタ−ニングを行う
（図６（ｄ））。
ドライエッチングプロセスによりメタル膜４のパタ−ニ
ング（幅約１０μｍ）を行ったのち、さらにホトレジス
ト膜５とメタル膜４とをマスクにしてドライエッチング
プロセスによりコア用ガラス膜３のパタ−ニングを行う
（図６（ｄ））。
【０００８】工程５ ホトレジスト膜５及びメタル膜４
を除去してコア６を形成する（図６（ｅ））。
を除去してコア６を形成する（図６（ｅ））。
【０００９】工程６ コア６を埋め込むようにして低屈
折率のクラッド層７を形成する（図６（ｆ））。
折率のクラッド層７を形成する（図６（ｆ））。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図６に示し
た製造方法により、図７に示すように２つのコア６ａ，
６ｂが数ｍｍの長さ にわたって２μｍ程度の間隔ｄを
保って平行に配置された構造の方向性結合器型光合分波
器８を実現しようとすると、ドライエッチング処理の結
果コア６ａ，６ｂに幅減りが発生することが判った。例
えば、ホトレジスト膜５及びメタル膜４のパタ−ンをマ
スクにして、厚さ約１０μｍのコア用ガラス膜３をドラ
イエッチングプロセスにより加工して断面矩形状のコア
６ａ，６ｂを得ようとすると、コア６ａ，６ｂの厚さ方
向中央部に１．０〜２．０μｍの範囲で幅減りが生じ
た。
た製造方法により、図７に示すように２つのコア６ａ，
６ｂが数ｍｍの長さ にわたって２μｍ程度の間隔ｄを
保って平行に配置された構造の方向性結合器型光合分波
器８を実現しようとすると、ドライエッチング処理の結
果コア６ａ，６ｂに幅減りが発生することが判った。例
えば、ホトレジスト膜５及びメタル膜４のパタ−ンをマ
スクにして、厚さ約１０μｍのコア用ガラス膜３をドラ
イエッチングプロセスにより加工して断面矩形状のコア
６ａ，６ｂを得ようとすると、コア６ａ，６ｂの厚さ方
向中央部に１．０〜２．０μｍの範囲で幅減りが生じ
た。
【００１１】図８に、従来技術を用いて形成されたドラ
イエッチング後であってマスク用メタル膜除去前のコア
のＳＥＭ写真を示す。コア上面の幅に対してコアの高さ
方向の中央部で約２μｍの幅減りが生じていることがわ
かる。この幅減りは、ドライエッチング時のサイドエッ
チングによるものであり、コア厚みが１０μｍと厚い場
合にはどうしても避けられない現象であった。このサイ
ドエッチングによるコアの幅減りは、光合分波器の中心
波長ずれや阻止域でのアイソレ−ションの低下を招くと
いう問題につながる。
イエッチング後であってマスク用メタル膜除去前のコア
のＳＥＭ写真を示す。コア上面の幅に対してコアの高さ
方向の中央部で約２μｍの幅減りが生じていることがわ
かる。この幅減りは、ドライエッチング時のサイドエッ
チングによるものであり、コア厚みが１０μｍと厚い場
合にはどうしても避けられない現象であった。このサイ
ドエッチングによるコアの幅減りは、光合分波器の中心
波長ずれや阻止域でのアイソレ−ションの低下を招くと
いう問題につながる。
【００１２】本発明は上記課題を解消すべく創案された
ものであり、その目的はサイドエッチングを防止し均一
なエッチング形状が得られる石英系光導波路のドライエ
ッチング方法を提供することにある。
ものであり、その目的はサイドエッチングを防止し均一
なエッチング形状が得られる石英系光導波路のドライエ
ッチング方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の石英系光導波路のドライエッチング方法は、基
板上に低屈折率層を介してコア用ガラス膜を形成した
後、コア用ガラス膜の上にメタル膜をパタ−ン形成し、
メタル膜をマスクにして上記コア用ガラス膜をふっ素系
ガスでドライエッチングして断面矩形状のコアを形成す
る方法において、上記コア用ガラス膜にはそのふっ素化
合物の蒸気圧が被添加元素のふっ素化合物の蒸気圧より
も高蒸気圧である希土類元素が少なくとも一種類添加さ
れており、その添加濃度が１０００ｐｐｍ以下に設定さ
れるものである。上記コア用ガラス膜に添加される上記
希土類元素は、そのコア用ガラス膜の厚み方向に所定の
間隔を隔てて層状に添加されてもよい。
本発明の石英系光導波路のドライエッチング方法は、基
板上に低屈折率層を介してコア用ガラス膜を形成した
後、コア用ガラス膜の上にメタル膜をパタ−ン形成し、
メタル膜をマスクにして上記コア用ガラス膜をふっ素系
ガスでドライエッチングして断面矩形状のコアを形成す
る方法において、上記コア用ガラス膜にはそのふっ素化
合物の蒸気圧が被添加元素のふっ素化合物の蒸気圧より
も高蒸気圧である希土類元素が少なくとも一種類添加さ
れており、その添加濃度が１０００ｐｐｍ以下に設定さ
れるものである。上記コア用ガラス膜に添加される上記
希土類元素は、そのコア用ガラス膜の厚み方向に所定の
間隔を隔てて層状に添加されてもよい。
【００１４】
【作用】エッチングガスとして例えばＣＨＦ3 を用いた
場合、ＣＨＦ3 はプラズマ電界中で遊離原子であるＦ＊
（ふっ素ラジカル）に分解され、これがコア用ガラス膜
表面のＳｉ（被添加元素）と化学反応を起こしＳｉ＋４
Ｆ＊→ＳｉＦ4 となる。この反応生成物であるＳｉＦ4
の沸点は−８６℃（１気圧以下）と低く高蒸気圧のため
コア用ガラス膜の表面から脱離し、エッチングが進行す
る。この際、コア用ガラス膜中に添加された例えばＮｄ
は同様に化学反応を起こし、Ｎｄ＋３Ｆ＊→ＮｄＦ3 と
なるが、この反応生成物の沸点は２３００℃（１気圧以
下）と高く低蒸気圧のため、容易に離脱せずコアガラス
側面に付着する。これにより、垂直方向のエッチングの
際の側面のエッチングがＮｄＦ3 の保護膜により防止さ
れ、サイドエッチングの少ないドライエッチングができ
るようになる。
場合、ＣＨＦ3 はプラズマ電界中で遊離原子であるＦ＊
（ふっ素ラジカル）に分解され、これがコア用ガラス膜
表面のＳｉ（被添加元素）と化学反応を起こしＳｉ＋４
Ｆ＊→ＳｉＦ4 となる。この反応生成物であるＳｉＦ4
の沸点は−８６℃（１気圧以下）と低く高蒸気圧のため
コア用ガラス膜の表面から脱離し、エッチングが進行す
る。この際、コア用ガラス膜中に添加された例えばＮｄ
は同様に化学反応を起こし、Ｎｄ＋３Ｆ＊→ＮｄＦ3 と
なるが、この反応生成物の沸点は２３００℃（１気圧以
下）と高く低蒸気圧のため、容易に離脱せずコアガラス
側面に付着する。これにより、垂直方向のエッチングの
際の側面のエッチングがＮｄＦ3 の保護膜により防止さ
れ、サイドエッチングの少ないドライエッチングができ
るようになる。
【００１５】希土類元素の添加濃度を１０００ｐｐｍ以
下とする理由は、コア用ガラス膜中に添加される希土類
元素の濃度がこれ以上高くなるとドライエッチングプロ
セスによるエッチングがしにくくなり、逆にパタ−ン側
面の表面荒れを伴うからである。
下とする理由は、コア用ガラス膜中に添加される希土類
元素の濃度がこれ以上高くなるとドライエッチングプロ
セスによるエッチングがしにくくなり、逆にパタ−ン側
面の表面荒れを伴うからである。
【００１６】また、希土類元素を層状に分散させて配置
し、コア内の励起強度の高い部分に集中的に添加すれ
ば、増幅利得を大幅に向上させることができると共に、
この導波路で各種光回路を構成した際に、偏波依存性の
少ない光回路を得ることができるようになる。
し、コア内の励起強度の高い部分に集中的に添加すれ
ば、増幅利得を大幅に向上させることができると共に、
この導波路で各種光回路を構成した際に、偏波依存性の
少ない光回路を得ることができるようになる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【００１８】図１に、本発明に係るドライエッチング方
法を用いた石英系光導波路の製造方法の工程図を示す。
法を用いた石英系光導波路の製造方法の工程図を示す。
【００１９】工程１ 石英系ガラス基板１上に低屈折率
層（バッファ層）２を形成したのち、その上に第１のコ
ア用ガラス膜９を形成する（図１（ａ））。
層（バッファ層）２を形成したのち、その上に第１のコ
ア用ガラス膜９を形成する（図１（ａ））。
【００２０】工程２ 第１のコア用ガラス膜９上にこれ
とほぼ同じ厚さの第２のコア用ガラス膜１０を形成する
（図１（ｂ））。第２のコア用ガラス膜１０は、そのふ
っ素化合物の蒸気圧が被添加元素（Ｓｉ）のふっ素化合
物（ＳｉＦ4）の蒸気圧よりも低蒸気圧である希土類元
素が添加されている層（以下、単に添加層ともいう）１
１とこれが添加されていない層（以下、単に無添加層と
もいう）１２とが交互に積層されて形成される。添加層
１１は５層、無添加層１２は４層とした。添加元素とし
てＥｒを用い、その各添加層１１における添加濃度は４
００ｐｐｍとした。
とほぼ同じ厚さの第２のコア用ガラス膜１０を形成する
（図１（ｂ））。第２のコア用ガラス膜１０は、そのふ
っ素化合物の蒸気圧が被添加元素（Ｓｉ）のふっ素化合
物（ＳｉＦ4）の蒸気圧よりも低蒸気圧である希土類元
素が添加されている層（以下、単に添加層ともいう）１
１とこれが添加されていない層（以下、単に無添加層と
もいう）１２とが交互に積層されて形成される。添加層
１１は５層、無添加層１２は４層とした。添加元素とし
てＥｒを用い、その各添加層１１における添加濃度は４
００ｐｐｍとした。
【００２１】工程３ 第２のコア用ガラス膜１０上にメ
タル（ＷＳｉ）膜４を形成する（図１（ｃ））。
タル（ＷＳｉ）膜４を形成する（図１（ｃ））。
【００２２】工程４ メタル膜４上にホトレジストを塗
布し、ホトリソグラフィによりホトレジスト膜５のパタ
−ニングを行う（図１（ｄ））。
布し、ホトリソグラフィによりホトレジスト膜５のパタ
−ニングを行う（図１（ｄ））。
【００２３】工程５ ホトレジスト膜５をマスクにして
ドライエッチングプロセスによりメタル膜４のパタ−ニ
ング（幅約１０μｍ）を行ったのち、さらにホトレジス
ト膜５とメタル膜４とをマスクにしてドライエッチング
プロセスによりコア用ガラス膜１３のパタ−ニングを行
う（図１（ｅ））。ドライエッチングは、ＣＨＦ3 ：２
０ｃｃ／ｍｉｎ、圧力：０．０５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワ
−：３００Ｗで行った。
ドライエッチングプロセスによりメタル膜４のパタ−ニ
ング（幅約１０μｍ）を行ったのち、さらにホトレジス
ト膜５とメタル膜４とをマスクにしてドライエッチング
プロセスによりコア用ガラス膜１３のパタ−ニングを行
う（図１（ｅ））。ドライエッチングは、ＣＨＦ3 ：２
０ｃｃ／ｍｉｎ、圧力：０．０５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワ
−：３００Ｗで行った。
【００２４】工程６ ホトレジスト膜５及びメタル膜４
を除去する（図１（ｆ））。断面矩形状のコア１３が形
成される。
を除去する（図１（ｆ））。断面矩形状のコア１３が形
成される。
【００２５】図２は、上述の方法により形成されたコア
の表面構造を示すＳＥＭ写真である。上記希土類元素が
添加されていない部分（コアの厚さ方向中央より下側の
部分）にはサイドエッチングが現れているが、上記希土
類元素が添加されている部分（コアの厚さ方向中央より
上側の部分）はサイドエッチングが少なく垂直性良くド
ライエッチングされていることがわかる。ふっ素化合物
の蒸気圧が被添加元素（Ｓｉ）のふっ素化合物（ＳｉＦ
4 ）の蒸気圧よりも低蒸気圧である希土類元素として
は、Ｅｒの他にＮｄ，Ｙｂ，Ｓｍ等がある。エッチング
ガスとしては、ＣＨＦ3 以外に、Ｃ2 Ｆ6 とＣＨＦ3 の
混合ガス、ＣＨＦ3 に塩素系ガスを混合したガス等を用
いることができる。さらに、コア内には屈折率制御用添
加物としてＴｉ，Ｇｅ，Ａ ，Ｐ，Ｂ，Ｓｎ等が少なく
とも１種類添加されてもよい。コアのサイドエッチング
を少なくすることができるので、例えば、光合分波器，
光フィルタ，３ｄＢ光カプラ等を構成した場合の中心波
長ずれ、アイソレ−ション特性及び結合比の劣化等を抑
制することができる。
の表面構造を示すＳＥＭ写真である。上記希土類元素が
添加されていない部分（コアの厚さ方向中央より下側の
部分）にはサイドエッチングが現れているが、上記希土
類元素が添加されている部分（コアの厚さ方向中央より
上側の部分）はサイドエッチングが少なく垂直性良くド
ライエッチングされていることがわかる。ふっ素化合物
の蒸気圧が被添加元素（Ｓｉ）のふっ素化合物（ＳｉＦ
4 ）の蒸気圧よりも低蒸気圧である希土類元素として
は、Ｅｒの他にＮｄ，Ｙｂ，Ｓｍ等がある。エッチング
ガスとしては、ＣＨＦ3 以外に、Ｃ2 Ｆ6 とＣＨＦ3 の
混合ガス、ＣＨＦ3 に塩素系ガスを混合したガス等を用
いることができる。さらに、コア内には屈折率制御用添
加物としてＴｉ，Ｇｅ，Ａ ，Ｐ，Ｂ，Ｓｎ等が少なく
とも１種類添加されてもよい。コアのサイドエッチング
を少なくすることができるので、例えば、光合分波器，
光フィルタ，３ｄＢ光カプラ等を構成した場合の中心波
長ずれ、アイソレ−ション特性及び結合比の劣化等を抑
制することができる。
【００２６】図３は、コア１３内に上記希土類元素が層
状に添加されている石英系光導波路構造を示すものであ
る。この石英系光導波路は、図１に示す製造方法とほぼ
同様の方法により製造される。すなわち、図１（ａ），
（ｂ）のコア用ガラス膜形成工程においてコア用ガラス
膜の厚み方向全体にに所定の間隔を隔てて上記希土類元
素が層状に添加される。この例の場合、希土類元素が添
加されている層１１が９層形成されている。このように
希土類元素を層状に分散させて配置し、コア１３内の励
起強度の高い部分に集中的に添加すれば、増幅利得を大
幅に向上させることができると共に、この導波路で各種
光回路を構成した際に、偏波依存性の少ない光回路を得
ることができるようになる。
状に添加されている石英系光導波路構造を示すものであ
る。この石英系光導波路は、図１に示す製造方法とほぼ
同様の方法により製造される。すなわち、図１（ａ），
（ｂ）のコア用ガラス膜形成工程においてコア用ガラス
膜の厚み方向全体にに所定の間隔を隔てて上記希土類元
素が層状に添加される。この例の場合、希土類元素が添
加されている層１１が９層形成されている。このように
希土類元素を層状に分散させて配置し、コア１３内の励
起強度の高い部分に集中的に添加すれば、増幅利得を大
幅に向上させることができると共に、この導波路で各種
光回路を構成した際に、偏波依存性の少ない光回路を得
ることができるようになる。
【００２７】以上の実施例の他に、上記希土類元素をコ
ア用ガラス膜内に均一に１０００ｐｐｍ以下に添加した
場合もサイドエッチングが少ない垂直性のよいドライエ
ッチングができることが確かめられている。
ア用ガラス膜内に均一に１０００ｐｐｍ以下に添加した
場合もサイドエッチングが少ない垂直性のよいドライエ
ッチングができることが確かめられている。
【００２８】図４は、上記希土類元素をコア用ガラス膜
内に均一に１００ｐｐｍ添加した場合の実施例を示すＳ
ＥＭ写真である。コア用ガラス膜はサイドエッチングが
少なく、垂直性よくドライエッチングされていることが
判る。また、ドライエッチングにより形成されたコアの
側面の表面荒れも少ない。
内に均一に１００ｐｐｍ添加した場合の実施例を示すＳ
ＥＭ写真である。コア用ガラス膜はサイドエッチングが
少なく、垂直性よくドライエッチングされていることが
判る。また、ドライエッチングにより形成されたコアの
側面の表面荒れも少ない。
【００２９】比較例として、上記希土類元素をコア用ガ
ラス膜内に１０００ｐｐｍを超えて均一に添加した場合
のコアの表面構造のＳＥＭ写真を図５に示す。同図は、
ドライエッチング処理後のメタル膜除去前の状態を示し
ている。コアの厚さ方向中央より下側の部分には上記希
土類元素は添加されておらず、その上側の部分に上記希
土類元素が均一に１２００ｐｐｍ添加されている。コア
の下側の部分にはサイドエッチングが現れている。上側
の部分はサイドエッチングは少ないが側面に表面荒れが
発生していることが判る。
ラス膜内に１０００ｐｐｍを超えて均一に添加した場合
のコアの表面構造のＳＥＭ写真を図５に示す。同図は、
ドライエッチング処理後のメタル膜除去前の状態を示し
ている。コアの厚さ方向中央より下側の部分には上記希
土類元素は添加されておらず、その上側の部分に上記希
土類元素が均一に１２００ｐｐｍ添加されている。コア
の下側の部分にはサイドエッチングが現れている。上側
の部分はサイドエッチングは少ないが側面に表面荒れが
発生していることが判る。
【００３０】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、ドライエ
ッチングプロセスの際のコアのサイドエッチングを防止
し均一なエッチング形状が得られるという優れた効果が
発揮できる。
ッチングプロセスの際のコアのサイドエッチングを防止
し均一なエッチング形状が得られるという優れた効果が
発揮できる。
【図１】本発明に係るドライエッチング方法を採用した
石英系光導波路の製造方法の一実施例を示す工程図であ
る。
石英系光導波路の製造方法の一実施例を示す工程図であ
る。
【図２】図１の方法により形成したコアの表面構造を示
す写真である。
す写真である。
【図３】本発明の方法により形成した光導波路の一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図４】本発明の方法により形成したコアの表面構造を
示す写真である。
示す写真である。
【図５】本発明の比較例として採用したコアの表面構造
を示す写真である。
を示す写真である。
【図６】石英系光導波路の製造方法の従来例を示す工程
図である。
図である。
【図７】光合分波器を示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】従来方法により形成されたコアの表面構造を示
す写真である。
す写真である。
１ 基板 ２ 低屈折率層 ４ メタル膜 ９ （第１の）コア用ガラス膜 １０ （第２の）コア用ガラス膜 １１ 希土類元素が添加されている層 １３ コア
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年５月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】 図１の方法により形成したコアの表面粒子構
造を示す写真である。
造を示す写真である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】 本発明の方法により形成したコアの表面粒子
構造を示す写真である。
構造を示す写真である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】 本発明の比較例として採用したコアの表面粒
子構造を示す写真である。
子構造を示す写真である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】 従来方法により形成されたコアの表面粒子構
造を示す写真である。
造を示す写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鴨志田 敏和 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社電線研究所内 (72)発明者 樫村 誠一 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社電線研究所内 (72)発明者 井本 克之 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社電線研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に低屈折率層を介してコア用ガラ
ス膜を形成した後、該コア用ガラス膜の上にメタル膜を
パタ−ン形成し、該メタル膜をマスクにして上記コア用
ガラス膜をふっ素系ガスでドライエッチングして断面矩
形状のコアを形成する方法において、上記コア用ガラス
膜にはそのふっ素化合物の蒸気圧が被添加元素のふっ素
化合物の蒸気圧よりも高蒸気圧である少なくとも一種類
の希土類元素が添加されており、その添加濃度が１００
０ｐｐｍ以下であることを特徴とするコア用ガラス膜の
ドライエッチング方法。 - 【請求項２】上記コア用ガラス膜に添加される上記希土
類元素が該コア用ガラス膜の厚み方向に所定の間隔を隔
てて層状に添加されていることを特徴とする請求項１記
載の石英系光導波路のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP370391A JP2875895B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 石英系光導波路のドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP370391A JP2875895B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 石英系光導波路のドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05150130A true JPH05150130A (ja) | 1993-06-18 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-01-17 JP JP370391A patent/JP2875895B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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