JP2005263605A - 珪酸ガラスのエッチング方法及びマイクロレンズアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LiO2−Al2O3−SiO2系組成をベースとして有する基板を、フロロカーボンガスに総流量基準で20〜80%のホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを用いてエッチングする。基板表面に形状がほぼ球面の一部をなす複数の凸部が配列してなるマイクロレンズアレイであって、これら凸部が上記エッチングに従って作製される。
【選択図】図2
Description
3 プラズマ発生部 4 基板電極部
Claims (8)
- エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを用い、Al2O3を含む珪酸ガラスからなる基板をプラズマエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
- プラズマ発生手段及び基板バイアス手段を持つエッチング装置内に載置されたAl2O3を含む珪酸ガラスからなる基板上に、エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを導入し、プロセス圧力を2Pa以下にして、該基板をプラズマエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
- 前記珪酸ガラス基板が、LiO2−Al2O3−SiO2系組成をベースとして有する低膨張結晶化ガラス基板であることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチング方法。
- 前記珪酸ガラス基板が、Al2O3を20〜30重量%含むLiO2−Al2O3−SiO2系組成をベースとして有する低膨張結晶化ガラス基板であることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチング方法。
- 前記エッチングガス中のホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスの添加率がエッチングガス総流量基準で20〜80%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記珪酸ガラス基板中のSiO2含量が70〜80重量%である基板を用い、エッチングガスとして、フロロカーボンガスにホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスの代わりに又はこの混合ガスと併用して、水素原子を含んでいてもよいフロロカーボンガスに水素ガスを添加してなる混合ガス又は水素原子を含むフロロカーボンガスを用いて該基板をプラズマエッチングすることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチング方法。
- 前記ホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスが、BCl3ガスであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のエッチング方法。
- Al2O3を含む珪酸ガラスからなる基板表面に、その形状がほぼ球面の一部をなす複数の凸部が配列してなり、これら凸部が該基板表面を請求項1〜7のいずれかに記載の方法でプラズマエッチングして得られたものであることを特徴とするマイクロレンズアレイ。
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