JPH0514874B2 - - Google Patents
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- JPH0514874B2 JPH0514874B2 JP60125015A JP12501585A JPH0514874B2 JP H0514874 B2 JPH0514874 B2 JP H0514874B2 JP 60125015 A JP60125015 A JP 60125015A JP 12501585 A JP12501585 A JP 12501585A JP H0514874 B2 JPH0514874 B2 JP H0514874B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
本発明は、イオン・ビームモニター、特に、イ
オン・ビーム強さの分布を測定するための光学式
監視システムに係る。 (従来技術) 微細機械加工法、いわゆる“イオン・ビームフ
ライス加工”は業界で広く知られており、又、半
導体や他の微細石版印刷法では、材料を取り除く
のに使用されている。具体的には、このフライス
切削法では、フオト・レジストの開口部に位置す
る材料を取り除くために、イオン・ビームを、フ
オトレジスト材料でマーク付けしたターゲツトに
当てている。加工品は、例えばアルゴンのような
不活性ガスを充填した室内に普通置かれている。
こうした製法では、側部エツチングは起きない。
即ち、フオト・レジストパターンの下方のエツチ
ングが起こらない。従つて、そうしたプロセスに
よるパターン機械加工精度は非常に高い値にあ
る。この種のイオン・ビームの最大直径は約6イ
ンチ(15.24mm)であり、一般に、加工品は、例
えば3ないし4インチ(7.62mmないし10.16mm)
の実質的に小さい直径を持つウエハの形をしてい
る。そうした、イオン・ビームフライス加工法で
は、イオン・ビームは、少なくともウエハの範囲
内にて均一の強さを備えている必要がある。イオ
ン・ビームフライス加工法を実施する以前に、ビ
ーム強さの分布を測定しておく必要がある。又、
イオン・ビームが集中している状況を制御して、
均一に分布したイオン・ビーム強さを得て、フラ
イス加工法の精度と均一性を高める必要がある。
しかし、ある程度の精度でビーム強さの分布を測
定する効果的な方法は、従来技術では知られてい
ない。 (発明が解決しようとする問題点) 従来技術では、例えばアルゴン等の不活性ガス
を充填した真空室内で、イオン・ビーム強さを測
定する試みが成されてきた。ある方法では、亜鉛
プレートに対しイオン・ビームを照射して当該亜
鉛プレートから放出される緑色光を監視すること
が行われる。又、他の方法では、イオン・ビーム
の電荷の測定が行われる。しかし、イオン・ビー
ムフライス加工では、熱イオン放出装置、いわゆ
る中性化装置を使つているため、前述した方法で
は、イオン・ビーム強さを測定するには不充分で
ある。これは、中性化装置からの黒体放射によつ
て可視光が発生していることに主な原因がある。
その結果、亜鉛プレートからの光の放出を測定す
ることがほとんど不可能になる。又、ビームの電
荷が中性化装置によつて中性化され、従つて、測
定することができない。 イオン・ビーム分布をモニターする別の従来技
術の方法は、均一層を溶かし、最終的に違つた厚
みにすることを教えている。しかし、こうした試
行錯誤は時間の無駄であり誤りであることが証明
されている。 (問題点を解決するための手段・作用) 本発明は、イオン・ビームの強さを正確に測定
する新規で改良されたイオン・ビームモニターを
提供すること、特に、イオン・ビーム強さの分布
を当該イオン・ビームの直径に沿つて正確に測定
する新規で改良されたイオン・ビームモニターを
提供している。 本発明は、イオン・ビームを照射されて紫外光
を放出する材料を使い、イオン・ビームの放射の
範囲内、特に、フライス加工されるウエハを置い
た範囲内で、イオン・ビームの強さの分布を測定
する新規で改良されたイオン・ビームモニターを
提供している。イオン・ビームの放射でスパツタ
された材料は、材料の原子に特有の放射スペクト
ルを示す。紫外光を放出する材料を使うことによ
り、イオン・ビームとウエハを互いに対して移動
する間に、イオン・ビーム強さの分布を示す紫外
光を測定することができる。 本発明の前述した目的及び他の目的、特徴並び
に利点は、添付図面に図示した、本発明の好まし
い実施例についての以下の詳細な説明から明らか
になる。 (実施例) 以下添附図面を参照しつつ本発明の1実施例を
詳細に説明する。 本発明に係るイオン・ビームモニターは、基本
的に光学式監視システムで構成されている。この
システムは、イオン・ビームを当てた小さく平ら
なテストプレートから出てくる放出特性光に、焦
点を合わせて観察することができる。光学式走査
システム10を、真空室12内に配置することも
できる。この真空室は、当該真空室の外部に配置
した単一の処理手段14を備えている。平らなテ
ストプレート16は、約5mmの直径を備えたアル
ミニユームペレツトにできる。この平らなテスト
プレート16は、プラツトホーム18上に位置決
めされる。前記プラツトホームは、当該プラツト
ホームに整合してプレート16の上方に配置した
イオン・ビーム源に対し、XY方向に移動するこ
とができる。プラツトホーム18は、走査モータ
22によりX方向に動かされる。走査モータは、
スクリユー式の機構24によりプラツトホーム1
8を駆動している。プラツトホーム18は、走査
モータ26によりY方向に動かされる。この走査
モータは、スクリユー式のトランスミツシヨン2
8によりプラツトホーム18を移動している。イ
オン・ビーム源20から出てくるイオン・ビーム
30は、アルミニユームペレツトの5mmの直径よ
りかなり大きい、約6インチ(15.24mm)の直径
を備えている。イオン・ビーム30がアルミニユ
ームペレツトに当たると、紫外線が放出される。
紫外線検知機32が、プラツトホーム18上にあ
つて、ペレツト16の一方の側に向けて取り付け
られ、紫外線を受けている。検知機の受光チユー
ブが、プラツトホーム18の表面に対し、約5−
10度の角度で配置されている。ペレツトがXY方
向に動かされる際、各アドレスにて、紫外線放出
の強さを測定する。この紫外線放出の強さの測定
は、例えば光伝導パイプ又はチヤンネルプレート
のような照準光学システムを使用して、その部分
の光だけを光学的に検知し、次いで、紫外線フイ
ルタと光フアイバを通じ紫外線検知機に光を導入
することにより行うことができる。このようにし
て検知された紫外線は、アルミニユームペレツト
の各位置に相当する、システムの電子制御部14
に記録される。次いでイオン・ビーム強さの分布
が測定される。 適当な手段(図示せず)を用いて、検知機32
の角度を変え、イオン・ビームを受ける光学位置
を選択することができる。特性光放出用の小さい
ペレツト16は換えることができるが、高い光放
出強さを持つ均一なエツチング率を備えているこ
とが好ましい。この用途には、Al2O3が適当であ
ることが判明しており、アルミニユーム原子の
308mm又は395mmのラインスペクトルを使用するこ
とができる。表はペレツト16用に使える種々
の材料と、これに関係した箇々のパラメータを表
にしたものである。 本発明の細部は、本発明の範囲を変更すること
なく変えられることは自明である。サンプルペレ
ツトの材料のタイプを変えることに加えて、イオ
ン・ビームを走査し強さ分布を測定する装置は変
更することができる。例えばイオン・ビーム源を
動かして走査操作を行う一方で、ペレツトを定位
置に維持できることは明らかである。 従つて、本発明を、好ましい実施例に基づいて
詳細に図示し説明してきたが、本発明の精神と範
囲を逸脱することなく、実施例の構造と細部を
様々に変更できることは当業者にとつて明らかで
ある。
オン・ビーム強さの分布を測定するための光学式
監視システムに係る。 (従来技術) 微細機械加工法、いわゆる“イオン・ビームフ
ライス加工”は業界で広く知られており、又、半
導体や他の微細石版印刷法では、材料を取り除く
のに使用されている。具体的には、このフライス
切削法では、フオト・レジストの開口部に位置す
る材料を取り除くために、イオン・ビームを、フ
オトレジスト材料でマーク付けしたターゲツトに
当てている。加工品は、例えばアルゴンのような
不活性ガスを充填した室内に普通置かれている。
こうした製法では、側部エツチングは起きない。
即ち、フオト・レジストパターンの下方のエツチ
ングが起こらない。従つて、そうしたプロセスに
よるパターン機械加工精度は非常に高い値にあ
る。この種のイオン・ビームの最大直径は約6イ
ンチ(15.24mm)であり、一般に、加工品は、例
えば3ないし4インチ(7.62mmないし10.16mm)
の実質的に小さい直径を持つウエハの形をしてい
る。そうした、イオン・ビームフライス加工法で
は、イオン・ビームは、少なくともウエハの範囲
内にて均一の強さを備えている必要がある。イオ
ン・ビームフライス加工法を実施する以前に、ビ
ーム強さの分布を測定しておく必要がある。又、
イオン・ビームが集中している状況を制御して、
均一に分布したイオン・ビーム強さを得て、フラ
イス加工法の精度と均一性を高める必要がある。
しかし、ある程度の精度でビーム強さの分布を測
定する効果的な方法は、従来技術では知られてい
ない。 (発明が解決しようとする問題点) 従来技術では、例えばアルゴン等の不活性ガス
を充填した真空室内で、イオン・ビーム強さを測
定する試みが成されてきた。ある方法では、亜鉛
プレートに対しイオン・ビームを照射して当該亜
鉛プレートから放出される緑色光を監視すること
が行われる。又、他の方法では、イオン・ビーム
の電荷の測定が行われる。しかし、イオン・ビー
ムフライス加工では、熱イオン放出装置、いわゆ
る中性化装置を使つているため、前述した方法で
は、イオン・ビーム強さを測定するには不充分で
ある。これは、中性化装置からの黒体放射によつ
て可視光が発生していることに主な原因がある。
その結果、亜鉛プレートからの光の放出を測定す
ることがほとんど不可能になる。又、ビームの電
荷が中性化装置によつて中性化され、従つて、測
定することができない。 イオン・ビーム分布をモニターする別の従来技
術の方法は、均一層を溶かし、最終的に違つた厚
みにすることを教えている。しかし、こうした試
行錯誤は時間の無駄であり誤りであることが証明
されている。 (問題点を解決するための手段・作用) 本発明は、イオン・ビームの強さを正確に測定
する新規で改良されたイオン・ビームモニターを
提供すること、特に、イオン・ビーム強さの分布
を当該イオン・ビームの直径に沿つて正確に測定
する新規で改良されたイオン・ビームモニターを
提供している。 本発明は、イオン・ビームを照射されて紫外光
を放出する材料を使い、イオン・ビームの放射の
範囲内、特に、フライス加工されるウエハを置い
た範囲内で、イオン・ビームの強さの分布を測定
する新規で改良されたイオン・ビームモニターを
提供している。イオン・ビームの放射でスパツタ
された材料は、材料の原子に特有の放射スペクト
ルを示す。紫外光を放出する材料を使うことによ
り、イオン・ビームとウエハを互いに対して移動
する間に、イオン・ビーム強さの分布を示す紫外
光を測定することができる。 本発明の前述した目的及び他の目的、特徴並び
に利点は、添付図面に図示した、本発明の好まし
い実施例についての以下の詳細な説明から明らか
になる。 (実施例) 以下添附図面を参照しつつ本発明の1実施例を
詳細に説明する。 本発明に係るイオン・ビームモニターは、基本
的に光学式監視システムで構成されている。この
システムは、イオン・ビームを当てた小さく平ら
なテストプレートから出てくる放出特性光に、焦
点を合わせて観察することができる。光学式走査
システム10を、真空室12内に配置することも
できる。この真空室は、当該真空室の外部に配置
した単一の処理手段14を備えている。平らなテ
ストプレート16は、約5mmの直径を備えたアル
ミニユームペレツトにできる。この平らなテスト
プレート16は、プラツトホーム18上に位置決
めされる。前記プラツトホームは、当該プラツト
ホームに整合してプレート16の上方に配置した
イオン・ビーム源に対し、XY方向に移動するこ
とができる。プラツトホーム18は、走査モータ
22によりX方向に動かされる。走査モータは、
スクリユー式の機構24によりプラツトホーム1
8を駆動している。プラツトホーム18は、走査
モータ26によりY方向に動かされる。この走査
モータは、スクリユー式のトランスミツシヨン2
8によりプラツトホーム18を移動している。イ
オン・ビーム源20から出てくるイオン・ビーム
30は、アルミニユームペレツトの5mmの直径よ
りかなり大きい、約6インチ(15.24mm)の直径
を備えている。イオン・ビーム30がアルミニユ
ームペレツトに当たると、紫外線が放出される。
紫外線検知機32が、プラツトホーム18上にあ
つて、ペレツト16の一方の側に向けて取り付け
られ、紫外線を受けている。検知機の受光チユー
ブが、プラツトホーム18の表面に対し、約5−
10度の角度で配置されている。ペレツトがXY方
向に動かされる際、各アドレスにて、紫外線放出
の強さを測定する。この紫外線放出の強さの測定
は、例えば光伝導パイプ又はチヤンネルプレート
のような照準光学システムを使用して、その部分
の光だけを光学的に検知し、次いで、紫外線フイ
ルタと光フアイバを通じ紫外線検知機に光を導入
することにより行うことができる。このようにし
て検知された紫外線は、アルミニユームペレツト
の各位置に相当する、システムの電子制御部14
に記録される。次いでイオン・ビーム強さの分布
が測定される。 適当な手段(図示せず)を用いて、検知機32
の角度を変え、イオン・ビームを受ける光学位置
を選択することができる。特性光放出用の小さい
ペレツト16は換えることができるが、高い光放
出強さを持つ均一なエツチング率を備えているこ
とが好ましい。この用途には、Al2O3が適当であ
ることが判明しており、アルミニユーム原子の
308mm又は395mmのラインスペクトルを使用するこ
とができる。表はペレツト16用に使える種々
の材料と、これに関係した箇々のパラメータを表
にしたものである。 本発明の細部は、本発明の範囲を変更すること
なく変えられることは自明である。サンプルペレ
ツトの材料のタイプを変えることに加えて、イオ
ン・ビームを走査し強さ分布を測定する装置は変
更することができる。例えばイオン・ビーム源を
動かして走査操作を行う一方で、ペレツトを定位
置に維持できることは明らかである。 従つて、本発明を、好ましい実施例に基づいて
詳細に図示し説明してきたが、本発明の精神と範
囲を逸脱することなく、実施例の構造と細部を
様々に変更できることは当業者にとつて明らかで
ある。
【表】
利得が小さいほど感度がよい。
図は、本発明に係る、イオン・ビームの分布強
さをモニターする装置の概略図である。 図中符号:10……光学式走査システム、12
……真空室、14……処理手段、16……テスト
プレート、18……プラツトホーム、20……イ
オン・ビーム源、22……走査モータ、24……
駆動機構、26……走査モータ、28……トラン
スミツシヨン、30……イオン・ビーム、32…
…紫外線検知機。
さをモニターする装置の概略図である。 図中符号:10……光学式走査システム、12
……真空室、14……処理手段、16……テスト
プレート、18……プラツトホーム、20……イ
オン・ビーム源、22……走査モータ、24……
駆動機構、26……走査モータ、28……トラン
スミツシヨン、30……イオン・ビーム、32…
…紫外線検知機。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 イオン・ビーム源手段と、イオン・ビームが
照射される紫外線を放出するような材料からな
り、前記イオン・ビーム源手段でつくられた前記
イオン・ビームの径よりも小さい径である平らな
ペレツトと、前記イオン・ビーム源手段並びに前
記ペレツトを相対的に動かすための走査手段と、
走査中に紫外線放射を検知して、イオン・ビーム
の強さを表わす信号を発するための検知手段とを
有するイオン・ビームモニター。 2 前記ペレツトがAl2O3から構成されている特
許請求の範囲第1項に記載のイオン・ビームモニ
ター。 3 前記走査手段が、前記イオン・ビーム源手段
からの放射エネルギーを受けとる前記ペレツトを
支持するプラツトホームと、プラツトホームを前
記イオン・ビーム源手段に対しX−Yの走査方向
に動かすための手段とを有している特許請求の範
囲第1項に記載のイオン・ビームモニター。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US619760 | 1984-06-12 | ||
US06/619,760 US4570070A (en) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | Ion-beam monitor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61777A JPS61777A (ja) | 1986-01-06 |
JPH0514874B2 true JPH0514874B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=24483195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60125015A Granted JPS61777A (ja) | 1984-06-12 | 1985-06-11 | イオン・ビームモニター |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4570070A (ja) |
JP (1) | JPS61777A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4724321A (en) * | 1986-08-11 | 1988-02-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Beam intensity monitor for a high energy particle beam system |
GB8619775D0 (en) * | 1986-08-14 | 1986-09-24 | Millspin Ltd | Ion beam dosimetry |
US5486702A (en) * | 1993-09-21 | 1996-01-23 | Genus, Inc. | Scan technique to reduce transient wafer temperatures during ion implantation |
US6107108A (en) | 1998-08-14 | 2000-08-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Dosage micro uniformity measurement in ion implantation |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1299498B (de) * | 1964-07-24 | 1969-07-17 | Steigerwald Strahltech | Vorrichtung zur UEberwachung des Strahlauftreffbereichs in Korpuskularstrahl-Bearbeitungsgeraeten |
JPS56126918A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Injecting device for ion |
-
1984
- 1984-06-12 US US06/619,760 patent/US4570070A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-06-11 JP JP60125015A patent/JPS61777A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4570070A (en) | 1986-02-11 |
JPS61777A (ja) | 1986-01-06 |
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