JPH11354066A - イオンビーム照射装置 - Google Patents

イオンビーム照射装置

Info

Publication number
JPH11354066A
JPH11354066A JP10176707A JP17670798A JPH11354066A JP H11354066 A JPH11354066 A JP H11354066A JP 10176707 A JP10176707 A JP 10176707A JP 17670798 A JP17670798 A JP 17670798A JP H11354066 A JPH11354066 A JP H11354066A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
amount
change
magnetic
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10176707A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2965027B1 (ja
Inventor
Koji Matsuda
耕自 松田
Yoshitaka Sasamura
義孝 笹村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP10176707A priority Critical patent/JP2965027B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2965027B1 publication Critical patent/JP2965027B1/ja
Publication of JPH11354066A publication Critical patent/JPH11354066A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 イオンビームの中性化および二次電子放出の
影響を受けずに入射ビーム量を計測することができるよ
うにしたイオンビーム照射装置を提供する。 【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオン源
2から引き出されたイオンビーム8の一部を受けるよう
に配置されていて、運動エネルギーを有するイオンまた
は中性粒子の入射によってその全入射量に応じた量の磁
性変化を起こす磁気媒体22(検出手段)と、この磁気
媒体22の磁性の変化を検出してその変化量に応じた電
気信号Sを出力する磁気ヘッド28(計測手段)とを備
えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、イオン源から引
き出したイオンビームを真空雰囲気中で被処理物に照射
して、当該被処理物に、例えばイオン注入、イオンビー
ムエッチング、成膜、表面改質等の処理を施すイオンビ
ーム照射装置に関し、より具体的には、イオンビームの
中性化および二次電子放出の影響を受けずにビーム量を
計測する手段に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のイオンビーム照射装置の従来例
を図3に示す。この装置は、図示しない真空容器内にお
いて、イオン源2から引き出したイオンビーム8を、質
量分離器によって質量分離することなくそのまま、ホル
ダ12上の被処理物10に照射して、被処理物10にイ
オン注入等の処理を施すよう構成されている。このよう
な非質量分離でイオン注入を行う装置は、イオンドーピ
ング装置とも呼ばれる。
【0003】イオン源2は、例えば、導入されたイオン
源ガスを放電によって電離させてプラズマを生成するプ
ラズマ生成部4と、そのプラズマから電界の作用でイオ
ンビーム8を引き出す引出し電極系6とを有している。
【0004】被処理物10は、例えば、半導体基板、液
晶ディスプレイ用のガラス基板、工具や機械部品の基材
等である。
【0005】イオン源2から引き出されたイオンビーム
8の一部は、ファラデーカップ14に入射される。それ
に伴ってファラデーカップ14に流れる電流(イオンビ
ーム電流)はビーム電流計測手段16で計測される。フ
ァラデーカップ14に入射するイオンビーム8の量と、
イオン源2から引き出される、あるいは被処理物10に
照射されるイオンビーム8の量との間には一定の関係が
あるので、上記ファラデーカップ14による計測によっ
て、イオン源2から引き出される、あるいは被処理物1
0に照射されるイオンビーム8の量を計測(推定)する
ことができる。
【0006】ファラデーカップ14は、ホルダ12が固
定の場合は、例えばこの例のようにホルダ12の側方近
傍に配置される。ホルダ12が移動可能な場合は、ホル
ダ12の後方近傍に配置される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】被処理物10にイオン
ビーム8を照射すると、被処理物10の表面からガスが
放出されることがある。特に、被処理物10が上記のよ
うな基板であってその表面にフォトレジスト等の有機膜
が形成されているような場合は、イオンビーム8の照射
によってガスが放出されやすい。
【0008】被処理物10からガスが放出されると、被
処理物10およびその近傍のファラデーカップ14の周
りの真空度が悪化(即ちガス圧が上昇)する。その結
果、被処理物10およびファラデーカップ14に入射す
るイオンビーム8が雰囲気ガス分子と衝突して、その一
部が中性化されて(即ち中性粒子として)被処理物10
およびファラデーカップ14に入射する。
【0009】被処理物10にイオンの代わりに中性粒子
の形で入射しても、入射量(例えば注入量)は変わらな
いけれども、ファラデーカップ14に中性粒子の形で入
射すると、その分は計測されない。なぜなら、ファラデ
ーカップ14は電荷を有するイオンが入射することによ
って流れる電流を計測するものであり、中性粒子が入射
しても電流が流れないからである。
【0010】このように、ファラデーカップ14を用い
た計測では、イオンビーム8の中性化の影響を受けるの
で、しかもこの中性化の割合は一定ではなく、雰囲気の
真空度や被処理物10の表面の有機膜の種類(これはロ
ットによって異なることがある)等によって変化するの
で、イオンビーム8の正確なビーム量の計測は難しい。
【0011】また、ファラデーカップ14からはイオン
ビーム8の入射に伴って二次電子が放出され、見かけ上
この放出二次電子分だけファラデーカップ14に流れる
電流が増加するので、イオンビーム8のビーム量計測に
誤差が生じる。ファラデーカップ14には通常は、二次
電子放出を抑制するサプレッサが設けられているけれど
も、完全ではない。
【0012】従って、ファラデーカップ14を用いる方
法では、イオンビーム8の正確なビーム量の計測は難し
く、ひいては被処理物10に対するイオンビーム8の正
確な照射量(例えばイオン注入量)を計測することも難
しい。
【0013】そこでこの発明は、イオンビームの中性化
および二次電子放出の影響を受けずに入射ビーム量を計
測することができるようにしたイオンビーム照射装置を
提供することを主たる目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】この発明のイオンビーム
照射装置は、前記イオン源から引き出されたイオンビー
ムの一部を受けるように配置されていて、運動エネルギ
ーを有するイオンまたは中性粒子の入射によってその全
入射量に応じた量の化学的または物理的な性質の変化を
起こす検出手段と、この検出手段の化学的または物理的
な性質の変化を検出してその変化量に応じた電気信号を
出力する計測手段とを備えることを特徴としている。
【0015】上記構成によれば、イオン源から引き出さ
れたイオンビームの一部が検出手段に入射する。この検
出手段は、当該イオンビームを構成するイオンがイオン
のままで入射した場合だけでなく、中性化して中性粒子
として入射した場合も、運動エネルギーを有する粒子の
入射に変わりはないので、化学的または物理的な性質の
変化を起こす。しかもこの変化量は、上記イオンや中性
粒子の全入射量に応じたものである。
【0016】この検出手段の化学的または物理的な性質
の変化は、前記計測手段によって検出され、その変化量
に応じた電気信号がこの計測手段から出力される。
【0017】このような作用によって、検出手段に入射
するイオンビームの一部が中性化して入射しても、その
中性化の影響を受けずに入射ビーム量を計測することが
できる。
【0018】しかも、検出手段にイオンビームが入射し
て検出手段から仮に二次電子が放出されても、この二次
電子放出は本質的に検出手段の化学的または物理的な性
質の変化をもたらすものではなく、しかも前記計測手段
は検出手段に流れる電流を計測するものではないので、
この二次電子放出の影響を受けずに入射ビーム量を計測
することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係るイオンビ
ーム照射装置の一例を示す図である。図3の従来例と同
一または相当する部分には同一符号を付し、以下におい
ては当該従来例との相違点を主に説明する。
【0020】このイオンビーム照射装置は、前述したイ
オン源2から加速して引き出されたイオンビーム8の一
部を偏向器18によって被処理物10から離れるように
偏向し、更に減速器20を通して所望のエネルギーまで
減速した後に、前述した検出手段の一例である磁気媒体
22に入射させる構成をしている。
【0021】偏向器18は、イオンビーム8を磁界によ
って偏向するものでも良いし、電界によって偏向するも
のでも良い。但し、イオン源2から引き出されたイオン
ビーム8の一部を、偏向しなくても、被処理物10やホ
ルダ12と干渉することなく上記磁気媒体22に入射さ
せることができる構成にしておけば、この偏向器18は
設けなくても良い。
【0022】減速器20は、磁気媒体22に入射するイ
オンビーム8のエネルギーを、磁気媒体22による計測
に都合の良いエネルギーにまで減速するものである。従
って、イオン源2から引き出されたイオンビーム8のエ
ネルギーが、元々、磁気媒体22による計測に都合の良
いものであれば、この減速器20は設けなくても良い。
【0023】この偏向器18および減速器20は、この
例ではビーム制御装置36によって制御される。このビ
ーム制御装置36は、この例ではその上位の制御装置3
4によって制御される。
【0024】磁気媒体22は、この例では、テープ状を
しており、巻き取り機24によって、矢印Aに示すよう
に、磁気ヘッド28を設けている方向へ、ある一定の速
度、またはある一定の時間間隔で巻き取られる。この巻
き取りの速度や間隔は、長時間の計測を可能にするもの
としている。巻き取り機24は、巻き取り駆動装置26
によって駆動される。巻き取り駆動装置26は、この例
では前記制御装置34によって制御される。
【0025】磁気媒体22は、磁性体を含んでいて、加
速された(即ち運動エネルギーを有する)イオンまたは
中性粒子の入射によって磁性(磁気的特性)の変化を起
こす、しかも当該イオンまたは中性粒子の入射量に応じ
た量の磁性変化を起こすものである。例えば、この磁気
媒体22は、録音テープやビデオテープのような磁気テ
ープ等に利用されているフェリ磁性体(例えばガンマ鉄
γ−Fe23 等)を含む磁性膜を、テープ状の基体の表
面に形成(例えば塗布)したものであり、前述した運動
エネルギーを有するイオンまたは中性粒子の入射によっ
てその運動エネルギーによる熱等の総合的な作用によっ
て、磁性体の磁区の状態が変化を受け、イオンまたは中
性粒子の全入射量に応じた量の磁性変化を起こす。
【0026】イオンビーム8の入射位置よりも下手側に
おいて上記磁気媒体22の表面(磁性膜面)に接触また
は近接するように、前述した計測手段の一例としての磁
気ヘッド28を配置している。この磁気ヘッド28は、
上記磁性体22の磁性の変化を検出してその変化量に応
じた電気信号(例えば電圧信号または電流信号)Sを出
力する。この磁気ヘッド28から出力される電気信号S
は、通常は微小な信号であるので、この例では増幅器3
8で増幅して前記制御装置34に供給される。
【0027】上記のように構成したことにより、イオン
源2から引き出されたイオンビーム8の大半は被処理物
10に入射して被処理物10にイオン注入等の処理を施
す一方、イオン源2から引き出されたイオンビーム8の
一部は偏向器18および減速器20を通って磁気媒体2
2に入射する。磁気媒体22は、前述した性質を有して
いるので、イオンビーム8を構成するイオンがイオンの
ままで入射した場合だけでなく、雰囲気ガス分子と衝突
する等によって中性化して中性粒子として入射した場合
も、これらイオンまたは中性粒子の全入射量に応じた量
の磁性変化を起こす。
【0028】この磁気媒体22の磁性の変化は上記磁気
ヘッド28によって検出され、その変化量に応じた電気
信号Sが磁気ヘッド28から出力される。
【0029】このような作用によって、磁気媒体22に
入射するイオンビーム8の一部が中性化して入射して
も、その中性化の影響を受けずに入射ビーム量を計測す
ることができる。しかもこの計測を、その場で、換言す
れば即時に(リアルタイムに)行うことができる。
【0030】従来のファラデーカップ14利用の場合と
同様に、上記磁気媒体22に入射するビーム量と、イオ
ン源2から引き出される、あるいは被処理物10に照射
されるイオンビーム8の量との間には、構造等によって
決まる一定の関係があるので、上記計測によって、イオ
ン源2から引き出される、あるいは被処理物10に照射
されるイオンビーム8の量を計測(推定)することがで
きる。
【0031】しかも、磁気媒体22にイオンビーム8が
入射して磁気媒体22から仮に二次電子が放出されて
も、この二次電子放出は本質的に磁気媒体22の磁性変
化をもたらすものではなく、しかも磁気ヘッド28は従
来のファラデーカップ14と違って、磁気媒体22に流
れる電流を計測するものではないので、この二次電子放
出の影響を受けずに入射ビーム量を計測することができ
る。
【0032】このようにして、イオン源2から引き出さ
れる、あるいは被処理物10に照射されるイオンビーム
8の量を、イオンビームの中性化および二次電子放出の
影響を受けずに正確に計測することができるようになる
結果、例えば、被処理物10の処理(例えばイオン注
入)を正確に行うことが可能になり、ひいては処理不良
品の発生を防止することが可能になる。
【0033】なお、磁気媒体22に入射するイオンビー
ム8の量と、磁気媒体22の磁性変化量や磁気ヘッド2
8から出力される電気信号Sの量との関係は、必ずしも
リニヤな関係である必要はなく、一定の対応関係があれ
ば良い。後述する図2の例の場合も同様である。
【0034】また、上記計測よりも更に進んで、磁気ヘ
ッド28からの電気信号Sを増幅器38で増幅して制御
装置34に取り込み、この制御装置34において、入力
された電気信号Sに基づいて、イオン源2から引き出さ
れるイオンビーム8の量を演算し、かつ当該イオンビー
ム8の量が予め設定していた量に正確に一致するよう
に、イオン源2にフィードバック制御をかけるようにし
ても良い。この制御は、例えば、イオン源2に供給する
イオン源ガス30の流量調節を行う流量調節器32を制
御することによって行えば良い。
【0035】また、制御装置34において、入力される
電気信号Sに基づいて、被処理物10に対するイオンビ
ーム8の照射量(例えばイオン注入量またはドーズ量)
を演算し、予め設定していた照射量に達したら、イオン
源2からのイオンビーム8の引き出しを停止するように
しても良い。
【0036】上記磁気媒体22は、前述したようなテー
プ状の代わりに、シート状または板状等であっても良
い。いずれの場合も、通常は、この磁気媒体22の磁性
変化の読み取りのために、磁気媒体22と磁気ヘッド2
8とは相対的に移動させる。通常は、磁気ヘッド28を
固定しておいて、磁気媒体22を直線移動または回転さ
せる等する。
【0037】上記磁気媒体22、巻き取り機24、巻き
取り駆動装置26および磁気ヘッド28の代わりに、図
2に示すような構成の検出手段および計測手段を設けて
も良い。
【0038】この図2の検出装置は、前述したイオン源
2から引き出されたイオンビーム8の一部が入射する放
電発光器40を備えている。この放電発光器40は、真
空ポンプ44によって真空排気される真空容器42内に
設けた複数枚(この例では2枚)の放電用電極48およ
び50間に放電用電源52から放電用の電圧(例えば数
百V程度の直流電圧)を印加しておき、かつ真空容器4
2内にガス46を所定の圧力になるように導入してお
き、この放電用電極48、50間に前記イオンビーム8
を入射させることによって、イオンビーム8を構成する
イオンによってガス46を電離させて放電用電極48、
50間で放電を生じさせ、それによってガス46を発光
(放電発光)させるものである。この放電発光54の発
光光量は、イオンビーム8を構成するイオンの量に応じ
たものとなる。
【0039】真空容器42内の圧力(ガス圧)は、真空
容器42内におけるイオン(イオンビーム8を構成する
イオン)の平均自由行程が、放電用電極48、50間の
距離(例えば10cm程度)よりも十分小さくなる圧力
(例えば10Pa程度)にする。
【0040】上記放電発光54は、可視光でも良いし、
紫外光または赤外光でも良い。要は、後述する光検出器
58でその放電発光を検出できれば良い。この放電発光
の波長は、主としてガス46の種類によって決まる。ガ
ス46は、例えば、空気、窒素ガスまたは酸素ガス等で
あり、イオンビーム8の入射によって青色、黄緑色等の
放電発光54を生じる。
【0041】イオン入射に伴うガス46からの上記放電
発光54は、真空容器42の壁面部に設けられた光検出
器58によって検出され、この光検出器58から、放電
発光54の発光光量に応じた電気信号S1 が出力され
る。この光検出器58は、例えば、光導電素子(例え
ば、可視光用には硫化カドミウム、赤外光用には硫化
鉛、紫外光用には硫化亜鉛を用いたもの)、光電池、光
電管等である。
【0042】上記真空容器42内であって、イオンビー
ム8の入射口と反対側の壁面付近には、イオンビーム8
の一部がガス分子と衝突する等して中性化して入射して
来る中性粒子56を受け止める中性粒子捕捉体60を設
けている。この中性粒子捕捉体60は、例えば板状をし
ている。上記中性粒子56は、イオンビーム8とほぼ同
じ運動エネルギーを有しているので、それが中性粒子捕
捉体60に入射すると、その入射量に応じて中性粒子捕
捉体60の温度が上昇する。
【0043】中性粒子捕捉体60の例えば背面部には、
当該中性粒子捕捉体60の温度上昇を検出してその温度
上昇に応じた電気信号S2 を出力する温度検出器62を
設けている。この温度検出器62は、例えば、熱電対、
サーミスタ等である。
【0044】このように、上記光検出器58から出力さ
れる電気信号S1 は、イオンビーム8を構成するイオン
がイオンのまま入射した量を表している。上記温度検出
器62から出力される電気信号S2 は、イオンビーム8
を構成するイオンが中性化して中性粒子として入射した
量を表している。そこでこの例では、両電気信号S1
よびS2 を加算器64で加算して電気信号Sを出力する
ようにしている。従ってこの電気信号Sは、放電発光器
40に入射するイオンまたは中性粒子の全入射量を表し
ている。
【0045】この電気信号Sは、例えば、図1の例の場
合と同様に、増幅器38で増幅して制御装置34に供給
される。
【0046】このように図2の例では、放電発光器40
および中性粒子捕捉体60等によって前述した検出手段
を構成しており、光検出器58、温度検出器62および
加算器64等によって前述した計測手段を構成してい
る。このような検出手段および計測手段によっても、イ
オンビームの中性化および二次電子放出の影響を受けず
に入射ビーム量を計測することができる。
【0047】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビームの中性化および二次電子放出の影響を受けずに入
射ビーム量を計測することができる。その結果、イオン
源から引き出される、あるいは被処理物に照射されるイ
オンビームの量を、イオンビームの中性化および二次電
子放出の影響を受けずに計測することができるようにな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るイオンビーム照射装置の一例を
示す図である。
【図2】検出手段および計測手段の他の例を示す図であ
る。
【図3】従来のイオンビーム照射装置の一例を示す図で
ある。
【符号の説明】
2 イオン源 8 イオンビーム 10 被処理物 22 磁気媒体 28 磁気ヘッド 40 放電発光器 58 光検出器 60 中性粒子捕捉体 62 温度検出器 64 加算器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年4月20日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項イオン源から引き出したイオンビームを
真空雰囲気中で被処理物に照射して処理を施すイオンビ
ーム照射装置において、前記イオン源から引き出された
イオンビームの一部を受けるように配置されていて、運
動エネルギーを有するイオンまたは中性粒子の入射によ
ってその全入射量に応じた量の化学的または物理的な性
質の変化を起こす検出手段と、この検出手段の化学的ま
たは物理的な性質の変化を検出してその変化量に応じた
電気信号を出力する計測手段とを備えており、 前記検出手段は、磁性体を含んでいて運動エネルギーを
有するイオンまたは中性粒子の入射によって磁性の変化
を起こす磁気媒体であり、 前記計測手段は、この磁気媒体の磁性の変化を検出して
その変化量に応じた電気信号を出力する磁気ヘッドであ
、ことを特徴とするイオンビーム照射装置。
【請求項イオン源から引き出したイオンビームを
真空雰囲気中で被処理物に照射して処理を施すイオンビ
ーム照射装置において、前記イオン源から引き出された
イオンビームの一部を受けるように配置されていて、運
動エネルギーを有するイオンまたは中性粒子の入射によ
ってその全入射量に応じた量の化学的または物理的な性
質の変化を起こす検出手段と、この検出手段の化学的ま
たは物理的な性質の変化を検出してその変化量に応じた
電気信号を出力する計測手段とを備えており、 前記検出手段は、運動エネルギーを有するイオンの入射
によってガスを放電発光させる放電発光器と、この放電
発光器内に設けられていて運動エネルギーを有する中性
粒子を受け止める中性粒子捕捉体とを備えており、 前記計測手段は、前記ガスの放電発光を検出してその発
光光量に応じた電気信号を出力する光検出器と、前記中
性粒子捕捉体の温度上昇を検出してその温度上昇に応じ
た電気信号を出力する温度検出器と、この光検出器およ
び温度検出器から出力される電気信号を互いに加算する
加算器とを備えている、ことを特徴とするイオンビーム
照射装置。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イオン源から引き出したイオンビームを
    真空雰囲気中で被処理物に照射して処理を施すイオンビ
    ーム照射装置において、前記イオン源から引き出された
    イオンビームの一部を受けるように配置されていて、運
    動エネルギーを有するイオンまたは中性粒子の入射によ
    ってその全入射量に応じた量の化学的または物理的な性
    質の変化を起こす検出手段と、この検出手段の化学的ま
    たは物理的な性質の変化を検出してその変化量に応じた
    電気信号を出力する計測手段とを備えることを特徴とす
    るイオンビーム照射装置。
  2. 【請求項2】 前記検出手段は、磁性体を含んでいて運
    動エネルギーを有するイオンまたは中性粒子の入射によ
    って磁性の変化を起こす磁気媒体であり、 前記計測手段は、この磁気媒体の磁性の変化を検出して
    その変化量に応じた電気信号を出力する磁気ヘッドであ
    る請求項1記載のイオンビーム照射装置。
  3. 【請求項3】 前記検出手段は、運動エネルギーを有す
    るイオンの入射によってガスを放電発光させる放電発光
    器と、この放電発光器内に設けられていて運動エネルギ
    ーを有する中性粒子を受け止める中性粒子捕捉体とを備
    えており、 前記計測手段は、前記ガスの放電発光を検出してその発
    光光量に応じた電気信号を出力する光検出器と、前記中
    性粒子捕捉体の温度上昇を検出してその温度上昇に応じ
    た電気信号を出力する温度検出器と、この光検出器およ
    び温度検出器から出力される電気信号を互いに加算する
    加算器とを備えている請求項1記載のイオンビーム照射
    装置。
JP10176707A 1998-06-09 1998-06-09 イオンビーム照射装置 Expired - Fee Related JP2965027B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10176707A JP2965027B1 (ja) 1998-06-09 1998-06-09 イオンビーム照射装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10176707A JP2965027B1 (ja) 1998-06-09 1998-06-09 イオンビーム照射装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2965027B1 JP2965027B1 (ja) 1999-10-18
JPH11354066A true JPH11354066A (ja) 1999-12-24

Family

ID=16018358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10176707A Expired - Fee Related JP2965027B1 (ja) 1998-06-09 1998-06-09 イオンビーム照射装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2965027B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002084724A1 (fr) * 2001-04-09 2002-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de traitement de surface et systeme de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur
WO2010050452A1 (ja) * 2008-10-31 2010-05-06 株式会社アルバック イオン注入装置
CN103389507A (zh) * 2012-05-09 2013-11-13 上海精密计量测试研究所 一种用于电子加速器束流强度实时监测的探头

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002084724A1 (fr) * 2001-04-09 2002-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de traitement de surface et systeme de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur
WO2010050452A1 (ja) * 2008-10-31 2010-05-06 株式会社アルバック イオン注入装置
JP5465674B2 (ja) * 2008-10-31 2014-04-09 株式会社アルバック イオン注入装置
US8791433B2 (en) 2008-10-31 2014-07-29 Ulvac, Inc. Ion implanting apparatus
CN103389507A (zh) * 2012-05-09 2013-11-13 上海精密计量测试研究所 一种用于电子加速器束流强度实时监测的探头

Also Published As

Publication number Publication date
JP2965027B1 (ja) 1999-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4013081B2 (ja) イオン注入機におけるドーズ量測定制御を行うための制御機構
US7679056B2 (en) Metrology system of fine pattern for process control by charged particle beam
EP0546178B1 (en) Equipment for neutralizing charged material
US7791049B2 (en) Ion implantation apparatus
US6657212B2 (en) Electron beam measurement method and electron beam irradiation processing device
JP2003504616A (ja) 二次イオンの収量を高める方法及び装置
JP2965027B1 (ja) イオンビーム照射装置
JPH11241888A (ja) 静電浮遊炉
WO2006135021A1 (ja) 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法
US6737663B2 (en) Apparatus and method for detecting tilt angle of a wafer platform
JPH07272653A (ja) 電界電離型ガスフェーズイオン源の調整方法およびイオンビーム装置
JPH10241588A (ja) 集束イオンビーム加工方法およびその装置
JP2000311867A (ja) ビーム量測定方法および測定装置
WO2021039647A1 (ja) イオンビーム照射システム、イオンビーム純度測定方法、イオンビーム純度測定装置、およびイオンビーム純度測定プログラム
JP3904380B2 (ja) 電子線量の測定方法および電子線照射処理装置
JP2002341100A (ja) 電子線照射装置
JP2010003596A (ja) 荷電粒子線加工装置
JP3818162B2 (ja) 電子線照射処理装置
WO2015125418A1 (en) Electron beam irradiator and irradiation system with emission detection
JP4544949B2 (ja) 表面検査方法および装置
JP2004257869A (ja) 電子線量検出器および電子線照射処理装置
JPH06223770A (ja) イオン注入装置
JPS6335399Y2 (ja)
JPH0622109B2 (ja) 二次イオン質量分析計
JPS6383640A (ja) 異物検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees