JPS6335399Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6335399Y2 JPS6335399Y2 JP1980182853U JP18285380U JPS6335399Y2 JP S6335399 Y2 JPS6335399 Y2 JP S6335399Y2 JP 1980182853 U JP1980182853 U JP 1980182853U JP 18285380 U JP18285380 U JP 18285380U JP S6335399 Y2 JPS6335399 Y2 JP S6335399Y2
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- JP
- Japan
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- sample
- irradiating
- ions
- ion
- filament
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- Expired
Links
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- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
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- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、オージエ電子分光装置に関し、特
に、試料の深さ方向の分析を正確に行うことがで
きるオージエ電子分光装置に関する。
に、試料の深さ方向の分析を正確に行うことがで
きるオージエ電子分光装置に関する。
物質表面の研究のために電子線を試料表面に照
射することにより発生するオージエ電子のエネル
ギー分析を行なうようになしたオージエ電子分光
装置においては試料上の電子線照射部に同時にイ
オンを照射し、この試料上の電子線照射部をエツ
チングすることにより試料の深さ方向の分析が行
なわれている。この場合試料のエツチングにあた
り安定したエツチングレートを得ることが要求さ
れる。
射することにより発生するオージエ電子のエネル
ギー分析を行なうようになしたオージエ電子分光
装置においては試料上の電子線照射部に同時にイ
オンを照射し、この試料上の電子線照射部をエツ
チングすることにより試料の深さ方向の分析が行
なわれている。この場合試料のエツチングにあた
り安定したエツチングレートを得ることが要求さ
れる。
斯かる要求を満足するために、イオン源から発
生した試料照射イオンビームの一部をイオンビー
ム通路におかれたモニター電極によつて検出し、
その検出信号をイオン源の電源にフイードバツク
して試料照射イオンビームを安定化することが一
般に行なわれる。
生した試料照射イオンビームの一部をイオンビー
ム通路におかれたモニター電極によつて検出し、
その検出信号をイオン源の電源にフイードバツク
して試料照射イオンビームを安定化することが一
般に行なわれる。
ところでイオンエツチングにおいては試料近傍
の雰囲気（分圧）の変動によつてエツチング量が
変化する。そのため前述の様にイオンビーム通路
上に設けたモニター電極によつて試料照射イオン
ビームの一部を検出することによりイオンビーム
の安定化をはかる方式においては、雰囲気の変動
があつた場合にはエツチングレートが変動する。
の雰囲気（分圧）の変動によつてエツチング量が
変化する。そのため前述の様にイオンビーム通路
上に設けたモニター電極によつて試料照射イオン
ビームの一部を検出することによりイオンビーム
の安定化をはかる方式においては、雰囲気の変動
があつた場合にはエツチングレートが変動する。
本考案は、上述した点に鑑みてなされたもの
で、電子線を試料表面に照射することにより発生
するオージエ電子のエネルギ分析を行うと共に、
イオン源で発生した１次イオンを加速して該試料
に照射することにより試料をエツチングするよう
になした装置において、前記１次イオンを試料に
照射することにより得られる２次イオンのみある
いは２次イオンと中世粒子を検出するための検出
手段と、該検出手段からの信号に基づき前記１次
イオンの強度を制御する手段とを備えたことを特
徴としたもので、以下図面に基づき詳説する。
で、電子線を試料表面に照射することにより発生
するオージエ電子のエネルギ分析を行うと共に、
イオン源で発生した１次イオンを加速して該試料
に照射することにより試料をエツチングするよう
になした装置において、前記１次イオンを試料に
照射することにより得られる２次イオンのみある
いは２次イオンと中世粒子を検出するための検出
手段と、該検出手段からの信号に基づき前記１次
イオンの強度を制御する手段とを備えたことを特
徴としたもので、以下図面に基づき詳説する。
添付図面は本考案の一実施例を示す構成略図で
あり、１は電子衝撃型イオン源である。該イオン
源はイオン化室２、フイラメント３、陽極４及び
引出し電極５から構成されている。前記イオン化
室２内にはガス導入穴６を介して不活性ガス、例
えばアルゴンガスが導入され、10-4Torr程度の
圧力に保たれる。７はフイラメント３の加熱電
源、８はフイラメント３と陽極４との間に接続さ
れた電子加速電源、９はイオン化室２と引出し電
極５との間に電圧を与えるイオン引出し電源であ
る。今、加熱電源７によりフイラメント３を加熱
すれば電子Ｅが発生し、該電子Ｅはイオン化室２
内に導入されるため、イオン化室２内の不活性ガ
スは電子衝撃を受けてイオン化される。この様に
して生成された陽イオンは引出し電極５によつて
１次イオンビームＩとして取出され、試料１０上
に照射される。該イオンビームの照射により試料
１０の表面はエツチングを受け、該表面からは２
次イオンｉが発生する。該２次イオンの量は試料
のエツチング量に正確に対応するので、該２次イ
オンをコレクタ１１により検出すれば、得られる
検出信号はエツチング量に対応したものとなる。
あり、１は電子衝撃型イオン源である。該イオン
源はイオン化室２、フイラメント３、陽極４及び
引出し電極５から構成されている。前記イオン化
室２内にはガス導入穴６を介して不活性ガス、例
えばアルゴンガスが導入され、10-4Torr程度の
圧力に保たれる。７はフイラメント３の加熱電
源、８はフイラメント３と陽極４との間に接続さ
れた電子加速電源、９はイオン化室２と引出し電
極５との間に電圧を与えるイオン引出し電源であ
る。今、加熱電源７によりフイラメント３を加熱
すれば電子Ｅが発生し、該電子Ｅはイオン化室２
内に導入されるため、イオン化室２内の不活性ガ
スは電子衝撃を受けてイオン化される。この様に
して生成された陽イオンは引出し電極５によつて
１次イオンビームＩとして取出され、試料１０上
に照射される。該イオンビームの照射により試料
１０の表面はエツチングを受け、該表面からは２
次イオンｉが発生する。該２次イオンの量は試料
のエツチング量に正確に対応するので、該２次イ
オンをコレクタ１１により検出すれば、得られる
検出信号はエツチング量に対応したものとなる。
従つて差動増幅器１２により該検出信号と基準
電源１３からの基準信号との差信号を求め、該差
信号に基づいて加熱電源７からのフイラメント３
へ送られる加熱電流を制御することにより１次イ
オンビーム強度を制御すれば、前記エツチング量
を正確に一定に保つことができる。
電源１３からの基準信号との差信号を求め、該差
信号に基づいて加熱電源７からのフイラメント３
へ送られる加熱電流を制御することにより１次イ
オンビーム強度を制御すれば、前記エツチング量
を正確に一定に保つことができる。
斯様な構成となせば、試料近傍の雰囲気が変動
して試料のエツチング量が変化してもそれに応じ
て１次イオンビームの強度が変化するため、エツ
チングレートを正確に一定に保つことができる。
して試料のエツチング量が変化してもそれに応じ
て１次イオンビームの強度が変化するため、エツ
チングレートを正確に一定に保つことができる。
尚前述の実施例において、１次イオンビームの
照射により試料１０からは２次イオンの他に中性
粒子が同時に発生しているため、試料１０とコレ
クタ１１との間にフイラメント１４と陽極１５と
を設け、フイラメント１４からの電子によつて中
性粒子をイオン化して検出するようになせばより
正確な制御を行なうことができる。
照射により試料１０からは２次イオンの他に中性
粒子が同時に発生しているため、試料１０とコレ
クタ１１との間にフイラメント１４と陽極１５と
を設け、フイラメント１４からの電子によつて中
性粒子をイオン化して検出するようになせばより
正確な制御を行なうことができる。
又前述の説明ではエツチング量を一定に保つた
めにフイラメント３に供給する加熱電流を制御す
るようになしたが、これに限定されることなく電
子加速電源８、イオン引出し電源９や不活性ガス
の流量制御バルブのいずれかを制御するようにな
してもよい。
めにフイラメント３に供給する加熱電流を制御す
るようになしたが、これに限定されることなく電
子加速電源８、イオン引出し電源９や不活性ガス
の流量制御バルブのいずれかを制御するようにな
してもよい。
更に、イオン源は上述の電子衝撃型に限定され
るものではない。
るものではない。
添付図面は本考案の一実施例を示す構成略図で
ある。 １：イオン源、２：イオン化室、３：フイラメ
ント、４：陽極、５：引出し電極、６：ガス導入
穴、７：加熱電源、８：電子加速電源、９：イオ
ン引出し電源、１０：試料、１１：コレクタ、１
２：差動増幅器、１３：基準電源、１４：フイラ
メント、１５：陽極。
ある。 １：イオン源、２：イオン化室、３：フイラメ
ント、４：陽極、５：引出し電極、６：ガス導入
穴、７：加熱電源、８：電子加速電源、９：イオ
ン引出し電源、１０：試料、１１：コレクタ、１
２：差動増幅器、１３：基準電源、１４：フイラ
メント、１５：陽極。
Claims (1)
- 電子線を試料表面に照射することにより発生す
るオージエ電子のエネルギ分析を行うと共に、イ
オン源で発生した１次イオンを加速して該試料に
照射することにより試料をエツチングするように
なした装置において、前記１次イオンを試料に照
射することにより得られる２次イオンのみあるい
は２次イオンと中性粒子を検出するための検出手
段と、該検出手段からの信号に基づき前記１次イ
オンの強度を制御する手段とを備えたことを特徴
とするオージエ電子分光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980182853U JPS6335399Y2 (ja) | 1980-12-19 | 1980-12-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980182853U JPS6335399Y2 (ja) | 1980-12-19 | 1980-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57104350U JPS57104350U (ja) | 1982-06-26 |
| JPS6335399Y2 true JPS6335399Y2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=29981588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980182853U Expired JPS6335399Y2 (ja) | 1980-12-19 | 1980-12-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6335399Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120686A (ja) * | 1974-03-08 | 1975-09-22 | ||
| JPS5151390A (en) * | 1974-10-30 | 1976-05-06 | Hitachi Ltd | Ionbiimusosahonyoru kotaibunsekisochi |
-
1980
- 1980-12-19 JP JP1980182853U patent/JPS6335399Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120686A (ja) * | 1974-03-08 | 1975-09-22 | ||
| JPS5151390A (en) * | 1974-10-30 | 1976-05-06 | Hitachi Ltd | Ionbiimusosahonyoru kotaibunsekisochi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57104350U (ja) | 1982-06-26 |
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