JPH0116531B2 - - Google Patents
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- JPH0116531B2 JPH0116531B2 JP14362982A JP14362982A JPH0116531B2 JP H0116531 B2 JPH0116531 B2 JP H0116531B2 JP 14362982 A JP14362982 A JP 14362982A JP 14362982 A JP14362982 A JP 14362982A JP H0116531 B2 JPH0116531 B2 JP H0116531B2
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電界電離イオン源に関し、特に安定な
ガスイオンを発生させることができるイオン源に
関する。
ガスイオンを発生させることができるイオン源に
関する。
近年サブミクロン以下に細く集束したイオンビ
ームの応用は、液体金属イオン源が開発されて以
来半導体工業等の分野で急速に高まつている。し
かし、液体金属イオン源では得られるイオン種に
制限があり、特にAr(アルゴン)、N2(チツソ)
等の不活性ガスやH2(水素)、O2(酸素)のイオン
ビームを得る場合には液体金属イオン源よりガス
相の電界電離イオン源が適合している。このガス
相の電界電離型イオン源は、10-3Torr程度のガ
ス中で、その先端部が数100Å〜1000Å程度にエ
ツヂングされた金属の尖端に数100MV/cmの強
電界を加えるように構成している。その結果、該
金属尖端近傍のガス分子は電界電離現象によりイ
オンと電子に分離され、分離したイオンがイオン
ビームとして取り出される。ところで、このよう
なイオン源において発生するイオンビーム電流i
は次に示す通りガスの圧力Pと温度Tとの関数と
なつている。
ームの応用は、液体金属イオン源が開発されて以
来半導体工業等の分野で急速に高まつている。し
かし、液体金属イオン源では得られるイオン種に
制限があり、特にAr(アルゴン)、N2(チツソ)
等の不活性ガスやH2(水素)、O2(酸素)のイオン
ビームを得る場合には液体金属イオン源よりガス
相の電界電離イオン源が適合している。このガス
相の電界電離型イオン源は、10-3Torr程度のガ
ス中で、その先端部が数100Å〜1000Å程度にエ
ツヂングされた金属の尖端に数100MV/cmの強
電界を加えるように構成している。その結果、該
金属尖端近傍のガス分子は電界電離現象によりイ
オンと電子に分離され、分離したイオンがイオン
ビームとして取り出される。ところで、このよう
なイオン源において発生するイオンビーム電流i
は次に示す通りガスの圧力Pと温度Tとの関数と
なつている。
i∝Pr2F2/T3/2
ここにおいてPはガス圧力、rは先端の径、F
は電界強度である。上式から判るようにイオンビ
ーム電流iは、ガス圧力P、先端の径と電界の2
乗(r2F2)に比例し、温度の3/2乗に反比例する。
従つて、このイオン化の原理を用いて安定なイオ
ンビームを得ようとすると特にガス圧力Pと温度
Tを一定に制御する必要がある。ここで、温度は
高輝度のイオンビームを得るために液体窒素温度
で動作させるので一定に保てるが、ガス圧力Pは
該金属の先端部近傍で測定することは難しい。ガ
ス圧Pは測定制度も悪く又圧力の変動もありイオ
ンビームの安定な制御が難しかつた。又、斯種の
イオン源は、イオンビームが発生している時に生
ずる数KHz前後の比較的周波数の高いエミツシヨ
ンノイズがあり、これらがイオンビームの安定化
を妨げる要因となつていた。
は電界強度である。上式から判るようにイオンビ
ーム電流iは、ガス圧力P、先端の径と電界の2
乗(r2F2)に比例し、温度の3/2乗に反比例する。
従つて、このイオン化の原理を用いて安定なイオ
ンビームを得ようとすると特にガス圧力Pと温度
Tを一定に制御する必要がある。ここで、温度は
高輝度のイオンビームを得るために液体窒素温度
で動作させるので一定に保てるが、ガス圧力Pは
該金属の先端部近傍で測定することは難しい。ガ
ス圧Pは測定制度も悪く又圧力の変動もありイオ
ンビームの安定な制御が難しかつた。又、斯種の
イオン源は、イオンビームが発生している時に生
ずる数KHz前後の比較的周波数の高いエミツシヨ
ンノイズがあり、これらがイオンビームの安定化
を妨げる要因となつていた。
本発明は以上の点に鑑みてなされたものでイオ
ン化を行う真空室内に配置した針状部材の先端部
に強電界を形成する手段と、該室内に流量調整手
段を通してイオン化ガスを供給する手段を備えた
イオン源において、該針状部材の先端部から発生
したイオンビーム量を実質的に検出する手段を設
け、該検出手段からの信号の低周波変動成分に基
づいて該イオン化ガス流量調整手段を制御するた
めの負帰還回路を設けたことを特徴としている。
ン化を行う真空室内に配置した針状部材の先端部
に強電界を形成する手段と、該室内に流量調整手
段を通してイオン化ガスを供給する手段を備えた
イオン源において、該針状部材の先端部から発生
したイオンビーム量を実質的に検出する手段を設
け、該検出手段からの信号の低周波変動成分に基
づいて該イオン化ガス流量調整手段を制御するた
めの負帰還回路を設けたことを特徴としている。
以下図面を用いて本発明を詳述する。
図面は本発明の一実施例装置で、図中1はイオ
ン化を行う真空に保たれたイオン化室である。該
イオン化室1内には熱伝導の良好な材料で形成さ
れた支柱2,3が配置され、支柱2に支持された
尖鋭な先端部を有する例えばタングステン線より
なるエミツタチツプ4が設けられ、又支柱3は引
き出し電極5に接続されている。該支柱2,3は
イオン化室上部に配置された絶縁碍子6を貫通
し、該碍子6の上部の内部に液体窒素の如き冷媒
7が入れられた冷却槽8の内部まで突出してい
る。9は例えばアルゴンガスが封入されたガスボ
ンベであり、該ガスボンベ9からのアルゴンガス
は制圧弁10、ガス流量調整弁11、テフロン製
のガス導入管12及び接続弁13を通つてガス放
出管14よりイオン化室1内に導入される。該イ
オン化室1内のガス圧は差動排気により電界イオ
ン化現象に適当な約10-3Torrに保たれている。
イオン加速電圧と引き出し電圧は、高圧ケーブル
15によつて電源16より印加される。17はコ
ンデンサーレンズ、18はビーム軸上に設けられ
たビーム電流検出電極で、該電極18により一部
検出されたビーム電流は制御回路19に入力され
る。制御回路19は、電流−電圧変換回路19
a、高周波応答アンプ19b、低周波応答アンプ
19c等から構成され、ビーム電流によつて19
dは高周波変動成分により電源16内の引き出し
電圧を負帰還制御すると共に、19cは低周波変
動成分により流量制御装置20を介してガス流量
調整弁11を負帰還制御する。21はアライメン
ト電極であり、22は集束用対物レンズで、対物
レンズ22を通過したイオンビームは絞り23に
よつて絞られ、静電型偏向電極24によつて走査
されて試料25上に照射される。26は真空容器
27内を10-5Torr程度に保持する真空ポンプで
ある。
ン化を行う真空に保たれたイオン化室である。該
イオン化室1内には熱伝導の良好な材料で形成さ
れた支柱2,3が配置され、支柱2に支持された
尖鋭な先端部を有する例えばタングステン線より
なるエミツタチツプ4が設けられ、又支柱3は引
き出し電極5に接続されている。該支柱2,3は
イオン化室上部に配置された絶縁碍子6を貫通
し、該碍子6の上部の内部に液体窒素の如き冷媒
7が入れられた冷却槽8の内部まで突出してい
る。9は例えばアルゴンガスが封入されたガスボ
ンベであり、該ガスボンベ9からのアルゴンガス
は制圧弁10、ガス流量調整弁11、テフロン製
のガス導入管12及び接続弁13を通つてガス放
出管14よりイオン化室1内に導入される。該イ
オン化室1内のガス圧は差動排気により電界イオ
ン化現象に適当な約10-3Torrに保たれている。
イオン加速電圧と引き出し電圧は、高圧ケーブル
15によつて電源16より印加される。17はコ
ンデンサーレンズ、18はビーム軸上に設けられ
たビーム電流検出電極で、該電極18により一部
検出されたビーム電流は制御回路19に入力され
る。制御回路19は、電流−電圧変換回路19
a、高周波応答アンプ19b、低周波応答アンプ
19c等から構成され、ビーム電流によつて19
dは高周波変動成分により電源16内の引き出し
電圧を負帰還制御すると共に、19cは低周波変
動成分により流量制御装置20を介してガス流量
調整弁11を負帰還制御する。21はアライメン
ト電極であり、22は集束用対物レンズで、対物
レンズ22を通過したイオンビームは絞り23に
よつて絞られ、静電型偏向電極24によつて走査
されて試料25上に照射される。26は真空容器
27内を10-5Torr程度に保持する真空ポンプで
ある。
以上の如く構成された装置において、チツプ4
と引き出し電極5の間に引き出し電圧が印加され
ると、該エミツタチツプ4の先端部近傍に数
100Mv/cmもの強電界が形成される。この強電
界は、チツプ先端部近傍のガス分子(本実施例に
おいてはアルゴンガス)が電界電離現象によつて
イオンと電子eに分離され、そのイオンがイオン
ビームとなつて取り出される。このイオンビーム
は加速されてイオンビーム電流iとしてビーム電
流検出電極18より検出されるが、該電流iには
ガス圧力Pによる低周波の変動成分とイオンビー
ムが発生、加速される時に生ずる比較的周波数の
高い変動成分が含まれている。ところで、イオン
ビーム電流iは前述の如く i∝Pr2F2/T3/2 によつて決定されるが、本実施例において温度T
は、冷媒7の液体窒素温度で動作させているため
一定温度に保持され、又エミツタチツプ先端部は
エツチングにより1000Å程度に形成されている。
そのためイオンビーム電流iを一定とするために
はガス圧力P及び電界Fを一定となるよう制御す
れば安定したイオンビームを得ることができる。
そこで本発明に基づく一実施例においては、検出
されたイオンビーム電流iを制御回路内の電流−
電圧変換回路19aにより電圧変換した後、ガス
圧力Pによる低周波の変動成分とエミツシヨンノ
イズによる高周波の変動成分とを分離して、それ
ぞれの変動成分に対して補正手段を講じたもので
ある。具体的には、ガス圧力Pによる変動成分に
対しては低周波応答アンプ19cにより流量制御
装置20を介してガス圧力Pを一定となる用ガス
流量調整弁11を制御し、エミツシヨンノイズに
よる高周波変動成分に対しては、高周波応答アン
プ19bにより電源16内の引き出し電圧を負帰
還制御することによつて該先端部に形成される電
界Fを一定に制御するものである。そのため常に
安定したイオンビームを得ることができ、斯種装
置の精度を飛躍的に向上することができる。
と引き出し電極5の間に引き出し電圧が印加され
ると、該エミツタチツプ4の先端部近傍に数
100Mv/cmもの強電界が形成される。この強電
界は、チツプ先端部近傍のガス分子(本実施例に
おいてはアルゴンガス)が電界電離現象によつて
イオンと電子eに分離され、そのイオンがイオン
ビームとなつて取り出される。このイオンビーム
は加速されてイオンビーム電流iとしてビーム電
流検出電極18より検出されるが、該電流iには
ガス圧力Pによる低周波の変動成分とイオンビー
ムが発生、加速される時に生ずる比較的周波数の
高い変動成分が含まれている。ところで、イオン
ビーム電流iは前述の如く i∝Pr2F2/T3/2 によつて決定されるが、本実施例において温度T
は、冷媒7の液体窒素温度で動作させているため
一定温度に保持され、又エミツタチツプ先端部は
エツチングにより1000Å程度に形成されている。
そのためイオンビーム電流iを一定とするために
はガス圧力P及び電界Fを一定となるよう制御す
れば安定したイオンビームを得ることができる。
そこで本発明に基づく一実施例においては、検出
されたイオンビーム電流iを制御回路内の電流−
電圧変換回路19aにより電圧変換した後、ガス
圧力Pによる低周波の変動成分とエミツシヨンノ
イズによる高周波の変動成分とを分離して、それ
ぞれの変動成分に対して補正手段を講じたもので
ある。具体的には、ガス圧力Pによる変動成分に
対しては低周波応答アンプ19cにより流量制御
装置20を介してガス圧力Pを一定となる用ガス
流量調整弁11を制御し、エミツシヨンノイズに
よる高周波変動成分に対しては、高周波応答アン
プ19bにより電源16内の引き出し電圧を負帰
還制御することによつて該先端部に形成される電
界Fを一定に制御するものである。そのため常に
安定したイオンビームを得ることができ、斯種装
置の精度を飛躍的に向上することができる。
以上本発明を詳述したが、本発明による電界電
離型イオン源は、イオンビーム電流を安定化する
ために変動する周波数成分を高周波変動成分と低
周波変動成分に分け、高周波変動成分は引き出し
電圧に負帰還をかけて制御し、低周波変動成分に
対してはガス圧力Pを制御することにより安定し
たイオンビームを得ることができる。
離型イオン源は、イオンビーム電流を安定化する
ために変動する周波数成分を高周波変動成分と低
周波変動成分に分け、高周波変動成分は引き出し
電圧に負帰還をかけて制御し、低周波変動成分に
対してはガス圧力Pを制御することにより安定し
たイオンビームを得ることができる。
尚高周波変動成分について無視できる範囲につ
しては、低周波変動成分であるガス圧力Pのみを
制御することにより安定したイオンビームを得る
ことができる。
しては、低周波変動成分であるガス圧力Pのみを
制御することにより安定したイオンビームを得る
ことができる。
図面は本発明の一実施例を示す構成略図であ
る。 1:インオ化室、2,3:支柱、4:エミツタ
チツプ、5:引き出し電極、6:絶縁碍子、7:
冷媒、8:冷却槽、9:ガスボンベ、10:制圧
弁、11:ガス流量調整弁、12:ガス導入管、
13:接続弁、14:ガス放出管、15:高圧ケ
ーブル、16:電源、17:コンデンサレンズ、
18:ビーム電流検出電極、19:制御回路、2
0:流量制御装置、25:試料、26:真空ポン
プ、27:真空容器。
る。 1:インオ化室、2,3:支柱、4:エミツタ
チツプ、5:引き出し電極、6:絶縁碍子、7:
冷媒、8:冷却槽、9:ガスボンベ、10:制圧
弁、11:ガス流量調整弁、12:ガス導入管、
13:接続弁、14:ガス放出管、15:高圧ケ
ーブル、16:電源、17:コンデンサレンズ、
18:ビーム電流検出電極、19:制御回路、2
0:流量制御装置、25:試料、26:真空ポン
プ、27:真空容器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 イオン化を行う真空室内に配置した針状部材
の先端部に強電界を形成する手段と、該室内に流
量調整手段を通してイオン化ガスを供給する手段
を備えたイオン源において、該針状部材の先端部
から発生したイオンビーム量を実質的に検出する
手段を設け、該検出手段からの信号の低周波変動
成分に基づいて該イオン化ガス流量調整手段を制
御するための負帰還回路を設けたことを特徴とす
る電界電離型イオン源。 2 イオン化を行う真空室内に配置した針状部材
の先端部に強電界を形成する手段と、該室内に流
量調整手段を通してイオン化ガスを供給する手段
を備えたイオン源において、該針状部材の先端部
から発生したイオンビーム量を実質的に検出する
手段を設け、該検出手段からの信号の低周波変動
成分に基づいて該イオン化ガス流量調整手段を制
御するための負帰還回路と、該検出手段からの信
号の高周波変動成分に基づいて電界強度を制御す
るための負帰還回路を設けたことを特徴とする電
界電離型イオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14362982A JPS5932941A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 電界電離型イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14362982A JPS5932941A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 電界電離型イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5932941A JPS5932941A (ja) | 1984-02-22 |
JPH0116531B2 true JPH0116531B2 (ja) | 1989-03-24 |
Family
ID=15343195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14362982A Granted JPS5932941A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 電界電離型イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5932941A (ja) |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP14362982A patent/JPS5932941A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5932941A (ja) | 1984-02-22 |
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