JPH06291035A - ビームアニール装置 - Google Patents
ビームアニール装置Info
- Publication number
- JPH06291035A JPH06291035A JP9697193A JP9697193A JPH06291035A JP H06291035 A JPH06291035 A JP H06291035A JP 9697193 A JP9697193 A JP 9697193A JP 9697193 A JP9697193 A JP 9697193A JP H06291035 A JPH06291035 A JP H06291035A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- annealing
- scattered light
- irradiated
- annealed state
- intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ビームアニール時のリアルタイム制御を行う。
【構成】被照射体３に行うビームアニールの状態を逐
次、観察機構６で検出し、その状態に応じてコントロー
ル機構７がビーム光源１のパワー制御や、ステージ４の
ステージ駆動制御機構５を統合して調節することで、安
定したビームアニール加工を行う。 【効果】実稼働時間を向上できる。
次、観察機構６で検出し、その状態に応じてコントロー
ル機構７がビーム光源１のパワー制御や、ステージ４の
ステージ駆動制御機構５を統合して調節することで、安
定したビームアニール加工を行う。 【効果】実稼働時間を向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビームアニール装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】ビームのエネルギーで被照射体をアニー
ルするビームアニール方法は、特定の部分に短時間にエ
ネルギーを集中できる点で従来の技術に比較して画期的
な方法である。特に、レーザビームを用いたビームアニ
ール装置は、ガラス基板上のアモルファスシリコンの結
晶化などの用途に広く用いられている。
ルするビームアニール方法は、特定の部分に短時間にエ
ネルギーを集中できる点で従来の技術に比較して画期的
な方法である。特に、レーザビームを用いたビームアニ
ール装置は、ガラス基板上のアモルファスシリコンの結
晶化などの用途に広く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ビームアニー
ル方法においては、ビームアニールされた部分の形状を
アニール後に評価するということが大きな問題となる。
このビームアニール処理後、アニールの結果を評価する
までに時間がかかりビームアニール装置の調節が遅れる
ため、アニール不良が発生した場合にはアニール不良の
発生時間が長くなること、またアニール不良となった被
照射体をビームアニール工程の途中で流動中止にできな
いことなどの問題がある。
ル方法においては、ビームアニールされた部分の形状を
アニール後に評価するということが大きな問題となる。
このビームアニール処理後、アニールの結果を評価する
までに時間がかかりビームアニール装置の調節が遅れる
ため、アニール不良が発生した場合にはアニール不良の
発生時間が長くなること、またアニール不良となった被
照射体をビームアニール工程の途中で流動中止にできな
いことなどの問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題を解
決すべくなされたものであり、ビームを被照射体に照射
し、ビームのエネルギーで被照射体をアニールするビー
ムアニール装置であって、ビーム照射時におけるビーム
散乱光を検出するセンサ機構、またはアニール部の形状
をリアルタイムに計測する検知機構を少なくとも備え、
さらに、ビームアニール条件をリアルタイムにフィード
バックする制御手段を備えたことを特徴とするビームア
ニール装置を提供する。
決すべくなされたものであり、ビームを被照射体に照射
し、ビームのエネルギーで被照射体をアニールするビー
ムアニール装置であって、ビーム照射時におけるビーム
散乱光を検出するセンサ機構、またはアニール部の形状
をリアルタイムに計測する検知機構を少なくとも備え、
さらに、ビームアニール条件をリアルタイムにフィード
バックする制御手段を備えたことを特徴とするビームア
ニール装置を提供する。
【０００５】図１は本発明によるビームアニール装置を
模式的に表わした斜視図である。
模式的に表わした斜視図である。
【０００６】図１において、１はビーム光源、２はビー
ム調節機構、３は被照射体、４はステージ、５はステー
ジ駆動制御機構である。６は観察機構であり、アニール
状態の検知機構および／またはセンサ機構である。７は
アニール状態を総合的に判断し、ビーム調節機構２とス
テージ駆動制御機構５にフィードバックを行なうコント
ロール機構である。
ム調節機構、３は被照射体、４はステージ、５はステー
ジ駆動制御機構である。６は観察機構であり、アニール
状態の検知機構および／またはセンサ機構である。７は
アニール状態を総合的に判断し、ビーム調節機構２とス
テージ駆動制御機構５にフィードバックを行なうコント
ロール機構である。
【０００７】アニール状態を逐次観察する観察機構６と
しては、ビームアニール時の散乱光強度の光センサー
や、アニール直後の表面の凹凸を検知する非接触の表面
粗さ計、光学顕微鏡と画像処理装置によって光学像をデ
ータ処理する機構、高精度のビデオカメラなど色々な手
段が用いられる。
しては、ビームアニール時の散乱光強度の光センサー
や、アニール直後の表面の凹凸を検知する非接触の表面
粗さ計、光学顕微鏡と画像処理装置によって光学像をデ
ータ処理する機構、高精度のビデオカメラなど色々な手
段が用いられる。
【０００８】アニール状態を検知した後、本発明が提供
するビームアニール装置においては、その稼働状況を総
合判断し、照射するビームの位置や、強度や、ビームス
ポット形状や走査速度の調節や、被照射体の流動の速度
変更や停止などを行なうことが可能である。アニール状
態から判断できる事項であれば、このほかにもあらゆる
機構にフィードバックを行なうことが可能である。
するビームアニール装置においては、その稼働状況を総
合判断し、照射するビームの位置や、強度や、ビームス
ポット形状や走査速度の調節や、被照射体の流動の速度
変更や停止などを行なうことが可能である。アニール状
態から判断できる事項であれば、このほかにもあらゆる
機構にフィードバックを行なうことが可能である。
【０００９】アニールに用いるビームの種類としては、
電子線や種々のレーザビーム（連続発振アルゴニオンレ
ーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザなど）をはじめと
する様々なビームがそれぞれの用途に応じて用いられ
る。
電子線や種々のレーザビーム（連続発振アルゴニオンレ
ーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザなど）をはじめと
する様々なビームがそれぞれの用途に応じて用いられ
る。
【００１０】
【実施例】無アルカリガラスの基板上に下地の酸化シリ
コンとアモルファスシリコン、さらにキャップの窒化シ
リコンをプラズマＣＶＤで積層した。この基板をアルゴ
ンイオンレーザをガルバノミラーで線状に走査するレー
ザ光のビームアニール装置を用いてビームアニールして
結晶化シリコンを得た。
コンとアモルファスシリコン、さらにキャップの窒化シ
リコンをプラズマＣＶＤで積層した。この基板をアルゴ
ンイオンレーザをガルバノミラーで線状に走査するレー
ザ光のビームアニール装置を用いてビームアニールして
結晶化シリコンを得た。
【００１１】この際、レーザビームの強度過剰や走査速
度の遅延などが原因で積層膜が破損する場合があった
が、この場合にはレーザビームの散乱光を検知すること
でアニールを行ないながら確認することができる。その
ため、ビームアニール装置に即時にフィードバックをか
けてレーザビームをリアルタイムに最適の状態に調節す
ることができる。また必要に応じてアニール途中の基板
を中止し、次の基板を搬送しアニールを始めることも可
能である。
度の遅延などが原因で積層膜が破損する場合があった
が、この場合にはレーザビームの散乱光を検知すること
でアニールを行ないながら確認することができる。その
ため、ビームアニール装置に即時にフィードバックをか
けてレーザビームをリアルタイムに最適の状態に調節す
ることができる。また必要に応じてアニール途中の基板
を中止し、次の基板を搬送しアニールを始めることも可
能である。
【００１２】
【発明の効果】従来のビームアニール装置では、アニー
ルしてから評価するまでに時間がかかり装置の調節が遅
れるため、アニール不良が発生した場合にはアニール不
良の発生時間が長くなり、また不良の被照射体をアニー
ル途中で流動中止にできないなどの問題があったが、本
発明によればこの評価までの遅延がなく、ほぼリアルタ
イムに調節が可能となり、ビームアニール装置の実稼働
時間を著しく向上させることができる。また、ビームア
ニール工程における不良率が大きく低減され歩留りが改
善される。
ルしてから評価するまでに時間がかかり装置の調節が遅
れるため、アニール不良が発生した場合にはアニール不
良の発生時間が長くなり、また不良の被照射体をアニー
ル途中で流動中止にできないなどの問題があったが、本
発明によればこの評価までの遅延がなく、ほぼリアルタ
イムに調節が可能となり、ビームアニール装置の実稼働
時間を著しく向上させることができる。また、ビームア
ニール工程における不良率が大きく低減され歩留りが改
善される。
【００１３】本発明は、このほか本発明の効果を損わな
い範囲内で、ビームアニール装置で使用されている種々
の技術に適用できる。
い範囲内で、ビームアニール装置で使用されている種々
の技術に適用できる。
【図１】本発明のビームアニール装置を模式的に表わし
た斜視図。
た斜視図。
１：ビーム光源 ２：ビーム調節機構 ３：被照射体 ４：ステージ ５：ステージ駆動制御機構 ６：観察機構 ７：コントロール機構
Claims (1)
- 【請求項１】ビームを被照射体に照射し、ビームのエネ
ルギーで被照射体をアニールするビームアニール装置で
あって、 ビーム照射時におけるビーム散乱光を検出するセンサ機
構、または、アニール部の形状をリアルタイムに計測す
る検知機構を少なくとも備え、 さらに、ビームアニール条件をリアルタイムにフィード
バックする制御手段を備えたことを特徴とするビームア
ニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9697193A JPH06291035A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ビームアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9697193A JPH06291035A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ビームアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291035A true JPH06291035A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14179116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9697193A Withdrawn JPH06291035A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ビームアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291035A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196430A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Sony Corp | ポリシリコン評価方法、ポリシリコン検査装置及び薄膜トランジスタ製造方法 |
| JP2002214159A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Sony Corp | 基板検査装置と基板検査方法、及び液晶表示装置の製造方法 |
| JP2005277062A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Hitachi Ltd | 半導体薄膜の製造方法 |
| WO2006075525A1 (en) * | 2004-12-24 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure apparatus and manufacturing method of semiconductor device using the same |
| JP2006203189A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 露光装置、およびこれを用いた半導体装置の作製方法 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP9697193A patent/JPH06291035A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196430A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Sony Corp | ポリシリコン評価方法、ポリシリコン検査装置及び薄膜トランジスタ製造方法 |
| JP2002214159A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Sony Corp | 基板検査装置と基板検査方法、及び液晶表示装置の製造方法 |
| JP4586272B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-11-24 | ソニー株式会社 | 基板検査装置と基板検査方法、及び液晶表示装置の製造方法 |
| JP2005277062A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Hitachi Ltd | 半導体薄膜の製造方法 |
| JP4568000B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2010-10-27 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 半導体薄膜の製造方法 |
| WO2006075525A1 (en) * | 2004-12-24 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure apparatus and manufacturing method of semiconductor device using the same |
| JP2006203189A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 露光装置、およびこれを用いた半導体装置の作製方法 |
| US7695985B2 (en) | 2004-12-24 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light exposure apparatus and manufacturing method of semiconductor device using the same |
| US8398725B2 (en) | 2004-12-24 | 2013-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure apparatus and manufacturing method of semiconductor device using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |