JPH05144550A - ヒータの製造方法 - Google Patents
ヒータの製造方法Info
- Publication number
- JPH05144550A JPH05144550A JP32958891A JP32958891A JPH05144550A JP H05144550 A JPH05144550 A JP H05144550A JP 32958891 A JP32958891 A JP 32958891A JP 32958891 A JP32958891 A JP 32958891A JP H05144550 A JPH05144550 A JP H05144550A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- groove
- conductor
- insulating layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に形成された導体の剥離を防止すると
共に、発熱分布を変えることができるヒータの製造方法
を提供すること。 【構成】 基板1上に形成される導体パターンに沿い溝
2を形成すると共に、基板1の全面に絶縁層3を溶射
し、該絶縁層3の上から全面に導体層4を溶射し、次い
で基板1の表面を平坦に研磨することにより、前記溝2
の部分以外の導体層4を除去する。
共に、発熱分布を変えることができるヒータの製造方法
を提供すること。 【構成】 基板1上に形成される導体パターンに沿い溝
2を形成すると共に、基板1の全面に絶縁層3を溶射
し、該絶縁層3の上から全面に導体層4を溶射し、次い
で基板1の表面を平坦に研磨することにより、前記溝2
の部分以外の導体層4を除去する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主として暖房用、ヘア
ドライヤ、ヘアカーラなどに用いられるヒータの製造方
法に関する。
ドライヤ、ヘアカーラなどに用いられるヒータの製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】この種ヒータの製造方法として、例えば
特開平1−117287号公報に記載の技術が知られて
おり、この従来技術によれば、図5に示されるように、
金属体21の表面にセラミックスの絶縁膜22を形成
し、この絶縁膜22の上に、前面をマスク24で覆って
溶射ガン25により導電性の抵抗発熱体23を形成し、
更にその上面に酸化防止用等の薄膜のセラミックス溶射
層(図示せず)を形成していた。
特開平1−117287号公報に記載の技術が知られて
おり、この従来技術によれば、図5に示されるように、
金属体21の表面にセラミックスの絶縁膜22を形成
し、この絶縁膜22の上に、前面をマスク24で覆って
溶射ガン25により導電性の抵抗発熱体23を形成し、
更にその上面に酸化防止用等の薄膜のセラミックス溶射
層(図示せず)を形成していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
の技術によると、導電性の抵抗発熱体23(金属部)と
絶縁膜22(セラミックス)との間の熱膨張差により、
抵抗発熱体23が剥離し易く、また、この抵抗発熱体2
3を溶射する際、マスク24を必要とする等、複雑な工
程を要するという課題があった。本発明は斯かる課題を
解決するためになされたもので、その目的とするところ
は、基板上に形成された導体の剥離を防止すると共に、
発熱分布を変えることができるヒータの製造方法を提供
することにある。
の技術によると、導電性の抵抗発熱体23(金属部)と
絶縁膜22(セラミックス)との間の熱膨張差により、
抵抗発熱体23が剥離し易く、また、この抵抗発熱体2
3を溶射する際、マスク24を必要とする等、複雑な工
程を要するという課題があった。本発明は斯かる課題を
解決するためになされたもので、その目的とするところ
は、基板上に形成された導体の剥離を防止すると共に、
発熱分布を変えることができるヒータの製造方法を提供
することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、基板上に形成される導体パターンに沿い
溝を形成すると共に、基板全面に絶縁層を溶射し、該絶
縁層の上から全面に導体層を溶射し、次いで基板表面を
平坦に研磨することにより、前記溝の部分以外の導体層
を除去することを特徴とする。
に、本発明は、基板上に形成される導体パターンに沿い
溝を形成すると共に、基板全面に絶縁層を溶射し、該絶
縁層の上から全面に導体層を溶射し、次いで基板表面を
平坦に研磨することにより、前記溝の部分以外の導体層
を除去することを特徴とする。
【0005】
【作用】前記構成により、本発明によれば、先ず基板に
形成された溝を含む基板全面に絶縁層を溶射するため、
たとえ基板が金属板等であっても導体パターンに対し確
実に絶縁することができ、更に、この絶縁層の上から全
面に導体層を溶射した後、基板表面が平坦になるまで研
磨するようにしているため、前記溝の中の導体だけが残
され、従ってマスクを用いることなく、基板上に容易に
剥離することのない導体パターンを形成することができ
る。
形成された溝を含む基板全面に絶縁層を溶射するため、
たとえ基板が金属板等であっても導体パターンに対し確
実に絶縁することができ、更に、この絶縁層の上から全
面に導体層を溶射した後、基板表面が平坦になるまで研
磨するようにしているため、前記溝の中の導体だけが残
され、従ってマスクを用いることなく、基板上に容易に
剥離することのない導体パターンを形成することができ
る。
【0006】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の好ましい実施例
を説明する。図1(a)は、基板1に導体パターンとな
る溝2を形成する工程を示しており、前記基板1として
は、Al,Fe,Cu等の金属基板や、Al2 O3 ,S
iO2 等のセラミック基板が用いられる。また、前記溝
2は、基板1が金属基板の場合はプレスやNCフライス
盤等で加工され、セラミック基板の場合は専用の焼結金
型を用いて成形される。
を説明する。図1(a)は、基板1に導体パターンとな
る溝2を形成する工程を示しており、前記基板1として
は、Al,Fe,Cu等の金属基板や、Al2 O3 ,S
iO2 等のセラミック基板が用いられる。また、前記溝
2は、基板1が金属基板の場合はプレスやNCフライス
盤等で加工され、セラミック基板の場合は専用の焼結金
型を用いて成形される。
【0007】図1(b)は、前記溝2を含む基板1の全
面に絶縁層3を溶射する工程を示している。すなわち、
ここでは溶射ガンを用いて絶縁材を吹き付けることによ
り、基板1の上に絶縁層3が一様に形成され、絶縁基板
10が得られる。このときの絶縁層3としては、Al2
O3 やSiO2等のセラミックが用いられる。なお、基
板1がセラミック基板の場合は、基板自体が絶縁性を有
しているため、絶縁層3の溶射は必ずしも必要ではな
い。
面に絶縁層3を溶射する工程を示している。すなわち、
ここでは溶射ガンを用いて絶縁材を吹き付けることによ
り、基板1の上に絶縁層3が一様に形成され、絶縁基板
10が得られる。このときの絶縁層3としては、Al2
O3 やSiO2等のセラミックが用いられる。なお、基
板1がセラミック基板の場合は、基板自体が絶縁性を有
しているため、絶縁層3の溶射は必ずしも必要ではな
い。
【0008】図1(c)は、前記絶縁基板10における
絶縁層3の上に、導体層4を全面に溶射する工程を示し
ている。このときの導体としては、Ni−Cr,Fe−
Cr,Ni−Al等が用いられ、その作業は、前記と同
様に、溶射ガンを用いて吹き付けることにより、図2の
ように、絶縁層3の上に導体層4が一様に形成される。
図1(d)は、前記により溶射された導体層4の表面を
研磨する工程を示している。すなわち、この研磨工程に
より、前記溝2の部分を除く絶縁基板10の表面に形成
された導体層4が一様に除去され、溝2の内部にのみ導
体パターンが形成される。これにより、図3のように、
絶縁層3と導体層4とが平坦な面に仕上げられる。
絶縁層3の上に、導体層4を全面に溶射する工程を示し
ている。このときの導体としては、Ni−Cr,Fe−
Cr,Ni−Al等が用いられ、その作業は、前記と同
様に、溶射ガンを用いて吹き付けることにより、図2の
ように、絶縁層3の上に導体層4が一様に形成される。
図1(d)は、前記により溶射された導体層4の表面を
研磨する工程を示している。すなわち、この研磨工程に
より、前記溝2の部分を除く絶縁基板10の表面に形成
された導体層4が一様に除去され、溝2の内部にのみ導
体パターンが形成される。これにより、図3のように、
絶縁層3と導体層4とが平坦な面に仕上げられる。
【0009】本実施例によれば、マスクを用いることな
く溝2内に導体層4が安定して形成され、このため導体
層4は容易に剥離することはない。なお、前述した図1
(d)の工程の終了後、すなわち、導体層4の上にアル
ミナ等の絶縁セラミックを溶射することにより、導体層
4を封止し、これにより導体パターンの剥離を防止した
り、更に、遠赤外線放射機能を付加することもできる。
く溝2内に導体層4が安定して形成され、このため導体
層4は容易に剥離することはない。なお、前述した図1
(d)の工程の終了後、すなわち、導体層4の上にアル
ミナ等の絶縁セラミックを溶射することにより、導体層
4を封止し、これにより導体パターンの剥離を防止した
り、更に、遠赤外線放射機能を付加することもできる。
【0010】図4は、前記導体層4のパターン幅を変化
させた実施例を示している。すなわち、この実施例によ
れば、基板1への導体パターン用の溝2を形成する際、
その溝幅や深さを局部的に変化させることで、発熱量が
大の部分(溝幅小)と発熱量が小の部分(溝幅大)とを
形成することができ、これによって発熱分布を任意に変
えることができる。
させた実施例を示している。すなわち、この実施例によ
れば、基板1への導体パターン用の溝2を形成する際、
その溝幅や深さを局部的に変化させることで、発熱量が
大の部分(溝幅小)と発熱量が小の部分(溝幅大)とを
形成することができ、これによって発熱分布を任意に変
えることができる。
【0011】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、基板上に
形成される導体パターンに沿い溝を形成すると共に、基
板全面に絶縁層を溶射し、該絶縁層の上から全面に導体
層を溶射し、次いで基板表面を平坦に研磨することによ
り、前記溝の部分以外の導体層を除去することで、マス
クを用いることなく溝内に導体が安定して形成され、従
って熱膨張差等による導体の剥離を防止することができ
る。また、前記溝幅や溝深さを変化させることにより、
発熱分布を任意に変えることもできる。
形成される導体パターンに沿い溝を形成すると共に、基
板全面に絶縁層を溶射し、該絶縁層の上から全面に導体
層を溶射し、次いで基板表面を平坦に研磨することによ
り、前記溝の部分以外の導体層を除去することで、マス
クを用いることなく溝内に導体が安定して形成され、従
って熱膨張差等による導体の剥離を防止することができ
る。また、前記溝幅や溝深さを変化させることにより、
発熱分布を任意に変えることもできる。
【図1】(a)〜(d)は、本発明に係るヒータの製造
方法の工程を示す図である。
方法の工程を示す図である。
【図2】図1(c)のII−II線に沿う断面を示す図
である。
である。
【図3】図1(d)のIII−III線に沿う断面を示
す図である。
す図である。
【図4】導体パターン幅を変化させた実施例を示す図で
ある。
ある。
【図5】従来におけるヒータの製造工程を示す図であ
る。
る。
1・・・基板 2・・・溝 3・・・絶縁層 4・・・導体層 10・・・絶縁基板
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に形成される導体パターンに沿い
溝を形成すると共に、基板全面に絶縁層を溶射し、該絶
縁層の上から全面に導体層を溶射し、次いで基板表面を
平坦に研磨することにより、前記溝の部分以外の導体層
を除去することを特徴とするヒータの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32958891A JPH05144550A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | ヒータの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32958891A JPH05144550A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | ヒータの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05144550A true JPH05144550A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18223031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32958891A Pending JPH05144550A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | ヒータの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05144550A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7332694B2 (en) * | 2004-01-07 | 2008-02-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating resistances and heaters |
JP2008041627A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックスヒーターおよびその製造方法 |
JP2010062080A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Jss Co Ltd | 面状発熱体 |
GB2627234A (en) * | 2023-02-16 | 2024-08-21 | Dyson Technology Ltd | Heater plate |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP32958891A patent/JPH05144550A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7332694B2 (en) * | 2004-01-07 | 2008-02-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating resistances and heaters |
JP2008041627A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックスヒーターおよびその製造方法 |
JP2010062080A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Jss Co Ltd | 面状発熱体 |
GB2627234A (en) * | 2023-02-16 | 2024-08-21 | Dyson Technology Ltd | Heater plate |
WO2024170980A1 (en) * | 2023-02-16 | 2024-08-22 | Dyson Technology Limited | Heater plate |
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