JPS62230989A - ほうろう基板の製造方法 - Google Patents
ほうろう基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS62230989A JPS62230989A JP7317886A JP7317886A JPS62230989A JP S62230989 A JPS62230989 A JP S62230989A JP 7317886 A JP7317886 A JP 7317886A JP 7317886 A JP7317886 A JP 7317886A JP S62230989 A JPS62230989 A JP S62230989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- enamel
- glass frit
- pressing plate
- layer
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 title claims abstract description 140
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVYYDFCVPLFOKV-UHFFFAOYSA-M barium monohydroxide Chemical compound [Ba]O MVYYDFCVPLFOKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−「産業上の利用分野」
本発明はほうろう基板の製造方法に係り、好ましくは、
結晶化ほうろうガラスフリットを使用したほうろうエナ
メル層の表面を所望の状態に形成 ゝすることがで
きる製造方法に関する。
結晶化ほうろうガラスフリットを使用したほうろうエナ
メル層の表面を所望の状態に形成 ゝすることがで
きる製造方法に関する。
「従来の技術」
ほうろう基板は、金属コアの表面にほうろうガラスフリ
ットをコーティングして焼成することにより、ほうろう
エナメル層を形成してなるもので、このほうろうエナメ
ル層の上に印刷回路を形成して印刷回路板として使用さ
れる。
ットをコーティングして焼成することにより、ほうろう
エナメル層を形成してなるもので、このほうろうエナメ
ル層の上に印刷回路を形成して印刷回路板として使用さ
れる。
従来、ほうろう基板を製造する場合、例えば、軟化点が
650℃程度のほうろうガラスフリットを使用して、こ
れを金属コア表面にコーティングし、850℃近辺の温
度で溶融させて焼成するようにしていた。さらに、ほう
ろうガラスフリットとして結晶化ほうろうガラスフリッ
トを用いた最新のほうろう基板では、700℃近辺の温
度でほうろうガラスフリットを溶融させ、80(1℃近
辺の温度で結晶化させて焼成するので、非晶質ガラスフ
リットを用いた基板よりも平滑度の高いほうろうエナメ
ル層を形成することができるようになった。
650℃程度のほうろうガラスフリットを使用して、こ
れを金属コア表面にコーティングし、850℃近辺の温
度で溶融させて焼成するようにしていた。さらに、ほう
ろうガラスフリットとして結晶化ほうろうガラスフリッ
トを用いた最新のほうろう基板では、700℃近辺の温
度でほうろうガラスフリットを溶融させ、80(1℃近
辺の温度で結晶化させて焼成するので、非晶質ガラスフ
リットを用いた基板よりも平滑度の高いほうろうエナメ
ル層を形成することができるようになった。
「発明が解決しようとする問題点」
しかしながら、このような製造方法であると、焼成中に
ほうろうガラスフリットが溶融により流動状態となり、
このときの表面状態が焼成後のほうろうエナメル層の表
面状態を決定することになるため、形状安定性が悪く、
微細な凹凸あるいはうねり等を有する表面状態となって
しまう。したがって、鏡面等の所望の表面状態を得るこ
とは困難であり、近年の電子技術の発達により要求され
ている精密な印刷回路パターンを形成する場合に特に大
きな障害となっていた。この場合、焼成後のほうろうエ
ナメル層を研磨するなどが考えられるが、ほうろうエナ
メル層内に残留している微細な気泡が露出してしまう場
合があるとともに、工数が増加するという問題が生じる
。
ほうろうガラスフリットが溶融により流動状態となり、
このときの表面状態が焼成後のほうろうエナメル層の表
面状態を決定することになるため、形状安定性が悪く、
微細な凹凸あるいはうねり等を有する表面状態となって
しまう。したがって、鏡面等の所望の表面状態を得るこ
とは困難であり、近年の電子技術の発達により要求され
ている精密な印刷回路パターンを形成する場合に特に大
きな障害となっていた。この場合、焼成後のほうろうエ
ナメル層を研磨するなどが考えられるが、ほうろうエナ
メル層内に残留している微細な気泡が露出してしまう場
合があるとともに、工数が増加するという問題が生じる
。
本発明は前記問題点を有効に解決する乙ので、工数を増
加させることなく簡単かつ確実にほうろうエナメル層を
所望の表面状態に形成することができる製造方法の提供
を目的とする。
加させることなく簡単かつ確実にほうろうエナメル層を
所望の表面状態に形成することができる製造方法の提供
を目的とする。
「問題点を解決するための手段」
このような目的を達成するため、本発明は、ほうろうガ
ラスフリットを焼成する際に、ほうろうガラスフリット
表面に所望の表面状態を存する押圧版を押し付けて、加
熱により溶融状態としたほうろうガラスフリットを押圧
版と緊密接触させ、該緊密接触状態でほうろうガラスフ
リットを固化させることにより、焼成後に形成されるほ
うろうエナメル層の表面を押圧版の表面状態に合わせた
状態に形成することを特徴とする。
ラスフリットを焼成する際に、ほうろうガラスフリット
表面に所望の表面状態を存する押圧版を押し付けて、加
熱により溶融状態としたほうろうガラスフリットを押圧
版と緊密接触させ、該緊密接触状態でほうろうガラスフ
リットを固化させることにより、焼成後に形成されるほ
うろうエナメル層の表面を押圧版の表面状態に合わせた
状態に形成することを特徴とする。
「作用」
本発明の方法によれば、ほうろうガラスフリットが溶融
状態となったときに、押圧板の押し付は力によって流動
させられることにより該押圧版と緊密接触させられ、非
晶質ほうろうガラスフリットの場合はそのまま冷却され
ることにより、また結晶化ほうろうガラスフリットの場
合は結晶化温度まで加熱されることにより、該ほうろう
ガラスフリットが押圧版と緊密接触状態のまま固化され
、該押圧版の表面状態が転写される如くその表面状態に
合わせた表面状態を有するほうろうエナメル層が形成さ
れろ。したがって、押圧版の表面状態を所望の状態に形
成しておくことにより、鏡面あるいはレリーフ模様の面
等任意の表面状態にほうろうエナメル層をJtS成する
ことができるとともに、押圧版で押し付けた状態で焼成
するという単純な処理であるから、工数を増加さけるこ
ともないものである。
状態となったときに、押圧板の押し付は力によって流動
させられることにより該押圧版と緊密接触させられ、非
晶質ほうろうガラスフリットの場合はそのまま冷却され
ることにより、また結晶化ほうろうガラスフリットの場
合は結晶化温度まで加熱されることにより、該ほうろう
ガラスフリットが押圧版と緊密接触状態のまま固化され
、該押圧版の表面状態が転写される如くその表面状態に
合わせた表面状態を有するほうろうエナメル層が形成さ
れろ。したがって、押圧版の表面状態を所望の状態に形
成しておくことにより、鏡面あるいはレリーフ模様の面
等任意の表面状態にほうろうエナメル層をJtS成する
ことができるとともに、押圧版で押し付けた状態で焼成
するという単純な処理であるから、工数を増加さけるこ
ともないものである。
「実施例」
以下、本発明のほうろう基板の製造方法の実施例を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
まず、本発明の方法が適用される芯部材として鋼板等の
金属コア1を使用した本発明の第1実施例を第1図ない
し第3図を参照しながら工程順に説明する。
金属コア1を使用した本発明の第1実施例を第1図ない
し第3図を参照しながら工程順に説明する。
■前処理工程
ほうろうエナメル層を付着させ易くするために、金属コ
ア(芯部材)lに脱脂、洗浄等の萌処理を施す。
ア(芯部材)lに脱脂、洗浄等の萌処理を施す。
■ほうろうガラスフリットのコーティング工程第1図に
示すように前記金属コアlの表面にほうろうガラスフリ
ット2を電気泳動法等によりコーティングする。このほ
うろうガラスフリット2としては結晶化ガラスフリット
か好適である。つまり、非晶質ガラスフリットは、軟化
点以上の温度領域では高温になる程流動性が高くなると
とらに、軟化点以下に冷却することにより徐々に固化す
るという性質を有しており、これに対して、結晶化ガラ
スフリットは、軟化点以上の温度で一旦流動性が高くな
った後、結晶化温度に達すると急速に結晶化して流動性
を失い固化するという性質を有している。したがって、
高温状態で形成した表面状態を冷却後にも維持させると
いう点で結晶化ガラスフリットの方が有利となる。この
場合、結晶化ガラスフリットとしては、例えば特公昭6
1−297号に記載された酸化バリウム(I3 ao
)、酸化マグネノウム(MgO)、三酸化ボロン(B
、o s)、二酸化シリコン(SiO2)の混合物があ
る。
示すように前記金属コアlの表面にほうろうガラスフリ
ット2を電気泳動法等によりコーティングする。このほ
うろうガラスフリット2としては結晶化ガラスフリット
か好適である。つまり、非晶質ガラスフリットは、軟化
点以上の温度領域では高温になる程流動性が高くなると
とらに、軟化点以下に冷却することにより徐々に固化す
るという性質を有しており、これに対して、結晶化ガラ
スフリットは、軟化点以上の温度で一旦流動性が高くな
った後、結晶化温度に達すると急速に結晶化して流動性
を失い固化するという性質を有している。したがって、
高温状態で形成した表面状態を冷却後にも維持させると
いう点で結晶化ガラスフリットの方が有利となる。この
場合、結晶化ガラスフリットとしては、例えば特公昭6
1−297号に記載された酸化バリウム(I3 ao
)、酸化マグネノウム(MgO)、三酸化ボロン(B
、o s)、二酸化シリコン(SiO2)の混合物があ
る。
■焼成工程
第2図に示すようにほうろうガラスフリット2の表面を
所望の表面状態を有する押圧版3で押し付けた状態に固
定しておき、この状態でほうろうガラスフリット2の結
晶化温度以上に加熱して焼成さU・る。この押圧板3は
、ほうろうガラスフリッ1−2の焼成温度において形状
変化や酸化を生じない高い耐熱性を有するとと6に、ほ
うろうガラスフリット2と融着し難い材料からなるもの
で、例えば、窒化アルミニウム(A 12N )、窒化
ボロン(BN)、凹室化シリコン(SisN−)、白金
(r’t)、金(Au)が用いられ、必要に応じて、そ
の表面に離型剤としてボロンナイトライドの粉末、アル
コキシド[A Q−0(Cto 5)nl等が塗布され
る。そして、第2図例ではほうろうガラスフリット2と
接触させられる側の表面Aが鏡面状態に仕上げられてい
る。この焼成工程において、ほうろうガラスフリット2
は、前記したように溶融して金属コアlと反応ずろとと
もに溶融後急速に結晶化して固化するのであるが、溶融
時に押圧版3の押し付は力によって流動することにより
該押圧板3の表面Aに緊密接触させられ、該緊密接触状
態で固化する。
所望の表面状態を有する押圧版3で押し付けた状態に固
定しておき、この状態でほうろうガラスフリット2の結
晶化温度以上に加熱して焼成さU・る。この押圧板3は
、ほうろうガラスフリッ1−2の焼成温度において形状
変化や酸化を生じない高い耐熱性を有するとと6に、ほ
うろうガラスフリット2と融着し難い材料からなるもの
で、例えば、窒化アルミニウム(A 12N )、窒化
ボロン(BN)、凹室化シリコン(SisN−)、白金
(r’t)、金(Au)が用いられ、必要に応じて、そ
の表面に離型剤としてボロンナイトライドの粉末、アル
コキシド[A Q−0(Cto 5)nl等が塗布され
る。そして、第2図例ではほうろうガラスフリット2と
接触させられる側の表面Aが鏡面状態に仕上げられてい
る。この焼成工程において、ほうろうガラスフリット2
は、前記したように溶融して金属コアlと反応ずろとと
もに溶融後急速に結晶化して固化するのであるが、溶融
時に押圧版3の押し付は力によって流動することにより
該押圧板3の表面Aに緊密接触させられ、該緊密接触状
態で固化する。
そして、冷却後、押圧版3を取り外すと、第3図に示す
ようにほうろうエナメル層4により被覆されたほうろう
基板5が形成されるのであるが、該ほうろうエナメル層
4において、押圧版3により押し付けられていた表面A
°が、押圧版3の表面Aを転写した如く、該押圧版3の
表面へと同様の鏡面状態に形成されるものである。
ようにほうろうエナメル層4により被覆されたほうろう
基板5が形成されるのであるが、該ほうろうエナメル層
4において、押圧版3により押し付けられていた表面A
°が、押圧版3の表面Aを転写した如く、該押圧版3の
表面へと同様の鏡面状態に形成されるものである。
このようにして形成したほうろう・基板5には、ほうろ
うエナメル層4の表面A°に導体インク等を付着させて
印刷回路を形成することが行なわれるが、その印刷回路
のパターンに精密さが要求される場合等に、鏡面状態の
表面A°によりその作業を容易にすることができる。こ
の場合、ほうろうエナメル層4を前記したように結晶化
ガラスフリットによって形成することにより、印刷回路
を形成する際の高温に対しても優れた耐熱性を有するこ
とができる。
うエナメル層4の表面A°に導体インク等を付着させて
印刷回路を形成することが行なわれるが、その印刷回路
のパターンに精密さが要求される場合等に、鏡面状態の
表面A°によりその作業を容易にすることができる。こ
の場合、ほうろうエナメル層4を前記したように結晶化
ガラスフリットによって形成することにより、印刷回路
を形成する際の高温に対しても優れた耐熱性を有するこ
とができる。
また、このようにして押圧版の表面状態を転写させる如
くするものであるから、例えば第4図に示すようにレリ
ーフ模様を施した押圧版6を使用することにより、該押
圧板6の表面Bとは逆のレリーフ模様の表面B°を有す
るほうろうエナメル層7を得ることら可能である。この
場合、レリーフ模様の凹凸の深さよりもほうろうエナメ
ル層7の厚さの方が大きくなるようにほうろうガラスフ
リット2をコーティングしておくことが行なわれス − したがって、このような方法によれば、所望される表面
状態に応じて押圧版3・6の表面状態を鏡面あるいはレ
リーフ模様の面等としておくことにより、任意の表面状
態のほうろうエナメル層4・7を形成することができる
ものである。
くするものであるから、例えば第4図に示すようにレリ
ーフ模様を施した押圧版6を使用することにより、該押
圧板6の表面Bとは逆のレリーフ模様の表面B°を有す
るほうろうエナメル層7を得ることら可能である。この
場合、レリーフ模様の凹凸の深さよりもほうろうエナメ
ル層7の厚さの方が大きくなるようにほうろうガラスフ
リット2をコーティングしておくことが行なわれス − したがって、このような方法によれば、所望される表面
状態に応じて押圧版3・6の表面状態を鏡面あるいはレ
リーフ模様の面等としておくことにより、任意の表面状
態のほうろうエナメル層4・7を形成することができる
ものである。
なお、前記焼成処理を減圧雰囲気中で行なえば、ほうろ
うガラスフリット2が溶融したときの押圧版3・6との
緊密接触状態をさらに確実にするとともに、ほうろうガ
ラスフリット2の層内の空気分を除去し得て、ほうろう
エナメル層4・6の表面状態をより高精度に押圧版3・
6の表面状態に近似させることができる。
うガラスフリット2が溶融したときの押圧版3・6との
緊密接触状態をさらに確実にするとともに、ほうろうガ
ラスフリット2の層内の空気分を除去し得て、ほうろう
エナメル層4・6の表面状態をより高精度に押圧版3・
6の表面状態に近似させることができる。
このような技術を具体的数値に基づいて以下にさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
「具体例1」
この例では、ほうろうガラスフリットとして、MgOが
58.0モル%、Ba0h(7,0モル%、B、03が
21.0モル%、5iOtが14.0モル%の組成を有
する結晶化ガラスフリットを、また金属コアとしてほう
ろう用極低炭素鋼板を使用する。そして、前記ほうろう
ガラスフリットを電気泳動法により金属コアの表面に約
500μmの厚さに電着させ、120’CX1S分間乾
燥させた後、一対の押圧版の間に挾持して、両面から2
0g/am’の圧力を加えた状態で880℃×20分間
焼成する。押圧版としては鏡面仕上げしたPL板とAu
を蒸着させたAl2N板とを使用する。冷却後、押圧版
を取り外すと、ほうろうエナメル層の表面に、祖さRa
が両面と60.2μm以下、反りが0.1mm/ 20
(1mm程度の鏡面が得られる。
58.0モル%、Ba0h(7,0モル%、B、03が
21.0モル%、5iOtが14.0モル%の組成を有
する結晶化ガラスフリットを、また金属コアとしてほう
ろう用極低炭素鋼板を使用する。そして、前記ほうろう
ガラスフリットを電気泳動法により金属コアの表面に約
500μmの厚さに電着させ、120’CX1S分間乾
燥させた後、一対の押圧版の間に挾持して、両面から2
0g/am’の圧力を加えた状態で880℃×20分間
焼成する。押圧版としては鏡面仕上げしたPL板とAu
を蒸着させたAl2N板とを使用する。冷却後、押圧版
を取り外すと、ほうろうエナメル層の表面に、祖さRa
が両面と60.2μm以下、反りが0.1mm/ 20
(1mm程度の鏡面が得られる。
「具体例2」
前記「具体例1」の条件において、押圧版として、表面
に深さ20μm、幅100μmの溝をピッチ200μm
で多数形成したrlN仮を使用する。この場合、焼成工
程中にほうろうガラスフリットが溶融状態となると、押
圧版の押し付は力によって流動させられて該押圧版の溝
内に緊密に充填され、冷却後のほうろうエナメル層の表
面に押圧版の溝が凸部となって転写される。
に深さ20μm、幅100μmの溝をピッチ200μm
で多数形成したrlN仮を使用する。この場合、焼成工
程中にほうろうガラスフリットが溶融状態となると、押
圧版の押し付は力によって流動させられて該押圧版の溝
内に緊密に充填され、冷却後のほうろうエナメル層の表
面に押圧版の溝が凸部となって転写される。
「具体例3」
前記「具体例I」および「具体例2」の各条件において
、焼成処理をLQ”−”Lorrの減圧雰囲気中で行な
う。減圧雰囲気中とすることにより、押圧版とほうろう
ガラスフリットとの間等の空気の残留がなくなり、各押
圧版の表面状態がより高精度にほうろうエナメル層の表
面に形成され、特に、ほうろうエナメル層表面の数μm
ないし数10μmのへこみの除去に存効となる。
、焼成処理をLQ”−”Lorrの減圧雰囲気中で行な
う。減圧雰囲気中とすることにより、押圧版とほうろう
ガラスフリットとの間等の空気の残留がなくなり、各押
圧版の表面状態がより高精度にほうろうエナメル層の表
面に形成され、特に、ほうろうエナメル層表面の数μm
ないし数10μmのへこみの除去に存効となる。
次に、本発明の方法が適用される芯部材として、金属コ
ア1表面に従来から行なわれている方法によりほうろう
エナメル層8を形成してなる既製ほうろう基板9を使用
した本発明の第2実施例を第5図および第6図を参照し
ながら説明する。
ア1表面に従来から行なわれている方法によりほうろう
エナメル層8を形成してなる既製ほうろう基板9を使用
した本発明の第2実施例を第5図および第6図を参照し
ながら説明する。
この実施例においては、第5図に示すように、既製ほう
ろう基板9におけるほうろうエナメル1り8の表面に、
グレーズほうろうガラスフリットlOを印刷、塗布等の
方法によりコーティングして、該グレーズほうろうガラ
スフリットlOを焼成する際に、その表面に押圧版(図
示例では鏡面仕上げした押圧版)3を押し付けておくら
のである。この場合、グレーズほうろうガラスフリット
10が非晶質ガラスフリットよりも結晶化ガラスフリッ
トの方が好ましいのは前記第1実施例の場合と同様であ
るが、既に形成されているほうろうエナメル層8も結晶
化ほうろうエナメル層であることが好ましく、該ほうろ
うエナメル層8を結晶化ほうろうエナメル層とすること
により、グレーズほうろうガラスフリット10の焼成温
度時に軟化変形し難くなるらのである。
ろう基板9におけるほうろうエナメル1り8の表面に、
グレーズほうろうガラスフリットlOを印刷、塗布等の
方法によりコーティングして、該グレーズほうろうガラ
スフリットlOを焼成する際に、その表面に押圧版(図
示例では鏡面仕上げした押圧版)3を押し付けておくら
のである。この場合、グレーズほうろうガラスフリット
10が非晶質ガラスフリットよりも結晶化ガラスフリッ
トの方が好ましいのは前記第1実施例の場合と同様であ
るが、既に形成されているほうろうエナメル層8も結晶
化ほうろうエナメル層であることが好ましく、該ほうろ
うエナメル層8を結晶化ほうろうエナメル層とすること
により、グレーズほうろうガラスフリット10の焼成温
度時に軟化変形し難くなるらのである。
このようにして形成されるほうろう基板11は、第6図
に示すようにほうろうエナメル層が二層になっていて、
その外層であるグレーズほうろうエナメル層12の表面
A゛が押圧板3の表面Aと同様な鏡面状態に形成される
ものである。
に示すようにほうろうエナメル層が二層になっていて、
その外層であるグレーズほうろうエナメル層12の表面
A゛が押圧板3の表面Aと同様な鏡面状態に形成される
ものである。
この場合乙前記第1実施例で説明を付加したと同様に、
押圧版を鏡面、レリーフ模様の面等任意の表面状態に形
成しておくことにより、その表面状態をグレーズほうろ
うエナメル層12表面に形成することができ、かつ、減
圧雰囲気中の焼成により押圧版の表面状態をより高精度
にグレーズはうA’lエナメル層12にIFgr&する
ことができる〜この第2実施例においても具体的数値に
基づき以下にさらに詳細に説明する。
押圧版を鏡面、レリーフ模様の面等任意の表面状態に形
成しておくことにより、その表面状態をグレーズほうろ
うエナメル層12表面に形成することができ、かつ、減
圧雰囲気中の焼成により押圧版の表面状態をより高精度
にグレーズはうA’lエナメル層12にIFgr&する
ことができる〜この第2実施例においても具体的数値に
基づき以下にさらに詳細に説明する。
「具体例4」
前記「具体例1」と同様の組成を有するほうろうガラス
フリットにより従来から行なわれている方法により予め
既製ほうろう基板を形成しておき、そのほうろうエナメ
ル層の上に、前記ほうろうガラスフリットにビヒクルを
加えてペースト状に形成したグレーズほうろうガラスフ
リットを幅10mmq長さ20mmの面積に印刷する。
フリットにより従来から行なわれている方法により予め
既製ほうろう基板を形成しておき、そのほうろうエナメ
ル層の上に、前記ほうろうガラスフリットにビヒクルを
加えてペースト状に形成したグレーズほうろうガラスフ
リットを幅10mmq長さ20mmの面積に印刷する。
そして、120℃XlS分間乾燥させ、さらに500℃
X15分間加熱することにより有機成分の酸化分解を行
なう。(この状態でグレーズほうろうガラスフリットの
厚さは例えば約60μmとなる。)次いで、押圧版とし
て鏡面仕上げした5i−N、の仮をグレーズほうろうガ
ラスフリットの上に乗せて、10g/cm″の圧力を加
えて850℃×10分間焼成すると、グレーズほうろう
エナメル層の表面に前記「具体例1」と同程度の鏡面を
得ることができる。
X15分間加熱することにより有機成分の酸化分解を行
なう。(この状態でグレーズほうろうガラスフリットの
厚さは例えば約60μmとなる。)次いで、押圧版とし
て鏡面仕上げした5i−N、の仮をグレーズほうろうガ
ラスフリットの上に乗せて、10g/cm″の圧力を加
えて850℃×10分間焼成すると、グレーズほうろう
エナメル層の表面に前記「具体例1」と同程度の鏡面を
得ることができる。
「具体例5」
前記「具体例4」の条件において、押圧版として「具体
例2」に使用した溝付き押圧版を適用した場合、該「具
体例2」と同様にグレーズほうろうエナメル層表面に溝
が凸部となって転写される。
例2」に使用した溝付き押圧版を適用した場合、該「具
体例2」と同様にグレーズほうろうエナメル層表面に溝
が凸部となって転写される。
「具体例6」
前記「具体例4」および「具体例5jの各条件において
、焼成処理を10−”torrの減圧雰囲気中で行なう
ことにより、これら6例より高精度に押圧版の表面状態
がグレーズほうろうエナメル層の表面に形成され、かつ
「具体例3」と同様へこみの除去に有効となる。
、焼成処理を10−”torrの減圧雰囲気中で行なう
ことにより、これら6例より高精度に押圧版の表面状態
がグレーズほうろうエナメル層の表面に形成され、かつ
「具体例3」と同様へこみの除去に有効となる。
なお、これまでの説明においては、所望の表面状態に形
成するほうろうエナメル層には、結晶化ほうろうガラス
フリットを使用することが好適であるとしたが、本発明
の方法においては、非晶質ガラスフリットの使用を除外
するものではない。
成するほうろうエナメル層には、結晶化ほうろうガラス
フリットを使用することが好適であるとしたが、本発明
の方法においては、非晶質ガラスフリットの使用を除外
するものではない。
因みに非晶質はうけい酸鉛ガラスフリットをグレーズほ
うろうガラスフリットとして使用して、前記「具体例5
」と同様な条件で焼成したところ、該「具体例5」の場
合とほぼ同様な凸部を有するグレーズほうろうエナメル
層を得ることができた。
うろうガラスフリットとして使用して、前記「具体例5
」と同様な条件で焼成したところ、該「具体例5」の場
合とほぼ同様な凸部を有するグレーズほうろうエナメル
層を得ることができた。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明のほうろう基板の製造方法
によれば、次のような効果を奏することができろ。
によれば、次のような効果を奏することができろ。
(1)ほうろうガラスフリットを焼成する際に、加熱に
より溶融状態としたほうろうガラスフリットを抑圧版表
面に緊密接触させ、該緊密接触状態で固化させることに
よって、ほうろうエナメル層を押圧版の表面状態に合わ
せた表面状態に形成するようにしたものであるから、押
圧版の表面状態を所望の状態に形成しておくことにより
、平滑部あるいはレリーフ模様の面等任意の表面状態に
ほうろうエナメル層を形成することができる。
より溶融状態としたほうろうガラスフリットを抑圧版表
面に緊密接触させ、該緊密接触状態で固化させることに
よって、ほうろうエナメル層を押圧版の表面状態に合わ
せた表面状態に形成するようにしたものであるから、押
圧版の表面状態を所望の状態に形成しておくことにより
、平滑部あるいはレリーフ模様の面等任意の表面状態に
ほうろうエナメル層を形成することができる。
(11)押圧版で押し付けた状態で焼成するという単純
な処理であるから、工数を増加させることなく、簡単か
つ確実に処理することができる。
な処理であるから、工数を増加させることなく、簡単か
つ確実に処理することができる。
(iii)既製のほうろう基板を芯部材とすることによ
り、そのグレーズほうろうエナメル層に任意の表面状態
を得ることができ、その適用範囲を広げることができる
。
り、そのグレーズほうろうエナメル層に任意の表面状態
を得ることができ、その適用範囲を広げることができる
。
(iv)ほうろうガラスフリットとして結晶化ほうろう
ガラスフリットを使用することにより、ほうろうエナメ
ル層の表面状態をより高精度に押圧版の表面状態に合わ
せることができる。
ガラスフリットを使用することにより、ほうろうエナメ
ル層の表面状態をより高精度に押圧版の表面状態に合わ
せることができる。
第1図ないし第3図は芯部材として金属コアを使用した
本発明の第1実施例を工程順に示すらので、第1図は金
属コアにほうろうガラスフリットをコーティングした状
態を示す断面図、第2図はほうろうガラスフリット表面
を鏡面仕上げした押圧版で押し付けた状態を示す断面図
、第3図は完成後のほうろう基板の断面図である。また
、第4図は前記第1実施例の方法において表面に凹凸面
を形成した押圧版を使用してほうろう基板を形成した状
態を示す断面図、第5図および第6図は芯部材として既
製ほうろう基板を使用した本発明の第2実施例を示し、
第5図は既製ほうろう基板にグレーズほうろうガラスフ
リットをコーティングした状態を示す断面図、第6図は
完成後のほうるう基板の断面図である。 l・・・・・・金属コア(芯部材)、2・・・・・・ほ
うろうガラスフリット、3・6・・・・・押圧板、4・
7・・・・・・ほうろうエナメル層、5・・・・・・ほ
うろう基板、8・・・・・・ほうろうエナメル層、9・
・・・・・既製ほうろう基板(芯部材)、10・・・・
・・グレーズほうろうガラスフリット、11・・・・・
・ほうろう基板、12・・・・・・グレーズほうろうエ
ナメル層。
本発明の第1実施例を工程順に示すらので、第1図は金
属コアにほうろうガラスフリットをコーティングした状
態を示す断面図、第2図はほうろうガラスフリット表面
を鏡面仕上げした押圧版で押し付けた状態を示す断面図
、第3図は完成後のほうろう基板の断面図である。また
、第4図は前記第1実施例の方法において表面に凹凸面
を形成した押圧版を使用してほうろう基板を形成した状
態を示す断面図、第5図および第6図は芯部材として既
製ほうろう基板を使用した本発明の第2実施例を示し、
第5図は既製ほうろう基板にグレーズほうろうガラスフ
リットをコーティングした状態を示す断面図、第6図は
完成後のほうるう基板の断面図である。 l・・・・・・金属コア(芯部材)、2・・・・・・ほ
うろうガラスフリット、3・6・・・・・押圧板、4・
7・・・・・・ほうろうエナメル層、5・・・・・・ほ
うろう基板、8・・・・・・ほうろうエナメル層、9・
・・・・・既製ほうろう基板(芯部材)、10・・・・
・・グレーズほうろうガラスフリット、11・・・・・
・ほうろう基板、12・・・・・・グレーズほうろうエ
ナメル層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)芯部材(1・9)の表面にほうろうガラスフリット
(2・10)をコーティングして焼成する際に、ほうろ
うガラスフリット(2・10)表面に所望の表面状態を
有する押圧版(3・6)を押し付けて、加熱により溶融
状態としたほうろうガラスフリット(2・10)を押圧
版(3・6)と緊密接触させ、該緊密接触状態でほうろ
うガラスフリット(2・10)を固化させることにより
、焼成後に形成されるほうろうエナメル層(4・7・1
2)の表面を押圧版(3・6)の表面状態に合わせた状
態に形成することを特徴とするほうろう基板の製造方法
。 2)前記芯部材が金属コア(1)であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のほうろう基板の製造方法
。 3)前記芯部材が金属コア(1)表面にほうろうエナメ
ル層(8)を有してなる既製ほうろう基板(9)である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のほうろう
基板の製造方法。 4)前記ほうろうガラスフリット(2・10)が結晶化
ほうろうガラスフリットであることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のほうろう基板の製造方法。 5)前記既製ほうろう基板(9)におけるほうろうエナ
メル層(8)が結晶化ほうろうエナメル層であることを
特徴とする特許請求の範囲第3項記載のほうろう基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61073178A JPH0730463B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | ほうろう基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61073178A JPH0730463B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | ほうろう基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62230989A true JPS62230989A (ja) | 1987-10-09 |
JPH0730463B2 JPH0730463B2 (ja) | 1995-04-05 |
Family
ID=13510626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61073178A Expired - Lifetime JPH0730463B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | ほうろう基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0730463B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0235681A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Ricoh Co Ltd | 光メディアの修復方法 |
US5288535A (en) * | 1989-04-28 | 1994-02-22 | Tonen Corporation | Electrode for electroviscous fluid |
JPH0797692A (ja) * | 1991-03-27 | 1995-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | ほうろう施工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5353360A (en) * | 1976-10-26 | 1978-05-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Production of enameled dial for portable watches |
JPS554834A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-14 | Wagener Gmbh Fritz | Discharge lamp |
JPS58118186A (ja) * | 1982-01-05 | 1983-07-14 | 株式会社東芝 | 結晶性ホ−ロ−基板 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073178A patent/JPH0730463B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5353360A (en) * | 1976-10-26 | 1978-05-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Production of enameled dial for portable watches |
JPS554834A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-14 | Wagener Gmbh Fritz | Discharge lamp |
JPS58118186A (ja) * | 1982-01-05 | 1983-07-14 | 株式会社東芝 | 結晶性ホ−ロ−基板 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0235681A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Ricoh Co Ltd | 光メディアの修復方法 |
US5288535A (en) * | 1989-04-28 | 1994-02-22 | Tonen Corporation | Electrode for electroviscous fluid |
JPH0797692A (ja) * | 1991-03-27 | 1995-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | ほうろう施工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0730463B2 (ja) | 1995-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0202544A3 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrisch isolierendem Basismaterial für die Fertigung von durchkontaktierten Leiterplatten | |
JPS62230989A (ja) | ほうろう基板の製造方法 | |
DE3362814D1 (en) | Process for making patterned lustrous coatings on the surfaces of bodies | |
JPS63265843A (ja) | セラミツクカラ−インク焼き付けガラス板及びその製造方法 | |
JPH0262352B2 (ja) | ||
CN109502993A (zh) | 一种在材料表层的多孔结构加工方法 | |
JPH05144550A (ja) | ヒータの製造方法 | |
JPS63166954A (ja) | セラミツクス部材成形方法 | |
JPS6025397B2 (ja) | グレ−ズドセラミック基板の製造方法 | |
JPH01100294A (ja) | 意匠性に優れたホーロー被覆溶融アルミめつき鋼板の製造方法 | |
JPH09142948A (ja) | セラミックス構造体の接合方法 | |
JP3733159B2 (ja) | 陶磁器の被膜形成方法 | |
JPH01100076A (ja) | 凹凸模様を付けた溶射タイルの製造方法 | |
JPH03293467A (ja) | 窯業製品表面模様の形成方法 | |
JPS583981A (ja) | 鉄七宝製品の製造法 | |
JPS61194186A (ja) | 複合鋼管の製造方法 | |
JPH03293464A (ja) | 窯業製品表面の窯変装飾生成方法 | |
JPH01118449A (ja) | サーマルヘッド用基板の製造方法 | |
KR19980079281A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법 및 그 장치 | |
JPH0338093A (ja) | ほうろう基板の製造方法とそのほうろう基板を用いた回路基板およびサーマルヘッド | |
JPS6327312B2 (ja) | ||
JPS62153178A (ja) | グレ−ズドセラミツク基板 | |
JPH06171128A (ja) | グレーズドセラミック基板の製造方法 | |
JPH03174795A (ja) | グレーズセラミックス基板及びその製造方法 | |
JPH03257850A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |