JPH0514321B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフロツピーデイスク装置に好適なトン
ネルイレーズ型磁気ヘツドに関し、更に詳細に
は、高密度記録を可能にするために記録ギヤツプ
と消去ギヤツプとの間隔を小さくすることができ
る構造の磁気ヘツドに関する。

〔従来の技術〕

フロツピーデイスク装置において、記録トラツ
クのトリミングを行うために、ラミネートタイプ
のトンネルイレーズ型磁気ヘツドを使用すること
は例えば特公昭53−31763号公報で知られている。
このラミネートタイプのトンネルイレーズ型磁気
ヘツドは、リード／ライト（再生／記録）コアの
両側に一対の消去（イレーズ）コアを配置するこ
とにより構成されている。リード／ライトコアに
おけるリード／ライトギヤツプと消去コアの消去
ギヤツプとは相互干渉を避けるために、ある程度
離れている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、高密度記録を行うためには、リー
ド／ライトギヤツプと消去ギヤツプとの間隔をで
きるだけ小さくすることが必要になる。しかし、
従来の一般的方法でリード／ライトギヤツプと消
去ギヤツプとの間隔を小さくすると、必然的にＩ
コアと呼ばれている柱状コアの断面積が小さくな
り、磁気飽和が起り易くなり、所望の磁気変換特
性を得ることが困難になる。

そこで、本発明の目的は、記録（ライト）ギヤ
ツプと消去ギヤツプとの間隔を小さくしても、相
互干渉が少なく、且つ磁気飽和し難いトンネルイ
レーズ型磁気ヘツドを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決し、上記目的を達成するため
の本発明に係わるトンネルイレーズ型磁気ヘツド
は、実施例を示す図面の符号を参照して説明する
と、記録（ライト）コア４と一対の消去コア１
１，１７とを有する。記録コア４は逆Ｌ字型コア
５と柱状コア６とから成り、柱状コア６はトラツ
ク幅決定部分６ａと突出部６ｂとから成る。突出
部６ｂの両側に一対の消去コア１１，１７の少な
くとも一部が配置されているが、突出部６ｂは幅
狭に形成され、この両側に非磁性体層８が設けら
れているので、記録コア４に消去コア１１，１７
が直接に接触していない。

〔作用〕

本発明に係わる突出部６ｂは柱状コア６の断面
積の増大に寄与するので、磁気飽和しにくくな
る。突出部６ｂの両側には非磁性体層８が設けら
れているので、消去コア１１，１７を記録コア４
から分離した状態で、記録（ライト）ギヤツプ１
に消去ギヤツプ２，３を近づけることが可能にな
る。

〔実施例〕

次に、第１図〜第４図によつて本発明の実施例
に係わるフロツピーデイスク装置のトンネルイレ
ーズ型磁気ヘツドを説明する。この磁気ヘツド
は、リード／ライト（再生／記録）ヘツドと消去
ヘツドとを一体したものであり、リード／ライト
（再生／記録）ギヤツプ１の他に、一対の消去ギ
ヤツプ２，３を有する。リード／ライトギヤツプ
１を含む磁性体から成るリード／ライトコア４は
第２図から明らかな如く、逆Ｌ字型コア５と柱状
コア６とをギヤツプ１においてガラスで接合した
ものである。柱状コア６は本発明に関係する部分
であつて、リード／ライトギヤツプ１を形成する
部分であつて記録トラツクに対応する幅を有して
いる幅広のトラツク幅決定部分６ａとトラツク幅
に直接に関係しない幅狭の突出部６ｂとから成
る。突出部６ｂはトラツク幅決定部分６ａの中央
から記録トラツクの延びる方向（第２図で左右方
向）に突出している。この様な突出部６ｂは柱状
コア６の両側に第２図で縦方向に延びる溝７ａ，
７ｂ設けることによつて形成することができる。
なお、この溝７ａ，７ｂを充填するようにガラス
から成る非磁性体層８が設けられている。この磁
気ヘツドはラミネートタイプであるために、リー
ド／ライトコア４に対して同じ幅の非磁性セラミ
ツク板９が一体化され、これにより中央層１０が
形成されている。

第１の消去ギヤツプ２を有する磁性体から成る
第１の消去コア１１は、第３図に示す如く逆Ｌ字
型コア１２とＩ型（柱状）コア１３との組合せか
ら成る。この第１の消去コア１１には同じ厚みの
セラミツク板１４が一体化され、これが第１図の
第１の側面層１５を形成している。第１図におけ
る第２の側面層１６は、第１の側面層１５と同様
に磁性体から成る第２の消去コア１７とセラミツ
ク板２０とから成る。なお、第２の消去コア１７
は逆Ｌ字型コラ１８とＩ型コア１９とで形成され
ている。

中央層１０と第１及び第２の側面層１５，１６
の積層は第１図及び第４図から明らかな如く、リ
ード／ライトギヤツプ１と第１及び第２の消去ギ
ヤツプ２，３とが間隔Ｌを有するように配置さ
れ、且つ第１及び第２の消去コア１１，１７がリ
ード／ライトコア４に接触しない様に配置されて
いる。高密度記録を可能にするためには間隔Ｌを
小さくすることが必要であり、必然的に第１及び
第２の消去コア１１，１７をリード／ライトコア
４に接近させなければならない。第１図、第２
図、第４図において、第１及び第２の消去コア１
１，１７がリード／ライトコア４に接近し、この
一部がリード／ライトコア４に重なり合つている
が、本発明に従つて幅狭の突出部６ｂが設けら
れ、これと第１及び第２の消去コア１１，１７と
が非磁性体層８によつて分離されているので、リ
ード／ライトコア４と消去コア１１，１７との磁
気の相互干渉が少ない。消去ギヤツプ２，３をリ
ード／ライトギヤツプ１に近づけることによつて
柱状コア６にトラツク幅決定部分６ａの断面積が
小さくなるが、突出部６ｂを有するために柱状コ
ア６全体での断面積は大きく保たれ、磁気飽和し
にくい。

中央層１０と第１及び第２の側面層１５，１６
とを積層接着した後に、第１図に示す如くリー
ド／ライトコア４の逆Ｌ字型コア５にリード／ラ
イトコイル２１を巻き回し、一対の消去コア１
１，１７の逆Ｌ字型コア１２，１８に消去コイル
２２を巻き回し、更にリード／ライトコア４の逆
Ｌ字型コア５と柱状コア６との間にバツクコア２
３を配設する。また、第４図に示す如く第１及び
第２の側面層１５，１６の両側に一般にスライダ
と呼ばれているセラミツク片２４，２５を接着す
る。

〔変形例〕

本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、変形可能なものである。例えば、必要に応じ
て消去コア１１，１７にもバツクコアを設けても
よい。また、リード／ライトコイル２１をバツク
コア２３に巻き回すように構成してもよい。

〔発明の効果〕

上述から明らかな如く本発明によれば、記録ギ
ヤツプと消去ギヤツプの間隔を小さくしても、記
録コアが磁気飽和しにくくなり、且つ記録コアと
消去コアとの磁気的相互干渉を制限することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係わる磁気ヘツドの
分解斜視図、第２図は第１図の中央層の斜視図、
第３図は第１図の側面層の斜視図、第４図は磁気
ヘツドの一部を示す平面図である。 １……リード／ライトギヤツプ、２，３……消
去ギヤツプ、４……リード／ライトコア、５……
逆Ｌ字型コア、６……柱状コア、６ａ……トラツ
ク幅決定部分、６ｂ……突出部、８……非磁性体
層、１１……第１の消去コア、１７……第２の消
去コア。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 略逆Ｌ字型コア５と柱状コア６との間に記録
   ギヤツプ１を有している記録コア４と、 前記記録ギヤツプ１の走査領域の両側を走査す
   るように配置された一対の消去ギヤツプ２，３を
   有する一対の消去コア１１，１７と、 前記記録ギヤツプ１に記録磁束を生じさせる様
   に前記記録コア４に巻き回された記録用コイル２
   １と、 前記消去ギヤツプ２，３に消去磁束を生じさせ
   る様に一対の消去コア１１，１７に共通に又は独
   立に巻き回された消去用コイル２２と を備えたトンネルイレーズ型磁気ヘツドにおい
   て、 前記柱状コア６が前記記録ギヤツプ１に隣接す
   るトラツク幅決定部分６ａと、このトラツク幅決
   定部分６ａよりも狭い幅を有して前記トラツク幅
   決定部分６ａの中央から記録トラツクの延びる方
   向に突出している突出部６ｂとから成り、前記突
   出部６ｂの両側に非磁性体層８が設けられ、前記
   一対の消去コア１１，１７が前記記録コア４に対
   して直接に接触しないように配置され、前記記録
   トラツクの幅方向において前記一対の消去コア１
   １，１７の間に前記突出部６ｂの少なくとも一部
   が配置されていることを特徴とするトンネルイレ
   ーズ型磁気ヘツド。