JPH0514043A - バツクフアイアヘリカルアンテナ - Google Patents
バツクフアイアヘリカルアンテナInfo
- Publication number
- JPH0514043A JPH0514043A JP16597691A JP16597691A JPH0514043A JP H0514043 A JPH0514043 A JP H0514043A JP 16597691 A JP16597691 A JP 16597691A JP 16597691 A JP16597691 A JP 16597691A JP H0514043 A JPH0514043 A JP H0514043A
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- JP
- Japan
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- conductor
- helical antenna
- radiation
- strip
- spiral
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 螺旋放射導体５、７、９、１１が螺旋状に巻
付けられているボビン１の内部には、マイクロストリッ
プ線路１２が設けられている。マイクロストリップ線路
１２の主表面には、１／４波長変成器７１とストリップ
導体４とが形成されている。 【効果】 １／４波長変成器がエッチングによって形成
できるので、アンテナの生産性を向上させることが可能
となる。
付けられているボビン１の内部には、マイクロストリッ
プ線路１２が設けられている。マイクロストリップ線路
１２の主表面には、１／４波長変成器７１とストリップ
導体４とが形成されている。 【効果】 １／４波長変成器がエッチングによって形成
できるので、アンテナの生産性を向上させることが可能
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえばＧＰＳ等の
ナビゲーションシステムで使用されるバックファイアヘ
リカルアンテナに関するものである。
ナビゲーションシステムで使用されるバックファイアヘ
リカルアンテナに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年情報化社会の発達と共に、移動体通
信、衛星通信が盛んになるとともに、人工衛星の電波を
受信し移動体の位置、速度を検出するＧＰＳ等のナビゲ
ーションシステムが実用化されている。ＧＰＳでは、Ｌ
バンド帯の周波数の電波が使用され、受信アンテナとし
てはバックファイアヘリカルアンテナやスパイラルアン
テナ等が実用化されている。
信、衛星通信が盛んになるとともに、人工衛星の電波を
受信し移動体の位置、速度を検出するＧＰＳ等のナビゲ
ーションシステムが実用化されている。ＧＰＳでは、Ｌ
バンド帯の周波数の電波が使用され、受信アンテナとし
てはバックファイアヘリカルアンテナやスパイラルアン
テナ等が実用化されている。
【０００３】図６は、従来のバックファイアヘリカルア
ンテナの斜視図である。円筒形状をし、誘電体であるボ
ビン１の外周には、フレキシブル基板フィルム３が巻付
けられている。ボビン１はフレキシブル基板フィルム３
を円筒状に保持する役目を有する。フレキシブル基板フ
ィルム３の表面には、螺旋状をした４本の螺旋放射導体
５、７、９、１１がエッチングによって形成されてい
る。
ンテナの斜視図である。円筒形状をし、誘電体であるボ
ビン１の外周には、フレキシブル基板フィルム３が巻付
けられている。ボビン１はフレキシブル基板フィルム３
を円筒状に保持する役目を有する。フレキシブル基板フ
ィルム３の表面には、螺旋状をした４本の螺旋放射導体
５、７、９、１１がエッチングによって形成されてい
る。
【０００４】ボビン１の円筒の中心軸の位置には、同軸
ケーブル３８が配置されている。同軸ケーブル３８は、
同軸中心導体３９と、同軸中心導体３９の周囲に設けら
れた絶縁体４１と、絶縁体４１の周囲に設けられた同軸
外導体４３とを備えている。
ケーブル３８が配置されている。同軸ケーブル３８は、
同軸中心導体３９と、同軸中心導体３９の周囲に設けら
れた絶縁体４１と、絶縁体４１の周囲に設けられた同軸
外導体４３とを備えている。
【０００５】同軸中心導体３９の第１端部には、アーム
１３が半田４５によって半田付けされている。アーム１
３の第１端部１５には、螺旋放射導体５の第１端部２３
が半田１９によって半田付けされている。アーム１３の
第２端部１７には、螺旋放射導体７の第１端部２５が半
田（図示せず）によって半田付けされている。
１３が半田４５によって半田付けされている。アーム１
３の第１端部１５には、螺旋放射導体５の第１端部２３
が半田１９によって半田付けされている。アーム１３の
第２端部１７には、螺旋放射導体７の第１端部２５が半
田（図示せず）によって半田付けされている。
【０００６】同軸外導体４３の第１端部には、アーム２
７が半田４７によって半田付けされている。アーム２７
の第１端部２９には、螺旋放射導体９の第１端部３５が
半田３３によって半田付けされている。アーム２７の第
２端部３１には、螺旋放射導体１１の第１端部３７が半
田（図示せず）によって半田付けされている。
７が半田４７によって半田付けされている。アーム２７
の第１端部２９には、螺旋放射導体９の第１端部３５が
半田３３によって半田付けされている。アーム２７の第
２端部３１には、螺旋放射導体１１の第１端部３７が半
田（図示せず）によって半田付けされている。
【０００７】同軸外導体４３には、後部接続片４９が半
田によって半田付けされている。後部接続片４９の第１
接続部５１、第２接続部５３、第３接続部５５、第４接
続部５７には、それぞれ、螺旋放射導体１１の第２端部
５９、螺旋放射導体７の第２端部６１、螺旋放射導体５
の第２端部６３、螺旋放射導体９の第２端部６５が半田
付けされている。６７、６９は半田である。螺旋放射導
体５、７、９、１１はボビン１の周りを巻くように形成
されている。
田によって半田付けされている。後部接続片４９の第１
接続部５１、第２接続部５３、第３接続部５５、第４接
続部５７には、それぞれ、螺旋放射導体１１の第２端部
５９、螺旋放射導体７の第２端部６１、螺旋放射導体５
の第２端部６３、螺旋放射導体９の第２端部６５が半田
付けされている。６７、６９は半田である。螺旋放射導
体５、７、９、１１はボビン１の周りを巻くように形成
されている。
【０００８】図６に示すヘリカルアンテナ動作を以下説
明する。螺旋放射導体５、１１、アーム１３、２７およ
び後部接続片４９により構成される第１のループの全長
が使用する波長よりやや長く設定されるとともに、螺旋
放射導体７、９、アーム１３、２７および後部接続片４
９により構成される第２のループの全長が使用する波長
よりもやや短く設定されており、使用波長において、長
いほうの第１のループが容量性インピーダンスを呈する
とともに、短いほうの第２のループが誘導性インピーダ
ンスを呈する。
明する。螺旋放射導体５、１１、アーム１３、２７およ
び後部接続片４９により構成される第１のループの全長
が使用する波長よりやや長く設定されるとともに、螺旋
放射導体７、９、アーム１３、２７および後部接続片４
９により構成される第２のループの全長が使用する波長
よりもやや短く設定されており、使用波長において、長
いほうの第１のループが容量性インピーダンスを呈する
とともに、短いほうの第２のループが誘導性インピーダ
ンスを呈する。
【０００９】このため、両ループの全長の長さに適宜の
差を設けることにより、両ループが並列に給電されてい
るにもかかわらず、互いに隣接する螺旋放射導体５、
７、９、１１に流れる各電流の間に互いに９０度の位相
差を持たせることができ、円偏波が効率よく放射され
る。
差を設けることにより、両ループが並列に給電されてい
るにもかかわらず、互いに隣接する螺旋放射導体５、
７、９、１１に流れる各電流の間に互いに９０度の位相
差を持たせることができ、円偏波が効率よく放射され
る。
【００１０】図７は、同軸中心導体３９の断面図で、図
８は絶縁体４１の断面図である。同軸中心導体３９は、
アーム１３との接続部である給電部７５からλg ／４の
長さだけ直径が異なる構成をしている。この部分を１／
４波長変成器７１という。１／４波長変成器７１は、同
軸ケーブル３８のインピーダンスと螺旋放射導体５、
７、９、１１のインピーダンスとの整合をとる役目を果
たす。絶縁体４１の同軸中心導体３９が挿入される空洞
部７３は、同軸中心導体３９の形状に合うように加工さ
れている。
８は絶縁体４１の断面図である。同軸中心導体３９は、
アーム１３との接続部である給電部７５からλg ／４の
長さだけ直径が異なる構成をしている。この部分を１／
４波長変成器７１という。１／４波長変成器７１は、同
軸ケーブル３８のインピーダンスと螺旋放射導体５、
７、９、１１のインピーダンスとの整合をとる役目を果
たす。絶縁体４１の同軸中心導体３９が挿入される空洞
部７３は、同軸中心導体３９の形状に合うように加工さ
れている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、同軸中心導体
３９や空洞部７３を図７、図８に示すような形状に加工
するのは難しく、このためバックファイアヘリカルアン
テナの生産性が悪かった。
３９や空洞部７３を図７、図８に示すような形状に加工
するのは難しく、このためバックファイアヘリカルアン
テナの生産性が悪かった。
【００１２】この発明は係る従来の問題点を解決するた
めになされたものである。この発明の目的は、生産性の
向上を図ることができるバックファイアヘリカルアンテ
ナを提供することである。
めになされたものである。この発明の目的は、生産性の
向上を図ることができるバックファイアヘリカルアンテ
ナを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、螺旋状に配
置された第１および第２放射導体を備えたバックファイ
アヘリカルアンテナであって、主表面および裏面を有す
る誘電体基板と、主表面上に形成されたストリップ導体
と、裏面に形成された導電性地板と、を有するストリッ
プ線路と、主表面上に形成され、第１及び第２放射導体
のインピーダンスとストリップ線路のインピーダンスと
の整合をとる変成手段とを備えている。
置された第１および第２放射導体を備えたバックファイ
アヘリカルアンテナであって、主表面および裏面を有す
る誘電体基板と、主表面上に形成されたストリップ導体
と、裏面に形成された導電性地板と、を有するストリッ
プ線路と、主表面上に形成され、第１及び第２放射導体
のインピーダンスとストリップ線路のインピーダンスと
の整合をとる変成手段とを備えている。
【００１４】第１および第２放射導体は、ストリップ線
路を中心として螺旋状に配置されている。第１放射導体
の第１端部は変成手段と接続され、第２端部は導電性地
板と接続されている。第２放射導体の第１および第２端
部は導電性地板と接続されている。
路を中心として螺旋状に配置されている。第１放射導体
の第１端部は変成手段と接続され、第２端部は導電性地
板と接続されている。第２放射導体の第１および第２端
部は導電性地板と接続されている。
【００１５】
【作用】この発明に従ったバックファイアヘリカルアン
テナは、同軸ケーブルの代わりにストリップ線路を用い
ている。誘電体基板の主表面上に形成されるストリップ
導体はエッチングによって形成できるので、変成手段も
エッチングによって形成できる。したがって変成手段を
容易に形成することができる。
テナは、同軸ケーブルの代わりにストリップ線路を用い
ている。誘電体基板の主表面上に形成されるストリップ
導体はエッチングによって形成できるので、変成手段も
エッチングによって形成できる。したがって変成手段を
容易に形成することができる。
【００１６】
【実施例】図１は、この発明に従ったバックファイアヘ
リカルアンテナの斜視図である。円筒形状をし、誘電体
であるボビン１の外周には、フレキシブル基板フィルム
３が巻付けられている。ボビン１はフレキシブル基板フ
ィルム３を円筒状に保持する役目を有する。フレキシブ
ル基板フィルム３の表面には螺旋状をした４本の螺旋放
射導体５、７、９、１１がエッチングにて形成されてい
る。ボビン１内には、マイクロストリップ線路１２が配
置されている。マイクロストリップ線路１２は、ガラス
エポキシ等からなる誘電体基板２と、誘電体基板２の主
表面上に形成された銅箔からなる１／４波長変成器７
１、銅箔からなるストリップ導体４と、誘電体基板２の
裏面に形成された銅箔からなる地板（図１には図示せ
ず）とからなる。
リカルアンテナの斜視図である。円筒形状をし、誘電体
であるボビン１の外周には、フレキシブル基板フィルム
３が巻付けられている。ボビン１はフレキシブル基板フ
ィルム３を円筒状に保持する役目を有する。フレキシブ
ル基板フィルム３の表面には螺旋状をした４本の螺旋放
射導体５、７、９、１１がエッチングにて形成されてい
る。ボビン１内には、マイクロストリップ線路１２が配
置されている。マイクロストリップ線路１２は、ガラス
エポキシ等からなる誘電体基板２と、誘電体基板２の主
表面上に形成された銅箔からなる１／４波長変成器７
１、銅箔からなるストリップ導体４と、誘電体基板２の
裏面に形成された銅箔からなる地板（図１には図示せ
ず）とからなる。
【００１７】１／４波長変成器７１には、アーム１３が
半田４５によって半田付けされている。アーム１３の第
１端部１５には、螺旋放射導体５の第１端部２３が半田
１９によって半田付けされている。アーム１３の第２端
部１７には、螺旋放射導体７の第１端部２５が半田（図
示せず）によって半田付けされている。
半田４５によって半田付けされている。アーム１３の第
１端部１５には、螺旋放射導体５の第１端部２３が半田
１９によって半田付けされている。アーム１３の第２端
部１７には、螺旋放射導体７の第１端部２５が半田（図
示せず）によって半田付けされている。
【００１８】地板（図１には図示せず）には、アーム２
７が半田４７によって半田付けされている。アーム２７
の第１端部２９には、螺旋放射導体９の第１端部３５が
半田３３によって半田付けされている。アーム２７の第
２端部３１は、螺旋放射導体１１の第１端部３７が半田
（図示せず）によって半田付けされている。
７が半田４７によって半田付けされている。アーム２７
の第１端部２９には、螺旋放射導体９の第１端部３５が
半田３３によって半田付けされている。アーム２７の第
２端部３１は、螺旋放射導体１１の第１端部３７が半田
（図示せず）によって半田付けされている。
【００１９】地板には、後部接続片４９が半田によって
半田付けされている。後部接続片４９の第１接続部５
１、第２接続部５３、第３接続部５５、第４接続部５７
には、それぞれ、螺旋放射導体１１の第２端部５９、螺
旋放射導体７の第２端部６１、螺旋放射導体５の第２端
部６３、螺旋放射導体９の第２端部６５が半田付けされ
ている。６７、６９は半田である。螺旋放射導体５、
７、９、１１はボビン１の周りを巻くように形成されて
いる。
半田付けされている。後部接続片４９の第１接続部５
１、第２接続部５３、第３接続部５５、第４接続部５７
には、それぞれ、螺旋放射導体１１の第２端部５９、螺
旋放射導体７の第２端部６１、螺旋放射導体５の第２端
部６３、螺旋放射導体９の第２端部６５が半田付けされ
ている。６７、６９は半田である。螺旋放射導体５、
７、９、１１はボビン１の周りを巻くように形成されて
いる。
【００２０】図２は、マイクロストリップ線路１２の平
面図である。ストリップ導体４と１／４波長変成器７１
とは、誘電体基板２の主表面上に形成された銅箔をエッ
チングすることによって形成される。
面図である。ストリップ導体４と１／４波長変成器７１
とは、誘電体基板２の主表面上に形成された銅箔をエッ
チングすることによって形成される。
【００２１】図３は、後部接続片４９の平面図である。
誘電体基板２の裏面に形成された地板６は後部接続片４
９と接続されているが、ストリップ導体４と後部接続片
４９とは空間部８があるため接続されていない。
誘電体基板２の裏面に形成された地板６は後部接続片４
９と接続されているが、ストリップ導体４と後部接続片
４９とは空間部８があるため接続されていない。
【００２２】図４は、この発明に従ったバックファイア
ヘリカルアンテナの第２実施例に備えられるマイクロス
トリップ線路の斜視図である。このマイクロストリップ
線路においては、１／４波長変成器の代わりにバランを
用いている。４はストリップ導体、６は地板を示してい
る。このマイクロストリップ線路は空気を誘電体にして
いるが、ストリップ導体４と地板６との間に誘電体基板
を設けてもよい。第２実施例はマイクロストリップ線路
の構造以外は第１実施例と同じであり、ストリップ導体
４のａで示す部分にはアーム１３（図１参照）が接続さ
れ、地板６のｂで示す部分にはアーム２７（図１参照）
が接続され、地板６のｃで示す部分には後部接続片４９
（図１参照）が接続される。このバランはエッチングに
よって形成できるのでバランを容易に形成できる。
ヘリカルアンテナの第２実施例に備えられるマイクロス
トリップ線路の斜視図である。このマイクロストリップ
線路においては、１／４波長変成器の代わりにバランを
用いている。４はストリップ導体、６は地板を示してい
る。このマイクロストリップ線路は空気を誘電体にして
いるが、ストリップ導体４と地板６との間に誘電体基板
を設けてもよい。第２実施例はマイクロストリップ線路
の構造以外は第１実施例と同じであり、ストリップ導体
４のａで示す部分にはアーム１３（図１参照）が接続さ
れ、地板６のｂで示す部分にはアーム２７（図１参照）
が接続され、地板６のｃで示す部分には後部接続片４９
（図１参照）が接続される。このバランはエッチングに
よって形成できるのでバランを容易に形成できる。
【００２３】図５は、この発明に従ったバックファイア
ヘリカルアンテナの第３実施例に備えられる誘電体基板
の平面図である。誘電体基板２には、電界効果トランジ
スタ７７等からなる低雑音増幅回路が形成されている。
ヘリカルアンテナの第３実施例に備えられる誘電体基板
の平面図である。誘電体基板２には、電界効果トランジ
スタ７７等からなる低雑音増幅回路が形成されている。
【００２４】誘電体基板２には、ストリップ導体４、１
／４波長変成器７１、配線パターン７９ａ〜７９ｆが形
成されている。これらはエッチングによって同時に形成
された。誘電体基板２のうち、ストリップ導体４と１／
４波長変成器７１との間にある部分には電界効果トラン
ジスタ７７が形成されている。電界効果トランジスタ７
７のゲートはリード８３ｃによって配線パターン７９ｄ
と接続されている。ドレインはリード８３ａによって配
線パターン７９ｂと接続されている。ソースはリード８
３ｂ、８３ｄによってそれぞれ配線パターン７９ｆ、７
９ｃに接続されている。
／４波長変成器７１、配線パターン７９ａ〜７９ｆが形
成されている。これらはエッチングによって同時に形成
された。誘電体基板２のうち、ストリップ導体４と１／
４波長変成器７１との間にある部分には電界効果トラン
ジスタ７７が形成されている。電界効果トランジスタ７
７のゲートはリード８３ｃによって配線パターン７９ｄ
と接続されている。ドレインはリード８３ａによって配
線パターン７９ｂと接続されている。ソースはリード８
３ｂ、８３ｄによってそれぞれ配線パターン７９ｆ、７
９ｃに接続されている。
【００２５】配線パターン７９ａと配線パターン７９ｂ
とはチップ部品８１ａ、８１ｇによって接続され、配線
パターン７９ｃと配線パターン７９ｄとはチップ部品８
１ｂ、８１ｃによって接続され、配線パターン７９ｄと
１／４波長変成器７１とはチップ部品８１ｄによって接
続され、配線パターン７９ｆと配線パターン７９ｅとは
チップ部品８１ｆによって接続されている。チップ部品
とは、チップ状をした抵抗やコンデンサ等のことであ
る。配線パターン７９ｄ，７９ｅはそれぞれスルーホー
ル８５ａ，８５ｂを通して誘電体基板２の裏面の地板６
と接続されている。低雑音増幅回路はシールドケース８
７によって覆われている。シールドケース８７は低雑音
増幅回路の構成がわかるように一部が切欠かれている
が、実際はこのような切欠はない。
とはチップ部品８１ａ、８１ｇによって接続され、配線
パターン７９ｃと配線パターン７９ｄとはチップ部品８
１ｂ、８１ｃによって接続され、配線パターン７９ｄと
１／４波長変成器７１とはチップ部品８１ｄによって接
続され、配線パターン７９ｆと配線パターン７９ｅとは
チップ部品８１ｆによって接続されている。チップ部品
とは、チップ状をした抵抗やコンデンサ等のことであ
る。配線パターン７９ｄ，７９ｅはそれぞれスルーホー
ル８５ａ，８５ｂを通して誘電体基板２の裏面の地板６
と接続されている。低雑音増幅回路はシールドケース８
７によって覆われている。シールドケース８７は低雑音
増幅回路の構成がわかるように一部が切欠かれている
が、実際はこのような切欠はない。
【００２６】１／４波長変成器７１を伝送された信号
は、低雑音増幅回路で増幅されストリップ導体４に伝送
される。この第３実施例においては低雑音増幅回路を誘
電体基板２に形成しているので、アンテナの小型化を図
ることが可能となる。
は、低雑音増幅回路で増幅されストリップ導体４に伝送
される。この第３実施例においては低雑音増幅回路を誘
電体基板２に形成しているので、アンテナの小型化を図
ることが可能となる。
【００２７】第１、第２、第３実施例においては４線式
バックファイアヘリカルアンテナについて説明したが、
この発明においてはこれに限定されるわけではなく、２
線式、６線式等であってもよい。
バックファイアヘリカルアンテナについて説明したが、
この発明においてはこれに限定されるわけではなく、２
線式、６線式等であってもよい。
【００２８】
【発明の効果】この発明に従ったバックファイアヘリカ
ルアンテナにおいては、インピーダンスの整合をとるた
めの変成手段がエッチングによって形成できるので、ア
ンテナの生産性を向上させることが可能となる。
ルアンテナにおいては、インピーダンスの整合をとるた
めの変成手段がエッチングによって形成できるので、ア
ンテナの生産性を向上させることが可能となる。
【図１】この発明に従ったバックファイアヘリカルアン
テナの第１実施例の斜視図である。
テナの第１実施例の斜視図である。
【図２】第１実施例に備えられたマイクロストリップ線
路の平面図である。
路の平面図である。
【図３】第１実施例に備えられた後部接続片の平面図で
ある。
ある。
【図４】この発明に従ったバックファイアヘリカルアン
テナの第２実施例に備えられたマイクロストリップ線路
の斜視図である。
テナの第２実施例に備えられたマイクロストリップ線路
の斜視図である。
【図５】この発明に従ったバックファイアヘリカルアン
テナの第３実施例に備えられたマイクロストリップ線路
の平面図である。
テナの第３実施例に備えられたマイクロストリップ線路
の平面図である。
【図６】従来のバックファイアヘリカルアンテナの斜視
図である。
図である。
【図７】従来のバックファイアヘリカルアンテナの同軸
ケーブルの同軸中心導体の断面図である。
ケーブルの同軸中心導体の断面図である。
【図８】従来のバックファイアヘリカルアンテナの同軸
ケーブルの絶縁体の断面図である。
ケーブルの絶縁体の断面図である。
２ 誘電体基板 ４ ストリップ導体 ５、７、９、１１ 螺旋放射導体 ６ 地板 １２ マイクロストリップ線路 ７１ １／４波長変成器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 螺旋状に配置された第１および第２放射
導体を備えたバックファイアヘリカルアンテナであっ
て、 主表面および裏面を有する誘電体基板と、前記主表面上
に形成されたストリップ導体と、前記裏面に形成された
導電性地板と、を有するストリップ線路と、 前記主表面上に形成され、前記第１及び第２放射導体の
インピーダンスと前記ストリップ線路のインピーダンス
との整合をとる変成手段と、を備え、 前記第１および第２放射導体は前記ストリップ線路を中
心として螺旋状に配置されており、 前記第１放射導体の第１端部は前記変成手段と接続さ
れ、第２端部は前記導電性地板と接続されており、 前記第２放射導体の第１および第２端部は前記導電性地
板と接続されている、バックファイアヘリカルアンテ
ナ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3165976A JP2719856B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | バックファイアヘリカルアンテナ |
| US07/907,137 US5346300A (en) | 1991-07-05 | 1992-07-01 | Back fire helical antenna |
| DE69232788T DE69232788T2 (de) | 1991-07-05 | 1992-07-03 | Wendelantenne mit Reflektor |
| EP92111263A EP0521511B1 (en) | 1991-07-05 | 1992-07-03 | Back fire helical antenna |
| AU19449/92A AU653035B2 (en) | 1991-07-05 | 1992-07-03 | Back fire helical antenna |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3165976A JP2719856B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | バックファイアヘリカルアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514043A true JPH0514043A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2719856B2 JP2719856B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=15822580
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3165976A Expired - Lifetime JP2719856B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | バックファイアヘリカルアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2719856B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100348441B1 (ko) * | 1996-02-23 | 2002-12-02 | 사란텔 리미티드 | 안테나 |
| US7411563B2 (en) | 2004-11-25 | 2008-08-12 | High Tech Computer, Corp. | Antenna device |
| JP2009537105A (ja) * | 2006-05-12 | 2009-10-22 | サランテル リミテッド | アンテナシステム |
| JP2010063095A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-18 | Sarantel Ltd | アンテナ及びアンテナを製造する方法 |
| JP2010511339A (ja) * | 2006-11-28 | 2010-04-08 | サランテル リミテッド | 誘電体装荷アンテナ及びアンテナアセンブリ |
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-
1991
- 1991-07-05 JP JP3165976A patent/JP2719856B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2719856B2 (ja) | 1998-02-25 |
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