JPH05139778A - フオトマスク用高耐熱性石英ガラス基板 - Google Patents
フオトマスク用高耐熱性石英ガラス基板Info
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- JPH05139778A JPH05139778A JP32715291A JP32715291A JPH05139778A JP H05139778 A JPH05139778 A JP H05139778A JP 32715291 A JP32715291 A JP 32715291A JP 32715291 A JP32715291 A JP 32715291A JP H05139778 A JPH05139778 A JP H05139778A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】耐熱性、光学的特性に優れたフォトマスク用石
英ガラス基板。 【構成】アルミニウム含有量が５〜４０ｐｐｍ、ハロゲ
ン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ
以下、重金属およびアルカリの含有量の総計が１ｐｐｍ
以下であって、徐冷点が１１８０℃以上であることを特
徴とするフォトマスク用石英ガラス基板。
英ガラス基板。 【構成】アルミニウム含有量が５〜４０ｐｐｍ、ハロゲ
ン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ
以下、重金属およびアルカリの含有量の総計が１ｐｐｍ
以下であって、徐冷点が１１８０℃以上であることを特
徴とするフォトマスク用石英ガラス基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスク用石英ガ
ラス基板に関する。
ラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】石英ガラスは、近赤外から真空紫外域ま
での広範囲の波長にわたって透明な材料であること、並
びに熱膨張率が極めて小さく寸法安定性に優れているこ
と、更に化学的な耐久性に優れていることのために、Ｌ
ＳＩのフォトリソグラフィ工程等に用いられるフォトマ
スク用基板材料として最適であり、広く用いられてい
る。
での広範囲の波長にわたって透明な材料であること、並
びに熱膨張率が極めて小さく寸法安定性に優れているこ
と、更に化学的な耐久性に優れていることのために、Ｌ
ＳＩのフォトリソグラフィ工程等に用いられるフォトマ
スク用基板材料として最適であり、広く用いられてい
る。
【０００３】一方、近年のＬＳＩの集積度の高密度化の
進展は目ざましく、そのための加工技術の微細化への要
求・期待も大きなものがある。今後、ＤＲＡＭの集積度
として、１６Ｍ〜６４Ｍへ移行して行くにあたっては、
フォトリソグラフィ技術についても、露光波長の短波長
化や位相シフト法の実用化が焦眉の課題となっている。
進展は目ざましく、そのための加工技術の微細化への要
求・期待も大きなものがある。今後、ＤＲＡＭの集積度
として、１６Ｍ〜６４Ｍへ移行して行くにあたっては、
フォトリソグラフィ技術についても、露光波長の短波長
化や位相シフト法の実用化が焦眉の課題となっている。
【０００４】かかる背景のもと、位相シフト法の実用化
に向けては、従来にも増してより高機能で高品位なフォ
トマスクが求められており、そのための製造プロセス
も、従来の技術、すなわちスパッター法による遮光膜で
あるクロム膜の形成やフォトレジストを用いてのウエッ
ト／ドライエッチングによるパターニングといった比較
的低温度域のみのプロセスからより高温のプロセスを採
用するニーズが生じてきている。更に、マスクパターン
の超微細化に伴い、基板材料の光学的均質性についても
充分な配慮をする必要が生じている。
に向けては、従来にも増してより高機能で高品位なフォ
トマスクが求められており、そのための製造プロセス
も、従来の技術、すなわちスパッター法による遮光膜で
あるクロム膜の形成やフォトレジストを用いてのウエッ
ト／ドライエッチングによるパターニングといった比較
的低温度域のみのプロセスからより高温のプロセスを採
用するニーズが生じてきている。更に、マスクパターン
の超微細化に伴い、基板材料の光学的均質性についても
充分な配慮をする必要が生じている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
の問題点を解消し、位相シフト法や露光波長の短波長化
を実用化する上で有用な、フォトマスク基板用石英ガラ
スを提供するにある。
の問題点を解消し、位相シフト法や露光波長の短波長化
を実用化する上で有用な、フォトマスク基板用石英ガラ
スを提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解
決するべくなされたものであり、アルミニウム含有量が
５〜４０ｐｐｍ、ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、Ｏ
Ｈ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリの
含有量の総計が１ｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１８
０℃以上であることを特徴とするフォトマスク用石英ガ
ラス基板を提供するものである。
決するべくなされたものであり、アルミニウム含有量が
５〜４０ｐｐｍ、ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、Ｏ
Ｈ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリの
含有量の総計が１ｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１８
０℃以上であることを特徴とするフォトマスク用石英ガ
ラス基板を提供するものである。
【０００７】また、本発明は、上記フォトマスク用石英
ガラス基板において、基板の外径Ｄ（円形の場合はその
直径、矩形の場合は短辺の長さ）に対し、基板の面内中
心から半径Ｒ＝０．４×Ｄで囲まれる領域内の屈折率の
変動幅が３×１０-6以下であることを特徴とするフォト
マスク用石英ガラス基板を提供するものである。
ガラス基板において、基板の外径Ｄ（円形の場合はその
直径、矩形の場合は短辺の長さ）に対し、基板の面内中
心から半径Ｒ＝０．４×Ｄで囲まれる領域内の屈折率の
変動幅が３×１０-6以下であることを特徴とするフォト
マスク用石英ガラス基板を提供するものである。
【０００８】本発明者らは、高純度な合成石英ガラスの
耐熱性を、溶融石英ガラスと同等の特性とするべく、そ
の差異の原因について鋭意検討を進めてきた。その結果
特願平２−１５１６０１に示すごとく、ある特定の元
素、特に好ましくはアルミニウムの添加が極めて有効で
あることを見いだした。そして更に、詳細な検討を加え
た結果、新たに、フォトマスク用の基板材料としての使
用が有効であることを見いだした。
耐熱性を、溶融石英ガラスと同等の特性とするべく、そ
の差異の原因について鋭意検討を進めてきた。その結果
特願平２−１５１６０１に示すごとく、ある特定の元
素、特に好ましくはアルミニウムの添加が極めて有効で
あることを見いだした。そして更に、詳細な検討を加え
た結果、新たに、フォトマスク用の基板材料としての使
用が有効であることを見いだした。
【０００９】本発明において、石英ガラス基板に含有さ
れるアルミニウム含有量は５〜４０ｐｐｍの範囲である
ことが好ましい。かかる範囲よりも含有量が少ない場合
には、耐熱性の向上が果たせず、また、かかる範囲より
も含有量が多い場合でも、かかる範囲内の含有量のもの
と比べ耐熱性に変化がないことから、実用上の観点から
好ましくない。
れるアルミニウム含有量は５〜４０ｐｐｍの範囲である
ことが好ましい。かかる範囲よりも含有量が少ない場合
には、耐熱性の向上が果たせず、また、かかる範囲より
も含有量が多い場合でも、かかる範囲内の含有量のもの
と比べ耐熱性に変化がないことから、実用上の観点から
好ましくない。
【００１０】ハロゲン量は、１０ｐｐｍ以下であること
が好ましく、これを超えるハロゲンが含有される場合に
は、耐熱性が低下してしまうため好ましくない。また、
ＯＨ含有量は、１００ｐｐｍ以下であることが好まし
く、特には５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。１０
０ｐｐｍを超えるＯＨ量を含有する場合には、ハロゲン
と同じく耐熱性が低下してしまうために好ましくない。
重金属およびアルカリ含有量については、その総和が１
ｐｐｍ以下であることが好ましく、これを超えて含有す
る場合には、短波長側での分光透過率が低下するために
好ましくない。また、徐冷点とはガラスの粘度が１０13
ポイズを示す温度であるが、これは１１８０℃以上であ
ることが好ましく、かかる温度より高い徐冷点を有すれ
ば、フォトマスク作成上のプロセス温度として約１００
０℃程度を採用することが可能となり好ましい。
が好ましく、これを超えるハロゲンが含有される場合に
は、耐熱性が低下してしまうため好ましくない。また、
ＯＨ含有量は、１００ｐｐｍ以下であることが好まし
く、特には５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。１０
０ｐｐｍを超えるＯＨ量を含有する場合には、ハロゲン
と同じく耐熱性が低下してしまうために好ましくない。
重金属およびアルカリ含有量については、その総和が１
ｐｐｍ以下であることが好ましく、これを超えて含有す
る場合には、短波長側での分光透過率が低下するために
好ましくない。また、徐冷点とはガラスの粘度が１０13
ポイズを示す温度であるが、これは１１８０℃以上であ
ることが好ましく、かかる温度より高い徐冷点を有すれ
ば、フォトマスク作成上のプロセス温度として約１００
０℃程度を採用することが可能となり好ましい。
【００１１】また、通常フォトマスクの使用条件として
は、基板面内の中央部８０％程度を有効範囲とすること
から、少なくともかかる範囲においては、面内の屈折率
の変動幅が３×１０-6以下であることが好ましい。かか
る変動幅を超える場合には、マスクパターンの線幅が微
細化した場合にシャープなパターンの形成が困難となる
ために好ましくない。
は、基板面内の中央部８０％程度を有効範囲とすること
から、少なくともかかる範囲においては、面内の屈折率
の変動幅が３×１０-6以下であることが好ましい。かか
る変動幅を超える場合には、マスクパターンの線幅が微
細化した場合にシャープなパターンの形成が困難となる
ために好ましくない。
【００１２】かかる石英ガラス基板の製造方法として
は、上記の項目を満足していれば特に制約はないが、例
えば、予めガラス形成原料を加熱加水分解して得られる
石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英
ガラス体に、アルミニウム化合物を添加した後、これを
透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い
雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度
に昇温加熱して透明ガラス化して石英ガラス体とする方
法により作成することが可能である。
は、上記の項目を満足していれば特に制約はないが、例
えば、予めガラス形成原料を加熱加水分解して得られる
石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英
ガラス体に、アルミニウム化合物を添加した後、これを
透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い
雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度
に昇温加熱して透明ガラス化して石英ガラス体とする方
法により作成することが可能である。
【００１３】用いられるガラス形成原料としてはガス化
可能な原料であれば特に制限されるものではないが、Ｓ
ｉＣｌ4 ，ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＣＨ
3 ）Ｃｌ3 等の塩化物、ＳｉＦ4 、ＳｉＨＦ3 ，ＳｉＨ
2Ｆ2 等のフッ化物、ＳｉＢｒ4 ，ＳｉＨＢｒ3 等の臭
化物、ＳｉＩ4 の沃化物などのハロゲン化珪素化合物が
作業性やコストの面から好ましい。多孔質石英ガラス体
は、これらのガラス形成原料を通常の酸水素火炎中で加
水分解し、基材上に堆積させて形成される。
可能な原料であれば特に制限されるものではないが、Ｓ
ｉＣｌ4 ，ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＣＨ
3 ）Ｃｌ3 等の塩化物、ＳｉＦ4 、ＳｉＨＦ3 ，ＳｉＨ
2Ｆ2 等のフッ化物、ＳｉＢｒ4 ，ＳｉＨＢｒ3 等の臭
化物、ＳｉＩ4 の沃化物などのハロゲン化珪素化合物が
作業性やコストの面から好ましい。多孔質石英ガラス体
は、これらのガラス形成原料を通常の酸水素火炎中で加
水分解し、基材上に堆積させて形成される。
【００１４】次いで、このようにして得られた多孔質石
英ガラス体に、アルミニウム原料を含む溶液を含浸さた
後、アルミニウム含有物を多孔質体内部に析出、乾燥さ
せる。含浸液としては、例えば、塩化アルミニウム、ア
ルミニウムアルコキシド化合物のアルコール溶液等を採
用することができる。また、必要に応じ酸や揮散性のア
ルカリを析出のための触媒として添加してもよい。この
ような方法によるアルミニウムの添加の場合、アルミニ
ウムの溶液濃度により、添加量のコントロールが可能で
ある。勿論、このような方法を採用する代わりに、多孔
質体を堆積させる際の原料ガス中にアルミニウム化合物
を添加してもよい。
英ガラス体に、アルミニウム原料を含む溶液を含浸さた
後、アルミニウム含有物を多孔質体内部に析出、乾燥さ
せる。含浸液としては、例えば、塩化アルミニウム、ア
ルミニウムアルコキシド化合物のアルコール溶液等を採
用することができる。また、必要に応じ酸や揮散性のア
ルカリを析出のための触媒として添加してもよい。この
ような方法によるアルミニウムの添加の場合、アルミニ
ウムの溶液濃度により、添加量のコントロールが可能で
ある。勿論、このような方法を採用する代わりに、多孔
質体を堆積させる際の原料ガス中にアルミニウム化合物
を添加してもよい。
【００１５】このようにして得られたアルミニウム化合
物を含む多孔質石英ガラス体は、ついで低水蒸気分圧雰
囲気下で一定時間加熱保持された後、透明ガラス化温度
まで昇温されて透明ガラス化して石英ガラスとなる。す
なわち、例えば、多孔質体は雰囲気制御可能な電気炉内
に予め装着された後、一定の昇温速度で加熱される。つ
いで所定の温度に到達の後、乾燥ガスを雰囲気中に導入
し、多孔質体が接する雰囲気を置換することにより雰囲
気中の水蒸気分圧を所定値以下に低減する。その水蒸気
分圧としては、０．００２ｍｍＨｇ以下であることが好
ましく、これを超える場合には最終的に得られる石英ガ
ラス中のＯＨ量を低減させることが困難なため好ましく
ない。
物を含む多孔質石英ガラス体は、ついで低水蒸気分圧雰
囲気下で一定時間加熱保持された後、透明ガラス化温度
まで昇温されて透明ガラス化して石英ガラスとなる。す
なわち、例えば、多孔質体は雰囲気制御可能な電気炉内
に予め装着された後、一定の昇温速度で加熱される。つ
いで所定の温度に到達の後、乾燥ガスを雰囲気中に導入
し、多孔質体が接する雰囲気を置換することにより雰囲
気中の水蒸気分圧を所定値以下に低減する。その水蒸気
分圧としては、０．００２ｍｍＨｇ以下であることが好
ましく、これを超える場合には最終的に得られる石英ガ
ラス中のＯＨ量を低減させることが困難なため好ましく
ない。
【００１６】また加熱保持する温度域としては、８００
〜１２５０℃の範囲内が好ましく、この温度域より低い
温度では実質的な効果が得られず、またこの温度域より
高い温度では多孔質体の表面のガラス化が進行するた
め、多孔質体内部を所望の低水蒸気分圧雰囲気に置換す
ることができず好ましくない。また、この温度域であれ
ば、加熱処理の方法としては、一定温度に保持しても良
く、またこの温度域内を所定の時間の範囲内で昇温させ
ながら処理しても良い。またこの温度域での保持時間
は、保持温度に依存するため一概に規定することはでき
ないが１〜３０時間程度が好ましく、これより短い場合
には実質的な効果がなく、またこれより長時間かけた場
合にもその効果は変わらないために生産効率等を考慮に
入れると好ましくない。
〜１２５０℃の範囲内が好ましく、この温度域より低い
温度では実質的な効果が得られず、またこの温度域より
高い温度では多孔質体の表面のガラス化が進行するた
め、多孔質体内部を所望の低水蒸気分圧雰囲気に置換す
ることができず好ましくない。また、この温度域であれ
ば、加熱処理の方法としては、一定温度に保持しても良
く、またこの温度域内を所定の時間の範囲内で昇温させ
ながら処理しても良い。またこの温度域での保持時間
は、保持温度に依存するため一概に規定することはでき
ないが１〜３０時間程度が好ましく、これより短い場合
には実質的な効果がなく、またこれより長時間かけた場
合にもその効果は変わらないために生産効率等を考慮に
入れると好ましくない。
【００１７】また、乾燥ガスとしては、窒素、ヘリウ
ム、アルゴン等を通常用いることができるが、乾燥ガス
として使用できれば必ずしもこれらのガスに限定される
ものではない。ついでこのような加熱処理の後、多孔質
ガラス体はガラス化温度まで昇温されてガラス化され
る。ガラス化温度としては、１３５０〜１５００℃の範
囲から採用することが好ましい。更に、加熱処理とガラ
ス化処理は、それぞれ別の加熱装置で行われてもかまわ
ないが、その場合には、移送時に水分が吸着したりする
ことを防止する等の処置を講じることが好ましい。した
がって、さらに好ましい実施態様としては、加熱処理と
ガラス化を同一の設備で行うことが好ましい。
ム、アルゴン等を通常用いることができるが、乾燥ガス
として使用できれば必ずしもこれらのガスに限定される
ものではない。ついでこのような加熱処理の後、多孔質
ガラス体はガラス化温度まで昇温されてガラス化され
る。ガラス化温度としては、１３５０〜１５００℃の範
囲から採用することが好ましい。更に、加熱処理とガラ
ス化処理は、それぞれ別の加熱装置で行われてもかまわ
ないが、その場合には、移送時に水分が吸着したりする
ことを防止する等の処置を講じることが好ましい。した
がって、さらに好ましい実施態様としては、加熱処理と
ガラス化を同一の設備で行うことが好ましい。
【００１８】こうして得られた石英ガラス体を軟化点以
上の温度に加熱し、所望の形状に成形加工を行い石英ガ
ラスインゴットを製造する。成形加工の温度域は、１６
５０〜１８００℃の範囲から選択することが好ましい。
１６５０℃より低い温度では石英ガラスの粘度が高いた
め、実質的に自重変形が行われず、またＳｉ０2 の結晶
相であるクリストバライトの成長がおこりいわゆる失透
が生じるため好ましくなく、１８００℃より高い温度で
は、ＳｉＯ2 の昇華が無視できなくなり好ましくない。
また、石英ガラス体の自重変形を行わせる方向は、特に
規定されないが多孔質ガラス体の成長方向と同一である
ことが好ましい。
上の温度に加熱し、所望の形状に成形加工を行い石英ガ
ラスインゴットを製造する。成形加工の温度域は、１６
５０〜１８００℃の範囲から選択することが好ましい。
１６５０℃より低い温度では石英ガラスの粘度が高いた
め、実質的に自重変形が行われず、またＳｉ０2 の結晶
相であるクリストバライトの成長がおこりいわゆる失透
が生じるため好ましくなく、１８００℃より高い温度で
は、ＳｉＯ2 の昇華が無視できなくなり好ましくない。
また、石英ガラス体の自重変形を行わせる方向は、特に
規定されないが多孔質ガラス体の成長方向と同一である
ことが好ましい。
【００１９】こうして得られる石英ガラスインゴット
は、さらに研削加工、スライス加工、研磨加工を経て、
基板とされる。以上のような工程を経て得られる石英ガ
ラスは、石英ガラス中に含有されるアルミニウム量が５
〜４０ｐｐｍ、ハロゲン量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ量が
１００ｐｐｍ以下となり、該ガラス中のＯＨ量の変動幅
はほとんどの領域において±５ｐｐｍ以内であり均質性
に優れる石英ガラスである。また、本発明の石英ガラス
は、鉄、ニッケル等の重金属元素やナトリウム、カリウ
ム等のアルカリ金属元素の不純物総量が１ｐｐｍ以下と
極めて高純度であり、可視紫外域での分光透過率も優れ
ている。
は、さらに研削加工、スライス加工、研磨加工を経て、
基板とされる。以上のような工程を経て得られる石英ガ
ラスは、石英ガラス中に含有されるアルミニウム量が５
〜４０ｐｐｍ、ハロゲン量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ量が
１００ｐｐｍ以下となり、該ガラス中のＯＨ量の変動幅
はほとんどの領域において±５ｐｐｍ以内であり均質性
に優れる石英ガラスである。また、本発明の石英ガラス
は、鉄、ニッケル等の重金属元素やナトリウム、カリウ
ム等のアルカリ金属元素の不純物総量が１ｐｐｍ以下と
極めて高純度であり、可視紫外域での分光透過率も優れ
ている。
【００２０】以下、本発明の詳細についてさらに実施例
により説明するが、当然のことながら本発明の内容はこ
れら実施例に限定されるものではない。
により説明するが、当然のことながら本発明の内容はこ
れら実施例に限定されるものではない。
【００２１】
【実施例】公知の方法により、ＳｉＣｌ4 を酸水素火炎
中で加熱加水分解させて形成された直径３５ｃｍ，長さ
１００ｃｍの多孔質石英ガラス体を１２００℃で仮焼成
し、密度を整えた後、これに無水塩化アルミニウムの
０．００５重量％エチルアルコール溶液を減圧含浸し
た。ついで、これを室温の飽和蒸気圧の水分を含む空気
を導入しながら１００℃で５時間保持した後、乾燥し
た。ついで雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つい
で露点温度−７０℃の窒素ガスで電気炉内雰囲気を置換
した後、露点温度−７０℃の窒素ガスを流しながら５０
０℃／ｈｒの昇温速度で１０００℃まで昇温した。
中で加熱加水分解させて形成された直径３５ｃｍ，長さ
１００ｃｍの多孔質石英ガラス体を１２００℃で仮焼成
し、密度を整えた後、これに無水塩化アルミニウムの
０．００５重量％エチルアルコール溶液を減圧含浸し
た。ついで、これを室温の飽和蒸気圧の水分を含む空気
を導入しながら１００℃で５時間保持した後、乾燥し
た。ついで雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つい
で露点温度−７０℃の窒素ガスで電気炉内雰囲気を置換
した後、露点温度−７０℃の窒素ガスを流しながら５０
０℃／ｈｒの昇温速度で１０００℃まで昇温した。
【００２２】引き続き昇温速度を５０℃／ｈｒとし、１
２５０℃まで昇温して、その温度で１０ｈｒ保持した。
こうして得られた熱処理済みの多孔質石英ガラス体を透
明ガラス化のための炉内最高温度が１４５０℃に制御さ
れた電気炉内上部に設置し、炉内を露点温度が−７０℃
のヘリウムガスで置換した後、８０ｃｍ／ｈｒの速度で
下降させながら最高温度域を通過させて透明ガラス化を
行った。こうして得られた透明石英ガラスを、カーボン
製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７５０℃
に加熱して自重変形を行わせ、１７０φ×４００ｍｍの
円柱インゴット形状に成形した。こうして得られた石英
ガラスインゴットの長手方向の中心部より、１７０φ×
５７ｍｍの石英ガラスインゴットを切り出し、形状を揃
えるために円筒研削を行い、１６０φとした後、精密干
渉計（ＺｙｇｏIV）により屈折率分布を評価した。
２５０℃まで昇温して、その温度で１０ｈｒ保持した。
こうして得られた熱処理済みの多孔質石英ガラス体を透
明ガラス化のための炉内最高温度が１４５０℃に制御さ
れた電気炉内上部に設置し、炉内を露点温度が−７０℃
のヘリウムガスで置換した後、８０ｃｍ／ｈｒの速度で
下降させながら最高温度域を通過させて透明ガラス化を
行った。こうして得られた透明石英ガラスを、カーボン
製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７５０℃
に加熱して自重変形を行わせ、１７０φ×４００ｍｍの
円柱インゴット形状に成形した。こうして得られた石英
ガラスインゴットの長手方向の中心部より、１７０φ×
５７ｍｍの石英ガラスインゴットを切り出し、形状を揃
えるために円筒研削を行い、１６０φとした後、精密干
渉計（ＺｙｇｏIV）により屈折率分布を評価した。
【００２３】またＯＨ量分布は、１７０φ×４００ｍｍ
石英ガラスインゴットより屈折率分布を評価した部分の
すぐ隣の場所より、２ｍｍ厚みのガラス板を切り出し日
本分光社製簡易ＦＴＩＲ装置により３７００ｃｍ-1の吸
収により定量した。Ｃｌ含有量は得られた石英ガラスを
アルカリ溶融したのち、イオンクロマトグラフィー法に
より定量した。また、アルミニウム含有量は得られた石
英ガラスをフッ酸洗浄後、フッ分解し原子吸光法により
定量した。また、徐冷点は、サンプルサイズ２．４ｍｍ
×５ｍｍ×６０ｍｍのサンプルを切り出し、スパン５２
ｍｍで、ビームベンディング法により測定した。結果を
表１に示す。
石英ガラスインゴットより屈折率分布を評価した部分の
すぐ隣の場所より、２ｍｍ厚みのガラス板を切り出し日
本分光社製簡易ＦＴＩＲ装置により３７００ｃｍ-1の吸
収により定量した。Ｃｌ含有量は得られた石英ガラスを
アルカリ溶融したのち、イオンクロマトグラフィー法に
より定量した。また、アルミニウム含有量は得られた石
英ガラスをフッ酸洗浄後、フッ分解し原子吸光法により
定量した。また、徐冷点は、サンプルサイズ２．４ｍｍ
×５ｍｍ×６０ｍｍのサンプルを切り出し、スパン５２
ｍｍで、ビームベンディング法により測定した。結果を
表１に示す。
【００２４】
【比較例】アルミニウムの添加をせず、１２５０℃での
熱処理を行わなかった他は、実施例と同一の方法で石英
ガラスインゴットを作製した。その屈折率分布、ＯＨ量
分布幅、Ｃｌ含有量、および徐冷点を表１に示す。
熱処理を行わなかった他は、実施例と同一の方法で石英
ガラスインゴットを作製した。その屈折率分布、ＯＨ量
分布幅、Ｃｌ含有量、および徐冷点を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】上記したように、本発明のフォトマスク
用高耐熱性石英ガラス基板は、徐冷点が高く耐熱性が高
い優れた特徴を有する。また、光学的均質性にも優れた
特徴を有する。
用高耐熱性石英ガラス基板は、徐冷点が高く耐熱性が高
い優れた特徴を有する。また、光学的均質性にも優れた
特徴を有する。
Claims (2)
- 【請求項１】アルミニウム含有量が５〜４０ｐｐｍ、ハ
ロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐ
ｐｍ以下、重金属およびアルカリの含有量の総計が１ｐ
ｐｍ以下であって、徐冷点が１１８０℃以上であること
を特徴とするフォトマスク用石英ガラス基板。 - 【請求項２】請求項１記載のフォトマスク用石英ガラス
基板において、基板の外径Ｄ（円形の場合はその直径、
矩形の場合は短辺の長さ）に対し、基板の面内中心から
半径Ｒ＝０．４×Ｄで囲まれる領域内の屈折率の変動幅
が３×１０-6以下であることを特徴とするフォトマスク
用石英ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32715291A JPH05139778A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | フオトマスク用高耐熱性石英ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32715291A JPH05139778A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | フオトマスク用高耐熱性石英ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05139778A true JPH05139778A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=18195894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32715291A Withdrawn JPH05139778A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | フオトマスク用高耐熱性石英ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05139778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515192A (ja) * | 1999-11-15 | 2003-04-22 | コーニング インコーポレイテッド | フォトリソグラフィ方法、フォトリソグラフィマスクブランク及び作成方法 |
| WO2019043845A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 日本碍子株式会社 | 透明封止部材 |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP32715291A patent/JPH05139778A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515192A (ja) * | 1999-11-15 | 2003-04-22 | コーニング インコーポレイテッド | フォトリソグラフィ方法、フォトリソグラフィマスクブランク及び作成方法 |
| WO2019043845A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 日本碍子株式会社 | 透明封止部材 |
| JPWO2019043845A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2020-08-06 | 日本碍子株式会社 | 透明封止部材 |
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