JPH0513291A - ウエハプロセス処理制御方法 - Google Patents
ウエハプロセス処理制御方法Info
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- JPH0513291A JPH0513291A JP16167191A JP16167191A JPH0513291A JP H0513291 A JPH0513291 A JP H0513291A JP 16167191 A JP16167191 A JP 16167191A JP 16167191 A JP16167191 A JP 16167191A JP H0513291 A JPH0513291 A JP H0513291A
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- wafer
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- wafer processing
- carrier
- processing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハプロセス処理制御方法に関し、特に、半
導体ウエハプロセス工場において処理装置の最適制御の
ために、ウエハの実際の処理結果に基づいて、ウエハ処
理装置の処理条件を設定するようなウエハプロセス処理
の制御方法の提供を目的とする。 【構成】データ保持手段２ａ，２ｂを有するウエハキャ
リア１ａ，１ｂと、データ読み出し装置４ａを有するウ
エハ処理装置３ａと、データ読み出し／書き込み装置６
ａ，６ｂを有する測定装置５ａ，５ｂと、該測定装置５
ａから転送されたウエハ処理結果データＤｃ１をデータ
処理し、該データ処理結果に基づき次のウエハ処理条件
データＤａ２を測定装置５ｂに転送するコンピューター
７とを有することを含み構成する。
導体ウエハプロセス工場において処理装置の最適制御の
ために、ウエハの実際の処理結果に基づいて、ウエハ処
理装置の処理条件を設定するようなウエハプロセス処理
の制御方法の提供を目的とする。 【構成】データ保持手段２ａ，２ｂを有するウエハキャ
リア１ａ，１ｂと、データ読み出し装置４ａを有するウ
エハ処理装置３ａと、データ読み出し／書き込み装置６
ａ，６ｂを有する測定装置５ａ，５ｂと、該測定装置５
ａから転送されたウエハ処理結果データＤｃ１をデータ
処理し、該データ処理結果に基づき次のウエハ処理条件
データＤａ２を測定装置５ｂに転送するコンピューター
７とを有することを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハプロセス処理制
御方法に関するものであり、更に詳しく言えば、半導体
ウエハプロセスにおいてウエハの最適処理のための、ウ
エハプロセス処理の制御方法に関する。
御方法に関するものであり、更に詳しく言えば、半導体
ウエハプロセスにおいてウエハの最適処理のための、ウ
エハプロセス処理の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ここで、従来のウエハプロセス処理制御
方法について図を参照しつつ説明する。
方法について図を参照しつつ説明する。
【０００３】図４は、従来例に係るウエハプロセス処理
制御方法の説明図を示している。ウエハプロセス処理制
御方法のシステムは、ウエハを運搬するウエハキャリア
21と、該ウエハキャリア21に組み込まれ、ウエハキャリ
ア21の識別データＤｉが書き込まれた磁気カード22と、
ウエハ処理装置23に組み込まれ、上記磁気カード22の識
別データＤｉを読み取る磁気カードリーダ24とからな
る。
制御方法の説明図を示している。ウエハプロセス処理制
御方法のシステムは、ウエハを運搬するウエハキャリア
21と、該ウエハキャリア21に組み込まれ、ウエハキャリ
ア21の識別データＤｉが書き込まれた磁気カード22と、
ウエハ処理装置23に組み込まれ、上記磁気カード22の識
別データＤｉを読み取る磁気カードリーダ24とからな
る。
【０００４】なお、識別データＤｉの書き込みは、予
め、データ書き込み装置によってなされる。このような
システムを用いたウエハプロセス処理制御方法は、まず
ウエハキャリア21をウエハ処理装置23にセットする。次
に上記ウエハキャリア21に組み込まれている磁気カード
22の識別データＤｉを上記磁気カードリーダ24が読み取
り、上記識別データＤｉに基づいて上記ウエハキャリア
21の識別をなしたのちに、上記ウエハ処理装置23が、予
め設定された一定の処理条件で上記ウエハキャリア21内
のウエハの処理を行う。
め、データ書き込み装置によってなされる。このような
システムを用いたウエハプロセス処理制御方法は、まず
ウエハキャリア21をウエハ処理装置23にセットする。次
に上記ウエハキャリア21に組み込まれている磁気カード
22の識別データＤｉを上記磁気カードリーダ24が読み取
り、上記識別データＤｉに基づいて上記ウエハキャリア
21の識別をなしたのちに、上記ウエハ処理装置23が、予
め設定された一定の処理条件で上記ウエハキャリア21内
のウエハの処理を行う。
【０００５】その後、別のウエハキャリアについても、
識別データに対応して同じ条件で順次ウエハの処理を行
う。
識別データに対応して同じ条件で順次ウエハの処理を行
う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例によると、磁気
カード22の有するデータは読み出し専用であり、磁気カ
ード22には、随時、データを自由かつ簡単に書き込むこ
とができない。
カード22の有するデータは読み出し専用であり、磁気カ
ード22には、随時、データを自由かつ簡単に書き込むこ
とができない。
【０００７】このため、実際のウエハ処理結果のデータ
などを上記磁気カード22に入力することができない。従
って、ウエハの処理中に逐次発生するウエハ処理結果の
データなどを基にして更に適切なウエハ処理条件を算出
し、その条件によって次のロットを処理することが不可
能である。
などを上記磁気カード22に入力することができない。従
って、ウエハの処理中に逐次発生するウエハ処理結果の
データなどを基にして更に適切なウエハ処理条件を算出
し、その条件によって次のロットを処理することが不可
能である。
【０００８】従って、最初に意図していたウエハ処理結
果と、実際のウエハ処理結果に差異があったようなと
き、例えば、薄膜形成処理において、膜厚を3000Åにし
たいのに、実際には2500Åしかなかったようなときなど
に、温度その他のウエハ処理条件をより適切なウエハ処
理条件になるように再設定して、その条件に基づいて次
のロットの処理に移ることができないという問題があ
る。
果と、実際のウエハ処理結果に差異があったようなと
き、例えば、薄膜形成処理において、膜厚を3000Åにし
たいのに、実際には2500Åしかなかったようなときなど
に、温度その他のウエハ処理条件をより適切なウエハ処
理条件になるように再設定して、その条件に基づいて次
のロットの処理に移ることができないという問題があ
る。
【０００９】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
て創作されたものであり、ウエハ処理結果のデータに基
づいてより適切なウエハの処理条件に逐次再設定するこ
とにより、ウエハ処理を常に最適条件のもとに行うこと
ができるウエハプロセス処理制御方法の提供を目的とす
る。
て創作されたものであり、ウエハ処理結果のデータに基
づいてより適切なウエハの処理条件に逐次再設定するこ
とにより、ウエハ処理を常に最適条件のもとに行うこと
ができるウエハプロセス処理制御方法の提供を目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハプロセス
処理制御方法によれば、第１に、データ保持手段２ａ，
２ｂを有するウエハキャリア１ａ，１ｂと、データ読み
出し装置４ａを有するウエハ処理装置３ａと、データ読
み出し／書き込み装置６ａ，６ｂを有する測定装置５
ａ，５ｂと、該測定装置５ａから転送されたウエハ処理
結果データＤｃ１をデータ処理し、該データ処理結果に
基づき次のウエハ処理条件データＤａ２を前記測定装置
５ｂに転送するコンピューター７とを有し、ウエハ処理
装置３ａのデータ読み出し装置４ａがウエハキャリア１
ａのデータ保持手段２ａ，２ｂ内のウエハ処理条件デー
タＤａ１を読み取り、該ウエハ処理条件データＤａ１に
基づいてウエハキャリア１ａ内のウエハの処理を行い、
ウエハ処理後、該ウエハを載せて上記ウエハキャリア１
ａが測定装置５ａに移動し、該測定装置５ａが処理後の
ウエハ処理状態を測定し、該測定の結果得られたウエハ
処理結果データＤｃ１と上記ウエハ処理条件データＤａ
１とをコンピューター７に転送し、上記コンピューター
７がウエハ処理結果データＤｃ１と上記ウエハ処理条件
データＤａ１とを演算処理して、より適切なウエハ処理
条件データＤａ２を設定した後、該ウエハ処理条件デー
タＤａ２を測定装置５ｂのデータ読み出し／書き込み装
置６ｂに転送し、次に処理を行うウエハを有するウエハ
キャリア１ｂは上記測定装置５ｂに移動し、データ読み
出し／書き込み装置６ｂを介してウエハキャリア１ｂの
データ保持手段２ｂに該測定装置５ｂから適正なウエハ
処理条件データＤａ２を書き込ませた後、ウエハ処理装
置３ａに移動して次のウエハ処理を行うことを特徴と
し、第２に、上記のデータ保持手段２ａ，２ｂは、読み
出し／書き込み可能なＩＣカードであることを特徴と
し、上記目的を達成する。
処理制御方法によれば、第１に、データ保持手段２ａ，
２ｂを有するウエハキャリア１ａ，１ｂと、データ読み
出し装置４ａを有するウエハ処理装置３ａと、データ読
み出し／書き込み装置６ａ，６ｂを有する測定装置５
ａ，５ｂと、該測定装置５ａから転送されたウエハ処理
結果データＤｃ１をデータ処理し、該データ処理結果に
基づき次のウエハ処理条件データＤａ２を前記測定装置
５ｂに転送するコンピューター７とを有し、ウエハ処理
装置３ａのデータ読み出し装置４ａがウエハキャリア１
ａのデータ保持手段２ａ，２ｂ内のウエハ処理条件デー
タＤａ１を読み取り、該ウエハ処理条件データＤａ１に
基づいてウエハキャリア１ａ内のウエハの処理を行い、
ウエハ処理後、該ウエハを載せて上記ウエハキャリア１
ａが測定装置５ａに移動し、該測定装置５ａが処理後の
ウエハ処理状態を測定し、該測定の結果得られたウエハ
処理結果データＤｃ１と上記ウエハ処理条件データＤａ
１とをコンピューター７に転送し、上記コンピューター
７がウエハ処理結果データＤｃ１と上記ウエハ処理条件
データＤａ１とを演算処理して、より適切なウエハ処理
条件データＤａ２を設定した後、該ウエハ処理条件デー
タＤａ２を測定装置５ｂのデータ読み出し／書き込み装
置６ｂに転送し、次に処理を行うウエハを有するウエハ
キャリア１ｂは上記測定装置５ｂに移動し、データ読み
出し／書き込み装置６ｂを介してウエハキャリア１ｂの
データ保持手段２ｂに該測定装置５ｂから適正なウエハ
処理条件データＤａ２を書き込ませた後、ウエハ処理装
置３ａに移動して次のウエハ処理を行うことを特徴と
し、第２に、上記のデータ保持手段２ａ，２ｂは、読み
出し／書き込み可能なＩＣカードであることを特徴と
し、上記目的を達成する。
【００１１】
【作 用】本発明のウエハプロセス処理制御方法によれ
ば、ウエハキャリア１ａ，１ｂがデータの読み書き可能
なデータ保持手段２ａ，２ｂを具備している。
ば、ウエハキャリア１ａ，１ｂがデータの読み書き可能
なデータ保持手段２ａ，２ｂを具備している。
【００１２】このため、上記データ保持手段２ａ，２ｂ
からウエハの処理中に逐次発生するウエハ処理結果のデ
ータやウエハ処理条件のデータなどを読み出したり、あ
るいは上記データ保持手段２ａ，２ｂに上記ウエハ処理
結果のデータやウエハ処理条件のデータを書き込んだり
することが可能になる。
からウエハの処理中に逐次発生するウエハ処理結果のデ
ータやウエハ処理条件のデータなどを読み出したり、あ
るいは上記データ保持手段２ａ，２ｂに上記ウエハ処理
結果のデータやウエハ処理条件のデータを書き込んだり
することが可能になる。
【００１３】また、ウエハ処理後に、該ウエハを載せて
上記ウエハキャリア１ａが測定装置５ａに移動し、該測
定装置５ａが処理後のウエハ処理状態を測定し、該測定
によって得られたウエハ処理結果データＤｃ１と上記ウ
エハ処理条件データＤａ１とをコンピューター７に転送
している。
上記ウエハキャリア１ａが測定装置５ａに移動し、該測
定装置５ａが処理後のウエハ処理状態を測定し、該測定
によって得られたウエハ処理結果データＤｃ１と上記ウ
エハ処理条件データＤａ１とをコンピューター７に転送
している。
【００１４】このため、転送されてきた上記ウエハ処理
条件データＤａ１とウエハ処理結果データＤｃ１とをコ
ンピューター７によって演算処理することにより、より
適切なウエハ処理条件データＤａ２を算出することが可
能になる。
条件データＤａ１とウエハ処理結果データＤｃ１とをコ
ンピューター７によって演算処理することにより、より
適切なウエハ処理条件データＤａ２を算出することが可
能になる。
【００１５】また、上記コンピューター７が、より適切
なウエハ処理条件データＤａ２を算出した後、該ウエハ
処理条件データＤａ２を測定装置５ｂのデータ読み出し
／書き込み装置６ｂに転送し、該データ読み出し／書き
込み装置６ｂを介してウエハキャリア１ｂのデータ保持
手段２ｂに測定装置５ｂから適正なウエハ処理条件デー
タＤａ２を読み込ませている。
なウエハ処理条件データＤａ２を算出した後、該ウエハ
処理条件データＤａ２を測定装置５ｂのデータ読み出し
／書き込み装置６ｂに転送し、該データ読み出し／書き
込み装置６ｂを介してウエハキャリア１ｂのデータ保持
手段２ｂに測定装置５ｂから適正なウエハ処理条件デー
タＤａ２を読み込ませている。
【００１６】このため、ウエハキャリア１ｂのデータ保
持手段２ｂには以前よりも更に適切なウエハ処理条件デ
ータＤａ２が書き込まれており、上記データ保持手段２
ｂはウエハキャリア１ｂと一体になって移動するので、
ウエハキャリア１ｂが次の処理のためにウエハ処理装置
３ａに移動するとともに上記ウエハ処理条件データＤａ
２の搬送がされ、データ読み出し装置４ａを通じてウエ
ハ処理装置３ａが上記ウエハ処理条件データＤａ２を新
たに読みこむことが出来る。
持手段２ｂには以前よりも更に適切なウエハ処理条件デ
ータＤａ２が書き込まれており、上記データ保持手段２
ｂはウエハキャリア１ｂと一体になって移動するので、
ウエハキャリア１ｂが次の処理のためにウエハ処理装置
３ａに移動するとともに上記ウエハ処理条件データＤａ
２の搬送がされ、データ読み出し装置４ａを通じてウエ
ハ処理装置３ａが上記ウエハ処理条件データＤａ２を新
たに読みこむことが出来る。
【００１７】以上により、最初のウエハ処理条件Ｄａ１
よりも適切なウエハ処理条件データＤａ２に基づいて、
次のウエハの処理をすることが可能になり、回を重ねる
ことにより、ほぼ最適なウエハ処理条件を求めることが
可能になる。
よりも適切なウエハ処理条件データＤａ２に基づいて、
次のウエハの処理をすることが可能になり、回を重ねる
ことにより、ほぼ最適なウエハ処理条件を求めることが
可能になる。
【００１８】
【実施例】次に本発明の実施例を図を参照しながら説明
する。図１，図２は本発明の実施例に係るウエハプロセ
ス処理方法のフローチャートであり、図３は本発明の実
施例に係るウエハプロセス処理方法の説明図である。
する。図１，図２は本発明の実施例に係るウエハプロセ
ス処理方法のフローチャートであり、図３は本発明の実
施例に係るウエハプロセス処理方法の説明図である。
【００１９】なお、本実施例においては、薄膜形成処理
を例にしている。図３において、本発明の実施例に係る
ウエハプロセス処理方法のシステムは、以下の構成によ
りなる。
を例にしている。図３において、本発明の実施例に係る
ウエハプロセス処理方法のシステムは、以下の構成によ
りなる。
【００２０】即ち、１ａ，１ｂはウエハを運搬するウエ
ハキャリアであり、２ａ，２ｂはウエハキャリア１ａ，
１ｂに設置され、該ウエハキャリア１ａ，１ｂとともに
移動するＩＣカードである。このＩＣカード２ａ，２ｂ
はデータの読み出しと書き込みが可能である。又、３ａ
はウエハを処理するウエハ処理装置であり、４ａはＩＣ
カードリーダである。該ＩＣカードリーダ４ａは上記ウ
エハ処理装置３ａ内に組み込まれており、ＩＣカード２
ａ，２ｂのデータを読み出す。
ハキャリアであり、２ａ，２ｂはウエハキャリア１ａ，
１ｂに設置され、該ウエハキャリア１ａ，１ｂとともに
移動するＩＣカードである。このＩＣカード２ａ，２ｂ
はデータの読み出しと書き込みが可能である。又、３ａ
はウエハを処理するウエハ処理装置であり、４ａはＩＣ
カードリーダである。該ＩＣカードリーダ４ａは上記ウ
エハ処理装置３ａ内に組み込まれており、ＩＣカード２
ａ，２ｂのデータを読み出す。
【００２１】更に、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは実際のウ
エハの処理状態を測定する測定装置であり、６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄはＩＣカードリーダである。該ＩＣカー
ドリーダ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは測定装置５ａ，５
ｂ，５ｃ，５ｄ内にそれぞれ組み込まれ、ＩＣカード２
ａ，２ｂにデータを書き込んだり、読み出したりする。
エハの処理状態を測定する測定装置であり、６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄはＩＣカードリーダである。該ＩＣカー
ドリーダ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは測定装置５ａ，５
ｂ，５ｃ，５ｄ内にそれぞれ組み込まれ、ＩＣカード２
ａ，２ｂにデータを書き込んだり、読み出したりする。
【００２２】又、７はコンピューターであり、転送され
たデータを演算処理し、より適切なウエハ処理条件デー
タを設定し、次に処理を行うウエハを保持するウエハキ
ャリアを探し出し、該ウエハキャリアのＩＣカードに上
記のより適切なウエハ処理条件データを転送している。
以上により本発明の実施例に係るウエハプロセス処理方
法のシステムが構成される。
たデータを演算処理し、より適切なウエハ処理条件デー
タを設定し、次に処理を行うウエハを保持するウエハキ
ャリアを探し出し、該ウエハキャリアのＩＣカードに上
記のより適切なウエハ処理条件データを転送している。
以上により本発明の実施例に係るウエハプロセス処理方
法のシステムが構成される。
【００２３】次に、図１，図２を参照しながら本発明の
実施例に係るウエハプロセス処理方法の動作を説明す
る。図１，図２は本発明の実施例に係るウエハプロセス
処理方法のフローチャートである。
実施例に係るウエハプロセス処理方法の動作を説明す
る。図１，図２は本発明の実施例に係るウエハプロセス
処理方法のフローチャートである。
【００２４】まず、ウエハキャリア１ａの具備するＩＣ
カード２ａに、例えばＣＶＤ法を用いて温度500 ℃の条
件で、3000ÅのSiO2膜を形成するといったような、ウエ
ハ処理条件データＤａ１を入力し、入力後にウエハキャ
リア１ａをウエハ処理装置３ａに移動する。
カード２ａに、例えばＣＶＤ法を用いて温度500 ℃の条
件で、3000ÅのSiO2膜を形成するといったような、ウエ
ハ処理条件データＤａ１を入力し、入力後にウエハキャ
リア１ａをウエハ処理装置３ａに移動する。
【００２５】上記ウエハ処理装置３ａのＩＣカードリー
ダ４ａは、上記ウエハ処理条件データＤａ１を読み出
し、それに基づいて上記ウエハ処理装置３ａのウエハ処
理条件の設定が行われる。
ダ４ａは、上記ウエハ処理条件データＤａ１を読み出
し、それに基づいて上記ウエハ処理装置３ａのウエハ処
理条件の設定が行われる。
【００２６】次に、図１に示すように、上記ウエハ処理
装置３ａがウエハ処理条件データＤａ１に基づいてウエ
ハの薄膜形成処理を行う（Ｐ１）。次いで、上記ウエハ
キャリア１ａは、ウエハ処理結果、例えば実際の膜厚が
何Åであるかを測定するために、測定装置５ａに移動す
る（Ｐ２）。
装置３ａがウエハ処理条件データＤａ１に基づいてウエ
ハの薄膜形成処理を行う（Ｐ１）。次いで、上記ウエハ
キャリア１ａは、ウエハ処理結果、例えば実際の膜厚が
何Åであるかを測定するために、測定装置５ａに移動す
る（Ｐ２）。
【００２７】更に、上記測定装置５ａに内蔵されるデー
タ読み出し／書き込み装置６ａが、上記ＩＣカード２ａ
からウエハ処理条件データＤａ１を読み出し（Ｐ３）、
実際の膜厚の測定を行う。この測定により、実際の膜厚
は2500Åであったといったようなウエハ処理結果データ
Ｄｃ１が得られる（Ｐ４）。
タ読み出し／書き込み装置６ａが、上記ＩＣカード２ａ
からウエハ処理条件データＤａ１を読み出し（Ｐ３）、
実際の膜厚の測定を行う。この測定により、実際の膜厚
は2500Åであったといったようなウエハ処理結果データ
Ｄｃ１が得られる（Ｐ４）。
【００２８】次に、上記測定装置５ａの、データ読み出
し／書き込み装置６ａから、上記データＤａ１及びＤｃ
１がコンピューター７に転送される（Ｐ５）。更に、図
２に示すように、上記コンピューター７は、上記データ
Ｄａ１及びＤｃ１を演算処理することにより、当初予定
していた膜厚の形成を実現するためにより適切と思われ
るウエハ処理条件データＤａ２を算出する（Ｐ６）。
し／書き込み装置６ａから、上記データＤａ１及びＤｃ
１がコンピューター７に転送される（Ｐ５）。更に、図
２に示すように、上記コンピューター７は、上記データ
Ｄａ１及びＤｃ１を演算処理することにより、当初予定
していた膜厚の形成を実現するためにより適切と思われ
るウエハ処理条件データＤａ２を算出する（Ｐ６）。
【００２９】次いで、上記コンピューター７は、次にウ
エハ処理装置３ａに向かうウエハキャリア１ｂを探し出
し、該ウエハキャリア１ｂがセットされている測定装置
５ｂのＩＣカードリーダ６ｂに上記ウエハ処理条件デー
タＤａ２を転送する（Ｐ７）。
エハ処理装置３ａに向かうウエハキャリア１ｂを探し出
し、該ウエハキャリア１ｂがセットされている測定装置
５ｂのＩＣカードリーダ６ｂに上記ウエハ処理条件デー
タＤａ２を転送する（Ｐ７）。
【００３０】更に、上記ＩＣカードリーダ６ｂはウエハ
キャリア１ｂに付属するＩＣカード２ｂにウエハ処理条
件データＤａ２を書き込み（Ｐ８）、書き込んだ後に上
記ウエハキャリア１ｂはウエハ処理装置３ａに移動する
（Ｐ９）。
キャリア１ｂに付属するＩＣカード２ｂにウエハ処理条
件データＤａ２を書き込み（Ｐ８）、書き込んだ後に上
記ウエハキャリア１ｂはウエハ処理装置３ａに移動する
（Ｐ９）。
【００３１】次に、上記ウエハ処理装置３ａのＩＣカー
ドリーダ４ａは、上記ウエハキャリア１ｂのＩＣカード
２ｂから上記ウエハ処理条件データＤａ２を読み出す。
そして、上記ウエハ処理装置３ａが上記データＤａ２に
基づいて、次のウエハキャリア１ｂの薄膜形成処理を行
う（Ｐ１０）。こうして上記の過程を、最適と思われる
ウエハ処理条件が実現されるまで繰り返す。
ドリーダ４ａは、上記ウエハキャリア１ｂのＩＣカード
２ｂから上記ウエハ処理条件データＤａ２を読み出す。
そして、上記ウエハ処理装置３ａが上記データＤａ２に
基づいて、次のウエハキャリア１ｂの薄膜形成処理を行
う（Ｐ１０）。こうして上記の過程を、最適と思われる
ウエハ処理条件が実現されるまで繰り返す。
【００３２】こうして、ウエハ処理に必要なデータＤａ
１，Ｄｃ１などが転送され、コンピューター７にフィー
ドバックされ、より適切なウエハ処理条件Ｄａ２が設定
されることにより、次の処理の際には、より適切なウエ
ハ処理条件のもとで処理することが可能になる。
１，Ｄｃ１などが転送され、コンピューター７にフィー
ドバックされ、より適切なウエハ処理条件Ｄａ２が設定
されることにより、次の処理の際には、より適切なウエ
ハ処理条件のもとで処理することが可能になる。
【００３３】更に、上記の動作を繰り返すことにより、
当初予定していた膜厚形成を実現するのに適正なウエハ
処理条件が実現する。
当初予定していた膜厚形成を実現するのに適正なウエハ
処理条件が実現する。
【００３４】
【発明の効果】上述したように、本発明のウエハプロセ
ス処理制御方法によれば、ウエハの処理結果およびその
ときの処理条件を、コンピューターに転送する。これに
より、上記コンピューターが更に適切なウエハの処理条
件を設定することが可能になる。
ス処理制御方法によれば、ウエハの処理結果およびその
ときの処理条件を、コンピューターに転送する。これに
より、上記コンピューターが更に適切なウエハの処理条
件を設定することが可能になる。
【００３５】そして、次の処理すべきウエハを保持する
ウエハキャリアが具備する読み書きが可能なデータ保持
手段にそのウエハ処理条件データを書き込み、ウエハ処
理装置に転送することにより、該ウエハ処理装置は前の
処理よりも適切なウエハ処理条件で次のウエハの処理を
することが可能になる。
ウエハキャリアが具備する読み書きが可能なデータ保持
手段にそのウエハ処理条件データを書き込み、ウエハ処
理装置に転送することにより、該ウエハ処理装置は前の
処理よりも適切なウエハ処理条件で次のウエハの処理を
することが可能になる。
【図１】本発明の実施例に係るウエハプロセス処理制御
方法のフローチャート（その１）である。
方法のフローチャート（その１）である。
【図２】本発明の実施例に係るウエハプロセス処理制御
方法のフローチャート（その２）である。
方法のフローチャート（その２）である。
【図３】本発明の実施例に係るウエハプロセス処理制御
方法の説明図である。
方法の説明図である。
【図４】従来例に係るウエハプロセス処理制御方法の説
明図である。
明図である。
１ａ，１ｂ ウエハキャリア
２ａ，２ｂ ＩＣカード
３ａ ウエハ処理装置
４ａ，６ａ，６ｂ ＩＣカードリーダ
５ａ，５ｂ 測定装置
７ コンピューター
Ｄａ１，Ｄａ２ ウエハ処理条件データ
Ｄｃ１ ウエハ処理結果データ
Claims (2)
- 【請求項１】データ保持手段（２ａ，２ｂ）を有するウ
エハキャリア（１ａ，１ｂ）と、データ読み出し装置
（４ａ）を有するウエハ処理装置（３ａ）と、データ読
み出し／書き込み装置（６ａ，６ｂ）を有する測定装置
（５ａ，５ｂ）と、該測定装置（５ａ）から転送された
ウエハ処理結果データ（Ｄｃ１）をデータ処理し、該デ
ータ処理結果に基づき次のウエハ処理条件データ（Ｄａ
２）を前記測定装置（５ｂ）に転送するコンピューター
（７）とを有し、 ウエハ処理装置（３ａ）のデータ読み出し装置（４ａ）
がウエハキャリア（１ａ）のデータ保持手段（２ａ，２
ｂ）内のウエハ処理条件データ（Ｄａ１）を読み取り、
該ウエハ処理条件データ（Ｄａ１）に基づいてウエハキ
ャリア（１ａ）内のウエハの処理を行い、 ウエハ処理後、該ウエハを載せて上記ウエハキャリア
（１ａ）が測定装置（５ａ）に移動し、 該測定装置（５ａ）が処理後のウエハ処理状態を測定
し、該測定の結果得られたウエハ処理結果データ（Ｄｃ
１）と上記ウエハ処理条件データ（Ｄａ１）とをコンピ
ューター（７）に転送し、 上記コンピューター（７）がウエハ処理結果データ（Ｄ
ｃ１）と上記ウエハ処理条件データ（Ｄａ１）とを演算
処理して、より適切なウエハ処理条件データ（Ｄａ２）
を設定した後、該ウエハ処理条件データ（Ｄａ２）を測
定装置（５ｂ）のデータ読み出し／書き込み装置（６
ｂ）に転送し、 次に処理を行うウエハを保持するウエハキャリア（１
ｂ）は上記測定装置（５ｂ）に移動し、データ読み出し
／書き込み装置（６ｂ）を介してウエハキャリア（１
ｂ）のデータ保持手段（２ｂ）に該測定装置（５ｂ）か
ら適正なウエハ処理条件データ（Ｄａ２）を書き込ませ
た後、ウエハ処理装置（３ａ）に移動して次のウエハ処
理を行うことを特徴とするウエハプロセス処理制御方
法。 - 【請求項２】請求項１記載のデータ保持手段（２ａ，２
ｂ）は、読み出し／書き込み可能なＩＣカードであるこ
とを特徴とするウエハプロセス処理制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16167191A JPH0513291A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | ウエハプロセス処理制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16167191A JPH0513291A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | ウエハプロセス処理制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513291A true JPH0513291A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15739631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16167191A Withdrawn JPH0513291A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | ウエハプロセス処理制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513291A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002035587A1 (fr) * | 2000-10-23 | 2002-05-02 | Sony Corporation | Procede de fabrication d"un dispositif a semi-conducteurs et dispositif de controle des parametres de traitement |
| US7042418B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip antenna |
| US7170453B2 (en) | 2003-09-01 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna module including a plurality of chip antennas |
| US7199759B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna module |
| US7242363B2 (en) | 2003-04-10 | 2007-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna element and antenna module, and electronic equipment using same |
| TWI825875B (zh) * | 2022-01-17 | 2023-12-11 | 騰璽科技股份有限公司 | 半導體機台系統及其製造方法 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP16167191A patent/JPH0513291A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7042418B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip antenna |
| US7242363B2 (en) | 2003-04-10 | 2007-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna element and antenna module, and electronic equipment using same |
| US7170453B2 (en) | 2003-09-01 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna module including a plurality of chip antennas |
| US7199759B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna module |
| TWI825875B (zh) * | 2022-01-17 | 2023-12-11 | 騰璽科技股份有限公司 | 半導體機台系統及其製造方法 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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