JPH0513088B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
〔技術分野〕
本発明は、ケイ素を含む合金と酸とを反応させ
ることにより、一般式SinH2o+2(nは1以上の正
の整数)で表わされる水素化ケイ素を製造する方
法に関する。さらに詳しくは、少なくとも一種以
上の溶媒を共存させてケイ素合金と酸水溶液とを
反応させ、水素化ケイ素を製造する方法に関す
る。 〔発明の背景〕 近年エレクトロニクス工業の発展に伴ない、半
導体用シリコンの需要が急激に増している。かか
る半導体用シリコンの製造用原料として水素化ケ
イ素SinH2o+2が最近重要性を増している。特に
モノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)は太陽
電池用原料としても今後大幅な需要増加が見込ま
れている。 水素化ケイ素の製造方法としては、以下に例示
するようないくつかの方法が知られている。 ケイ化マグネシウムと酸水溶液の反応によ
る製造 (反応式の一例:Mg2Si+4HClag→ 1/nSinH2o+2+(1−1/n)H2+2MgCl2) 液化アンモニア溶媒中でケイ化マグネシウ
ムとハロゲン化アンモニウムの反応による製
造 (反応式の一例; Mg2Si+4NH4Cl ――――――→ in liq NH3 1/nSinH2o+2 +(1−1/n)H2+4NH3+2MgCl2 ハロゲン化ケイ素化合物の還元による製造 (反応式の一例;SiCl4+LiAlH4→ SiH4+LiCl+AlCl3) 触媒を用いてケイ素金属と塩素化ケイ素、
水素ガスから一部水素化した塩素化ケイ素を
製造し、これを不均化してシランを製造する
方法 反応式の一例;Si+SiCl4+H2→ SiHCl3+HCl 2SiHCl3SiH2Cl2+SiCl4 2SiH2ClSiHCl3+SiH3Cl 2SiH3ClSiH4+SiH2Cl2 これらの中で、本発明に係わるケイ素合金、特
にケイ化マグネシウムと酸とを水溶液中で反応さ
せるの方法は古くから最も実施容易で簡便な方
法として知られている。もう一つの特徴としてモ
ノシラン(SiH4)だけでなくジシラン(Si2H6)
以上の高級シランの製造法としても公知である。
しかし乍らこの方法では水素化ケイ素の収率が低
い欠点があつた。又、この方法では副反応による
シロキサン結合を有するケイ素化合物の副生を避
けられず、ケイ素合金中のケイ素の水素化ケイ素
SinH2o+2への転化率には限界があるとされてい
る(Z.Anorg.Allgem.Chem.303、283(1960)、J.
A.C.S.57 1349(1935))。そのため簡便な方法に
もかかわらず工業的プロセスとして実施するため
にはその開発が遅れていた。かくしての方法で
水素化ケイ素の収率向上が図れれば、簡便な方法
で安価な水素化ケイ素の製造が可能となる。 〔発明の開示) 本発明者らは、上記の方法について水素化ケ
イ素の収率の向上を図るべく鋭意検討した結果本
発明に至つた。すなわち本発明はケイ素を含む合
金と酸水溶液とを反応せしめて一般式SinH2o+2
(nは1以上の正の整数)で表わされる水素化ケ
イ素を製造する方法において、少くとも一種以上
の溶媒を共存させる事に特徴を有し、かつ該溶媒
が単独又は二種以上の混合物の状態で−60℃乃至
150℃の沸点範囲である水素化ケイ素の製造方法
に関する。本発明によれば簡便な方法によりケイ
素合金中のケイ素への水素化ケイ素の転化率を大
幅に向上することができるばかりでなく溶媒の種
類及び/又は反応圧力を適当に選択する事により
常圧以上の圧力下でも希望の反応温度で沸騰状態
にする条件が選択できる為、気化した溶媒を凝
縮、環流する方式を採用することにより極めて容
易に反応温度を制御できる利点がある。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明において用いられるケイ素を含む合金と
は、ケイ素を含む2成分以上の金属からなる合金
であり、具体例としてはMg2Si、CaSi、Ca3Si2、
Li6Si2、Mg2SiN、Mg2SiAl、Mg2Si2Ba、
CeMg2Si2、Mg6Si7Cu16、Mg3Si6Al3Fe等が挙げ
られる。これらの中ではマグネシウムを含むケイ
素合金、等にケイ化ニマグネシウムMg2Siが最も
好ましい。またこれらの2種以上のケイ素合金の
混合物で用いることもできる。合金の粒度に特に
制限はないが細かいほど好ましい。しかし乍ら経
済上あるいは取扱い上20乃至300メツシユの範囲
であることが望ましい。 酸としては、水に可溶なものであればいかなる
ものでもよいが、通常、塩化水素酸、臭化水素
酸、フツ化水素酸、硫酸、リン酸などの無機酸お
よび蟻酸、酢酸、蓚酸、プロピオン酸などの有機
酸が挙げられる。これらのうち塩化水素酸、硫酸
が特に好ましい。また酸水溶液の酸濃度は本発明
において特に制限するものではないが、酸濃度1
乃至50wt%の範囲であることが、水素化ケイ素
の収率上好ましい。 次に酸水溶液中に共存させて用いられる溶媒と
は単一成分又は2成分以上の混合物の状態で沸点
範囲が−60℃乃至150℃であり、かつ反応条件下
でそのもの自体が単独で又は系に存在する他の成
分と化学変化を起こさず安定に存在する単一成分
物質又は2成分以上の混合物質の総称である。 上記条件を満足するものであれば、いかなるも
のでも良いが、少なくとも一個のC−O−C結合
を分子内に有するエーテル化合物、炭化水素、ハ
ロゲン化炭化水素、ケトン化合物、アルデヒド化
合物、アミン化合物、水素化ケイ素及び有機ケイ
素化合物が例として挙げられる。更に具体的に例
を挙げるとエーテル化合物としては、ジメチルエ
ーテル、ジエチルエーテル、エチルメチルエーテ
ル、ジn−プロピルエーテル、ジブチルエーテ
ル、エチル1−クロルエチルエーテル、エチレン
グリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、アセター
ルなどがある。又炭化水素としてはエタン、プロ
パン、n−ブタン、i−ブタン、n−ペンタン、
2−メチルブタン、n−ヘキサン、2−メチル−
ペンタン、3−メチルペンタン、2,2−ジメチ
ルブタン、n−ヘプタン、n−オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン類、ア
ニソールが例として挙げられる。ハロゲン化炭化
水素としては沸化物が最も望ましく、モノクロル
ペンタフルオロエタン、ジクロロジフルオロメタ
ン、オクタフルオロシクロブタン、ジクロロテト
ラフルオロエタン、ジクロロモノフルオロメタ
ン、トリクロロフルオロメタン、トリクロロトリ
フルオロエタン、テトラクロロフルオロエタン、
ジクロロエタンなどがある。 ケトン化合物としては、例えばアセトン、エチ
ルメチルケトン、ジエチルケトン、クロルアセト
ン、エチルビニルケトン、ジメチルジケトンなど
が、アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、
アクロレイン、マレインアルデヒド、エトキシア
ルデヒド、アミノアセトアルデヒドなどが、又ア
ミン化合物としては、メチルアミン、エチルアミ
ン、ヘキシルアミン、ジエチルアミン、トリメチ
ルアミン、エチレンジアミン、アリルアミン、イ
ソプロパノールアミン、アニリンなどがあげられ
る。また、水素化ケイ素としてはジシラン、トリ
シランなどが又有機ケイ素化合物としては水素化
ケイ素の水素原子の少くとも一個をアルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン等で置換した有機シラン
化合物、有機ハロシラン化合物、又Si−O−Si結
合を有するシロキサン化合物の上記誘導体があ
り、例としてモノメチルシラン、ジメチルシラ
ン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジ
エチルシラン、トリエチルシラン、テトラエチル
シラン、トリメチルエチルシラン、トリメチルブ
チルシラン、ジメチルジエチルシラン、ヘキサメ
チルジシラン、モノメチルジフルオロシラン、モ
ノメチルトリフルオロシラン、ジメチルジフルオ
ロシラン、トリメチルフルオロシラン、エチルト
リフルオロシラン、ジエチルジジフルオロシラ
ン、トリエチルフルオロシラン、ジエチルフルオ
ロクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、ト
リメチルエトキシシランなどが挙げられる。 これらの物質は特許請求範囲に示した溶媒の一
例に過ぎず、上記に具体的に示した物質に限定さ
れるものではない。又これらの物質を2種以上混
合した状態でも用いられることはすでに述べた通
りである。 なお、溶媒の使用割合は酸水溶液の0.001乃至
1000倍容量好ましくは0.01乃至10倍容量である。 次に反応様式について述べる。 本発明はケイ素合金を酸水溶液と反応させるに
あたつて溶媒を共存させることであり、他の反応
態様について限定するものでない。すなわち回分
式、半回分視、連視式反応のいずれの反応態様も
可能で、又各成分の装入方法についても種々の方
式が採用できる。例えば回分式を例にとると酸水
溶液と溶媒を反応器に仕込んで合金を徐々に装入
する方法、酸水溶液、溶媒及び合金を同時に装入
する方法、酸水溶液を仕込んで溶媒中にけん濁さ
せた合金を徐々に装入する方法等いずれの方法も
採用できる。又連続式の場合についても同様であ
る。反応は通常、受圧下又は加圧下で行なうが減
圧下でも行ない得る。反応温度は−60℃乃至100
℃好ましくは−40℃乃至50℃である。収率の面で
は低温ほど好ましいが設備価格、用役コスト面か
ら上記範囲が好ましい。又単一成分又は2成分以
上の混合溶媒を適当に選択して沸騰下で反応を実
施した場合には生ずる反応熱を溶媒の気化熱とし
て除去できるので、気化した溶媒を凝縮器で凝縮
し還流させることにより反応温度の制御が極めて
容易となる。 本発明による溶媒の共存効果は著るしくケイ素
合金中のケイ素の水素化ケイ素への転化率が大幅
に増加し、かつ沸騰下で反応を行なえば反応温度
の制御も極めて容易となる。溶媒の共存効果の理
由はケイ素合金と酸との反応時に発生する著るし
い発熱を極所的に溶媒が気化して、局所的な温度
上昇を防いでいることと生成するシラン類は酸水
溶液に溶解しないが溶媒には溶解するので生成シ
ラン類を溶媒が溶解してケイ素合金の表面を常に
新らしくして酸との反応を容易にしているためと
考えられる。 〔本発明を実施するための好ましい形態〕 以下本発明を実施例によつて説明する。 実施例 1 容量300mlのセパラブルフラスコに、濃度20wt.
%の塩酸水溶液200ml、ジエチルエーテル20gお
よびジフロロエタン20gを装入した。水素ガス雰
囲気中、上記混合液が還流している条件下(反応
温度約−18℃)で、更にケイ化マグネシウム6.0
gを(粒度100乃至200メツシユ、78.2mmol−Si)
を撹拌しながら40分間かけて一定速度で加え続け
た。生成ガスは、液体チツ素温度で冷却したトラ
ツプ中に捕集し、反応終了後(ケイ化マグネシウ
ム投入終了後)、捕集ガス中のSiH4、Si2H6、
Si3H8の量をガスクロトグラフにより分析、定量
した。又反応後、温度を−60℃とし、ジエチルエ
ーテルおよびジフロロエタン中に溶存している
SiH4、Si2H6、Si3H6の量をガスクロマトグラフ
により分析、定量した。 分析されたSiH4、Si2H6、Si3H8の量はそれぞ
れ31.8mmol、7.7mmol、2.4mmolであつた。こ
れら三種類の水素化ケイ素の量は、反応に供した
ケイ化マグネシウム中のケイ素の69.6%に相当す
る。 実施例 2乃至10 実施例1において、ジエチルエーテルおよびジ
フロロエタンのかわりに、第1表に示す溶媒を用
い、第1表に示す反応温度で反応を行なつた以外
は、実施例1と同様に実験を行なつた。 比較例 1、2 実施例1において、ジエチルエーテルおよびジ
フロロエタンを用いずに反応温度を−20℃あるい
は0℃とした以外は、実施例1と同様に実験を行
なつた。 結果を第1表に示す。
ることにより、一般式SinH2o+2(nは1以上の正
の整数)で表わされる水素化ケイ素を製造する方
法に関する。さらに詳しくは、少なくとも一種以
上の溶媒を共存させてケイ素合金と酸水溶液とを
反応させ、水素化ケイ素を製造する方法に関す
る。 〔発明の背景〕 近年エレクトロニクス工業の発展に伴ない、半
導体用シリコンの需要が急激に増している。かか
る半導体用シリコンの製造用原料として水素化ケ
イ素SinH2o+2が最近重要性を増している。特に
モノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)は太陽
電池用原料としても今後大幅な需要増加が見込ま
れている。 水素化ケイ素の製造方法としては、以下に例示
するようないくつかの方法が知られている。 ケイ化マグネシウムと酸水溶液の反応によ
る製造 (反応式の一例:Mg2Si+4HClag→ 1/nSinH2o+2+(1−1/n)H2+2MgCl2) 液化アンモニア溶媒中でケイ化マグネシウ
ムとハロゲン化アンモニウムの反応による製
造 (反応式の一例; Mg2Si+4NH4Cl ――――――→ in liq NH3 1/nSinH2o+2 +(1−1/n)H2+4NH3+2MgCl2 ハロゲン化ケイ素化合物の還元による製造 (反応式の一例;SiCl4+LiAlH4→ SiH4+LiCl+AlCl3) 触媒を用いてケイ素金属と塩素化ケイ素、
水素ガスから一部水素化した塩素化ケイ素を
製造し、これを不均化してシランを製造する
方法 反応式の一例;Si+SiCl4+H2→ SiHCl3+HCl 2SiHCl3SiH2Cl2+SiCl4 2SiH2ClSiHCl3+SiH3Cl 2SiH3ClSiH4+SiH2Cl2 これらの中で、本発明に係わるケイ素合金、特
にケイ化マグネシウムと酸とを水溶液中で反応さ
せるの方法は古くから最も実施容易で簡便な方
法として知られている。もう一つの特徴としてモ
ノシラン(SiH4)だけでなくジシラン(Si2H6)
以上の高級シランの製造法としても公知である。
しかし乍らこの方法では水素化ケイ素の収率が低
い欠点があつた。又、この方法では副反応による
シロキサン結合を有するケイ素化合物の副生を避
けられず、ケイ素合金中のケイ素の水素化ケイ素
SinH2o+2への転化率には限界があるとされてい
る(Z.Anorg.Allgem.Chem.303、283(1960)、J.
A.C.S.57 1349(1935))。そのため簡便な方法に
もかかわらず工業的プロセスとして実施するため
にはその開発が遅れていた。かくしての方法で
水素化ケイ素の収率向上が図れれば、簡便な方法
で安価な水素化ケイ素の製造が可能となる。 〔発明の開示) 本発明者らは、上記の方法について水素化ケ
イ素の収率の向上を図るべく鋭意検討した結果本
発明に至つた。すなわち本発明はケイ素を含む合
金と酸水溶液とを反応せしめて一般式SinH2o+2
(nは1以上の正の整数)で表わされる水素化ケ
イ素を製造する方法において、少くとも一種以上
の溶媒を共存させる事に特徴を有し、かつ該溶媒
が単独又は二種以上の混合物の状態で−60℃乃至
150℃の沸点範囲である水素化ケイ素の製造方法
に関する。本発明によれば簡便な方法によりケイ
素合金中のケイ素への水素化ケイ素の転化率を大
幅に向上することができるばかりでなく溶媒の種
類及び/又は反応圧力を適当に選択する事により
常圧以上の圧力下でも希望の反応温度で沸騰状態
にする条件が選択できる為、気化した溶媒を凝
縮、環流する方式を採用することにより極めて容
易に反応温度を制御できる利点がある。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明において用いられるケイ素を含む合金と
は、ケイ素を含む2成分以上の金属からなる合金
であり、具体例としてはMg2Si、CaSi、Ca3Si2、
Li6Si2、Mg2SiN、Mg2SiAl、Mg2Si2Ba、
CeMg2Si2、Mg6Si7Cu16、Mg3Si6Al3Fe等が挙げ
られる。これらの中ではマグネシウムを含むケイ
素合金、等にケイ化ニマグネシウムMg2Siが最も
好ましい。またこれらの2種以上のケイ素合金の
混合物で用いることもできる。合金の粒度に特に
制限はないが細かいほど好ましい。しかし乍ら経
済上あるいは取扱い上20乃至300メツシユの範囲
であることが望ましい。 酸としては、水に可溶なものであればいかなる
ものでもよいが、通常、塩化水素酸、臭化水素
酸、フツ化水素酸、硫酸、リン酸などの無機酸お
よび蟻酸、酢酸、蓚酸、プロピオン酸などの有機
酸が挙げられる。これらのうち塩化水素酸、硫酸
が特に好ましい。また酸水溶液の酸濃度は本発明
において特に制限するものではないが、酸濃度1
乃至50wt%の範囲であることが、水素化ケイ素
の収率上好ましい。 次に酸水溶液中に共存させて用いられる溶媒と
は単一成分又は2成分以上の混合物の状態で沸点
範囲が−60℃乃至150℃であり、かつ反応条件下
でそのもの自体が単独で又は系に存在する他の成
分と化学変化を起こさず安定に存在する単一成分
物質又は2成分以上の混合物質の総称である。 上記条件を満足するものであれば、いかなるも
のでも良いが、少なくとも一個のC−O−C結合
を分子内に有するエーテル化合物、炭化水素、ハ
ロゲン化炭化水素、ケトン化合物、アルデヒド化
合物、アミン化合物、水素化ケイ素及び有機ケイ
素化合物が例として挙げられる。更に具体的に例
を挙げるとエーテル化合物としては、ジメチルエ
ーテル、ジエチルエーテル、エチルメチルエーテ
ル、ジn−プロピルエーテル、ジブチルエーテ
ル、エチル1−クロルエチルエーテル、エチレン
グリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、アセター
ルなどがある。又炭化水素としてはエタン、プロ
パン、n−ブタン、i−ブタン、n−ペンタン、
2−メチルブタン、n−ヘキサン、2−メチル−
ペンタン、3−メチルペンタン、2,2−ジメチ
ルブタン、n−ヘプタン、n−オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン類、ア
ニソールが例として挙げられる。ハロゲン化炭化
水素としては沸化物が最も望ましく、モノクロル
ペンタフルオロエタン、ジクロロジフルオロメタ
ン、オクタフルオロシクロブタン、ジクロロテト
ラフルオロエタン、ジクロロモノフルオロメタ
ン、トリクロロフルオロメタン、トリクロロトリ
フルオロエタン、テトラクロロフルオロエタン、
ジクロロエタンなどがある。 ケトン化合物としては、例えばアセトン、エチ
ルメチルケトン、ジエチルケトン、クロルアセト
ン、エチルビニルケトン、ジメチルジケトンなど
が、アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、
アクロレイン、マレインアルデヒド、エトキシア
ルデヒド、アミノアセトアルデヒドなどが、又ア
ミン化合物としては、メチルアミン、エチルアミ
ン、ヘキシルアミン、ジエチルアミン、トリメチ
ルアミン、エチレンジアミン、アリルアミン、イ
ソプロパノールアミン、アニリンなどがあげられ
る。また、水素化ケイ素としてはジシラン、トリ
シランなどが又有機ケイ素化合物としては水素化
ケイ素の水素原子の少くとも一個をアルキル基、
アルコキシ基、ハロゲン等で置換した有機シラン
化合物、有機ハロシラン化合物、又Si−O−Si結
合を有するシロキサン化合物の上記誘導体があ
り、例としてモノメチルシラン、ジメチルシラ
ン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジ
エチルシラン、トリエチルシラン、テトラエチル
シラン、トリメチルエチルシラン、トリメチルブ
チルシラン、ジメチルジエチルシラン、ヘキサメ
チルジシラン、モノメチルジフルオロシラン、モ
ノメチルトリフルオロシラン、ジメチルジフルオ
ロシラン、トリメチルフルオロシラン、エチルト
リフルオロシラン、ジエチルジジフルオロシラ
ン、トリエチルフルオロシラン、ジエチルフルオ
ロクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、ト
リメチルエトキシシランなどが挙げられる。 これらの物質は特許請求範囲に示した溶媒の一
例に過ぎず、上記に具体的に示した物質に限定さ
れるものではない。又これらの物質を2種以上混
合した状態でも用いられることはすでに述べた通
りである。 なお、溶媒の使用割合は酸水溶液の0.001乃至
1000倍容量好ましくは0.01乃至10倍容量である。 次に反応様式について述べる。 本発明はケイ素合金を酸水溶液と反応させるに
あたつて溶媒を共存させることであり、他の反応
態様について限定するものでない。すなわち回分
式、半回分視、連視式反応のいずれの反応態様も
可能で、又各成分の装入方法についても種々の方
式が採用できる。例えば回分式を例にとると酸水
溶液と溶媒を反応器に仕込んで合金を徐々に装入
する方法、酸水溶液、溶媒及び合金を同時に装入
する方法、酸水溶液を仕込んで溶媒中にけん濁さ
せた合金を徐々に装入する方法等いずれの方法も
採用できる。又連続式の場合についても同様であ
る。反応は通常、受圧下又は加圧下で行なうが減
圧下でも行ない得る。反応温度は−60℃乃至100
℃好ましくは−40℃乃至50℃である。収率の面で
は低温ほど好ましいが設備価格、用役コスト面か
ら上記範囲が好ましい。又単一成分又は2成分以
上の混合溶媒を適当に選択して沸騰下で反応を実
施した場合には生ずる反応熱を溶媒の気化熱とし
て除去できるので、気化した溶媒を凝縮器で凝縮
し還流させることにより反応温度の制御が極めて
容易となる。 本発明による溶媒の共存効果は著るしくケイ素
合金中のケイ素の水素化ケイ素への転化率が大幅
に増加し、かつ沸騰下で反応を行なえば反応温度
の制御も極めて容易となる。溶媒の共存効果の理
由はケイ素合金と酸との反応時に発生する著るし
い発熱を極所的に溶媒が気化して、局所的な温度
上昇を防いでいることと生成するシラン類は酸水
溶液に溶解しないが溶媒には溶解するので生成シ
ラン類を溶媒が溶解してケイ素合金の表面を常に
新らしくして酸との反応を容易にしているためと
考えられる。 〔本発明を実施するための好ましい形態〕 以下本発明を実施例によつて説明する。 実施例 1 容量300mlのセパラブルフラスコに、濃度20wt.
%の塩酸水溶液200ml、ジエチルエーテル20gお
よびジフロロエタン20gを装入した。水素ガス雰
囲気中、上記混合液が還流している条件下(反応
温度約−18℃)で、更にケイ化マグネシウム6.0
gを(粒度100乃至200メツシユ、78.2mmol−Si)
を撹拌しながら40分間かけて一定速度で加え続け
た。生成ガスは、液体チツ素温度で冷却したトラ
ツプ中に捕集し、反応終了後(ケイ化マグネシウ
ム投入終了後)、捕集ガス中のSiH4、Si2H6、
Si3H8の量をガスクロトグラフにより分析、定量
した。又反応後、温度を−60℃とし、ジエチルエ
ーテルおよびジフロロエタン中に溶存している
SiH4、Si2H6、Si3H6の量をガスクロマトグラフ
により分析、定量した。 分析されたSiH4、Si2H6、Si3H8の量はそれぞ
れ31.8mmol、7.7mmol、2.4mmolであつた。こ
れら三種類の水素化ケイ素の量は、反応に供した
ケイ化マグネシウム中のケイ素の69.6%に相当す
る。 実施例 2乃至10 実施例1において、ジエチルエーテルおよびジ
フロロエタンのかわりに、第1表に示す溶媒を用
い、第1表に示す反応温度で反応を行なつた以外
は、実施例1と同様に実験を行なつた。 比較例 1、2 実施例1において、ジエチルエーテルおよびジ
フロロエタンを用いずに反応温度を−20℃あるい
は0℃とした以外は、実施例1と同様に実験を行
なつた。 結果を第1表に示す。
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ケイ素を含む合金と酸水溶液とを先用せしめ
て一般式SinH2o+2(nは1以上の正の整数)で表
わされる水素化ケイ素を製造する方法において、
少なくとも一種以上の溶媒を共存させることを特
徴とする水素化ケイ素の製造方法。 2 ケイ素合金が、マグネシウム及びケイ素を含
む合金であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載の方法。 3 酸水溶液がハロゲン化水素、硫酸、リン酸、
有機酸の水溶液である特許請求の範囲第1項に記
載の方法。 4 溶媒が単独又は二種以上の混合物の状態で−
60℃乃至150℃の沸点範囲である特許請求の範囲
第1項に記載の方法。 5 溶媒がエーテル化合物、炭化水素、ハロゲン
化炭化水素、ケトン化合物、アルデヒド化合物、
アミン化合物、水素化ケイ素、有機ケイ素化合物
である特許請求の範囲第1項に記載の方法。 6 溶媒の共存下でケイ素を含む合金と酸水溶液
とを反応せしめる状態が沸騰状態であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59119380A JPS60264318A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 水素化ケイ素の製造方法 |
US06/686,893 US4610859A (en) | 1983-12-29 | 1984-12-27 | Process for producing silicon hydrides |
AU37224/84A AU3722484A (en) | 1983-12-29 | 1984-12-28 | Producing silicon hydrides |
EP84309133A EP0149363A3 (en) | 1983-12-29 | 1984-12-28 | Process for producing silicon hydrides |
KR1019840008531A KR890001968B1 (ko) | 1983-12-29 | 1984-12-29 | 수소화 규소의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59119380A JPS60264318A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 水素化ケイ素の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60264318A JPS60264318A (ja) | 1985-12-27 |
JPH0513088B2 true JPH0513088B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=14760076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59119380A Granted JPS60264318A (ja) | 1983-12-29 | 1984-06-11 | 水素化ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60264318A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10752507B2 (en) * | 2018-10-11 | 2020-08-25 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Process for producing liquid polysilanes and isomer enriched higher silanes |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60141614A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素化ケイ素の製造方法 |
JPS60141615A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素化ケイ素の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59119380A patent/JPS60264318A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60141614A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素化ケイ素の製造方法 |
JPS60141615A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 水素化ケイ素の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60264318A (ja) | 1985-12-27 |
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